CN109155350B - 发光装置和显示设备 - Google Patents

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Abstract

该发光装置包括发光部21、黑色层51和形成在黑色层51上或上方的光扩散部41。在黑色层51中设置有允许从发光部发射的光穿过其中的开口部53，并且穿过了开口部53的光穿过光扩散部41。

Description

发光装置和显示设备
技术领域
本公开内容涉及一种发光装置以及一种包括该发光装置的显示设备。
背景技术
一种发光装置(具体地，发光二极管(LED))以二维矩阵形式排列的发光二极管显示设备是众所周知。此外，例如，从发光装置发射的光的优选取向特性(辐射分布)是朗伯分布，以便排除视角依赖性。因此，通常在LED封装中提供用于给出这种取向特性的结构(例如，参见JP 2011-243330A)。优选地，从提高图像质量的观点来看，当观察发光二极管显示设备的表面时，出现暗沉状态。因此，LED封装变黑(例如，参见JP 2003-017755A)。
引文列表
专利文献
专利文献1
JP 2011–243330A
专利文献1
JP 2003–017755A
发明内容
技术问题
然而，随着LED越来越小，在LED封装上提供用于给出上述取向特性的结构就越来越困难。此外，出现了以下问题。即，在除LED封装之外的部分上设置用于给出取向特性的结构，并且例如，LED封装的颜色变黑。因此，发光二极管显示设备试图呈现暗沉状态。然而，随着LED越来越细，LED封装占据的显示设备的显示区域的比率越来越小，结果，黑色浮动变得明显。
因此，本公开内容的目的是提供一种具有能够改善从发光装置发射的光的取向特性(辐射分布)并防止出现黑色浮动的配置和结构的发光装置以及一种包括该发光装置的显示设备。
问题的解决方案
为了实现上述目的，根据本公开内容的第一方面的发光装置包括：
发光部；
黑色层；以及
光扩散部，其形成在黑色层上或上方，其中，
所述黑色层设置有开口部，所述开口部允许从所述发光部发射的光穿过其中，并且
穿过开口部的光穿过光扩散部。
为了实现上述目的，根据本公开内容的第二方面的发光装置包括：
发光部；
黑色的第一层间膜；
透明的第二层间膜，其被第一层间膜包围并覆盖发光部；以及
光扩散部，其形成在所述第二层间膜上，其中，
从发光部发射的光经由第二层间膜穿过光扩散部，并且
在第一层间膜和第二层间膜之间形成光反射膜，所述光反射膜反射从发光部发射的光的一部分并允许光穿过光扩散部。
为了实现上述目的，本公开内容的显示设备(发光装置显示设备)包括以二维矩阵形式排列根据本公开内容的第一方面和第二方面的发光装置。
发明的有益效果
在根据本公开内容的第一方面的发光装置或在本公开内容的显示设备中的根据本公开内容的第一方面的发光装置中，由于从发光部发射的光穿过光扩散部，所以可以实现改善从发光装置发射的光的取向特性(辐射分布)，并且还包括黑色层，从而可以实现防止黑色浮动的发生。即使在根据本公开内容的第二方面的发光装置或在本公开内容的显示设备中的根据本公开内容的第二方面的发光装置中，由于从发光部发射的光穿过光扩散部，所以可以实现改善从发光装置发射的光的取向特性(辐射分布)，并且还包括黑色第一层间膜，从而可以实现防止黑色浮动的发生。此外，说明书中公开的效果是示例性的，而不是限制性的，并且可能有额外的效果。
附图说明
图1A和图1B是示例1的发光装置和作为示例1的变形示例的示例1A的发光装置的示意性局部截面图；
图2A和图2B是作为示例1的发光装置的变形示例的示例1B的发光装置的示意性局部截面图；
图3是作为示例1的发光装置的变形示例的示例1C的发光装置的示意性局部截面图；
图4A和图4B是示例1C的发光装置的变形示例(示例1D的发光装置)的示意性局部截面图；
图5A和图5B是作为示例1的发光装置的变形示例和作为示例1D的发光装置的变形示例的示例1E的发光装置的示意性局部截面图；
图6A和图6B是示例2的发光装置的示意性局部截面图；
图7A和图7B是作为示例2的变形示例的示例2A的示意性局部截面图；
图8A和图8B是作为示例2的变形示例的示例2B的示意性局部截面图；
图9A和图9B是组合示例2A和示例2B的发光装置的示意性局部截面图；
图10A和图10B是参考示例1和作为参考示例1的变形示例的参考示例1A的发光装置的示意性局部截面图；
图11A和图11B是参考示例2和作为参考示例2的变形示例的参考示例2A的发光装置的示意性局部截面图；
图12A和图12B是示例1的发光装置的变形示例的示意性局部截面图；
图13是示例1的发光装置的变形示例的示意性局部截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图，基于示例描述本公开内容。然而，本公开内容不限于示例，示例中的各种数值和材料是示例性的。此外，将按照以下顺序进行描述。
1.根据本公开内容的第一和第二方面的发光装置、本公开内容的显示设备和总体描述
2.示例1(根据本公开内容的第一方面的发光装置和本公开内容的显示设备)
3.示例2(根据本公开内容的第二方面的发光装置)
4.参考示例1
5.参考示例2
