CN110846151A - 一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法 - Google Patents
一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110846151A CN110846151A CN201911156901.9A CN201911156901A CN110846151A CN 110846151 A CN110846151 A CN 110846151A CN 201911156901 A CN201911156901 A CN 201911156901A CN 110846151 A CN110846151 A CN 110846151A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- minutes
- ether
- cleaning agent
- cleaning
- stirrer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title claims abstract description 73
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 33
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 33
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 30
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 30
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 30
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 30
- -1 polyoxyethylene glycerol Polymers 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 20
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 20
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 18
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000003240 coconut oil Substances 0.000 claims description 17
- 235000019864 coconut oil Nutrition 0.000 claims description 17
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N Sorbitan monooleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N 0.000 claims description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 13
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 13
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 claims description 12
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 claims description 12
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N glyceric acid Chemical compound OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 10
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N (9Z)-octadecen-1-ol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCO ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229940055577 oleyl alcohol Drugs 0.000 claims description 7
- XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N oleyl alcohol Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCO XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 6
- 239000004353 Polyethylene glycol 8000 Substances 0.000 claims description 6
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 6
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 claims description 6
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 6
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 6
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 6
- 229940113115 polyethylene glycol 200 Drugs 0.000 claims description 6
- 229940057847 polyethylene glycol 600 Drugs 0.000 claims description 6
- 235000019446 polyethylene glycol 8000 Nutrition 0.000 claims description 6
- 229940085678 polyethylene glycol 8000 Drugs 0.000 claims description 6
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 4
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 claims description 3
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 claims description 3
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N Phenyl glycidyl ether Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBIROUFYLSSYDX-UHFFFAOYSA-M benzododecinium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 JBIROUFYLSSYDX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 claims description 3
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 20
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 5
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 64
