CN109155242A - 用于半导体处理的气体分配喷头 - Google Patents
用于半导体处理的气体分配喷头 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109155242A CN109155242A CN201780031024.5A CN201780031024A CN109155242A CN 109155242 A CN109155242 A CN 109155242A CN 201780031024 A CN201780031024 A CN 201780031024A CN 109155242 A CN109155242 A CN 109155242A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- plate
- spray head
- gas distribution
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims abstract description 218
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 541
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- 229920006169 Perfluoroelastomer Polymers 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 229910000755 6061-T6 aluminium alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001074085 Scophthalmus aquosus Species 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45582—Expansion of gas before it reaches the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45568—Porous nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4558—Perforated rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
Abstract
于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
Description
技术领域
本公开的实施例一般关于用于处理半导体基板的系统和设备。更具体地，本公开的实施例关于具有用于改善大面积基板上的沉积均匀性的双区喷头的气体分配组件。
背景技术
气体分配喷头设置在半导体处理腔室中，且通常覆盖在工件或基板上。随着对电子装置(诸如平板显示器和集成电路)的需求不断增加，基板和用于处理基板的腔室的尺寸也将继续增加。显示器和集成电路通常通过一系列的工艺来制造，在这些工艺中，层沉积在基板上，且将沉积的材料蚀刻成所欲的图案。这些工艺通常包括化学气相沉积(CVD)。
此外，随着基板尺寸不断增加，沉积在基板上的膜的均匀性变得越来越困难。因此，在本领域中存在对能够改善基板工艺均匀性的处理腔室的需求。具体地，存在对一种改进的气体分配组件的需求，该改进的气体分配组件提供了在半导体处理腔室中工艺气体的改进的均匀分配。
发明内容
于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
在一个实施例中，公开了一种气体分配组件。气体分配组件包括：气体分配板；区隔板，耦接到气体分配板；及双区喷头，耦接到区隔板。气体分配板包括：至少一个气体供应入口；多个通道，形成可操作地连接到气体供应入口的路径分流歧管；及第一多个气体孔，设置在多个通道内并穿过气体分配板。区隔板包括：内区，包含第二多个气体孔；外区，包含第三多个气体孔；及第一阻障壁，将内区与外区分开。双区喷头包括：内区，包含第四多个气体孔；外区，包含第五多个气体孔；及沟槽，设置在内区与外区之间。沟槽经配置以接受第一阻障壁，使得双区喷头的内区与双区喷头的外区实体分离。此外，第二多个气体孔和第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且第三多个气体孔和第五多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
在另一个实施例中，公开了一种气体分配组件。气体分配组件包括：气体分配板；区隔板，耦接到气体分配板；双区喷头，耦接到区隔板；及混合歧管，可操作地耦接到气体分配板。气体分配板包括：至少一个气体供应入口；多个通道，形成可操作地连接到气体供应入口的路径分流歧管；及第一多个气体孔，设置在多个通道内并穿过气体分配板。区隔板包括：内区，包含第二多个气体孔；外区，包含第三多个气体孔；及第一阻障壁，将内区与外区分开。双区喷头包括：内区，包含第四多个气体孔；外区，包含第五多个气体孔；及沟槽，设置在内区与外区之间。沟槽经配置以接受第一阻障壁，使得双区喷头的内区与双区喷头的外区实体分离。混合歧管包括多个混合通道。混合通道各自包括第一部分和第二部分。设置在第一部分和第二部分之间的扼流通道的直径小于第一部分或第二部分的任何直径。
在另一个实施例中，公开了一种气体分配组件。气体分配组件包括：混合歧管，耦接到气体分配板；区隔板，耦接到气体分配板；及双区喷头，耦接到区隔板。混合歧管包括多个混合通道。混合通道包括第一部分和第二部分，其中设置在第一部分和第二部分之间的扼流通道的直径小于第一部分或第二部分的任何直径。气体分配板包括：至少一个气体供应入口；多个通道，形成可操作地连接到气体供应入口的路径分流歧管；及第一多个气体孔，设置在多个通道内并穿过气体分配板。区隔板包括：内区，包含第二多个气体孔；外区，包括第三多个气体孔；及第一阻障壁，将内区与外区分开。双区喷头包括：内区，包含第四多个气体孔；外区，包含第五多个气体孔；及沟槽，设置在内区与外区之间。沟槽经配置以接受第一阻障壁，使得双区喷头的内区与双区喷头的外区实体分离。第二多个气体孔和第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且其中第三多个气体孔和第五多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
在另一个实施例中，公开了一种处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，至少部分地限定腔室主体内的处理容积；基板支撑件，设置在处理容积中并与腔室主体耦接；入口适配器；及气体分配组件。气体分配组件包括：混合歧管，限定多个混合通道；区隔板；及双区喷头，与区隔板耦接。区隔板包括：内区，限定第一多个气体孔；外区，限定第二多个气体孔；及第一阻障壁，将内区与外区分开。双区喷头包括：内区，限定第三多个气体孔；外区，限定第四多个气体孔；及沟槽，设置在内区与外区之间。沟槽经配置以接受第一阻障壁，使得双区喷头的内区与双区喷头的外区实体分离。第一多个气体孔和第三多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且第二多个气体孔和第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
在另一个实施例中，公开了一种处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，限定腔室主体内的处理容积；气体分配板；区隔板，耦接到气体分配板；双区喷头，耦接到区隔板；及混合歧管，可操作地耦接到气体分配板。气体分配板包括：至少一个气体供应入口；及第一多个气体孔，穿过气体分配板而限定。区隔板包括：内区，包含第二多个气体孔；外区，包含第三多个气体孔；及第一阻障壁，将内区与外区分开。双区喷头包括：内区，包含第四多个气体孔；外区，包含第五多个气体孔；及沟槽，设置在内区与外区之间。沟槽经配置以接受第一阻障壁，使得双区喷头的内区与双区喷头的外区实体分离。混合歧管包括多个混合通道。混合通道包括第一部分和第二部分，其中设置在第一部分和第二部分之间的扼流通道的直径小于第一部分或第二部分的任何直径。
在另一个实施例中，公开了一种处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，限定腔室主体内的处理容积；基板支撑件，设置在处理容积中并耦接到腔室主体；气体供应源，耦接到腔室主体；气体分配组件，设置在腔室主体中；及混合歧管，可操作地耦接到气体分配板。气体分配组件包括：气体分配板；区隔板，耦接到气体分配板；及双区喷头，耦接到区隔板。气体分配板包括：至少一个气体供应入口；及第一多个气体孔，穿过气体分配板而设置。区隔板包括：内区，包含第二多个气体孔；外区，包含第三多个气体孔；及第一阻障壁，将内区与外区分开。双区喷头包括：内区，包含第四多个气体孔；外区，包含第五多个气体孔；沟槽，设置在内区与外区之间。沟槽经配置以接受第一阻障壁，使得双区喷头的内区与双区喷头的外区实体分离。混合歧管包括多个混合通道，混合通道包含第一部分和第二部分，其中设置在第一部分和第二部分之间的扼流通道的直径小于第一部分或第二部分的任何直径。
附图说明
使得可详细地理解本公开的以上所载的特征的方式，可通过参考实施例而获得对简要概述于上的本公开的更具体的描述，其中一些实施例显示在附随的附图中。然而，应当注意附随的附图仅显示了本公开的典型实施例，且因此不被认为是限制其范围，因为本公开可承认其他等效的实施例。