6.其他
<根据本公开内容的第一和第二方面的发光装置、本公开内容的显示设备和总体描述>
在根据本公开内容的第一方面的发光装置中，黑色层可以被体现为形成在发光部上方；并且发光装置可以被体现为包括：第一层间膜，其覆盖发光部，并在该第一层间膜上形成黑色层；以及第二层间膜，其覆盖黑色层，并在该第二层间膜上形成光扩散部。或者，发光装置可以被体现为包括：第一层间膜，在其上形成有黑色层；以及第二层间膜，其覆盖黑色层和发光部，并在该第二层间膜上形成光扩散部，其中，所述发光部可以被体现为位于开口部内。或者，发光装置可以被体现为还包括：层间膜，其覆盖黑色层和发光部，并在该层间膜上形成光扩散部，其中，所述发光部可以被体现为位于开口部内。在上述模式中，所述光扩散部可以包括光扩散区域，穿过了开口部的光穿过该光扩散区域。此外，在这种情况下，第二黑色层可以被配置成形成在第二层间膜的未被光扩散区域占据的区域中。或者，在上述模式中，光扩散部可以包括穿过了开口部的光穿过的光扩散区域和从光扩散区域延伸的光扩散区域延伸部。此外，在这种情况下，第二黑色层可以被配置成形成在第二层间膜的被光扩散区域延伸部占据的区域中。
第二层间膜覆盖黑色层，并且第二层间膜甚至可以形成在形成于黑色层中的开口部内，或者位于发光部上方的第一层间膜的区域可以被第二层间膜替换。此外，在第二黑色层形成在第二层间膜的未被光扩散区域占据的区域中的情况下，光扩散部的边缘部分和第二黑色层的边缘部分可以彼此重叠。此外，在这种情况下，光扩散部的边缘部分可以位于第二黑色层的边缘部分的上侧，或者可以位于第二黑色层的边缘部分的下侧。在第二黑色层形成在第二层间膜的被光扩散区域延伸部占据的区域中的情况下，光扩散区域延伸部可以位于第二黑色层的上侧，或者可以位于第二黑色层的下侧。
在包括上述优选模式和配置的根据本公开内容的第一方面的发光装置中，反射从发光部发射的光的一部分并允许光穿过开口部的光反射膜可以被体现为形成在第一层间膜上。具体地，第一层间膜的位于发光部上方的区域被第二层间膜替换。此外，在位于发光部上方的第二层间膜的一部分和第一层间膜的一部分之间，形成光反射膜。光反射膜可以在第一层间膜的厚度方向上形成在整个区域中，或者可以形成在其中的一部分区域中。在此处，在前一种情况下，从发光部发射的光被光反射膜反射，因此，不穿透到第一层间膜中。因此，可以防止造成由于从发光部发射的光而导致第一层间膜劣化的问题。
此外，在包括上述优选模式和配置的根据本公开内容的第一方面的发光装置中，发光部可以被体现为连接到基质(以在基质中实现)；此外，发光部在基质上的正交投影图像和黑色层在基质上的正交投影图像可以被体现为彼此不重叠。具体地，例如，发光部可以被体现为连接到布线层(以在布线层中实现)，该布线层形成在包括玻璃基底或印刷电路板的基质上。在发光部在基质上的正交投影图像和黑色层在基质上的正交投影图像之间可能存在间隙。
在根据本公开内容的第二方面的发光装置中，黑色层可以被体现为形成在第一层间膜上。可选地，黑色层可以被体现为形成在第一层间膜内。在包括这种优选模式的根据本公开内容的第二方面的发光装置中，发光部可以被体现为连接到基质(以在基质中实现)。具体地，发光部可以被体现为连接到布线层(以在布线层中实现)，该布线层形成在包括玻璃基底或印刷电路板的基质上。
包括上述各种优选模式和配置的根据本公开内容的第一方面和第二方面的发光装置适用于构成本公开内容的显示设备的发光装置。注意，在下面的描述中，这些发光装置可以统称为“本公开内容的发光装置等”。
在本公开内容的发光装置等中，发光部可以包括发光二极管(LED)；然而，不限于此。另外，发光部可以包括半导体激光元件等。在发光部由发光二极管或半导体激光元件配置成的情况下，发光部的尺寸(例如，芯片尺寸)没有特别限制；然而，通常是微小的。具体地，例如，1mm或更小，或者例如，0.3mm或更小，或者例如，0.1mm或更小，更具体地，具有0.03mm或更小的尺寸。根据显示设备的应用和功能，确定显示设备等所需的规格、构成显示设备的发光装置的数量、类型、实现方式(设置)、间隔等。发光部可以包括发射红色的红色发光部、发射绿色的绿色发光部、发射蓝色的蓝色发光部、或者红色发光部、绿色发光部和蓝色发光部的组合。具体地，发光部可以包括封装的红色发光部、封装的绿色发光部，可以由封装的蓝色发光部或者包括红色发光部、绿色发光部和蓝色发光部的封装的发光单元来配置。作为构成封装的材料，可以列举例如陶瓷、树脂、金属等，此外，可以列举例如在构成封装的基底上提供布线的结构。
多个发光装置(多个像素)在第一方向上和与第一方向正交的第二方向上以二维矩阵形式排列。构成发光单元的红色发光部的数量被设置为NR，构成发光单元的绿色发光部的数量被设置为NG，构成发光单元的蓝色发光部的数量被设置为NB。在这种情况下，作为NR，可以列举例如1或2或更大的整数，作为NG，可以列举例如1或2或更大的整数，作为NB，可以列举例如1或2或更大的整数。NR、NG和NB的值可以彼此相等或者可以彼此不同。当NR、NG和NB的值是2或更大的整数时，发光部可以在一个发光单元内彼此串联或彼此并联。(NR、NG和NB)值的组合不受限制；此外，可以列举例如(1，1，1)、(1，2，1)、(2，2，2)和(2，4，2)。当一个像素由三种子像素配置成时，可以列举例如三角形阵列、条纹阵列、对角线阵列和矩形阵列，作为三种子像素的阵列。此外，仅仅需要基于PWM驱动方法以恒定电流驱动发光装置。或者，准备三个面板，第一面板可以由包括红色发光部的多个发光装置配置成，第二面板可以由包括绿色发光部的多个发光装置配置成，第三面板可以由包括蓝色发光部的多个发光装置配置成。来自三个面板的光适用于例如使用二向色棱镜组装的投影仪。