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N Guaifenesin Chemical compound COC1=CC=CC=C1OCC(O)CO HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/52—Carboxylic amides, alkylolamides or imides or their condensation products with alkylene oxides
- C11D1/525—Carboxylic amides (R1-CO-NR2R3), where R1, R2 or R3 contain two or more hydroxy groups per alkyl group, e.g. R3 being a reducing sugar rest
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/667—Neutral esters, e.g. sorbitan esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/72—Ethers of polyoxyalkylene glycols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
本发明所涉及一种水性锡膏清洗剂，包括有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂，缓冲剂。在清除电路板表面或电路板表面与芯片框架之间的锡膏残留物时，将含芯片的框架在高温焊接后或电路板浸泡在此水性锡膏清洗剂中，锡膏清洗剂中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留物中的锡膏及金属氧化物等物质溶解、分解成微小颗粒或产生化学反应，使锡膏以及微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片框架表面或电路板表面清洁能力。与此同时，将在水性锡膏清洗剂扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够保护电路板表面或芯片框架表面的金属线路的稳定，阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。本发明水性锡膏清洗剂制作工艺具有操作简单，加工方便。所述清洗方法具有使用简单，清洗方便的功效。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体封装技术领域，具体是一种用于集成电路封装方面的水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法。
背景技术
随着电子焊接工业的发展，电子信息产向着微型化，集成化，多功能化方向发展，使得表面封装技术已经成为电子产品封装的主流技术。集成电路封装是半导体封装技术中的重要部分。然而，在集成电路封装时，一般情况，先通过焊接方式将各种电子元器件以及半导体芯片分别焊接固定在电路板上面。在此焊接过程中，所述电路板上会残留一些多余的锡膏，粘接剂以及溶剂等残留物。待焊接结束之后要及时对其进行清洗，否则，线路板上残留的锡膏、粘合剂以及溶剂会对线路板造成极大的影响，将会影响到后续的焊接工作，降低焊接的质量和工作效率。
发明内容
有鉴于此，本发明技术目的是为了解决上述现有技术问题而提供一种不仅能够清洁残留于电路板或电子元件表面的锡膏、粘合剂以及溶剂等残留物，而且还能够防止金属线路被氧化的现象发生的水性锡膏清洗剂。
本发明技术目的还提供一种操作简单，加工方便的水性锡膏清洗剂制作工艺。
本发明技术目的还提供一种使用简单，清洗方便的水性锡膏清洗剂清洗方法。
为此解决上述技术问题，本发明中的技术方案所提供一种水性锡膏清洗剂，使用在集成电路封装领域，其包括表面活性剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂，有机清洁剂。
所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯甘油醚,脂肪酸聚氧乙烯醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80，司潘-80，油醇聚氧乙烯醚，氢化蓖麻油活性剂,苯基缩水甘油醚；所述脂肪酸聚氧乙烯甘油醚为0.15千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.15千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.15千克，所述吐温-80为0.15千克，所述司潘-80为0.15千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.15千克。
有机溶剂包含有吡咯烷酮，丁内酯，四氢康醇，丙三醇，乙二醇甲醚，聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚，丙二醇苯醚，乙二醇甲醚，二乙二醇单己醚，乙酸丁酯，乙醇胺，丙二醇，己二酸二辛酯苯甲醇；所述吡咯烷酮为0.10千克，所述丁内酯为0.10千克，所述四氢康醇为0.10千克，所述丙三醇为0.10千克，所述乙二醇甲醚为0.10千克；所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克。
缓蚀剂包含有苯并三氮唑，甲基苯并三氮唑；所述苯并三氮唑为0.05千克；
偶联剂包含有KH550，KH560；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。
一种水性锡膏清洗剂制作工艺，其工艺流程为：首先，将0.15千克的聚氧乙烯甘油醚，0.15千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.15千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.15千克的吐温-80，0.15千克的司潘-80，0.15千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液。
接着，将1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，缓慢加入0.15千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.15千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.15千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液。
接着，将预先打入计量槽的去离子的3.0L体积的水溶液加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液。
接着，将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液。
接着，将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液。
接着，先将已经制作好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子的水溶液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品的水性锡膏清洗剂。
一种水性锡膏清洗剂清洗方法，其方法为：
第一步骤，将残留有锡膏、粘合剂以及溶剂的电路板放入超声波清洗机内部，并将水性锡膏清洗剂加入到超声波清洗机的清洗溶液充分均匀混合，使得形成混合溶液；所述超声波清洗机对混合溶液加热到50度至60度，混合溶液对所述电路板进行清洗2道工序，每道清洗时间为10分钟至25分钟；混合溶液最佳加热温度为55度，最佳清洗时间为20分钟；
第二步骤，再往超声波清洗机内部加入去离子的水溶液，对已经过第一步骤清洗的电路板，使用超声波清洗方式，清洗10分钟至30分钟；
第三步骤，接着，使用50度至60度的热纯水，对已经过第二步骤清洗的电路，通过喷淋方式进行喷淋漂洗2次，每次喷淋电路板的时间为5分钟；
第四步骤，接着，对漂洗后电路板使用热风吹干表面残留的溶液，然后，对吹干电路板放入到烘箱内部进行烘干即可。
