CN109152317A - 一种高性能屏蔽片、制备方法及其线圈模组 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高性能屏蔽片，包括至少一个薄片，所述薄片包括：至少一层屏蔽层，所述屏蔽层为软磁材料形成，所述屏蔽层为低矫顽力、低剩磁屏蔽层；至少一层胶层，所述胶层设置在所述屏蔽层的至少一面；所述屏蔽层包括复数个图形化缝隙，所述缝隙将所述屏蔽层分割成复数个图形化碎片；所述胶层填充在所述缝隙中，使所述碎片相互隔离并绝缘。还涉及一种高性能屏蔽片制备方法。还涉及一种屏蔽层制备方法。还涉及一种由高性能屏蔽片构成的线圈模组。其优点在于，屏蔽片由低矫顽力、低剩磁屏蔽层构成，能够诱导并束缚更多的磁力线通过，从而提高电充转化率和充电效率；利用低矫顽力、低剩磁屏蔽层，可以减少传输损耗和提高电磁波传输介质均匀性。

Description

一种高性能屏蔽片、制备方法及其线圈模组
技术领域
本发明涉及电子通讯设备制造领域，尤其是涉及一种高性能屏蔽片及其线圈模组应用，具体涉及的是一种应用于无线充电和近场通讯一体化的屏蔽片。
背景技术
随着通信技术及电子技术的快速发展，手机等众多智能终端设备实现了无线充电及快捷支付等功能，并且向轻薄功能全面发展，更加容易受到消费者的追捧。
目前智能手机普遍使用非晶/纳米晶屏蔽片作为磁屏蔽片，是一种将无线充电(Wireless Power Consortium，WPC)、近场通讯(Near Field Communication，NFC)等功能集成在一片柔性线路板(Flexible Printed Circuit，FPC)的一体化磁屏蔽方案，能够节省空间，降低厚度。
无线充电技术的工作原理是磁场耦合原理，与常规的谐振式开关电源的工作原理相近。与电场耦合相比，磁场耦合技术难度小且优势明显。
无线充电技术近年发展迅速，同时也遇到了很多技术难题，如充电效率低、成本高、有效充电距离短等，制约了无线充电的使用场景和适用范围。
因此，为了提高无线充电效率，减小或消除无线充电时电磁场对手机的影响，常用的方法是使用屏蔽片进行对电池屏蔽，屏蔽片的作用是隔绝电磁波，阻止金属等材料吸收发射端设备发出的电磁波并产生反方向的磁场。
在手机无线充电接收端中，如果没有电磁屏蔽片，无线充电设备就无法完成近距离充电工作。以智能手机为例，由于手机的特殊的结构，在手机里必须安装一块电池，当发射线圈发射出来的磁场经过电池时，电池里的金属就会产生感应电流，通常称之为“涡流”，涡流会产生一个与发射线圈产生的磁场方向相反的磁场，从而与发射线圈形成的磁场互相抵消，使得接收线圈接收到的感应电压下降；并且该涡流会转变成热量，使手机电池温度升高，产生危害。因此，为了实现手机安全有效的无线充电，就必须在接收线圈和手机电池之间设置一个用于隔离电池里的金属的装置，以阻挡磁力线，避免磁力线到达电池。
此外，与无线充电相似，NFC也需要使用磁屏蔽片，但是NFC使用的磁屏蔽片工作时的使用频率与无线充电使用的磁屏蔽片工作时的使用频率不同。由于现有的普通磁性屏蔽材料只是对某一频段的电磁干扰有抑制作用，而不能在很大范围内都能够起到良好的电磁屏蔽效果。因此，导致在手机中使用某一磁性材料形成的磁屏蔽片，常常会出现无线充电或NFC使用不良的情况。
因此，亟需一种能够既能提高无线充电效率又能适用于NFC应用的屏蔽片以及包含有该屏蔽片的线圈模组。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的不足，提供一种既能满足所需充电效率提高又能满足NFC应用的屏蔽片，以使线圈模组的性能更优化。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：
一种高性能屏蔽片，包括至少一个薄片，所述薄片包括：
至少一层屏蔽层，所述屏蔽层为软磁材料形成，所述屏蔽层为低矫顽力、低剩磁屏蔽层；
至少一层胶层，所述胶层设置在所述屏蔽层的至少一面；
所述屏蔽层包括复数个图形化缝隙，所述缝隙将所述屏蔽层分割成复数个图形化；
所述胶层填充在所述缝隙中，使所述相互隔离并绝缘。
优选地，所述薄片包括1～12层屏蔽层。
优选地，相邻两个所述屏蔽层通过所述胶层进行粘接。