作为构成红色发光部、绿色发光部和蓝色发光部的发光层的材料，例如，可以列举例如III-V化合物半导体。此外，作为构成红色发光部的发光层的材料，例如，可以列举例如AlGaInP基化合物半导体。作为III-V化合物半导体，例如，可以列举例如GaN基化合物半导体(包括AlGaN混合晶体、AlGaInN混合晶体或GaInN混合晶体)、GaInAs基化合物半导体(包括GaInAs混合晶体或GaInAs混合晶体)、AlGaInP基化合物半导体、AlAs基化合物半导体、AlGaInAs基化合物半导体、AlGaAs基化合物半导体、GaInAs基化合物半导体、GaInAsP基化合物半导体、GaInP基化合物半导体、GaP基化合物半导体、InP基化合物半导体、InN基化合物半导体和AlN基化合物半导体。
作为构成黑色层和第二黑色层的材料，可以列举例如添加了例如碳的丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂和氰基丙烯酸酯树脂。作为形成黑色层或第二黑色层的方法，可以列举例如适用于这些材料的方法，例如，涂布法和印刷法。
作为构成光扩散部的材料，可以列举例如介电材料和玻璃基材料，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、氰基丙烯酸酯树脂和SiO2。作为形成光扩散部的方法，可以列举例如适用于这些材料的方法，例如，涂布法和印刷法。将不平坦部分提供给光扩散部的顶面，从而扩散入射到光扩散部上并从光扩散部发射的光。或者，例如，颗粒在光扩散部内扩散，从而扩散入射到光扩散部上并从光扩散部发射的光。即，光扩散部可以由表面平坦的构件配置，该构件包括内部具有扩散功能的薄膜。作为用于在光扩散部的顶面中形成不平坦部分的方法，例如，蚀刻处理、激光处理和喷砂处理，该方法可以列举例如在涂覆或印刷时形成不平坦部分，并且可以列举例如真空蒸发方法。
作为构成第一层间膜和第二层间膜的材料，此外，作为构成透明的第二层间膜的材料，可以列举例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂和氰基丙烯酸酯树脂。作为构成黑色的第一层间膜的材料，可以列举例如添加了例如碳的上述材料。作为形成上述层间膜的方法，可以列举例如适用于上述材料的方法，例如，涂布法和印刷法。注意，透明的第二层间膜意味着第二层间膜对于从发光部发射的光是透明的。优选地，第一层间膜和第二层间膜对于从发光部发射的光都是透明的。
作为构成光反射膜的材料，可以列举例如金属单质，例如，铝(Al)或银(Ag)、合金金属和介电多层膜。作为形成光反射膜的方法，可以列举例如各种PVD方法，例如，真空蒸发方法和溅射技术、各种CVD方法和电镀方法。形成有光反射膜的第一层间膜的斜面的形状(在垂直虚拟平面上切割发光装置时，第一层间膜的斜面的截面形状，该垂直虚拟平面包括穿过发光部中心的法线NL)可以由线段或曲线组成。
示例1
示例1涉及根据本公开内容的第一方面的发光装置和本公开内容的显示设备(发光装置显示设备)。在图1A中，示出了根据示例1的发光装置的示意性局部截面图。
示例1的发光装置包括发光部21、黑色层51和形成在黑色层51上或上方(在示例1中，具体地，在黑色层51上方)的光扩散部41。另外，黑色层51设置有开口部53，该开口部53允许从发光部发射的光穿过其中。然后，穿过开口部53的光穿过光扩散部41。
在此处，发光部21连接至基质11(在基质11中实现)，并且发光部21在基质11上的正交投影图像和黑色层51在基质11上的正交投影图像彼此不重叠。发光部21例如连接至布线层12(在布线层12中实现)，布线层12形成在包括玻璃基底或印刷电路板的基质11上。注意，发光部21在基质11上的正交投影图像和黑色层51在基质11上的正交投影图像之间存在间隙。
此外，在示例1的发光装置中，黑色层51形成在发光部21上方，并且包括覆盖发光部21并在其上形成黑色层51的第一层间膜31和覆盖黑色层51并在其上形成光扩散部41的第二层间膜32。此外，光扩散部41包括光扩散区域42，穿过了开口部53的光穿过该光扩散区域42。覆盖黑色层51的第二层间膜32甚至形成在形成于黑色层51中的开口部53内。
在示例1或后述的示例2以及参考示例1和参考示例2中，发光部21包括发光二极管(LED)。具体地，发光部21包括封装发光单元，包括发射红色的红色发光部、发射绿色的绿色发光部和发射蓝色的蓝色发光部。红色发光部、绿色发光部和蓝色发光部均具有众所周知的配置和结构，甚至封装的发光单元也具有众所周知的配置和结构。