图1是根据于此所公开的一个实施例的处理腔室的示意性横截面图。
图2A是根据于此所公开的一个实施例的气体分配板的顶部的示意性透视图。
图2B是根据于此所公开的一个实施例的图2A的气体分配板的底部的示意性透视图。
图3是根据于此所公开的一个实施例的区隔板的顶部的示意性透视图。
图4是根据于此所公开的一个实施例的喷头的顶部的示意性透视图。
为促进理解，在可能的情况下，已使用相同的组件符号标示附图中所共有的相同组件。应设想在一个实施例中所公开的组件可有利地用于其它实施例，而无需特别载明。
具体实施方式
于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
图1是处理系统100的横截面图。处理系统100包括气体源102和处理腔室104。处理腔室104具有限定在其中的处理容积105。在一些实施例中，处理容积由围绕基板支撑件124的间隔件122限定，基板支撑件124用于在其上保持基板。基板可安置在基板支撑件124上，横跨来自气体分配喷头130的处理区域128。基板可通过设置成通过处理腔室104的狭缝阀开口132而进入和离开处理腔室104。在一些实施例中，基板支撑件124耦接到基座加热器126，基座加热器126用于向基板支撑件提供热量。
在图1的定向上，气体和/或产物流的大体方向是向下的，且这个方向于此可被称为“下游”，而在图1的定向上向上的相对方向可称为“上游”。而且，在图1中所示的设备的重要部分可绕中心轴线106为圆柱形地对称，其中相关联的方向被定义为径向方向108和方位角方向110。这种方向的惯例可于此使用，尽管本领域技术人员将理解于此所述的许多原理不限于圆柱形对称系统。
如图1中所示，处理腔室104通常包括设置在耦接到处理腔室104的至少一个流量比控制器114的下游的入口适配器112。在一些实施例中，处理系统100可包括多个流量比控制器114。如图1中所示，两个四通道流量比控制器114耦接到处理腔室104。流量比控制器114可设置在处理区域128的外侧和/或内侧。每一流量比控制器114可提供独立的腔室匹配。气体可在入口适配器112的第一侧116A上从流量比控制器114进入入口适配器112，使得气体被提供到气体分配组件的第一区段。此外，气体可在入口适配器的第二侧116B上从流量比控制器114进入入口适配器112，使得气体也被提供到气体分配组件的第二区段。进入流量比控制器114的气体可以是HF和/或NH3。
入口适配器112可耦接到混合板118。混合板118可设置在入口适配器112的下游。混合板118可耦接到气体分配组件134。气体分配组件134可设置在混合板118的下游。在一些实施例中，气体分配组件134可包括混合歧管120、气体分配喷头130、气体分配板136和/或区隔板138等。区隔板138耦接到间隔件122，以进一步限定处理区域128。
混合歧管120在第一端处可操作地耦接到混合板118，且在第二端处可操作地耦接到气体分配板136。混合歧管120包括多个混合通道140。如图1中所示，显示了两个混合通道。每一混合通道140包括由扼流通道146所分开的第一部分142和第二部分144。扼流通道146设置在第一部分142和第二部分144之间。扼流通道146的直径小于第一部分142和/或第二部分144的直径。扼流通道146和第一部分142或第二部分144的直径的差异可允许气体的可变流率。
气体分配组件134还包括气体分配板136。气体分配板136耦接到混合歧管120，且在一些实施例中设置在混合歧管120的下游。在一些实施例中，气体分配板136包含铝材料，例如，6061-T6铝材料。在一些实施例中，气体分配板136可包含陶瓷材料、介电材料、石英材料或不锈钢材料。
气体分配组件还包括区隔板138。区隔板138耦接到气体分配板136，且在一些实施例中设置在气体分配板136的下游。在一些实施例中，区隔板138包含铝材料，例如，6061-T6铝材料。在一些实施例中，区隔板138可包含陶瓷材料、介电材料、石英材料或不锈钢材料。
气体分配组件还包括气体分配喷头130。气体分配喷头130耦接到区隔板138，且在一些实施例中设置在区隔板138的下游。在某些实施例中，气体分配喷头130可设置在区隔板138和处理区域128之间。在一些实施例中，气体分配喷头130包含铝材料，例如，6061-T6铝材料。在一些实施例中，气体分配喷头130可包含陶瓷材料、介电材料、石英材料或不锈钢材料。
图2A和图2B各自示意性地显示了气体分配板136。图2A显示了气体分配板136的顶表面202。如图所示，气体分配板136包括至少一个气体供应入口206。尽管显示了第一气体供应入口206A和第二气体供应入口206B，但应设想气体分配板136中可包括任何数量的气体供应入口206，例如，一个气体供应入口或四个气体供应入口。第一气体供应入口206A在第一位置处与混合歧管120的第一混合通道140可操作地连接。第一位置可设置在中心轴线106处或邻近中心轴线106。第一气体供应入口206A进一步与区隔板138可操作地连接。第二气体供应入口206B在第二位置处与混合歧管120的第二混合通道140可操作地连接。第二位置可邻近第一位置而设置。第二气体供应入口206B也与区隔板138可操作地连接。每一气体供应入口206可经由混合歧管120而接收气体。第一气体供应入口206A可将气体经由通路208而分配到区隔板138。
如图2A中所示，气体分配板136包括多个气体通道210。多个气体通道210在气体分配板136中形成路径分流歧管。多个气体通道210耦接到至少一个气体供应入口。如图2A中所示，多个气体通道210在第一端处可操作地连接第二气体供应入口206B。在多个气体通道210的第二端处，多个气体通道210可操作地连接到第一多个气体孔212。第一多个气体孔212设置在多个气体通道210内，并在第二端处延伸穿过气体分配板136。
多个气体通道210从气体分配板136的中心径向向外设置。此外，多个气体通道210围绕第一气体供应入口206A和/或第二气体供应入口206B分布。如图2A中所示，多个气体通道210围绕第一气体供应入口206A和/或第二气体供应入口206B对称地分布，然而，应预期多个气体通道也可围绕第一气体供应入口206A和/或第二气体供应入口206B非对称地分布。如图2A所示的气体分配板136的实施例中所示，第一气体供应入口206A可经由气体分配板的内区供应气体，且第二气体供应入口206B可经由气体分配板的外区供应气体。多个气体通道210布置在多个T形接头214中，其中气体流在每一T形接头214处大约相等地分成相反的圆周方向。各个T形接头214被串联，使得气体流以从长通道210A开始并以短通道210C结束的顺序，在相继变短的弓形通道210A、210B、210C之间被地划分。短通道210C终止于尖端处，第一多个气体孔212中的至少一个位于此位置处。每一T形接头214绕气体分配板136而对称，使得气体通过每一气体通道210而行进的距离是相同的。该特征有助于在所有的第一多个气体孔212中提供均匀的气体压力。此外，每一T形接头214均等地分配所述接头处的气体的流率。多个气体通道210提供递归气体流。多个气体通道210可经由电子束焊接来制造。如图2A中所示，第一多个气体孔212可包括八个均等分布的气体孔212，其提供到区隔板138的气体出口。然而，应设想第一多个气体孔212可包括任何数量的气体孔。
图2B显示了气体分配板136的底表面204。如图所示，气体离开延伸穿过气体分配板136的底表面204的第一多个气体孔212。第一多个气体孔212围绕气体分配板的外部部分而等距地间隔开。在离开第一多个气体孔212时，气体可流入区隔板138的外区304，将讨论于下。此外，气体离开也延伸穿过气体分配板136的底表面204的第一气体供应入口206A。在离开第一气体供应入口206A时，气体可流入区隔板138的内区302，将讨论于下。
图3显示了区隔板138的顶视图。应注意在一些实施例中，区隔板138的对应底视图可实质上类似于区隔板138的顶视图。区隔板138设置在气体分配板136和气体分配喷头130之间。在一些实施例中，区隔板138耦接到气体分配板136和/或气体分配喷头130。
在一些实施例中，且如图3中所示，区隔板138是双区区隔板138。因此，区隔板138包括内区302和外区304。内区302可设置在外区304内。在一些实施例中，内区302可完全设置在外区304内。在其他实施例中，外区304可环绕内区302。
内区302包括第二多个气体孔306。在一些实施例中，第二多个气体孔306可以是直钻的气体孔。直钻的气体孔可各自具有与区隔板138和/或气体分配喷头130的纵向轴线对准的纵向轴线。在其他实施例中，可以一定角度钻出第二多个气体孔306。在其他实施例中，第二多个气体孔306可包括直钻的气体孔和/或以一定角度钻出的气体孔的混合。因此，以一定角度钻出的气体孔可具有与区隔板138和/或气体分配喷头130的纵向轴线不对准的纵向轴线。此外，在一些实施例中，第二多个气体孔306可具有在约0.01英寸和约0.3英寸之间的直径，例如，约0.015英寸。因此，在一些实施例中，第二多个气体孔306可各自具有均匀的宽度。在其他实施例中，第二多个气体孔306可各自具有可变的宽度。此外，第二多个气体孔306中的每一个可等距地间隔开，然而，在一些实施例中，第二多个气体孔306中的每一个可以可变地间隔开。
外区304包括第三多个气体孔308。在一些实施例中，第三多个气体孔308可以是直钻的气体孔。直钻的气体孔可各自具有与区隔板138和/或气体分配喷头130的纵向轴线对准的纵向轴线。在其他实施例中，可以一定角度钻出第三多个气体孔308。在其他实施例中，第三多个气体孔308可包括直钻的气体孔和/或以一定角度钻出的气体孔的混合。因此，以一定角度钻出的气体孔可具有与区隔板138的纵向轴线不对准的纵向轴线。此外，在一些实施例中，第三多个气体孔308可具有在约0.01英寸和约0.3英寸之间的直径，例如，约0.015英寸。因此，在一些实施例中，第三多个气体孔308可各自具有均匀的宽度。在其它实施例中，第三多个气体孔308可各自具有可变的宽度。此外，第三多个气体孔308中的每一个可等距地间隔开，然而，在一些实施例中，第三多个气体孔308中的每一个可以可变地间隔开。总体而言，区隔板138可包括介于约600个气体孔和约2200个气体孔之间。
区隔板138可包括多个表面312，其中每一表面312被分层，使得每一表面具有自区隔板的不同上升。在一些实施例中，且如图3中所示，区隔板可具有第一表面312A、第二表面312B和第三表面312C。第一表面312A可具有最低的高度，而第三表面312C可具有最高的高度。内区302和外区304设置在相同的表面中。如图所示，内区302和外区304设置在第一表面312A内。然而，应设想内区302和外区304可完全地和/或部分地设置在不同的表面312上。
第一阻障壁310设置在区隔板138的内区302和外区304之间。第一阻障壁310耦接到区隔板138且从区隔板138的第一表面312A向外延伸。第一阻障壁310的顶表面314可与区隔板的较高分层表面，例如，第二表面312B或第三表面312C，实质上齐平。在一些实施例中，第一阻障壁310可从区隔板的第一表面312A向外延伸在约0.125英寸和约0.350英寸之间。
第一内O形环316(参见图1)可设置在第一阻障壁310的第一表面上和/或耦接到第一阻障壁310的第一表面。返回到图2B，沟槽216可形成在气体分配板136的底表面204中。在气体分配板136中的沟槽216的尺寸可经调整以接受和/或接收区隔板138的第一阻障壁310和第一内O形环316，使得在将区隔板138与气体分配板136耦接时，区隔板138的内区302和外区304被密封地封闭和/或耦接在区隔板的顶表面上。因此，第一内O形环316设置在第一阻障壁310和气体分配板136之间。在一些实施例中，第一内O形环316包含全氟弹性体材料，例如，Kalrez材料。
区隔板138可包括形成在区隔板138的一个表面上的沟槽318。沟槽318可围绕区隔板138的外区304而设置，使得沟槽318围绕第二表面312B。沟槽318经配置以将区隔板138密封到气体分配板136。在区隔板138中的沟槽318可经调整尺寸以接受和/或接收第一外O形环315(参见图1)，使得在将区隔板138与气体分配板136耦接时，区隔板138密封地耦接到气体分配板。因此，第一外O形环315设置在沟槽318内，且在区隔板138和气体分配板136之间。在一些实施例中，第一外O形环315包含全氟弹性体材料，例如，Kalrez材料。
如上所提及的，区隔板138的底侧实质上类似于图3中所示的区隔板138的顶侧。因此，区隔板138的底侧(未显示)也包括内区和外区，其分别经由第二多个气体孔306和第三多个气体孔308而各自耦接到内区302和外区304。此外，区隔板138的底侧上的内区可设置在区隔板的底侧的外区内。在一些实施例中，区隔板138的底侧上的内区可完全设置在区隔板138的底侧上的外区内。在其它实施例中，区隔板138的底侧上的外区可围绕区隔板138的底侧上的内区。
区隔板138的底侧也可包括多个表面312，其中每一表面312被分层，使得每一表面具有自区隔板138的不同上升。另外，区隔板138的底侧还包括与讨论于上的第一阻障壁310实质上类似的第二阻障壁(显示在图1中)。第二阻障壁设置在区隔板138的底侧上的内区和区隔板138的底侧上的外区之间。第二阻障壁耦接到区隔板138并从区隔板138的表面向外延伸。第二阻障壁的顶表面可与区隔板的较高分层表面实质齐平，如参照第一阻障壁310而讨论于上的。
第二内O形环316可设置在第二阻障壁的第一表面上和/或耦接到第二阻障壁的第一表面。如下面的图4中所示，在气体分配喷头130的顶表面404中可形成第一沟槽416。气体分配喷头130中的第一沟槽416可经调整尺寸，以接受和/或接收区隔板138的第二阻障壁和第二内O形环316，使得在将气体分配喷头130与区隔板138耦接时，区隔板138的底侧上的内区和区隔板138的底侧上的外区被密封封闭和/或耦接在区隔板的底表面上。因此，第二内O形环316设置在第一阻障壁310和气体分配喷头130之间。在一些实施例中，第二内O形环316包含全氟弹性体材料，例如，Kalrez材料。
图4显示了气体分配喷头130的顶视图。气体分配喷头130设置在区隔板138和处理区域128之间。在一些实施例中，气体分配喷头130耦接到区隔板138和/或间隔件122。
在一些实施例中，且如图4中所示，气体分配喷头130可以是双区喷头。因此，气体分配喷头130包括内区406和外区408。内区406可设置在外区408内。在一些实施例中，内区406可完全地设置在外区408内。在其他实施例中，外区408可围绕内区406。
如图所示，气体分配喷头130在气体分配喷头130的顶表面上具有内区406和外区408。气体分配喷头130的内区406可对应于和/或可操作地连接区隔板138的内区。气体分配喷头130的内区406包括穿过其中的第四多个气体孔410。
在一些实施例中，第四多个气体孔410可以是直钻的气体孔。直钻的气体孔可各自具有与区隔板138和/或气体分配喷头130的纵向轴线对准的纵向轴线。在其他实施例中，可以一定角度钻出第四多个气体孔410。在其他实施例中，第四多个气体孔410可包括直钻的气体孔和/或以一定角度钻出的气体孔的混合。因此，以一定角度钻出的气体孔可具有与气体分配喷头130的纵向轴线不对准的纵向轴线。此外，在一些实施例中，第四多个气体孔410可具有在约0.01英寸和约0.6英寸之间的直径，例如，约0.03英寸。因此，在一些实施例中，第四多个气体孔410可各自具有均匀的宽度。在其他实施例中，第四多个气体孔410可各自具有可变的宽度。此外，第四多个气体孔410中的每一个可等距地间隔开，然而，在一些实施例中，第四多个气体孔410中的每一个可以可变地间隔开。
气体分配喷头130的外区408可对应于和/或可操作地连接区隔板138的外区。气体分配喷头130的外区包括穿过其中的第五多个气体孔412。在一些实施例中，第五多个气体孔412可以是直钻的气体孔。直钻的气体孔可各自具有与区隔板138和/或气体分配喷头130的纵向轴线对准的纵向轴线。在其他实施例中，可以一定角度钻出第五多个气体孔412。在其他实施例中，第五多个气体孔412可包括直钻的气体孔和/或以一定角度钻出的气体孔的混合。因此，以一定角度钻出的气体孔可具有与气体分配喷头130的纵向轴线不对准的纵向轴线。此外，在一些实施例中，第五多个气体孔412可具有在约0.01英寸和约0.6英寸之间的直径，例如，约0.03英寸。这样，在一些实施例中，第五多个气体孔412可各自具有均匀的宽度。在其他实施例中，第五多个气体孔412可各自具有可变宽度。此外，第五多个气体孔412中的每一个可等距地间隔开，然而，在一些实施例中，第五多个气体孔412中的每一个可以可变地间隔开。总体而言，气体分配喷头130可包括介于约600个气体孔和约2200个气体孔之间。
气体分配喷头130进一步包括设置在气体分配喷头130内的第一沟槽416。在一些实施例中，第一沟槽416设置在气体分配喷头130的内区406和气体分配喷头130的外区408之间。第一沟槽416可包围内区406。第一沟槽416经配置以接受区隔板的第一阻障壁310和第一内O形环316，或在一些实施例中，第一沟槽416经配置以接受设置在区隔板138的底侧上的第二阻障壁和也设置在区隔板138的底侧上的第二内O形环316。第一沟槽416经配置以接受第一阻障壁310和/或第二阻障壁(未显示)，使得气体分配喷头130的内区406与气体分配喷头130的外区408实体分离。
在一些实施例中，气体分配喷头130还可包括设置在气体分配喷头130内的第二沟槽418。第二沟槽418可设置在气体分配喷头130的外区周围，使得第二沟槽418围绕外区408。第二沟槽418经配置以将区隔板138密封到气体分配喷头130。气体分配喷头130中的第二沟槽418可经调整尺寸以接受和/或接收第二外O形环315(见图1)，使得在将区隔板138与气体分配喷头130耦接时，区隔板138密封地耦接到气体分配喷头130。因此，第二外O形环315设置在第二沟槽418内且在区隔板138和气体分配喷头130之间。在一些实施例中，第二外O形环315包含全氟弹性体材料，例如，Kalrez材料。
在某些实施例中，气体分配喷头130还可包括设置在第五多个气体孔412和第二沟槽418之间的空隙区域420。空隙区域420可环绕外区408和/或第五多个气体孔412。空隙区域420可不包括气体孔。
现在参考图1、图2和图3，当气体分配板136耦接到和/或可操作地连接到区隔板138时，第一气室150形成/设置在气体分配板136与区隔板138的外区304之间。此外，第二气室152形成/设置在气体分配板136和区隔板138的内区302之间。而且，当区隔板138耦接到和/或可操作地连接到气体分配喷头130时，区隔板138的外区304与气体分配喷头130的外区408对准，且区隔板138的内区302与气体分配喷头130的内区406对准。另外，第三气室154形成/设置在区隔板138的外区304和气体分配喷头130的外区408之间。此外，第四气室156形成/设置在区隔板138的内区302和气体分配喷头130的内区406之间。第一阻障壁310和/或第二阻障壁可将第一气室150与第二气室152分离和将第三气室154与第四气室156分离。第一气室150、第二气室152、第三气室154和/或第四气室156的每一者允许气体的突然膨胀，从而提供更均匀的流动。