本发明的有益技术效果：因所述水性锡膏清洗剂由含有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂等成分构成。在清除电路板表面或电路板表面与芯片框架之间的锡膏残留物时，将含芯片的框架在高温焊接后或电路板浸泡在此水性锡膏清洗剂中，锡膏清洗剂中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留物中的锡膏及金属氧化物等物质溶解、分解成微小颗粒或产生化学反应，使锡膏以及微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片框架表面或电路板表面清洁能力。在有机溶剂和偶联剂的共同作用下，将在水性锡膏清洗剂扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够保护电路板表面或芯片框架表面的金属线路的稳定，阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。所述缓蚀剂能够阻止电子元件或电路板表面的金属线路被氧化，达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。因此，所述水性锡膏清洗剂不仅具有锡膏清洁能力，而且还能够防止金属线路被氧化的现象发生。与此同时，所述水性锡膏清洗剂具有去油渍能力强，使用安全，清洗效率高，清洗时间短，清洗效果好，节能环保的功能。与现有技术中同类产品相互比较，本发明水性锡膏清洗剂制作工艺具有操作简单，加工方便。水性锡膏清洗剂清洗方法具有使用简单，清洗方便的功效。
为对本发明的目的、构造特征及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下：
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合实施例说明一种水性锡膏清洗剂，使用在集成电路封装领域，其包括表面活性剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂，有机清洁剂。
所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯甘油醚,脂肪酸聚氧乙烯醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80，司潘-80，油醇聚氧乙烯醚，氢化蓖麻油活性剂,苯基缩水甘油醚；所述脂肪酸聚氧乙烯甘油醚为0.15千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.15千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.15千克，所述吐温-80为0.15千克，所述司潘-80为0.15千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.15千克。
有机溶剂包含有吡咯烷酮，丁内酯，四氢康醇，丙三醇，乙二醇甲醚，聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚，丙二醇苯醚，乙二醇甲醚，二乙二醇单己醚，乙酸丁酯，乙醇胺，丙二醇，己二酸二辛酯苯甲醇；所述吡咯烷酮为0.10千克，所述丁内酯为0.10千克，所述四氢康醇为0.10千克，所述丙三醇为0.10千克，所述乙二醇甲醚为0.10千克；所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克。
缓蚀剂包含有苯并三氮唑，甲基苯并三氮唑；所述苯并三氮唑为0.05千克。偶联剂包含有KH550，KH560。所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。
所述水性锡膏清洗剂为无色透明液体，易溶于水。水性锡膏清洗剂能对助焊剂即锡膏起吸附、分散作用。锡膏清洗剂中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于电子元件表面的锡膏及金属氧化物等物质分解成微小颗粒或化学反应，使锡膏以及微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，达到电子元件表面清洁能力。在有机溶剂和偶联剂的共同作用下，将在所述水性锡膏清洗剂扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够保护金属线路的稳定。所述缓蚀剂能够阻止电子元件表面的金属线路被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。水性锡膏清洗剂是一款锡膏及助焊剂的清洗剂.是一种不易燃烧的的中性清洗剂.PH值在7左右，对芯片无任何伤害。水性锡膏清洗剂也是一种去除电子元器件表面焊料残留物的清洗剂,干燥后器件表面无清洗剂等有机残留,不影响器件表面润湿性及后续工序焊线的结合力。水性锡膏清洗剂是一种无害,可生物降解的水基清洗剂。水性锡膏清洗剂主要用于去除电子元件残留的锡膏、粘合剂或溶剂。水性锡膏清洗剂包含有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。此锡膏清洗剂具有分散，润湿，导电，降温，润滑，乳化，清洁，包裹，去污，金属防氧化等多种功能。
一种水性锡膏清洗剂制作工艺，其工艺流程为：首先，将0.15千克的聚氧乙烯甘油醚，0.15千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.15千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.15千克的吐温-80，0.15千克的司潘-80，0.15千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液。
接着，将1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，缓慢加入0.15千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.15千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.15千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液。
接着，将预先打入计量槽的去离子的3.0L体积的水溶液加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液。
接着，将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液。
接着，将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液。
接着，先将已经制作好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子的水溶液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品的水性锡膏清洗剂。
一种水性锡膏清洗剂清洗方法，其方法为：第一步骤，将残留有锡膏、粘合剂以及溶剂的电路板放入超声波清洗机内部，并将水性锡膏清洗剂加入到超声波清洗机的清洗溶液充分均匀混合，使得形成混合溶液；所述超声波清洗机对混合溶液加热到50度至60度，混合溶液对所述电路板进行清洗2道工序，每道清洗时间为10分钟至25分钟；混合溶液最佳加热温度为55度，最佳清洗时间为20分钟。
第二步骤，再往超声波清洗机内部加入去离子的水溶液，对已经过第一步骤清洗的电路板，使用超声波清洗方式，清洗10分钟至30分钟。
第三步骤，接着，使用50度至60度的热纯水，对已经过第二步骤清洗的电路，通过喷淋方式进行喷淋漂洗2次，每次喷淋电路板的时间为5分钟。
第四步骤，接着，对漂洗后电路板使用热风吹干表面残留的溶液，然后，对吹干电路板放入到烘箱内部进行烘干即可。
在清除电路板表面残留物时，将电子元件浸泡在水性锡膏清洗剂中或喷淋清洗，锡膏清洗剂中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于产品表面的锡膏及金属氧化物等物质分解成微小颗粒或化学反应，使锡膏以及微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，达到电子元件表面清洁能力。在有机溶剂和偶联剂的共同作用下，将在所述水性锡膏清洗剂扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够保护金属线路的稳定，所述缓蚀剂能够阻止电子元件表面的金属线路被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。清洗后用去离子水浸洗,再用热纯水(50～60℃)漂洗,并热风吹干,烘干即可。与现有技术中同类产品相互比较，本发明还具有操作简单和清洗方便的功效。