黑色层51或后述的第二黑色层52包括碳添加到环氧树脂中的材料。此外，光扩散部41和141包括环氧树脂、硅树脂或混合树脂。第一层间膜31和第二层间膜32包括环氧树脂、硅树脂或混合树脂。另外，后述的光反射膜61包括金属材料，例如，Ti、CU或Al。
示例1或后述示例2的显示设备(发光装置显示设备)包括以二维矩阵形式排列多个示例1或后述示例2的发光装置。如上所述，构成显示设备的一个像素包括一个红色发光部、一个绿色发光部和一个蓝色发光部。具体地，NR＝NG＝NB＝1成立。
在布线层12中实现发光单元之后，基于印刷方法形成第一层间膜31和具有开口部53的黑色层51，并且进一步基于印刷方法形成第二层间膜32和光扩散部41，从而制造示例1的发光装置。注意，仅仅必须在基于印刷方法形成光扩散部41时在光扩散部41的顶面上形成不平坦部分的条件下，形成光扩散部41。或者，作为形成不平坦部分的方法，例如，可以列举例如蚀刻处理、激光处理和喷砂处理，并且还可以列举例如真空蒸发方法。此外，在第一层间膜31上形成黑色层51之后，可以例如基于光刻技术和蚀刻技术形成开口部53。或者，在第一层间膜31上形成光固化树脂层之后，除了应该形成开口部53的部分之外，设置光固化树脂层，从而形成开口部53。
如上所述，在示例1的发光装置中，从发光部发射的光穿过光扩散部。因此，即使从发光部发射的光的取向特性(辐射分布)处于不期望的状态，穿过光扩散部的光的取向特性(辐射分布)也可以被设置为期望的状态。即，可以实现改善从发光装置发射的光的取向特性(辐射分布)。此外，由于发光装置包括黑色层，因此可以防止发生黑色浮动。此外，可以容易地处理发光装置的小型化，甚至发光装置的设置间距的小型化。
在切断包括穿过发光部21的中心的法线NL的垂直虚拟平面上的发光装置时，当从法线NL到发光部21的边缘的距离被设置为L0，从法线NL到开口部53的边缘的距离被设置为L1，从法线NL到光扩散部41的边缘的距离被设置为L2，第一层间膜31的厚度被设置为H1，并且第二层间膜32的厚度被设置为H2，但是不限于此时，优选地，满足(L0+L1)/H1≤(L0+L2)/(H1+H2)。作为L0、L1、L2、H1和H2的特定值，可以列举例如以下值；然而，这些值不限于此。
L0：15μm
L1：50μm
L2：150μm
H1：50μm
H2：100μm
<示例1A>
在图1B中示出作为示例1的发光装置的变形示例的示例1A的发光装置的示意性局部截面图。在示例1A的发光装置中，位于发光部21上方的第一层间膜31的区域31A被第二层间膜32替代。具体地，根据示例1A的发光装置，去除位于开口部53的底部下方的第一层间膜31的部分31A，并且该部分31A嵌入有第二层间膜32。
<示例1B>
在图2A和图2B中示出了作为示例1的发光装置的变形示例的示例1B的发光装置的示意性局部截面图。在示例1B的发光装置中，第二黑色层52形成在第二层间膜32的未被光扩散区域42占据的区域32A中。在图示的示例中，光扩散部41的边缘部分和第二黑色层52的边缘部分彼此重叠。此外，光扩散部41的边缘部分位于第二黑色层52的边缘部分的上侧(参见图2A)。或者，光扩散部41的边缘部分位于第二黑色层52的边缘部分的下侧(参见图2B)。
<示例1C>
在图3中示出作为示例1的发光装置的变形示例的示例1C的发光装置的示意性局部截面图。在示例1C的发光装置中，光扩散部141包括穿过了开口部53的光穿过其中的光扩散区域142和从光扩散区域142延伸的光扩散区域延伸部143。
<示例1D>
在图4A和图4B中示出作为示例1C的变形示例的示例1D的示意性局部截面图。在示例1D的发光装置中，第二黑色层52形成在第二层间膜32的由光扩散区域延伸部143占据的区域32A’中。在图示的示例中，光扩散区域延伸部143和第二黑色层52彼此重叠。此外，光扩散区域延伸部143位于第二黑色层52的上侧(参见图4A)。或者，光扩散区域延伸部143位于第二黑色层52的下侧(参见图4B)。
<示例1E>
在图5A和图5B中示出了作为示例1的发光装置的变形示例和作为示例1D的发光装置的变形示例的示例1E的发光装置的示意性局部截面图。在示例1E的发光装置中，在第一层间膜31上形成光反射膜61，该光反射膜61反射从发光部21发射的光的一部分并允许光穿过开口部53。具体地，位于发光部21上方的第一层间膜31的区域31A被第二层间膜32替代。此外，在位于发光部21上方的第二层间膜32的部分32B和第一层间膜31之间，形成光反射膜61。在其上形成有光反射膜61的第一层间膜31的斜面31B的横截面形状由线段构成。在图示的示例中，在第一层间膜31的厚度方向上，在整个区域中形成光反射膜61。然而，注意，这不限于此，光反射膜61可以在第一层间膜31的厚度方向上形成在区域的一部分中。不言而喻，光反射膜61可应用于示例1的其他变形示例。
在示例1E中，从发光部21发射的光被光反射膜61反射，因此，光未穿透到第一层间膜31中。因此，可以防止造成由于从发光部21发射的光而导致第一层间膜等劣化的问题。作为第一层间膜31，例如，可以使用对从发光部21发射的光缺乏抵抗力的材料(树脂)，或者，可以使用便宜的材料(树脂)。
示例2
示例2涉及根据本公开内容的第二方面的发光装置。在图6A和图6B中示出了示例2的发光装置的示意性局部截面图。