优选地，所述缝隙为有序纵向缝隙；和/或
有序横向缝隙；和/或
斜向单向缝隙。
优选地，所述的图形为规则图形和/或不规则图形，所述规则图形包括但不限于矩形、圆形、菱形。
优选地，所述图形的尺寸为0.1mm～3mm。
优选地，所述图形的尺寸为0.4mm～2mm。
优选地，所述缝隙的宽度为2μm～80μm。
优选地，所述缝隙的宽度为5μm～35μm。
优选地，所述屏蔽层为非晶/纳米晶屏蔽层、铁氧体屏蔽层、电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)吸波材料屏蔽层中的任意一种或两种以上的组合。
优选地，所述薄片包括：
至少一层非晶/纳米晶屏蔽层和至少一层EMI吸波材料屏蔽层。
优选地，所述屏蔽层的磁导率为220～10000。
优选地，所述屏蔽层的磁导率为300～2500。
优选地，所述薄片形成叠片结构，所述叠片结构由1～12层所述薄片层压形成。
优选地，所述叠片结构包括1～12层由非晶/纳米晶屏蔽层形成的所述薄片，在30KHz～1MHz的工作频率下，所述叠片结构的矫顽力为5A/m～80A/m，所述叠片结构的剩磁为3mT～140mT。
提供一种高性能屏蔽片的制备方法，用于形成如上所述的高性能屏蔽片，包括以下步骤：
步骤S1：热处理
将分切绕制后的多个软磁材料带材放置在热处理炉内进行热处理；
步骤S2：复合叠层
在第一软磁材料带材的第一面粘贴第一叠层胶体，形成单层结构的软磁材料带材层；
在所述第一软磁材料带材的第二面粘贴第二叠层胶体；
在所述第二叠层胶体的另一面粘贴另一经过热处理后的第二软磁材料带材；
重复上述操作，形成包括至少两层所述软磁材料带材的叠层结构的软磁材料带材层；
步骤S3：图形化处理
对步骤S2得到的单层结构或叠层结构进行表面图形处理后，得到薄片。
优选地，在所述步骤S1中，在所述热处理时，进行加磁场或不加磁场处理。
优选地，所述步骤S3的图形化处理方法为：
通过线条压制方法在所述软磁材料带材的表面形成纹路；
通过点接触方法增加纹路形成的缝隙的宽度。
优选地，所述点接触方法为在纹路的中间或者纹路形成的图形的顶点或者纹路形成的图形的内部形成炸点。
优选地，所述纹路为有序纵向纹路：和/或
有序横向纹路；和/或
斜向单向纹路。
优选地，所述纹路形成的图形为规则图形和/或不规则图形，所述规则图形包括但不限于矩形、圆形、菱形。
优选地，所述图形的尺寸为0.1mm～3mm。
优选地，所述图形的尺寸为0.4mm～2mm。
优选地，所述缝隙的宽度为2μm～80μm。
优选地，所述缝隙的宽度为5μm～35μm。
优选地，所述线条压制方法使用的线条为设置在传送带上的线条；或
线段形成的规则图形或不规则图形；或
编织形成图形的线条。
提供一种屏蔽层制备方法，用于制备EMI吸波材料屏蔽层，包括以下步骤：
将磁性颗粒研磨成磁性粉体；
将磁性粉体与树脂粘结剂按一定比例混合均匀，进行涂覆、烘干，得到卷式EMI吸波材料；
通过叠层、层压形成一定厚度的EMI吸波材料；
冲切所述EMI吸波材料，形成EMI吸波材料屏蔽层。
优选地，所述研磨为：
在容器中放入一定量的磁性颗粒；
在容器中放入三种不同直径的研磨球；
在容器中添加一定量的乙醇；
研磨一定时间，得到磁性粉体。
优选地，所述树脂粘结剂的制备方法为：
将环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸中的任意一种或者两种以上的组合溶解在N-甲基吡咯烷酮或酒精溶剂中制备得到所述树脂粘结剂。
提供一种线圈模组，包括如上所述的高性能屏蔽片，还包括线圈和散热片，所述线圈贴合在所述屏蔽片的上表面，所述散热片贴合在所述屏蔽片的下表面；
其中，所述线圈的线宽为0.5mm～3mm，所述线圈的线距为0.02mm～0.1mm。
优选地，所述线圈模组用于近场通信，所述线圈的线宽为0.5mm～1.5mm，所述线圈的线距为0.02mm～0.1mm。
优选地，所述线圈模组用于无线充电，所述线圈的线宽为1mm～3mm，所述线圈的线距为0.02mm～0.1mm。
优选地，所述散热片包括但不限于石墨片、陶瓷片。
本发明采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：