现在参考图1、图3和图4，区隔板138的第二多个气体孔306和气体分配喷头130的第四多个气体孔410经图案化，使得当区隔板138耦接到和/或可操作地连接到气体分配喷头130时，避免同轴流动。因此，区隔板138的第二多个气体孔306中的每一个气体孔的纵向轴线不与气体分配喷头130的第四多个气体孔410中的任一个气体孔的纵向轴线对准。此外，区隔板138的第三多个气体孔308和气体分配喷头130的第五多个气体孔412经图案化，使得当区隔板138耦接到和/或可操作地连接到气体分配喷头130时，避免同轴流动。因此，区隔板138的第三多个气体孔308中的每一个气体孔的纵向轴线不与气体分配喷头130的第五多个气体孔412中的任一个气体孔的纵向轴线对准。
本公开的优点包括独立的中心到边缘的流动地带性、独立的HF/NH3输送、经由混合歧管在盖上混合HF/NH3及气体分配板中的递归分配。另外，实现了处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配。此外，本公开的实施例是可对现有、既存的设备翻新的。此外，由化学镀镍的6061-T6铝所制成的零件提供了改进的抗腐蚀性。
附加的优点包括改变和/或修改处理腔室中的流率以允许在基板上的改进的均匀性的能力。例如，可在气体分配组件的内区和外区之间具有不同的流率。
总而言之，于此所公开的实施例关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
虽然前述内容关于本公开的实施例，但可设计本公开的其他和进一步的实施例而不背离本公开的基本范围，且本公开的范围由以下的权利要求决定。
Claims (30)
1.一种气体分配组件，包含：
气体分配板，包含：
至少一个气体供应入口；
多个通道，形成可操作地连接到所述气体供应入口的路径分流歧管；及
第一多个气体孔，设置在所述多个通道内并穿过所述气体分配板；
区隔板，耦接到所述气体分配板，所述区隔板包含：
内区，包含第二多个气体孔；
外区，包含第三多个气体孔；及
第一阻障壁，将所述内区与所述外区分开；
双区喷头，耦接到所述区隔板，所述双区喷头包含：
内区，包含第四多个气体孔；
外区，包含第五多个气体孔；及
沟槽，设置在所述内区与所述外区之间，其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁，使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离；及
其中所述第二多个气体孔和所述第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且其中所述第三多个气体孔和所述第五多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
2.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述双区喷头的内区与所述区隔板的内区对准，且其中所述双区喷头的外区与所述区隔板的外区对准。
3.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述多个通道围绕所述气体供应入口而对称地分布，且其中所述第一多个气体孔是至少八个气体孔。
4.如权利要求1所述的气体分配组件，进一步包含：
第一气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的外区之间；及
第二气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的内区之间。
5.如权利要求1所述的气体分配组件，进一步包含：
第三气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的外区之间；及
第四气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的内区之间。
6.如权利要求1所述的气体分配组件，进一步包含：
第一O形环，设置在所述第一阻障壁和所述气体分配板之间；及
第二O形环，设置在所述第一阻障壁和所述双区喷头之间，且其中所述第一O形环和所述第二O形环包含全氟弹性体材料。
7.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述气体分配板、所述区隔板或所述双区喷头包含铝材料、陶瓷材料、介电材料、石英材料或不锈钢材料。
8.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔、所述第四多个气体孔和所述第五多个气体孔各自具有与所述双区喷头的纵向轴线对准的纵向轴线。
9.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔、所述第四多个气体孔和所述第五多个气体孔分别各自具有均匀的宽度。
10.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔、所述第四多个气体孔和所述第五多个气体孔各自具有与所述双区喷头的纵向轴线不对准的纵向轴线。
11.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔、所述第四多个气体孔和所述第五多个气体孔分别各自具有可变的宽度。
12.一种气体分配组件，包含：
气体分配板，包含：
至少一个气体供应入口；
多个通道，形成可操作地连接到所述气体供应入口的路径分流歧管；及
第一多个气体孔，设置在所述多个通道内并穿过所述气体分配板；
区隔板，耦接到所述气体分配板，所述区隔板包含：
内区，包含第二多个气体孔；
外区，包含第三多个气体孔；及
第一阻障壁，将所述内区与所述外区分开；
双区喷头，耦接到所述区隔板，所述双区喷头包含：
内区，包含第四多个气体孔；
外区，包含第五多个气体孔；及
沟槽，设置在所述内区与所述外区之间，其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁，使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离；及
混合歧管，可操作地耦接到所述气体分配板，所述混合歧管包含：
多个混合通道，所述混合通道包含第一部分和第二部分，其中设置在所述第一部分和所述第二部分之间的扼流通道的直径小于所述第一部分或所述第二部分的任何直径。
13.如权利要求12所述的气体分配组件，其中所述第二多个气体孔和所述第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且其中所述第三多个气体孔和所述第五多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
14.如权利要求12所述的气体分配组件，进一步包含：
第一气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的外区之间；
第二气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的内区之间；
第三气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的外区之间；及
第四气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的内区之间。
15.一种气体分配组件，包含：
混合歧管，包含：
多个混合通道，所述混合通道包含第一部分和第二部分，其中设置在所述第一部分和所述第二部分之间的扼流通道的直径小于所述第一部分或所述第二部分的任何直径
气体分配板，耦接到所述混合歧管，所述气体分配板包含：
至少一个气体供应入口；
多个通道，形成可操作地连接到所述气体供应入口的路径分流歧管；及
第一多个气体孔，设置在所述多个通道内并穿过所述气体分配板；
区隔板，耦接到所述气体分配板，所述区隔板包含：
内区，包含第二多个气体孔；
外区，包含第三多个气体孔；及
第一阻障壁，将所述内区与所述外区分开；
双区喷头，耦接到所述区隔板，所述双区喷头包含：
内区，包含第四多个气体孔；
外区，包含第五多个气体孔；及
沟槽，设置在所述内区与所述外区之间，其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁，使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离，及
其中所述第二多个气体孔和所述第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且其中所述第三多个气体孔和所述第五多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
16.一种处理腔室，包含：
腔室主体，至少部分地限定所述腔室主体内的处理容积；
基板支撑件，设置在所述处理容积中并与所述腔室主体耦接；
入口适配器；
气体分配组件，包含：
混合歧管，限定多个混合通道；
区隔板，包含：
内区，限定第一多个气体孔；
外区，限定第二多个气体孔；及
第一阻障壁，将所述内区与所述外区分开；及
双区喷头，与所述区隔板耦接，所述双区喷头包含：
内区，限定第三多个气体孔；
外区，限定第四多个气体孔；及
沟槽，设置在所述内区与所述外区之间，其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁，使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离；及