综上所述，因所述水性锡膏清洗剂由含有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂等成分构成。在清除电路板表面或电路板表面与芯片框架之间的锡膏残留物时，将含芯片的框架在高温焊接后或电路板浸泡在此水性锡膏清洗剂中，锡膏清洗剂中表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留物中的锡膏及金属氧化物等物质溶解、分解成微小颗粒或产生化学反应，使锡膏以及微小颗粒或粉末物质溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片框架表面或电路板表面清洁能力。在有机溶剂和偶联剂的共同作用下，将在水性锡膏清洗剂扩散范围内形成一层有机保护膜，该保护膜能够保护电路板表面或芯片框架表面的金属线路的稳定，阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。所述缓蚀剂能够阻止电子元件或电路板表面的金属线路被氧化，达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。因此，所述水性锡膏清洗剂不仅具有锡膏清洁能力，而且还能够防止金属线路被氧化的现象发生。与此同时，所述水性锡膏清洗剂具有去油渍能力强，使用安全，清洗效率高，清洗时间短，清洗效果好，节能环保的功能。与现有技术中同类产品相互比较，本发明水性锡膏清洗剂制作工艺具有操作简单，加工方便。水性锡膏清洗剂清洗方法具有使用简单，清洗方便的功效。
以上说明了本发明的优选实施例，并非因此局限本发明的权利范围。本领域技术人员不脱离本发明的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本发明的权利范围之内。
Claims (3)
1.一种水性锡膏清洗剂，使用在集成电路封装领域，其包括表面活性剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂，有机清洁剂；其特征在于：
所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯甘油醚,脂肪酸聚氧乙烯醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80，司潘-80，油醇聚氧乙烯醚，氢化蓖麻油活性剂,苯基缩水甘油醚；所述脂肪酸聚氧乙烯甘油醚为0.15千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.15千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.15千克，所述吐温-80为0.15千克，所述司潘-80为0.15千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.15千克；
有机溶剂包含有吡咯烷酮，丁内酯，四氢康醇，丙三醇，乙二醇甲醚，聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚，丙二醇苯醚，乙二醇甲醚，二乙二醇单己醚，乙酸丁酯，乙醇胺，丙二醇，己二酸二辛酯苯甲醇；所述吡咯烷酮为0.10千克，所述丁内酯为0.10千克，所述四氢康醇为0.10千克，所述丙三醇为0.10千克，所述乙二醇甲醚为0.10千克；所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；
缓蚀剂包含有苯并三氮唑，甲基苯并三氮唑；所述苯并三氮唑为0.05千克；
偶联剂包含有KH550，KH560；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。
2.一种如权利要求1所述水性锡膏清洗剂而所采用制作工艺，其工艺流程为：首先，将0.15千克的聚氧乙烯甘油醚，0.15千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.15千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.15千克的吐温-80，0.15千克的司潘-80，0.15千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液；
接着，将1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，缓慢加入0.15千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.15千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.15千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液；
接着，将预先打入计量槽的去离子的3.0L体积的水溶液加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液；
接着，将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液；
接着，将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液；
接着，先将已经制作好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子的水溶液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品的水性锡膏清洗剂。
3.一种如权利要求1所述水性锡膏清洗剂而所采用清洗方法，其方法为：
第一步骤，将残留有锡膏、粘合剂以及溶剂的电路板放入超声波清洗机内部，并将水性锡膏清洗剂加入到超声波清洗机的清洗溶液充分均匀混合，使得形成混合溶液；所述超声波清洗机对混合溶液加热到50度至60度，混合溶液对所述电路板进行清洗2道工序，每道清洗时间为10分钟至25分钟；混合溶液最佳加热温度为55度，最佳清洗时间为20分钟；
第二步骤，再往超声波清洗机内部加入去离子的水溶液，对已经过第一步骤清洗的电路板，使用超声波清洗方式，清洗10分钟至30分钟；
第三步骤，接着，使用50度至60度的热纯水，对已经过第二步骤清洗的电路，通过喷淋方式进行喷淋漂洗2次，每次喷淋电路板的时间为5分钟；
第四步骤，接着，对漂洗后电路板使用热风吹干表面残留的溶液，然后，对吹干电路板放入到烘箱内部进行烘干即可。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911156901.9A CN110846151A (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911156901.9A CN110846151A (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110846151A true CN110846151A (zh) | 2020-02-28 |
Family
ID=69603634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911156901.9A Pending CN110846151A (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110846151A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111575124A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-08-25 | 苏州世华新材料科技股份有限公司 | 一种线路板残胶清洗剂及其制备方法 |
| CN112625813A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 高亚军 | 一种用于smt的水基线路板清洗剂及清洗方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101503648A (zh) * | 2009-02-26 | 2009-08-12 | 深圳市合明科技有限公司 | 一种smt印刷网板的水基清洗剂 |
| CN102021090A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-04-20 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 清除线路板表面焊锡膏的碱性水剂清洗剂及制造方法 |
| CN103525601A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 合肥市华美光电科技有限公司 | 一种水基强溶解型电路板清洗剂及其制备方法 |
| CN103555443A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-05 | 合肥市华美光电科技有限公司 | 一种水基印刷电路板锡膏清洗剂及其制备方法 |
| CN103897862A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 青海天誉汇新能源开发有限公司 | 一种光伏硅片清洁剂及其清洁方法 |
| CN105886154A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-24 | 苏州龙腾万里化工科技有限公司 | 一种环保型高效浓缩锡膏清洗剂及其制备方法 |
| CN108004046A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-08 | 苏州赛源微电子有限公司 | 一种超声清洗集成电路板的方法 |
| CN109207287A (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-15 | 深圳市伯斯特科技有限公司 | 芯片切割清洗液及该清洗液制作工艺 |
| CN109207272A (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-15 | 深圳市伯斯特科技有限公司 | 芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺 |
-
2019
- 2019-11-22 CN CN201911156901.9A patent/CN110846151A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101503648A (zh) * | 2009-02-26 | 2009-08-12 | 深圳市合明科技有限公司 | 一种smt印刷网板的水基清洗剂 |
| CN102021090A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-04-20 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 清除线路板表面焊锡膏的碱性水剂清洗剂及制造方法 |
| CN103897862A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 青海天誉汇新能源开发有限公司 | 一种光伏硅片清洁剂及其清洁方法 |
| CN103525601A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 合肥市华美光电科技有限公司 | 一种水基强溶解型电路板清洗剂及其制备方法 |
| CN103555443A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-05 | 合肥市华美光电科技有限公司 | 一种水基印刷电路板锡膏清洗剂及其制备方法 |
| CN105886154A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-24 | 苏州龙腾万里化工科技有限公司 | 一种环保型高效浓缩锡膏清洗剂及其制备方法 |
| CN108004046A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-08 | 苏州赛源微电子有限公司 | 一种超声清洗集成电路板的方法 |
| CN109207287A (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-15 | 深圳市伯斯特科技有限公司 | 芯片切割清洗液及该清洗液制作工艺 |
| CN109207272A (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-15 | 深圳市伯斯特科技有限公司 | 芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111575124A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-08-25 | 苏州世华新材料科技股份有限公司 | 一种线路板残胶清洗剂及其制备方法 |
| CN112625813A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 高亚军 | 一种用于smt的水基线路板清洗剂及清洗方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105855749B (zh) | 一种水洗芯片固晶锡膏及其制备方法 | |
| CN100528461C (zh) | 一种用于锡铅焊膏的无松香免清洗助焊剂及其制备方法 | |
| JP4776710B2 (ja) | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 | |
| CN100496867C (zh) | 无铅焊料用无卤素无松香免清洗助焊剂 | |
| CN100532003C (zh) | 无铅焊料丝用松香型无卤素免清洗助焊剂 | |
| CN102794582B (zh) | 一种与高熔点钎料配套使用的助焊剂及其配制方法 | |
| CN110846151A (zh) | 一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法 | |
| CN108431194B (zh) | 助焊剂用清洗剂组合物 | |
| KR102323027B1 (ko) | 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물 | |
| WO2015058456A1 (zh) | 一种预成型焊片喷涂用高浓度助焊剂 | |
| CN109370809B (zh) | 一种低泡水基清洗剂及清洗方法 | |
| CN101352788B (zh) | 一种无铅焊锡用助焊剂 | |
| US5443660A (en) | Water-based no-clean flux formulation | |
| JP2637635B2 (ja) | はんだ付け方法 | |
| JP5945914B2 (ja) | フラックス残渣除去用洗浄剤 | |
| TW200402469A (en) | Detergent composition for cleaning precision parts | |
| CN102114582A (zh) | 一种基于陶瓷电容钎焊的水溶性助焊剂 | |
| CN115770975A (zh) | 一种环保水基助焊剂制备工艺 | |
| CN111040888B (zh) | 一种具有强分散能力的水基清洗剂的应用 | |
| CN109401859B (zh) | 一种松香型助焊剂用水基清洗剂及清洗方法 | |
| CN112592769A (zh) | 低voc的半导体芯片清洗剂及其制备方法 | |
| CN108406166A (zh) | 一种无卤素喷印锡膏用助焊剂及其制备方法 | |
| CN104635439A (zh) | 一种光刻胶剥离液及其应用 | |
| KR20110015063A (ko) | 무연땜납 플럭스 세정제 조성물 | |
| KR20100045783A (ko) | 수계세정액 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200228 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |