CN109159014A - 一种用于晶圆生产cvd氧化膜厚度的控制装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
- B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
- B24B47/22—Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及附属装置的技术领域，特别是涉及一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其可以降低加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差；并且可以增强加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度；同时增强支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力；包括操作台、支座、抛光轮、电机和镀膜晶圆片；还包括两组支撑架、两组升降杆、调控板、螺纹杆、上转动环、下转动环和调节旋钮，支座的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔；还包括带动板和滑动块，带动板的内部设置有晃动腔；还包括左滑杆、右滑杆、左夹板、右夹板、两组下限位环、两组上限位环和同步齿轮，支座的顶部区域内部设置有工作腔。
Description
技术领域
本发明涉及附属装置的技术领域，特别是涉及一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置。
背景技术
众所周知，CVD法制备薄膜过程为：首先反应气体向基片表面扩散，然后反应气体吸附于基片表面，这时反应气体在基片表面发生化学反应，通过化学反应在基片表面产生的气相副产物脱离表面，向空间扩散或者被抽气系统抽走，最后基片表面留下不挥发的固相反应产物便是氧化膜，在这个CVD氧化膜的制备过程中，氧化膜的厚度是不可控股的，因此我们需要对晶圆基面上的氧化膜进行厚度处理，其中用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置是一种在晶圆片基面制作CVD氧化膜的过程中，用于控制CVD氧化膜厚度的装置，其在晶圆片制作的领域中得到了广泛的使用；现有的用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置包括操作台、支座、抛光轮、电机和镀膜晶圆片，所述支座的底端与操作台的顶端的中部区域连接，所述镀膜晶圆片卡装在支座的顶端，所述抛光轮的固定端与电机的输出端固定卡装；现有的用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置使用时，首先在市场上买来电机和抛光轮，然后将所述抛光轮按照电机购买时所带的安装说明书安装在电机的输出端，然后将镀膜晶圆片卡装在支座上，之后将电机按照购买时所带的使用说明书接入电源，并且打开电机使电机的输出端带动抛光轮转动，操作人员用抛光轮调整镀膜晶圆片厚度即可；现有的用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置使用中发现，首先通过操作人员拿着电机带动抛光轮对镀膜晶圆片进行打磨，使加工之后的晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差较大，从而导致使用局限性较高；并且通过操作人员手持电机带动抛光轮对镀膜晶圆片抛光，使加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度较差，从而导致实用性较差；再有支座对镀膜晶圆片的尺寸要求较高，其适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力较弱，从而导致灵活性较差。