其中所述第一多个气体孔和所述第三多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且其中所述第二多个气体孔和所述第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
17.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述双区喷头的内区与所述区隔板的内区对准，且其中所述双区喷头的外区与所述区隔板的外区对准。
18.如权利要求16所述的处理腔室，进一步包含与所述区隔板耦接的气体分配板，且其中所述气体分配板限定第五多个气体孔，且其中所述第五多个气体孔包括至少八个气体孔。
19.如权利要求18所述的处理腔室，进一步包含：
第一气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的外区之间；及
第二气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的内区之间。
20.如权利要求19所述的处理腔室，进一步包含：
第三气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的外区之间；及
第四气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的内区之间。
21.如权利要求18所述的处理腔室，进一步包含：
第一O形环，设置在所述第一阻障壁和所述气体分配板之间；及
第二O形环，设置在所述第一阻障壁和所述双区喷头之间，且其中所述第一O形环和所述第二O形环包含全氟弹性体材料。
22.如权利要求18所述的处理腔室，其中所述气体分配板、所述区隔板或所述双区喷头包含铝材料、陶瓷材料、介电材料、石英材料或不锈钢材料。
23.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述第一多个气体孔、所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔和所述第四多个气体孔各自具有与所述双区喷头的纵向轴线对准的纵向轴线。
24.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述第一多个气体孔、所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔和所述第四多个气体孔分别各自具有均匀的宽度。
25.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述第一多个气体孔、所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔和所述第四多个气体孔各自具有与所述双区喷头的纵向轴线不对准的纵向轴线。
26.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述第一多个气体孔、所述第二多个气体孔、所述第三多个气体孔和所述第四多个气体孔分别各自具有可变的宽度。
27.一种处理腔室，包含：
腔室主体，限定所述腔室主体内的处理容积；
气体分配板，设置在所述腔室主体内，所述气体分配板包含：
至少一个气体供应入口；及
第一多个气体孔，穿过所述气体分配板而限定；
区隔板，耦接到所述气体分配板，所述区隔板包含：
内区，包含第二多个气体孔；
外区，包含第三多个气体孔；及
第一阻障壁，将所述内区与所述外区分开；
双区喷头，耦接到所述区隔板，所述双区喷头包含：
内区，包含第四多个气体孔；
外区，包含第五多个气体孔；及
沟槽，设置在所述内区与所述外区之间，其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁，使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离；及
混合歧管，可操作地耦接到所述气体分配板，所述混合歧管包含：
多个混合通道，所述混合通道包含第一部分和第二部分，其中设置在所述第一部分和所述第二部分之间的扼流通道的直径小于所述第一部分或所述第二部分的任何直径。
28.如权利要求27所述的处理腔室，其中所述第二多个气体孔和所述第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动，且其中所述第三多个气体孔和所述第五多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
29.如权利要求27所述的处理腔室，进一步包含：
第一气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的外区之间；
第二气室，设置在所述气体分配板和所述区隔板的内区之间；
第三气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的外区之间；及
第四气室，设置在所述双区喷头和所述区隔板的内区之间。
30.一种处理腔室，包含：
腔室主体，限定所述腔室主体内的处理容积；
基板支撑件，设置在所述处理容积中并耦接到所述腔室主体；
气体供应源，耦接到所述腔室主体；
气体分配组件，设置在所述腔室主体中，所述气体分配组件包含：
气体分配板，包含：
至少一个气体供应入口；及
第一多个气体孔，穿过所述气体分配板而设置；
区隔板，耦接到所述气体分配板，所述区隔板包含：
内区，包含第二多个气体孔；
外区，包含第三多个气体孔；及
第一阻障壁，将所述内区与所述外区分开；
双区喷头，耦接到所述区隔板，所述双区喷头包含：
内区，包含第四多个气体孔；
外区，包含第五多个气体孔；
沟槽，设置在所述内区与所述外区之间，其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁，使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离；及
混合歧管，可操作地耦接到所述气体分配板，所述混合歧管包含：
多个混合通道，所述混合通道包含第一部分和第二部分，其中设置在所述第一部分和所述第二部分之间的扼流通道的直径小于所述第一部分或所述第二部分的任何直径。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811492381.4A CN109594061B (zh) | 2016-05-20 | 2017-04-20 | 用于半导体处理的气体分配喷头 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662339200P | 2016-05-20 | 2016-05-20 | |
| US62/339,200 | 2016-05-20 | ||
| PCT/US2017/028641 WO2017200696A1 (en) | 2016-05-20 | 2017-04-20 | Gas distribution showerhead for semiconductor processing |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811492381.4A Division CN109594061B (zh) | 2016-05-20 | 2017-04-20 | 用于半导体处理的气体分配喷头 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109155242A true CN109155242A (zh) | 2019-01-04 |
| CN109155242B CN109155242B (zh) | 2023-05-09 |
Family
ID=60325546
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811492381.4A Active CN109594061B (zh) | 2016-05-20 | 2017-04-20 | 用于半导体处理的气体分配喷头 |
| CN201780031024.5A Active CN109155242B (zh) | 2016-05-20 | 2017-04-20 | 用于半导体处理的气体分配喷头 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811492381.4A Active CN109594061B (zh) | 2016-05-20 | 2017-04-20 | 用于半导体处理的气体分配喷头 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10577690B2 (zh) |
| JP (2) | JP6751448B2 (zh) |
| KR (3) | KR102214350B1 (zh) |
| CN (2) | CN109594061B (zh) |
| TW (2) | TWI759741B (zh) |
| WO (1) | WO2017200696A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111599717A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体反应腔室及原子层等离子体刻蚀机 |
| WO2021146099A1 (en) * | 2020-01-13 | 2021-07-22 | Lam Research Corporation | Multizone gas distribution plate for trench profile optimization |
| WO2023005912A1 (zh) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其进气装置 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8894767B2 (en) * | 2009-07-15 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Flow control features of CVD chambers |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| KR102214350B1 (ko) * | 2016-05-20 | 2021-02-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리를 위한 가스 분배 샤워헤드 |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| KR102493945B1 (ko) * | 2017-06-06 | 2023-01-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Teos 유동의 독립적 제어를 통한 증착 반경방향 및 에지 프로파일 튜닝가능성 |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10903054B2 (en) * | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) * | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| KR102424808B1 (ko) * | 2018-05-24 | 2022-07-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기상 라디칼의 제어를 위한 다중 구역 가스 분사 |
| US20190376184A1 (en) * | 2018-06-12 | 2019-12-12 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition shower head for uniform gas distribution |
| JP7119779B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2022-08-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜装置と成膜方法 |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| TW202020218A (zh) * | 2018-09-14 | 2020-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於多流前驅物配分劑量的裝置 |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| CN111101117B (zh) * | 2018-10-29 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 匀气装置和半导体处理设备 |
| CN111223736B (zh) * | 2018-11-26 | 2021-12-28 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理设备的进气装置 |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| KR102154476B1 (ko) * | 2018-12-20 | 2020-09-10 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| US10954595B2 (en) | 2019-07-30 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | High power showerhead with recursive gas flow distribution |
| CN110684963B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-05-20 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 用于镀膜设备的气流导散装置及其应用 |
| KR102115772B1 (ko) | 2020-01-15 | 2020-05-27 | 김민삼 | 반도체 제조장비용 샤워헤드 |
| CN113293359A (zh) * | 2020-02-24 | 2021-08-24 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种可分区控制进气流量及比例的pecvd匀气装置 |
| US20220064797A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Applied Materials, Inc. | Showerhead design to control stray deposition |
| DE102020123076A1 (de) | 2020-09-03 | 2022-03-03 | Aixtron Se | Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors mit zwei Einspeisestellen |
| CN114164412B (zh) * | 2020-09-10 | 2024-03-08 | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 | 半导体原子层沉积装置的喷洒头结构 |
| CN116209784A (zh) * | 2020-09-17 | 2023-06-02 | 朗姆研究公司 | 用于高温工艺的具有独立面板的混合式喷头 |
| US11881416B2 (en) * | 2020-12-14 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for a shared gas delivery architecture |
| US20230124246A1 (en) * | 2021-10-19 | 2023-04-20 | Applied Materials, Inc. | Manifold for equal splitting and common divert architecture |
| WO2024076478A1 (en) * | 2022-10-06 | 2024-04-11 | Lam Research Corporation | Showerhead gas inlet mixer |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010035127A1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-11-01 | Craig R. Metzner | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| US20030221780A1 (en) * | 2002-01-26 | 2003-12-04 | Lei Lawrence C. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
| US20060169671A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Go Miya | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| CN101136322A (zh) * | 2006-08-15 | 2008-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、气体供给装置、基板墀理方法和存储介质 |
| US20080206483A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Alexander Paterson | Plasma process for inductively coupling power through a gas distribution plate while adjusting plasma distribution |
| JP2009088232A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置 |