示例2的发光装置包括发光部21、黑色的第一层间膜231、被第一层间膜231包围并覆盖发光部21的透明的第二层间膜232、以及形成在第二层间膜232上的光扩散部41。
另外，从发光部21发射的光经由第二层间膜232穿过光扩散部41。在第一层间膜231和第二层间膜232之间，形成反射从发光部21发射的光的一部分并允许光穿过光扩散部41的光反射膜61。
黑色的第一层间膜231包括将碳添加到环氧树脂、硅树脂或混合树脂中的材料。此外，透明的第二层间膜232包括环氧树脂、硅树脂或混合树脂。发光部21连接到基质11。具体地，发光部21连接到布线层12，布线层12形成在包括玻璃基底或印刷电路板的基质11上。
在示例2的发光装置中，在布线层12中实现发光单元之后，基于印刷方法形成第一层间膜231。随后，开口部233形成在第一层间膜231的位于发光部21上方的部分中，并且光反射膜61形成在第一层间膜231的面向开口部233的斜面231b中。然后，基于印刷方法，开口部233嵌入有第二层间膜232，并且进一步基于印刷方法形成光扩散部41，从而制造示例2的发光装置。注意，仅仅必须在基于印刷方法形成光扩散部41时在光扩散部41的顶面上形成不平坦部分的条件下，形成光扩散部41。如图6A所示，光扩散部41可以形成在第二层间膜232上。或者，如图6B所示，光扩散部41可以形成在第二层间膜232和第一层间膜231上。
如上所述，即使在示例2的发光装置中，从发光部发射的光也穿过光扩散部。因此，即使从发光部发射的光的取向特性(辐射分布)处于不期望的状态，穿过光扩散部的光的取向特性(辐射分布)也可以被设置为期望的状态。即，可以实现改善从发光装置发射的光的取向特性(辐射分布)。此外，由于发光装置包括黑色的第一层间膜，因此可以防止发生黑色浮动。此外，可以容易地处理发光装置的小型化，甚至发光装置的设置间距的小型化。
<示例2A>
在示例2的发光装置中，可以在第一层间膜231上形成黑色层251。在图7A和图7B中示出作为示例2的变形示例的示例2A的示意性局部截面图。在图7A所示的示例中，光扩散部41的边缘部分和黑色层251的边缘部分彼此重叠。此外，光扩散部41的边缘部分位于黑色层251的边缘部分的上侧。注意，光扩散部41的边缘部分可以位于黑色层251的边缘部分的下侧。在图7B所示的示例中，光扩散部41和黑色层251彼此重叠。此外，光扩散部41位于黑色层251的下侧。注意，图7A示出了图6A所示的示例2的发光装置的修改，图7B示出了图6B所示的示例2的发光装置的修改。光扩散部41可以位于黑色层251的上侧。黑色层251或后述黑色层252可以被设置为与示例1中描述的黑色层51的配置类似的配置。
<示例2B>
或者，在示例2的发光装置中，黑色层252可以形成在第一层间膜231内。在图8A和图8B中示出作为示例2的变形示例的示例2B的示意性局部截面图。注意，图8A示出了图6A所示的示例2的发光装置的修改，图8B示出了图6B所示的示例2的发光装置的修改。此外，可以组合示例2A的黑色层251和示例2B的黑色层252(参见图9A和9B)。
<参考示例1>
在图10A中示出参考示例1的发光装置的示意性局部截面图。参考示例1的发光装置包括发光部21、覆盖发光部21的第一层间膜331、形成在第一层间膜331上并设置有允许从发光部21发射的光穿过其中的第一开口部353的第一黑色层351、覆盖第一黑色层351的第二层间膜332、以及形成在第二层间膜332上并设置有允许从发光部21发射的光穿过其中的第二开口部354的第二黑色层352。另外，类似于图10B所示的示意性局部截面图，可以在第一层间膜331上形成光反射膜361，该光反射膜361反射从发光部21发射的光的一部分并允许光穿过第一开口部353。
在参考示例1中，由于发光装置包括第一黑色层和第二黑色层，因此可以可靠地防止发生黑色浮动。注意，构成第一层间膜331、第二层间膜332、第一黑色层351、第二黑色层352和光反射膜361的材料仅仅必须与示例1中描述的材料相同。
<参考示例2>
在图11A中示出参考示例2的发光装置的示意性局部截面图。参考示例2的发光装置包括发光部21、黑色的第一层间膜431和透明的第二层间膜432，该透明的第二层间膜432被第一层间膜431包围并覆盖发光部21。经由第二层间膜432发射来自发光部21的光，在第一层间膜431上形成黑色层451，并且在第一层间膜431和第二层间膜432之间形成反射从发光部21发射的光的一部分并将光发射到外部的光反射膜461。此外，类似于图11B所示的示意性局部截面图，第二黑色层452可以形成在第一层间膜431内。
即使在参考示例2中，由于发光装置包括黑色层，所以可以可靠地防止发生黑色浮动。注意，构成第一层间膜431、第二层间膜432、黑色层451、第二黑色层452和光反射膜461的材料仅仅必须与示例2或示例1中描述的材料相同。
如上所述，基于优选示例描述了本公开内容的发光装置和显示设备。然而，本公开内容的发光装置和显示设备不限于这些示例。示例中描述的发光装置的配置、结构和配置材料以及用于制造发光装置的方法是说明性的，并且可以适当地改变。例如，在示例1的黑色层中，不仅可以提供一层，还可以提供多层。