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种可以降低加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差，从而降低使用局限性；并且可以增强加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度，从而增强实用性；同时增强支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力，从而增强灵活性的晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，包括操作台、支座、抛光轮、电机和镀膜晶圆片，所述抛光轮的固定端与电机的输出端固定卡装；还包括两组支撑架、两组升降杆、调控板、螺纹杆、上转动环、下转动环和调节旋钮，所述两组支撑架的底端分别与操作台的顶端的左侧和右侧连接，所述两组支撑架的顶端内侧分别与支座的左端和右端的中部区域连接，所述支座的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔，所述两组升降杆的底端均自支座的上侧分别穿过两组伸缩孔并且均伸出至支座的下侧，所述两组升降杆的底端分别与调控板的顶端的左侧和右侧连接，所述调控板的顶端中心区域贯穿设置有调节螺纹孔，所述螺纹杆的底端自调控板的上侧螺装穿过调节螺纹孔并且伸出至调控板的下侧，所述上转动环的顶端和下转动环的底端分别与支座的底端中心区域和操作台顶端的中部区域连接，所述螺纹杆的顶端和底端分别与上转动环和下转动环转动连接，所述调节旋钮与螺纹杆的下部区域固定套装；还包括带动板和滑动块，所述两组升降杆的顶端分别与带动板的底端的左侧和右侧连接，所述带动板的内部设置有晃动腔，所述晃动腔的顶端和底端连通设置有上插入孔和下伸出孔，所述电机的输出端自带动板的上侧穿过上插入孔并且伸入至晃动腔内部，所述电机的输出端继续自晃动腔内部穿过下伸出孔并且伸出至晃动腔外部，所述滑动块的中部区域设置有轴承环，所述轴承环与电机的输出端顶部区域转动套装，所述滑动块与晃动腔滑动卡装；还包括左滑杆、右滑杆、左夹板、右夹板、两组下限位环、两组上限位环和同步齿轮，所述支座的顶部区域内部设置有工作腔，所述工作腔的顶端左侧和右侧分别设置有左滑动口和右滑动口，所述左滑杆的左侧顶端和右滑杆的右侧顶端均自工作腔内分别穿过左滑动口和右滑动口并且均伸出至工作腔外侧，所述左滑杆的左侧顶部区域右侧和右滑杆的右侧顶部区域左侧分别与左夹板的左端中部和右夹板的右端中部连接，所述左夹板的右端和右夹板的左端分别与镀膜晶圆片的圆周侧壁的左端和右端紧贴，所述两组下限位环的底端分别与工作腔的底端的左侧和右侧连接，所述两组下限位环分别与左滑杆的下部区域的左侧和右侧滑动卡装，所述两组上限位环的顶端分别与工作腔顶端中部区域的左侧和右侧连接，所述两组上限位环分别与右滑杆的底部区域左侧和右侧滑动卡装，所述左滑杆的底部区域顶端右侧和右滑杆的底部区域的底端左侧分别设置有左齿轮条和右齿轮条，所述同步齿轮的中心区域转动设置有支持轴，所述支持轴的前端和后端分别与工作腔的前端的中部区域和后端的中部区域固定连接，所述同步齿轮的顶端和底端分别与右齿轮条和左齿轮条咬合。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括扭簧，所述扭簧与支持轴的前端活动套装，所述支持轴的圆周侧壁前端设置有固定孔，所述同步齿轮的前端的边缘区域设置有带动孔，所述扭簧的一端插入至固定孔内，所述扭簧的另一端插入至带动孔内。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括调节把手和连接环，所述连接环与电机的中部区域固定套装，所述调节把手的左端与连接环的右端连接。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括标尺，所述标尺的内圆周侧壁与右侧所述升降杆的圆周侧壁固定粘合。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括拉杆，所述拉杆的底端与右滑杆的顶端连接。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括左防滑条和右防滑条，所述左防滑条的左端和右防滑条的右端分别与左夹板的右端中部和右夹板的左端中部连接。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括四组支腿和四组稳固垫，所述四组支腿的顶端分别与操作台的底端的左前侧、左后侧、右前侧和右后侧连接，所述四组支腿的底端分别与四组稳固垫的顶端中部区域连接。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括限位螺母，所述限位螺母与螺纹杆螺装。