| US20100099266A1 (en) * | 2008-09-22 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Etch reactor suitable for etching high aspect ratio features |
| KR20100131566A (ko) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | 주식회사 에스엠아이 | 화학기상 증착 장치의 샤워 헤드 |
| TW201248757A (en) * | 2011-04-08 | 2012-12-01 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for UV treatment, chemical treatment, and deposition |
| US20130263944A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-10-10 | Faruk Gungor | Apparatus and Method for Providing Uniform Flow of Gas |
| TW201438103A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-10-01 | Applied Materials Inc | 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統 |
| CN105185729A (zh) * | 2006-05-03 | 2015-12-23 | 应用材料公司 | 适合于蚀刻高纵横比特征的真空处理室 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| KR100332314B1 (ko) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | 박막증착용 반응용기 |
| CN1328766C (zh) * | 2001-01-22 | 2007-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和处理方法 |
| JP2002252219A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP4454964B2 (ja) * | 2003-06-09 | 2010-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 分圧制御システム及び流量制御システム |
| JP4943669B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空装置のシール構造 |
| JP4911984B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2012-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置，基板処理装置，ガス供給方法及びシャワーヘッド |
| JP5157101B2 (ja) | 2006-08-04 | 2013-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及び基板処理装置 |
| US20080078746A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-04-03 | Noriiki Masuda | Substrate processing system, gas supply unit, method of substrate processing, computer program, and storage medium |
| WO2008118483A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Structured Materials Inc. | Showerhead for chemical vapor deposition (cvd) apparatus |
| JP5034594B2 (ja) | 2007-03-27 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| US20090023294A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method for etching using advanced patterning film in capacitive coupling high frequency plasma dielectric etch chamber |
| US20090159213A1 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead |
| US8512509B2 (en) * | 2007-12-19 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold |
| JP2009194125A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
| US7699935B2 (en) * | 2008-06-19 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber |
| WO2010065473A2 (en) | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution blocker apparatus |
| US8465587B2 (en) * | 2009-12-30 | 2013-06-18 | Cbl Technologies, Inc. | Modern hydride vapor-phase epitaxy system and methods |
| US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| JP6123208B2 (ja) | 2012-09-28 | 2017-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US20140271097A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| KR20150055822A (ko) * | 2013-11-14 | 2015-05-22 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
| JP2015138885A (ja) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、シャワープレート及び基板処理方法 |
| JP2017512375A (ja) * | 2014-01-31 | 2017-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャンバコーティング |
| KR20150113620A (ko) | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치용 가스분배유닛 |
| KR20160147482A (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-23 | 삼성전자주식회사 | 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비 |
| KR102214350B1 (ko) * | 2016-05-20 | 2021-02-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리를 위한 가스 분배 샤워헤드 |
-
2017
- 2017-04-20 KR KR1020207026096A patent/KR102214350B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-20 US US15/492,928 patent/US10577690B2/en active Active
- 2017-04-20 CN CN201811492381.4A patent/CN109594061B/zh active Active
- 2017-04-20 US US15/492,938 patent/US10829855B2/en active Active
- 2017-04-20 KR KR1020187037145A patent/KR102156390B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-20 WO PCT/US2017/028641 patent/WO2017200696A1/en active Application Filing
- 2017-04-20 CN CN201780031024.5A patent/CN109155242B/zh active Active