在示例1中，专门描述了在发光部21上方形成黑色层51的模式。此外，如图12A和图12B所示，黑色层51可以形成在与发光部21的顶面相同的水平(或大致相同的水平)上。或者，黑色层51可以形成在发光部21的顶面下方和基质上方的水平上。在这些示例中，发光装置包括其上形成有黑色层51的第一层间膜31和覆盖黑色层51和发光部21并且其上形成有光扩散部41的第二层间膜32。覆盖黑色层51的第二层间膜32甚至形成在形成于黑色层51中的开口部53内。此外，发光部21位于开口部53内。发光部21在基质11上的正交投影图像和黑色层51在基质11上的正交投影图像彼此不重叠。具体地，在发光部21在基质11上的正交投影图像和黑色层51在基质11上的正交投影图像之间存在间隙。
或者，如图13所示，黑色层51可以形成在基质12上。在该示例中，发光装置包括覆盖黑色层51和发光部21并且其上形成有光扩散部41的层间膜33。覆盖黑色层51的层间膜33甚至形成在形成于黑色层51中的开口部53内。此外，发光部21位于开口部53内。发光部21在基质11上的正交投影图像和黑色层51在基质11上的正交投影图像彼此不重叠。具体地，在发光部21在基质11上的正交投影图像和黑色层51在基质11上的正交投影图像之间存在间隙。
注意，图12A、图12B和图13所示的示例1的发光装置的变形示例适用于示例1A至1E中描述的示例1的发光装置的变形示例。
作为构成发光单元的发光装置，第四发光装置、第五发光装置…可以进一步添加到第一发光装置、第二发光装置和第三发光装置。作为上述示例，例如，可以列举例如为了提高亮度而添加了发射白光的子像素的发光单元、为了扩大颜色再现范围而添加了发射互补颜色的子像素的发光单元、为了扩大颜色再现范围而添加了发射黄光的子像素的发光单元、以及为了扩大颜色再现范围而添加了发射黄色和青色光的子像素的发光单元。
显示设备(发光装置显示设备)不仅可以用作以电视接收机或计算机终端为代表的彩色显示器的平面/直视型图像显示设备，还可以用作在人的视网膜上投影图像的图像显示设备或投影型图像显示设备。注意，在图像显示设备中，但不限于此，例如，仅必须采用场序模式的驱动方法，其中，在时分控制下执行第一发光装置、第二发光装置和第三发光装置的相应发光/非发光状态，从而显示图像。
此外，本公开内容可以具有以下配置：
[A01]<<发光装置：第一方面>>
一种发光装置，包括：
发光部；
黑色层；以及
光扩散部，其形成在黑色层上或上方，其中，
所述黑色层设置有开口部，所述开口部允许从所述发光部发射的光穿过其中，并且
穿过开口部的光穿过光扩散部。
[A02]根据[A01]所述的发光装置，其中，
所述黑色层形成在发光部上方，
所述发光装置包括：
第一层间膜，其覆盖发光部并在第一层间膜上形成黑色层；以及
第二层间膜，其覆盖黑色层并在第二层间膜上形成光扩散部。
[A03]根据[A01]所述的发光装置，还包括：
第一层间膜，在其上形成有黑色层；以及
第二层间膜，其覆盖黑色层和发光部，并在第二层间膜上形成光扩散部，其中，
所述发光部位于开口部内。
[A04]根据[A01]所述的发光装置，还包括：
层间膜，其覆盖黑色层和发光部，并在其上形成光扩散部，其中，
所述发光部位于开口部内。
[A05]根据[A02]至[A04]中任一项所述的发光装置，其中，
所述光扩散部包括光扩散区域，穿过了开口部的光穿过该光扩散区域。
[A06]根据[A05]所述的发光装置，其中，
在第二层间膜的未被光扩散区域占据的区域中形成第二黑色层。
[A07]根据[A02]至[A04]中任一项所述的发光装置，其中，
所述光扩散部包括穿过了开口部的光穿过的光扩散区域和从光扩散区域延伸的光扩散区域延伸部。
[A08]根据[A07]所述的发光装置，其中，
所述第二黑色层形成在第二层间膜的被光扩散区域延伸部占据的区域中。
[A09]根据[A02]至[A08]中任一项所述的发光装置，其中，
在第一层间膜上形成光反射膜，所述光反射膜反射从发光部发射的光的一部分并允许光穿过开口部。
[A10]根据[A01]至[A09]中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光部连接至基质，并且
所述发光部在基质上的正交投影图像和所述黑色层在基质上的正交投影图像彼此不重叠。
[B01]
<<发光装置：第二方面>>
一种发光装置，包括：
发光部；
黑色的第一层间膜；
透明的第二层间膜，其被第一层间膜包围并覆盖发光部；以及
光扩散部，其形成在所述第二层间膜上，其中，
从发光部发射的光经由第二层间膜穿过光扩散部，并且
在第一层间膜和第二层间膜之间形成光反射膜，所述光反射膜反射从发光部发射的光的一部分并允许光穿过光扩散部。
[B02]根据[B01]所述的发光装置，其中，
在第一层间膜上形成黑色层。
[B03]根据[B01]所述的发光装置，其中，
在第一层间膜内形成黑色层。
[C01]<<显示设备>>
一种显示设备，包括：
以二维矩阵形式排列多个根据[A01]至[B03]中任一项所述的发光装置。
[D01]<<发光装置>>
一种发光装置，包括：
发光部；
第一层间膜，其覆盖发光部；
第一黑色层，其形成在所述第一层间膜上，并且设置有允许从所述发光部发射的光穿过其中的第一开口部；
第二层间膜，其覆盖第一黑色层；以及
第二黑色层，其形成在第二层间膜上，并且设置有允许从发光部发射的光穿过其中的第二开口部。
[D02]根据[D01]所述的发光装置，其中，
在第一层间膜上形成光反射膜，所述光反射膜反射从发光部发射的光的一部分并允许光穿过第一开口部。
[E01]<<发光装置>>
一种发光装置，包括：
发光部；
黑色的第一层间膜；以及
透明的第二层间膜，其被所述第一层间膜包围并覆盖所述发光部，其中，
经由第二层间膜发射来自所述发光部的光，
在第一层间膜上形成黑色层，并且
在第一层间膜和第二层间膜之间形成光反射膜，所述光反射膜反射从发光部发射的光的一部分并将光发射到外部。
[E02]根据[E01]所述的发光装置，其中，
在第一层间膜内形成第二黑色层。
[C02]<<显示设备>>
一种显示设备，包括：
以二维矩阵形式排列多个根据[C01]至[E02]中任一项所述的发光装置。
附图标记列表
11···基质，12···布线层，21···发光部，31、231···第一层间膜，31A···位于开口部下方的第一层间膜的部分，31B、231B···第一层间膜的斜面，32、232···第二层间膜，32A···第二层间膜的未被光扩散区域占据的区域，32A'···第二层间膜由光扩散区域延伸部占据的区域，32B···位于发光部上方的第二层间膜的部分，33···层间膜，41、141···光扩散部，42、142···光扩散区域，143···光扩散区域延伸部，51、251、252···黑色层，52···第二黑色层，53···开口部，61···光反射膜，233···设置在第一层间膜的部分中的开口部，NL···穿过发光部的中心的法线。

Claims (12)

1.一种发光装置，包括：
发光部；
第一黑色层，形成在所述发光部上方；
第一层间膜，在所述第一黑色层上，其中，所述第一层间膜覆盖所述第一黑色层的整个表面；
第二黑色层，在所述第一层间膜的特定区域上；以及
光扩散部，形成在所述第一层间膜上方，其中，
所述光扩散部的边缘部分与所述第二黑色层的边缘部分接触，
所述第一黑色层设置有开口部，所述开口部允许从所述发光部发射的光穿过其中，并且
穿过所述开口部的光穿过所述光扩散部。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光装置包括：
第二层间膜，所述第二层间膜覆盖所述发光部，
所述第一黑色层在所述第二层间膜上，并且
所述光扩散部在所述第一层间膜上。
3.根据权利要求1所述的发光装置，还包括第二层间膜，其中，
第一黑色层在所述第二层间膜上，
所述第二层间膜覆盖所述发光部，并且
所述发光部位于所述开口部内。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一层间膜覆盖所述发光部，
并且，所述发光部位于所述开口部内。
5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述光扩散部包括光扩散区域，穿过了所述开口部的光穿过所述光扩散区域。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，
在所述第一层间膜的所述特定区域未被所述光扩散区域占据。
7.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述光扩散部包括穿过了所述开口部的光所穿过的光扩散区域和从所述光扩散区域延伸的光扩散区域延伸部。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，
所述第一层间膜的所述特定区域被所述光扩散区域延伸部占据。
9.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
在所述第一黑色层的开口部内形成光反射膜，所述光反射膜反射从所述发光部发射的光的一部分并允许所述光穿过所述开口部。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光部连接至基质，并且
所述发光部在所述基质上的正交投影图像和所述第一黑色层在所述基质上的正交投影图像彼此不重叠。
11.一种发光装置，包括：
发光部；
黑色的第一层间膜；
第一黑色层，在所述第一层间膜内；
透明的第二层间膜，所述第二层间膜被所述黑色的第一层间膜包围并覆盖所述发光部；
第二黑色层，在所述黑色的第一层间膜上；以及
光扩散部，形成在所述透明的第二层间膜上，其中，
所述光扩散部的边缘部分与所述第二黑色层的边缘部分接触，并且
从所述发光部发射的光经由所述第二层间膜穿过所述光扩散部，并且
在所述第一层间膜和所述第二层间膜之间形成光反射膜，所述光反射膜反射从所述发光部发射的光的一部分并允许光穿过所述光扩散部。
12.一种显示设备，
以二维矩阵形式排列多个根据权利要求1至11中任一项所述的发光装置而形成。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220293834A1 (en) * 2019-08-22 2022-09-15 Kyocera Corporation Double-sided display device