本发明的一种高性能屏蔽片及其线圈模组，屏蔽片由低矫顽力、低剩磁屏蔽层构成，能够诱导并束缚更多的磁力线通过，从而提高电充转化率，及提高充电效率；利用低矫顽力、低剩磁屏蔽层，可以减少传输损耗和提高电磁波传输介质均匀性；线圈模组使用低矫顽力、低剩磁屏蔽层以及一定线宽和线距的线圈，能够在提高无线充电效率的同时，不影响近场通讯使用。
附图说明
图1为本发明的表面处理工艺的示意图。
图2为本发明的图形化结构示意图。
图3为本发明的不同工艺制备不同磁导率屏蔽层表层显微结构。
图4为本发明的高性能屏蔽片的一个示意性实施例的叠层结构示意图。
图5是本发明的线圈模组的一个示意性实施例的剖视图。
其中的附图标记为：屏蔽片1；PET膜2；双面胶3；4；交替保护膜5；缝隙6；离型膜7；丝线履带8；传送辊轮9；传送带10；线圈11；热压胶12；无基材双面胶13；基材14；铜线连接孔15；散热片16。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
实施例1
本实施例为本发明的高性能屏蔽片的一个示意性实施例。
一种高性能屏蔽片，包括至少一个薄片，每个薄片为叠层结构，包括至少一层由软磁材料构成的屏蔽层，由软磁材料构成的屏蔽层具有低矫顽力和低剩磁特性；至少一层胶层，胶层粘贴在屏蔽层的至少一面。
具体的，如图1所示，屏蔽片1至少包括耐高温聚脂薄膜膜(PET膜)2、3层由复数个碎片3和复数个缝隙6构成的屏蔽层、3层双面胶4构成的胶层和胶体保护膜5，每个屏蔽层的下层粘贴有一层双面胶4构成的胶层，在最下层的由双面胶4构成的胶层的下层贴合有胶体保护膜5，在最上层的屏蔽层的上层贴合有PET膜2，相邻两个屏蔽层之间由胶层进行连接。
在每层屏蔽层中，缝隙6将屏蔽层分割的复数个碎片3均匀分布，缝隙6位于相邻两个碎片3之间，且在缝隙6内填充有胶层渗透进入的胶体。
缝隙6为有序纵向缝隙、有序横向缝隙、斜向单向缝隙中的任意一种或两种以上的组合。碎片3的图形为规则图形、不规则图形中的任意一种或两种的组合，规则图形包括但不限于矩形、圆形、菱形。
对于碎片3，其图形的尺寸(图形的每一边的长度)为0.1mm～3mm，优选的尺寸为0.4mm～2mm。
对于缝隙6，其宽度为2μm～80μm，优选的宽度为5μm～35μm。
每一层的屏蔽层的磁导率为220～10000，优选的磁导率为300～2500。
本发明使用的软磁材料包括非晶/纳米晶材料、铁氧体材料和EMI吸波材料。
在本发明中，屏蔽片1一般包括1～12层屏蔽层，其中，屏蔽层可以是仅是非晶/纳米晶屏蔽层，也可以是非晶/纳米晶屏蔽层和EMI吸波材料屏蔽层的组合。
当屏蔽片1由非晶/纳米晶屏蔽层和EMI吸波材料屏蔽层进行叠层获得时，包括至少1层非晶/纳米晶屏蔽层和至少1层EMI吸波材料屏蔽层。
进一步地，屏蔽片1包括至少1层非晶/纳米晶屏蔽层和1层EMI吸波材料屏蔽层，且EMI吸波材料屏蔽层位于所有非晶/纳米晶屏蔽层的最上层或位于所有非晶/纳米晶屏蔽层的最下层。
实施例2
本实施例涉及屏蔽片的制备方法。
本实施例以非晶/纳米晶作为软磁材料，制备高性能屏蔽片，制备方法如下：
步骤S1、热处理
将分切绕制好的非晶/纳米晶带材放置热处理炉内进行热处理，在热处理过程中，进行加磁场或不加磁场处理。
步骤S2、复合叠层
通过卷式贴合方法在经过热处理后的第一非晶/纳米晶带材的一面粘贴第一叠层胶体，第一非晶/纳米晶带材的另一面为裸露面，形成单层结构的单面裸露的非晶/纳米晶带材叠层；
在第一非晶/纳米晶带材的裸露面粘贴第二叠层胶体；
在第二叠层胶体的另一面粘贴另一层经过热处理后的第二非晶/纳米晶带材；
重复上述操作，形成至少为两层的叠层结构的非晶/纳米晶带材叠层。
步骤S3、图形化处理
对步骤S2得到的单层结构或叠层结构的非晶/纳米晶带材叠层进行表面处理后，得到非晶/纳米晶屏蔽层或非晶/纳米晶薄片。
在步骤S3的图形化处理中，图形化方法为：
首先，使用线条压制方法在非晶/纳米晶带材叠层的表面形成纹路；
然后，使用点接触方法增加纹路形成的缝隙的宽度。
其中，线条压制方法使用的线条包括但不限于设置在传送带上的线条、线段形成的规则图形或不规则图形、编织形成图形的线条。