与现有技术相比本发明的有益效果为：首先转动调节旋钮，这时调节旋钮带动螺纹杆在两组限位环的支撑下一起转动，通过螺纹杆在调控板的调节螺纹孔内转动，这时调节螺纹孔的内螺纹咬合螺纹杆的外螺纹带动调控板纵向移动，与此同时调控板通过两组升降杆带动带动板同步纵向移动，这时电机带动便跟随带动板实现了纵向的调节，待电机的抛光轮调节至要求的高度后，这时停止转动调节旋钮，通过上述过程中可以更加精确的调节抛光轮下降高度，从而降低了加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差，降低了使用局限性；并且在通过电机带动抛光轮在镀膜晶圆片的基面上移动的时候，这时电机的输出轴通过轴承环带动滑动块在带动板的晃动腔内移动，在这个过程中滑动块的顶端和底端都是一直和晃动腔的顶端和底端处于紧贴的状态，这样便可以降低电机带动抛光轮与晶圆片基面的接触面发生偏折，从而增强了加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度，增强了实用性；同时在固定镀膜晶圆片的时候，首先向外侧拉动右侧的夹板，这时右侧的夹板通过右滑杆的齿轮条咬合同步齿轮转动，与此同时同步齿轮的下端咬合左滑杆的齿轮条与右滑杆的齿轮条反向移动，此时右滑杆便带动左夹板向外侧移动，通过这个调节过程使两组夹板之间的距离增大，这时将镀膜晶圆片放在支座顶端中部，然后推动右夹板使右夹板向内侧移动，同时在两组滑杆和同步齿轮的带动下左夹板同样的速度向内侧移动，直至两组夹板将镀膜晶圆片夹紧，然后停止推动右夹板，从而增强了支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力，增强了灵活性。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明的滑动块和带动板的连接结构示意图；
图3是本发明的夹板和滑杆的连接结构示意图；
图4是本发明的A的局部放大结构示意图；
附图中标记：1、操作台；2、支座；3、抛光轮；4、电机；5、镀膜晶圆片；6、两组支撑架；7、两组升降杆；8、调控板；9、螺纹杆；10、上转动环；11、下转动环；12、调节旋钮；13、带动板；14、滑动块；15、左滑杆；16、右滑杆；17、左夹板；18、右夹板；19、两组下限位环；20、两组上限位环；21、同步齿轮；22、扭簧；23、调节把手；24、连接环；25、拉杆；26、左防滑条；27、右防滑条；28、四组支腿；29、四组稳固垫；30、限位螺母；31、标尺。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1至图4所示，本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，包括操作台1、支座2、抛光轮3、电机4和镀膜晶圆片5，抛光轮3的固定端与电机4的输出端固定卡装；还包括两组支撑架6、两组升降杆7、调控板8、螺纹杆9、上转动环10、下转动环11和调节旋钮12，两组支撑架6的底端分别与操作台1的顶端的左侧和右侧连接，两组支撑架6的顶端内侧分别与支座2的左端和右端的中部区域连接，支座2的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔，两组升降杆7的底端均自支座2的上侧分别穿过两组伸缩孔并且均伸出至支座2的下侧，两组升降杆7的底端分别与调控板8的顶端的左侧和右侧连接，调控板8的顶端中心区域贯穿设置有调节螺纹孔，螺纹杆9的底端自调控板8的上侧螺装穿过调节螺纹孔并且伸出至调控板8的下侧，上转动环10的顶端和下转动环11的底端分别与支座2的底端中心区域和操作台1顶端的中部区域连接，螺纹杆9的顶端和底端分别与上转动环10和下转动环11转动连接，调节旋钮12与螺纹杆9的下部区域固定套装；还包括带动板13和滑动块14，两组升降杆7的顶端分别与带动板13的底端的左侧和右侧连接，带动板13的内部设置有晃动腔，晃动腔的顶端和底端连通设置有上插入孔和下伸出孔，电机4的输出端自带动板13的上侧穿过上插入孔并且伸入至晃动腔内部，电机4的输出端继续自晃动腔内部穿过下伸出孔并且伸出至晃动腔外部，滑动块14的中部区域设置有轴承环，轴承环与电机4的输出端顶部区域转动套装，滑动块14与晃动腔滑动卡装；还包括左滑杆15、右滑杆16、左夹板17、右夹板18、两组下限位环19