CN110690357B (zh) * 2019-09-04 2021-01-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
WO2023042837A1 (ja) * 2021-09-17 2023-03-23 積水化学工業株式会社 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの製造方法及びｌｅｄ表示装置
TWI824679B (zh) * 2022-08-25 2023-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201427068A (zh) * 2012-12-10 2014-07-01 Luxvue Technology Corp 光發射裝置反射堆積結構

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5218741B2 (zh) 1972-11-10 1977-05-24
JP3378465B2 (ja) 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
JP2001144333A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP2003017755A (ja) 2002-06-13 2003-01-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006119357A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Koha Co Ltd 表示装置
JP2006145682A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄ表示装置
CN101151741B (zh) 2005-03-30 2010-06-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 柔性led阵列
KR100829750B1 (ko) * 2006-12-06 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP2184953A4 (en) 2007-09-06 2012-04-18 Sony Corp OPTICAL EXTRACTION ELEMENT, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND DISPLAY DEVICE
JP5218741B2 (ja) * 2008-03-04 2013-06-26 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄパッケージ
KR101301445B1 (ko) * 2008-12-30 2013-08-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 백라이트 어셈블리
WO2011025173A2 (en) 2009-08-27 2011-03-03 Lg Electronics Inc. Backlight unit and display device
JP2011243330A (ja) 2010-05-14 2011-12-01 Sony Corp 照明装置および画像表示装置
JP5971903B2 (ja) 2011-06-30 2016-08-17 キヤノン株式会社 表示装置およびそれを用いた映像情報処理装置
DE102011079403A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5708628B2 (ja) * 2012-12-06 2015-04-30 株式会社デンソー 表示装置
US9029880B2 (en) * 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
JP5974910B2 (ja) 2013-01-18 2016-08-23 ソニー株式会社 表示パネルおよび表示装置
JP2015034948A (ja) 2013-08-09 2015-02-19 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102189819B1 (ko) * 2014-09-01 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201427068A (zh) * 2012-12-10 2014-07-01 Luxvue Technology Corp 光發射裝置反射堆積結構

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