如图2(a)～(e)所示，形成的纹路为有序纵向纹路、有序横向纹路和斜向单向纹路中的任一一种或两种以上的组合，纹路与纹路之间包括形成各种规则图形或这不规则图形，如图1(a)的正方形、图1(b)的菱形、图1(c)的六边形、图1(d)的波浪形以及图1(e)的圆形。其中，图形的尺寸(长和宽)为0.1mm～3mm，优选的图形尺寸为0.4mm～2mm。
其中，如图3(a)～(c)所示，点接触方法为在纹路的中间或者纹路形成的图形的顶点或者纹路形成的图形的内部形成炸点，使纹路之间的缝隙的宽度变大。其中，缝隙的宽度为2μm～80μm，优选的缝隙的宽度为5μm～35μm。
缝隙变宽后，提高了胶体填充至缝隙的成功率，能够增加屏蔽层或屏蔽片的电阻率，减少涡流损耗，以提高屏蔽作用。
具体的，在本实施例中，线条压制方法为丝线履带碾压工艺，如图4所示，使用离型膜7对屏蔽层的一个裸露面或者具有保护膜的多层屏蔽层进行保护，使用胶体保护膜5对双面胶3的裸露面进行保护；将离型膜7朝上，胶体保护膜5朝下放置在丝线履带8和传送带10之间；通过上下传动轴给定丝线履带8压力值，使用不同孔径、丝径的丝线，通过传送辊轮9以连续碾压的方式将屏蔽层的裸露面压制出具有一定尺寸的碎片(即图形)和具有一定深度和宽度的凹槽(即缝隙)；然后通过丝线连接处的凸点，在碎片的顶点或图形状内部形成炸点，使缝隙变宽，然后胶体较容易地填充在缝隙内。将多个图形化处理后的单层结构的非晶/纳米晶屏蔽层进行叠加获得屏蔽片。在本实施例中，将1～12个单层结构的非晶/纳米晶屏蔽层叠加形成叠层结构的非晶/纳米晶屏蔽片。
通过上述方法制得的具有非晶/纳米晶屏蔽层，对其进行检测，其参数如下：
在100KHz～1MHz的工作频率下，矫顽力为8A/m～65A/m，剩磁为5mT～120mT，磁导率为220～5000。
进一步地，屏蔽片1可以是由多层薄片形成的叠片结构，由1～12层非晶/纳米晶薄片(每个薄片的叠层数量可以相同，也可以不同)叠加而成。
对叠片结构的屏蔽片1进行检测，其参数如下：
在30KHz～120KHz的工作频率下，所述叠片结构的屏蔽片的矫顽力为5A/m～80A/m，所述屏蔽片的剩磁为3mT～140mT。
实施例3
本实施例涉及EMI吸波材料屏蔽层的制备方法。
对于EMI吸波材料，其制备方法如下：
使用行星球磨机或者研磨机将铁硅铝、铁硅铬等磁性材料进行粉碎，得到磁性颗粒；
将磁性颗粒放入新的研磨容器中，并在研磨容器中放入三种不同直径的研磨球(钢球或氧化锆球)，并向研磨容器内添加一定量的乙醇，然后球磨或研磨一定时间，将磁性颗粒研磨呈一定粒径和形状的磁性粉体；
将烘干后的磁性粉体和树脂粘结剂按照12：1的比例进行混合形成均匀的浆料，经过涂覆、烘干(温度为50℃-160℃)后，得到卷式EMI吸波材料；
对卷式EMI吸波材料进行叠层和层压(热压和冷压)后形成不同厚度的EMI吸波材料；
冲切EMI吸波材料，得到EMI吸波材料屏蔽层。
其中，树脂粘结剂的制备方法为将环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸中的任意一种或者两种以上的组合溶解在N-甲基吡咯烷酮或酒精溶剂中制备得到树脂粘结剂。
对EMI吸波材料进行检测，其参数为：
在100KHz-200KHz的工作频率下，磁导率为100～300。
实施例4
本实施例涉及由实施例1制备的高性能屏蔽片构成的线圈模组。
现有的常规的技术是使用一个高导磁率的铁氧体用来隔离线圈和电池。但是本发明研究发现，由于无线充电标准(Qi充电标准)中的充电频率范围在100-200KHz之间，在此区间内使用非晶/纳米晶材料作为电磁屏蔽片的效果要优于铁氧体材料。因此，在本实施例中选用的软磁材料为非晶/纳米晶材料和EMI吸波材料。
本发明的线圈模组的一个示意性实施例，如图5所示，线圈模组包括屏蔽片1、PET膜2、线圈11、热压胶12、无基材双面胶13、基材14、铜线连接孔15和散热片16，从上至下依次为无基材双面胶13、线圈11、热压胶12、基材14、热压胶12、线圈11、PET膜2、屏蔽片1和散热片16，其中铜线连接孔15连接位于基材14上下两侧的线圈11。
散热片16由热传导率高的散热材料构成，包括但不限于石墨片、陶瓷片等。
在本发明中，线圈11的线宽为0.5mm～3mm，线圈11的线距为0.02mm～1mm。
其中，根据线圈模组的使用目的不同，可以分为仅用于近场通信的线圈模组、仅用于无线充电的线圈模组和可以用于近场通信和无线充电的线圈模组。
当线圈模组仅用于近场通信时，线圈11的线宽为0.5mm～1.5mm，线圈11的线距为0.02mm～1mm。
当线圈模组仅用于无线充电时，线圈11的线宽为1mm～3mm，线圈11的线距为0.02mm～1mm。
当线圈模组可以同时用于近场通信和无线充电时，线圈11的线宽为1mm～1.5mm，线圈11的线距为0.02mm～1mm。
进一步地，在本发明的一个优选实施例中，屏蔽片1由非晶/纳米晶屏蔽层和EMI吸波材料屏蔽层构成，其中，非晶/纳米晶屏蔽层靠近线圈11设置，EMI吸波材料屏蔽层可以远离线圈11设置；或者非晶/纳米晶屏蔽层远离线圈11设置，EMI吸波材料屏蔽层靠近线圈11设置。
实施例5
本实施例涉及屏蔽片1的具体应用情况。
不同磁性参数屏蔽层组成的屏蔽片，会影响线圈模组NFC功能的谐振频率最低点以及无线充电的转化效率。此外，不同线圈的线宽和线距结构会对无线充电效率产生重大影响。因此，本实施例对上述参数对线圈模组的影响进行相应的说明。
以由5层非晶/纳米晶屏蔽层制备的屏蔽片、由3层非晶/纳米晶屏蔽层和1层EMI吸波材料屏蔽层制备的屏蔽片为例，其中实施例1～6为不同磁导率非晶/纳米晶屏蔽层制备的屏蔽片，实施例7～8为相同磁导率非晶/纳米晶屏蔽层制备的屏蔽片，实施例9～10为非晶/纳米晶屏蔽层和EMI吸波材料屏蔽层制备的屏蔽片，其磁导率如表1-1和表1-2所示，其具体参数如表2所示。
本实施例中的屏蔽层的参数：图形尺寸为0.4mm～2mm，缝隙宽度为5μm～35μm。
本实施例中的线圈的参数：线宽为1mm～1.5mm，线距为0.02mm～0.1mm。
其中，实施例1～8中，L1为贴近线圈的一层；实施例9中，EMI-1为贴近线圈的一层；实施例10中，N-1为贴近线圈的一层。
表1-1
L1，磁导率 L2，磁导率 L3，磁导率 L4，磁导率 L5，磁导率
实施例1 500 500 700 1000 1400
实施例2 500 700 1000 1000 1400
实施例3 300 700 900 1000 1400
实施例4 700 700 1000 1400 5000
实施例5 1400 1000 1000 700 500
实施例6 5000 5000 1000 700 500
实施例7 600 600 600 600 600
实施例8 1400 1400 1400 1400 1400
表1-2
EMI1，磁导率 N-1，磁导率 N-2，磁导率 N-3，磁导率
实施例9 260 600 600 600
N-1，磁导率 N-2，磁导率 N-3，磁导率 EMI1，磁导率
实施例10 600 600 600 260
表2
通过表1-1和表2可以看出，电感相近的的实施例1、2、3屏蔽片贴近线圈的部分低磁导率的屏蔽层与实施例7相同磁导率层组成的屏蔽片，其矫顽力、剩磁、磁场强度、质量损耗、阻抗值基本一致，但都优于其他实施例中的高磁导率层贴近线圈面的屏蔽片。
对实施例1～8进行充电效率检测，其结果如表3所示。
表3
通过表3可以看出实施例7充电效率最高，实施例1、实施例2、实施例3、实施例8几乎相当，实施例4、实施例6效率最低。说明靠近线圈越近的屏蔽层磁导率低与相同磁导率屏蔽层形成的屏蔽片，对应其图形尺寸、缝隙宽度适中，其矫顽力、剩磁都低，可以诱导束缚更多的磁力线穿过线圈使电能转化率提高即提高充电效率，反之充电效率较低。
对实施例1、3、7、9和10进行近场通信(NFC)测试，其结果如表4所示。
由表4可得出，本发明两种结构屏蔽片构成的线圈模组的NFC谐振频率在13.56MHz左右，谐振频率稳定且损耗较低即电压驻波比较低。由此可知NFC线圈的部位贴近低矫顽力、低剩磁的屏蔽层，可以减小传输损耗和提高电磁波传输介质均匀性，即降低近NFC天线的敏感度。
表4
综上所述，对于非晶/纳米晶屏蔽片，优选的。由靠近线圈的一侧逐渐向远离NFC天线的一侧的屏蔽层的磁导率为300～2500，矫顽力为8A/m～20A/m，剩磁Br为5mT～40mT。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (33)

1.一种高性能屏蔽片，其特征在于，包括至少一个薄片，所述薄片包括：
至少一层屏蔽层，所述屏蔽层为软磁材料形成，所述屏蔽层为低矫顽力、低剩磁屏蔽层；
至少一层胶层，所述胶层设置在所述屏蔽层的至少一面；
所述屏蔽层包括复数个图形化缝隙，所述缝隙将所述屏蔽层分割成复数个图形化碎片；
所述胶层填充在所述缝隙中，使所述碎片相互隔离并绝缘。
2.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述薄片包括1～12层屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的高性能屏蔽片，其特征在于，相邻两个所述屏蔽层通过所述胶层进行粘接。
4.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述缝隙为有序纵向缝隙；和/或
有序横向缝隙；和/或
斜向单向缝隙。
5.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述碎片的图形为规则图形和/或不规则图形，所述规则图形包括但不限于矩形、圆形、菱形。
6.根据权利要求5所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述图形的尺寸为0.1mm～3mm。
7.根据权利要求6所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述图形的尺寸为0.4mm～2mm。
8.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述缝隙的宽度为2μm～80μm。
9.根据权利要求8所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述缝隙的宽度为5μm～35μm。
10.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述屏蔽层为非晶/纳米晶屏蔽层、铁氧体屏蔽层、EMI吸波材料屏蔽层中的任意一种或两种以上的组合。
11.根据权利要求10所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述薄片包括：
至少一层非晶/纳米晶屏蔽层和至少一层EMI吸波材料屏蔽层。
12.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述屏蔽层的磁导率为220～10000。
13.根据权利要求12所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述屏蔽层的磁导率为300～2500。
14.根据权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述薄片形成叠片结构，所述叠片结构由1～12层所述薄片层压形成。
15.根据权利要求14所述的高性能屏蔽片，其特征在于，所述叠片结构包括1～12层由非晶/纳米晶屏蔽层形成的所述薄片，在30KHz～1MHz的工作频率下，所述叠片结构的矫顽力为5A/m～80A/m，所述叠片结构的剩磁为3mT～140mT。
16.一种高性能屏蔽片的制备方法，用于形成如权利要求1所述的高性能屏蔽片，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：热处理
将分切绕制后的多个软磁材料带材放置在热处理炉内进行热处理；
步骤S2：复合叠层
在第一软磁材料带材的第一面粘贴第一叠层胶体，形成单层结构的软磁材料带材层；
在所述第一软磁材料带材的第二面粘贴第二叠层胶体；
在所述第二叠层胶体的另一面粘贴另一经过热处理后的第二软磁材料带材；
重复上述操作，形成包括至少两层所述软磁材料带材的叠层结构的软磁材料带材层；
步骤S3：图形化处理
对步骤S2得到的单层结构或叠层结构进行表面图形处理后，得到薄片。
17.根据权利要求16所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述热处理时，进行加磁场或不加磁场处理。
18.根据权利要求16所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述步骤S3的图形化处理方法为：
通过线条压制方法在所述软磁材料带材的表面形成纹路；
通过点接触方法增加纹路形成的缝隙的宽度。
19.根据权利要求18所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述点接触方法为在纹路的中间或者纹路形成的图形的顶点或者纹路形成的图形的内部形成炸点。
20.根据权利要求18所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述纹路为有序纵向纹路：和/或
有序横向纹路；和/或
斜向单向纹路。
21.根据权利要求20所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述纹路形成的图形为规则图形和/或不规则图形，所述规则图形包括但不限于矩形、圆形、菱形。
22.根据权利要求21所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述图形的尺寸为0.1mm～3mm。
23.根据权利要求22所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述图形的尺寸为0.4mm～2mm。
24.根据权利要求18所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述缝隙的宽度为2μm～80μm。
25.根据权利要求24所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述缝隙的宽度为5μm～35μm。
26.根据权利要求18所述的高性能屏蔽片制备方法，其特征在于，所述线条压制方法使用的线条为设置在传送带上的线条；或
线段形成的规则图形或不规则图形；或
编织形成图形的线条。
27.一种屏蔽层制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求11所述的EMI吸波材料屏蔽层，包括以下步骤：
将磁性颗粒研磨成磁性粉体；
将磁性粉体与树脂粘结剂按一定比例混合均匀，进行涂覆、烘干，得到卷式EMI吸波材料；
通过叠层、层压形成一定厚度的EMI吸波材料；
冲切所述EMI吸波材料，形成EMI吸波材料屏蔽层。
28.根据权利要求27所述的屏蔽层制备方法，其特征在于，所述研磨为：
在容器中放入一定量的磁性颗粒；
在容器中放入三种不同直径的研磨球；
在容器中添加一定量的乙醇；
研磨一定时间，得到磁性粉体。
29.根据权利要求27所述的屏蔽层制备方法，其特征在于，所述树脂粘结剂的制备方法为：
将环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸中的任意一种或者两种以上的组合溶解在N-甲基吡咯烷酮或酒精溶剂中制备得到所述树脂粘结剂。
30.一种线圈模组，包括如权利要求1～15任一所述的高性能屏蔽片，其特征在于，包括线圈和散热片，所述线圈贴合在所述屏蔽片的上表面，所述散热片贴合在所述屏蔽片的下表面；
其中，所述线圈的线宽为0.5mm～3mm，所述线圈的线距为0.02mm～0.1mm。
31.根据权利要求30所述的线圈模组，其特征在于，所述线圈模组用于近场通信，所述线圈的线宽为0.5mm～1.5mm，所述线圈的线距为0.02mm～0.1mm。
32.根据权利要求30所述的线圈模组，其特征在于，所述线圈模组用于无线充电，所述线圈的线宽为1mm～3mm，所述线圈的线距为0.02mm～0.1mm。
33.根据权利要求30所述的线圈模组，其特征在于，所述散热片包括但不限于石墨片、陶瓷片。
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