、两组上限位环20和同步齿轮21，支座2的顶部区域内部设置有工作腔，工作腔的顶端左侧和右侧分别设置有左滑动口和右滑动口，左滑杆15的左侧顶端和右滑杆16的右侧顶端均自工作腔内分别穿过左滑动口和右滑动口并且均伸出至工作腔外侧，左滑杆15的左侧顶部区域右侧和右滑杆16的右侧顶部区域左侧分别与左夹板17的左端中部和右夹板18的右端中部连接，左夹板17的右端和右夹板18的左端分别与镀膜晶圆片5的圆周侧壁的左端和右端紧贴，两组下限位环19的底端分别与工作腔的底端的左侧和右侧连接，两组下限位环19分别与左滑杆15的下部区域的左侧和右侧滑动卡装，两组上限位环20的顶端分别与工作腔顶端中部区域的左侧和右侧连接，两组上限位环20分别与右滑杆16的底部区域左侧和右侧滑动卡装，左滑杆15的底部区域顶端右侧和右滑杆16的底部区域的底端左侧分别设置有左齿轮条和右齿轮条，同步齿轮21的中心区域转动设置有支持轴，支持轴的前端和后端分别与工作腔的前端的中部区域和后端的中部区域固定连接，同步齿轮21的顶端和底端分别与右齿轮条和左齿轮条咬合；首先转动调节旋钮，这时调节旋钮带动螺纹杆在两组限位环的支撑下一起转动，通过螺纹杆在调控板的调节螺纹孔内转动，这时调节螺纹孔的内螺纹咬合螺纹杆的外螺纹带动调控板纵向移动，与此同时调控板通过两组升降杆带动带动板同步纵向移动，这时电机带动便跟随带动板实现了纵向的调节，待电机的抛光轮调节至要求的高度后，这时停止转动调节旋钮，通过上述过程中可以更加精确的调节抛光轮下降高度，从而降低了加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差，降低了使用局限性；并且在通过电机带动抛光轮在镀膜晶圆片的基面上移动的时候，这时电机的输出轴通过轴承环带动滑动块在带动板的晃动腔内移动，在这个过程中滑动块的顶端和底端都是一直和晃动腔的顶端和底端处于紧贴的状态，这样便可以降低电机带动抛光轮与晶圆片基面的接触面发生偏折，从而增强了加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度，增强了实用性；同时在固定镀膜晶圆片的时候，首先向外侧拉动右侧的夹板，这时右侧的夹板通过右滑杆的齿轮条咬合同步齿轮转动，与此同时同步齿轮的下端咬合左滑杆的齿轮条与右滑杆的齿轮条反向移动，此时右滑杆便带动左夹板向外侧移动，通过这个调节过程使两组夹板之间的距离增大，这时将镀膜晶圆片放在支座顶端中部，然后推动右夹板使右夹板向内侧移动，同时在两组滑杆和同步齿轮的带动下左夹板同样的速度向内侧移动，直至两组夹板将镀膜晶圆片夹紧，然后停止推动右夹板，从而增强了支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力，增强了灵活性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括扭簧22，扭簧22与支持轴的前端活动套装，支持轴的圆周侧壁前端设置有固定孔，同步齿轮21的前端的边缘区域设置有带动孔，扭簧22的一端插入至固定孔内，扭簧22的另一端插入至带动孔内；在调节两组夹板的过程中，两组夹板分别通过两组滑杆带动同步齿轮在支持轴上转动，这时同步齿轮带动扭簧的一端转动，而扭簧的另一端则固定在支持轴上，从而使扭簧产生了恢复形变的弹力，通过这种弹力可以使同步齿轮通过两组滑杆分别带动两组夹板将镀膜晶圆片夹紧，增强了实用性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括调节把手23和连接环24，连接环24与电机4的中部区域固定套装，调节把手23的左端与连接环24的右端连接；握住调节把手通过连接环可以控制电机的移动位置，从而增强了便捷性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括标尺31，标尺31的内圆周侧壁与右侧升降杆的圆周侧壁固定粘合；在升降杆调节的时候通过标尺可以使升降杆的调节更加的精确，增强了可靠性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括拉杆25，拉杆25的底端与右滑杆16的顶端连接；通过拉杆可以使右滑杆的调节更加的便利，从而增强了便捷性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括左防滑条26和右防滑条27，左防滑条26的左端和右防滑条27的右端分别与左夹板17的右端中部和右夹板18的左端中部连接；通过两组防滑条可以提高两组夹板固定晶圆片的可靠性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括四组支腿28和四组稳固垫29，四组支腿28的顶端分别与操作台1的底端的左前侧、左后侧、右前侧和右后侧连接，四组支腿28的底端分别与四组稳固垫29的顶端中部区域连接；四组支腿和稳固垫可以提高操作台对不同放置面的适应能力，从而增强实用性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，还包括限位螺母30，限位螺母30与螺纹杆9螺装；在调节完毕升降杆的高度之后，停止转动螺纹杆，这时通过将限位螺母在调控板的下侧旋紧可以有效的防止调节板在螺纹杆上滑动，从而增强了可靠性。
本发明的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其在工作时，首先在市场上买来电机和抛光轮，然后将抛光轮按照电机购买时所带的安装说明书安装在电机的输出端，然后将操作台通过四组支腿防止在合适的位置，然后将设备安装好，之后握住拉杆向外侧拉动右侧的夹板，这时右侧的夹板通过右滑杆的齿轮条咬合同步齿轮转动，与此同时同步齿轮的下端咬合左滑杆的齿轮条与右滑杆的齿轮条反向移动，此时右滑杆便带动左夹板向外侧移动，通过这个调节过程使两组夹板之间的距离增大，这时将镀膜晶圆片放在支座顶端中部，然后推动右夹板使右夹板向内侧移动，同时在两组滑杆和同步齿轮的带动下左夹板同样的速度向内侧移动，直至两组夹板上的两组防滑条将镀膜晶圆片夹紧，然后停止推动右夹板，然后再将电机按照购买时所带的使用说明书接入电源，并且打开电机使电机的输出端带动抛光轮转动，这时转动调节旋钮通过调节旋钮带动螺纹杆在两组限位环的支撑下一起转动，通过螺纹杆在调控板的调节螺纹孔内转动，这时调节螺纹孔的内螺纹咬合螺纹杆的外螺纹带动调控板纵向移动，与此同时调控板通过两组升降杆带动带动板同步纵向移动，这时电机带动便跟随带动板实现了纵向的调节，待电机的抛光轮调节至要求的高度后，这时停止转动调节旋钮，同时将限位螺母在螺纹杆上旋紧，在之后通过电机带动抛光轮在镀膜晶圆片的基面上移动的时候，这时电机的输出轴通过轴承环带动滑动块在带动板的晃动腔内移动，重复上述步骤并且随时按照要求并且对照标尺调节抛光轮的高度即可；
本文所使用的术语“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，包括操作台（1）、支座（2）、抛光轮（3）、电机（4）和镀膜晶圆片（5），所述抛光轮（3）的固定端与电机（4）的输出端固定卡装；其特征在于，还包括两组支撑架（6）、两组升降杆（7）、调控板（8）、螺纹杆（9）、上转动环（10）、下转动环（11）和调节旋钮（12），所述两组支撑架（6）的底端分别与操作台（1）的顶端的左侧和右侧连接，所述两组支撑架（6）的顶端内侧分别与支座（2）的左端和右端的中部区域连接，所述支座（2）的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔，所述两组升降杆（7）的底端均自支座（2）的上侧分别穿过两组伸缩孔并且均伸出至支座（2）的下侧，所述两组升降杆（7）的底端分别与调控板（8）的顶端的左侧和右侧连接，所述调控板（8）的顶端中心区域贯穿设置有调节螺纹孔，所述螺纹杆（9）的底端自调控板（8）的上侧螺装穿过调节螺纹孔并且伸出至调控板（8）的下侧，所述上转动环（10）的顶端和下转动环（11）的底端分别与支座（2）的底端中心区域和操作台（1）顶端的中部区域连接，所述螺纹杆（9）的顶端和底端分别与上转动环（10）和下转动环（11）转动连接，所述调节旋钮（12）与螺纹杆（9）的下部区域固定套装；还包括带动板（13）和滑动块（14），所述两组升降杆（7）的顶端分别与带动板（13）的底端的左侧和右侧连接，所述带动板（13）的内部设置有晃动腔，所述晃动腔的顶端和底端连通设置有上插入孔和下伸出孔，所述电机（4）的输出端自带动板（13）的上侧穿过上插入孔并且伸入至晃动腔内部，所述电机（4）的输出端继续自晃动腔内部穿过下伸出孔并且伸出至晃动腔外部，所述滑动块（14）的中部区域设置有轴承环，所述轴承环与电机（4）的输出端顶部区域转动套装，所述滑动块（14）与晃动腔滑动卡装；还包括左滑杆（15）、右滑杆（16）、左夹板（17）、右夹板（18）、两组下限位环（19）、两组上限位环（20）和同步齿轮（21），所述支座（2）的顶部区域内部设置有工作腔，所述工作腔的顶端左侧和右侧分别设置有左滑动口和右滑动口，所述左滑杆（15）的左侧顶端和右滑杆（16）的右侧顶端均自工作腔内分别穿过左滑动口和右滑动口并且均伸出至工作腔外侧，所述左滑杆（15）的左侧顶部区域右侧和右滑杆（16）的右侧顶部区域左侧分别与左夹板（17）的左端中部和右夹板（18）的右端中部连接，所述左夹板（17）的右端和右夹板（18）的左端分别与镀膜晶圆片（5）的圆周侧壁的左端和右端紧贴，所述两组下限位环（19）的底端分别与工作腔的底端的左侧和右侧连接，所述两组下限位环（19）分别与左滑杆（15）的下部区域的左侧和右侧滑动卡装，所述两组上限位环（20）的顶端分别与工作腔顶端中部区域的左侧和右侧连接，所述两组上限位环（20）分别与右滑杆（16）的底部区域左侧和右侧滑动卡装，所述左滑杆（15）的底部区域顶端右侧和右滑杆（16）的底部区域的底端左侧分别设置有左齿轮条和右齿轮条，所述同步齿轮（21）的中心区域转动设置有支持轴，所述支持轴的前端和后端分别与工作腔的前端的中部区域和后端的中部区域固定连接，所述同步齿轮（21）的顶端和底端分别与右齿轮条和左齿轮条咬合。
2.如权利要求1所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括扭簧（22），所述扭簧（22）与支持轴的前端活动套装，所述支持轴的圆周侧壁前端设置有固定孔，所述同步齿轮（21）的前端的边缘区域设置有带动孔，所述扭簧（22）的一端插入至固定孔内，所述扭簧（22）的另一端插入至带动孔内。
3.如权利要求2所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括调节把手（23）和连接环（24），所述连接环（24）与电机（4）的中部区域固定套装，所述调节把手（23）的左端与连接环（24）的右端连接。
4.如权利要求3所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括标尺（31），所述标尺（31）的内圆周侧壁与右侧所述升降杆的圆周侧壁固定粘合。
5.如权利要求4所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括拉杆（25），所述拉杆（25）的底端与右滑杆（16）的顶端连接。
6.如权利要求5所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括左防滑条（26）和右防滑条（27），所述左防滑条（26）的左端和右防滑条（27）的右端分别与左夹板（17）的右端中部和右夹板（18）的左端中部连接。
7.如权利要求6所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括四组支腿（28）和四组稳固垫（29），所述四组支腿（28）的顶端分别与操作台（1）的底端的左前侧、左后侧、右前侧和右后侧连接，所述四组支腿（28）的底端分别与四组稳固垫（29）的顶端中部区域连接。
8.如权利要求7所述的一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其特征在于，还包括限位螺母（30），所述限位螺母（30）与螺纹杆（9）螺装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201811166793.9A CN109159014A (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种用于晶圆生产cvd氧化膜厚度的控制装置 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201811166793.9A Pending CN109159014A (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种用于晶圆生产cvd氧化膜厚度的控制装置 |
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| CN (1) | CN109159014A (zh) |
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