- 2017-04-20 JP JP2018560796A patent/JP6751448B2/ja active Active
- 2017-04-20 KR KR1020187037091A patent/KR102156389B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-21 TW TW109115684A patent/TWI759741B/zh active
- 2017-04-21 TW TW106113382A patent/TWI696211B/zh active
-
2019
- 2019-01-24 JP JP2019010303A patent/JP6818782B2/ja active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010035127A1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-11-01 | Craig R. Metzner | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| US20030221780A1 (en) * | 2002-01-26 | 2003-12-04 | Lei Lawrence C. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
| US20060169671A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Go Miya | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| CN105185729A (zh) * | 2006-05-03 | 2015-12-23 | 应用材料公司 | 适合于蚀刻高纵横比特征的真空处理室 |
| CN101136322A (zh) * | 2006-08-15 | 2008-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、气体供给装置、基板墀理方法和存储介质 |
| US20080206483A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Alexander Paterson | Plasma process for inductively coupling power through a gas distribution plate while adjusting plasma distribution |
| JP2009088232A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置 |
| US20100099266A1 (en) * | 2008-09-22 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Etch reactor suitable for etching high aspect ratio features |
| KR20100131566A (ko) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | 주식회사 에스엠아이 | 화학기상 증착 장치의 샤워 헤드 |
| TW201248757A (en) * | 2011-04-08 | 2012-12-01 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for UV treatment, chemical treatment, and deposition |
| US20130263944A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-10-10 | Faruk Gungor | Apparatus and Method for Providing Uniform Flow of Gas |
| TW201438103A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-10-01 | Applied Materials Inc | 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021146099A1 (en) * | 2020-01-13 | 2021-07-22 | Lam Research Corporation | Multizone gas distribution plate for trench profile optimization |
| CN111599717A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体反应腔室及原子层等离子体刻蚀机 |
| CN111599717B (zh) * | 2020-05-09 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体反应腔室及原子层等离子体刻蚀机 |
| WO2023005912A1 (zh) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其进气装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI759741B (zh) | 2022-04-01 |
| JP6751448B2 (ja) | 2020-09-02 |
| JP2019123940A (ja) | 2019-07-25 |
| KR20190005235A (ko) | 2019-01-15 |
| KR102156390B1 (ko) | 2020-09-16 |
| US10829855B2 (en) | 2020-11-10 |
| US20170335457A1 (en) | 2017-11-23 |
| US10577690B2 (en) | 2020-03-03 |
| TW201742109A (zh) | 2017-12-01 |
| KR20200108119A (ko) | 2020-09-16 |
| JP6818782B2 (ja) | 2021-01-20 |
| JP2019517143A (ja) | 2019-06-20 |
| TW202115770A (zh) | 2021-04-16 |
| US20170335456A1 (en) | 2017-11-23 |
| WO2017200696A1 (en) | 2017-11-23 |
| CN109594061B (zh) | 2021-02-09 |
| TWI696211B (zh) | 2020-06-11 |
| CN109155242B (zh) | 2023-05-09 |
| KR102156389B1 (ko) | 2020-09-16 |
| KR20180138565A (ko) | 2018-12-31 |
| CN109594061A (zh) | 2019-04-09 |
| KR102214350B1 (ko) | 2021-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109155242A (zh) | 用于半导体处理的气体分配喷头 | |
| US11264213B2 (en) | Chemical control features in wafer process equipment | |
| CN110998818B (zh) | 等离子体蚀刻工艺中使用涂布部件的工艺裕度扩充 | |
| US10550472B2 (en) | Flow control features of CVD chambers | |
| JP4564656B2 (ja) | デュアルチャネル・ガス分配プレート | |
| TWI685913B (zh) | 半導體反應室之噴淋頭 | |
| JP2019123940A5 (zh) | ||
| KR20170067827A (ko) | 열 덮개를 구비한 원자 층 증착 챔버 | |
| JP2003504866A (ja) | Ｃｖｄおよびｐｅｃｖｄプロセス中に基板に均一ガス送出を行う方法および装置 | |
| CN109385620A (zh) | 具有更均匀的边缘净化的基板支撑件 | |
| EP1063690A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| TW202132615A (zh) | Cvd反應器之進氣裝置 | |
| WO2023177950A1 (en) | Dual plenum showerhead with center to edge tunability | |
| KR20240021516A (ko) | 피딩블록 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| JPH0613135U (ja) | マルチプレ−ト型流体導入箱 | |
| CN116646282A (zh) | 进气喷嘴及干法化学蚀刻设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |