CN108292804B - 多功能复合模块及包括其的便携式设备 - Google Patents
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Abstract
提供一种多功能复合模块。根据本发明一实施例的多功能复合模块包括：天线单元，其包括不同种类的天线；及磁场屏蔽单元，其配置于上述天线单元的一面，并且具有磁场屏蔽层以提高上述天线的特性及向上述天线集中磁通，其中，上述磁场屏蔽层包括：Fe类合金的碎片；以及电介质，其填充于在上述碎片中相邻的至少一部分碎片之间形成的间隔空间的至少一部分中。根据本发明，不仅能够执行多功能，也可以同时优异地表现出各个功能，并且即使在使用中发生外部物理性冲击，也能预防功能降低而确保耐久性。
Description
技术领域
本发明涉及一种复合模块，更详细地涉及一种复合模块及便携式装置，其尽管执行多功能，也可以同时优异地表现出各个功能，并且即使在使用中发生外部物理性冲击，也能预防功能降低而确保耐久性。
背景技术
通常，天线(antenna)是指将电信号转换为电波信号的装置，并可以分为利用介电性能的电介质天线以及利用磁性能的磁性体天线。所有的天线均能用于多种区域，但是根据形态或结构具有不同的效率。以往，对于使用高介电常数材料的电介质天线的研究非常活跃，然而，随着使用更高频率而出现由于小型化导致天线的性能降低的新问题，进而对现有的高介电常数材料中具有高磁导率的磁性材料的研究正处于活跃进行的趋势。近年来，利用这些天线并通过各种便携式终端设备(智能手机、平板电脑等)不断地尝试复合近场无线通信(Near Field Communication，NFC)、无线电力传输(Wireless PowerTransmission，WPT)、磁力安全传输(Magnetic security Transmission，MST)功能。
上述NFC、WPT及MST功能通过传输模块及接收模块之间的电磁波信号的传输/接收执行，然而上述电磁波信号存在一种问题：其不能仅存在于传输模块与接收模块之间，而会泄漏到周围。泄漏的电磁波存在一种问题：其可能会使信号的传输/接收效率降低、传输/接收距离缩短，并且对配置于模块周围的其他组件及使用设备的使用者带来负面影响。
为了解决这样的问题，目前不断尝试着在模块内设置磁场屏蔽材料，从而起到使设备内的其他部件与磁场隔离的作用，与此同时，将磁场集中诱导在传输部与接收部之间，以便提高传输/接收通信，并防止由于磁场导致的其他组件的功能降低。
在使用的工作频率中，上述磁场屏蔽材料的磁导率越高，更利于传输/接收的效率，然而，上述磁导率根据设置在磁场屏蔽材料的磁性体的种类而不同，并且无论是某特定结构的磁性体，都可以根据烧结温度等制造工艺表现出不同的磁导率特性。通常，表现为在每个频带中，具有大变动幅度的磁导率的倾向。因此，为了提高设置在以特定频带作为工作频率的传输/接收模块的天线的性能，使用磁场屏蔽材料(形成有在上述特定频带中具有优秀的磁导率特性的磁性体)是非常有利的。
然而，执行上述NFC、WPT及MST功能的天线在100KHz～13.56MHz的宽频带内，分别以互不相同的频带作为工作频率，并且某一种磁性体很难在所有的如上所述的宽频带中具有优秀的磁导率。
因此，近年来，对应于每个天线具有的工作频率且根据天线分别选择磁场屏蔽材料(形成有在上述频率中具有优秀的导磁率的磁性体)，并将多个磁场屏蔽材料复合化的尝试日益增加，但是复合化的磁场屏蔽材料具有厚度厚的问题，并且考虑到处于轻薄短小化趋势的移动设备的产品化倾向，显然并不是非常妥当。
并且，以较薄的方式形成的通常的磁场屏蔽材料无法避免由外部冲击导致的磁性体的破损，且在磁性体被破损而分离成碎片时，体现初期设计的物性值以下的磁特性，因而存在无法体现以模块的功能为目的的程度的问题。
因此，目前急需开发一种复合模块，其不仅顺应便携式电子装置的轻薄短小的趋势而形成有超薄的磁场屏蔽材料，也提升了为了在一个模块内实现多种功能而形成的不同天线各自的天线性能，因此能以非常高的效率发挥需要的多种功能，并且能预防由于外部冲击导致的功能降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于提供一种复合模块，即使用于执行多功能的天线复合化，也能同时提高上述天线的特性而显著提高传输/接收效率及传输/接收距离。
并且，本发明的另一个目的在于提供一种复合模块，尽管同时提高用于执行多功能的天线的特性，但其厚度可以非常薄，并且即使在制造工艺或使用产品中发生冲击，也可以保持初始物理性质设计值，从而能够持续表现出模块的传输/接收性能。
另外，本发明的又一个目的在于提供一种便携式设备及电子设备，其通过根据本发明的复合模块提高不同功能的信号的传输/接收效率且增加传输/接收距离。
技术方案
为了解决上述问题，本发明提供了一种多功能复合模块，其包括：天线单元，其包括不同种类的天线；及磁场屏蔽单元，其配置于上述天线单元的一面，并且具有磁场屏蔽层以提高上述天线的特性及向上述天线集中磁通，其中，上述磁场屏蔽层包括：Fe类合金的碎片；以及电介质，其填充于在上述碎片中相邻的至少一部分碎片之间形成的间隔空间的至少一部分中。
根据本发明的一实施例，上述不同种类的天线分别可以为以互不相同的频带作为工作频率的天线或分别执行互不相同的功能的天线，并且上述不同种类的天线可以包括近场通信(NFC)用天线、磁力安全传输(MST)用天线及无线电力传输(WPT)用天线中的两种以上，而且上述天线可以包括第一天线、第二天线及第三天线中的2种以上，其中，第一天线以5～350kHz的频带作为工作频率，第二天线以包括6.78MHz的频带作为工作频率，并且第三天线以包括13.56MHz的频带作为工作频率。
并且，上述磁场屏蔽单元还可以包括保护构件及粘合构件，其中，上述保护构件配置于磁场屏蔽层的一面，上述粘合构件配置于上述磁场屏蔽层的另一面且附着于天线单元的一面。上述保护构件通过形成在一面的第一粘合层粘合于磁场屏蔽层的上部面。上述粘合构件通过形成在一面的第二粘合层粘合于上述磁场屏蔽层的下部面。可以通过在Fe类非晶质合金碎片之间的间隔空间浸透上述第一粘合层及上述第二粘合层中任意一个以上的粘合层的一部分而形成包括于磁场屏蔽层的电介质。
并且，上述Fe类非晶质合金可以是3元素类合金或5元素类合金，其中，上述3元素类合金包括铁(Fe)、硅(Si)及硼(B)，上述5元素类合金包括铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铜(Cu)以及铌(Nb)。上述Fe类合金碎片可以来源于Fe类非晶质合金带(ribbon)，上述Fe类合金碎片的粒径可以是1μm～5μm，并且上述Fe类合金碎片的形状可以是非定型的。
并且，可以在相邻的Fe类合金碎片之间的整个间隔空间中填充上述电介质。
并且，磁场屏蔽层的单一层的厚度可以为15～50μm。
并且，上述磁场屏蔽单元可以具有多个上述磁场屏蔽层，并且，相邻的磁场屏蔽层之间还可以形成有用于粘合磁场屏蔽层之间且减少涡电流的电介质层。
并且，形成在相邻的磁场屏蔽层之间的上述电介质层可以为绝缘粘合层或导热性散热粘合层。并且，在上述磁场屏蔽层中，任一磁场屏蔽层的磁导率可以不同于另一磁场屏蔽层的磁导率。
在上述Fe类合金碎片中，粒径小于500μm的碎片的数量可以是碎片总数的40％以上，更优选地，可以是80％以上。此时，在上述Fe类合金碎片中，粒径小于50μm的碎片的数量低于碎片总数的50％。
并且，本发明提供一种便携式设备，其包括根据本发明的多功能复合模块作为接收用模块。
并且，本发明提供一种电子设备，其包括根据本发明的多功能复合模块。
以下，对本发明所使用的术语进行定义。
本发明所使用的术语“天线”，其作为包括传输及接收信号的所有物体的含义而使用。
有益效果
根据本发明，复合模块可以阻止由电导体引起的信号的传输/接收的干扰并向天线集中磁通，并且可以同时显著提高复合化的多种天线的特性，以便显著提高根据功能的信号的传输/接收效率及传输/接收距离。
并且，通过将可在信号的传输/接收时产生的磁场引起的涡电流的产生最小化来防止磁损失，由此可以具有显著优秀的信号传输/接收效率及传输/接收距离，并且可以防止由涡电流引起的发热、或各种信号处理电路部的磁场干扰而导致的误动作(malfunction)，使得电子元件的功能降低、或耐久性降低的问题，而且可以使由磁场泄漏而引起的、对便携式设备使用者的健康的影响最小化。
进而，即使当不同种类的天线的工作频率以数十KHz～数十MHz分布于宽频带的范围内时，通过每个天线所发挥的功能也非常优异，因此其可以广泛应用于各种便携式设备(各种移动设备、智能家电或物联网(Internet of Things)用设备等)或电子设备中。
附图说明
图1为根据本发明的一实施例的复合模块的分解立体图。
图2为从包括在本发明一实施例的天线单元的天线中，仅分离并示出MST用天线的俯视图。
图3为具有复合模块(包括根据本发明的一实施例的MST用天线)的便携式设备的使用状态图。
图4及图5为将包括在本发明的一实施例的磁场屏蔽单元的剖面放大的图，其中，图4为示出在间隔空间(由形成磁场屏蔽层的许多个Fe类合金碎片产生)的一部分中填充有电介质的磁场屏蔽单元的图，图5为示出在所有上述间隔空间中填充有电介质的磁场屏蔽单元的图。
图6及图7为使用破碎装置(用于制造包括在本发明的一实施例的磁场屏蔽单元)的制造工艺模式图，其中，图6为示出利用破碎装置(通过设置在辊子的凹凸部进行破碎)的制造工艺的图，图7为示出利用破碎装置(通过设置在支撑板的金属球进行破碎)的制造工艺的图。
图8作为包括在本发明一实施例的磁场屏蔽单元的剖视图，其为示出形成有3层的包括Fe类合金碎片的磁场屏蔽层的磁场屏蔽单元的图。
图9为俯视制造本发明一实施例中包括的磁场屏蔽单元时所使用的根据图7的破碎装置的图。
最佳实施方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细地说明，以便本领域技术人员能够轻易实施。可以用多种不同的形态来实现本发明，并且本发明不会被在此说明的实施例所限定。为了明确说明本发明，附图中省略了与说明无关的部分，并且对于在整个说明书中相同或相似的结构要素，使用相同的附图标记。
如图1所示，根据本发明一实施例的多功能复合模块1000包括：天线单元200，其包括不同种类的天线210、220、230；及磁场屏蔽单元100，其配置于上述天线单元200的一面。
上述天线单元200包括不同种类的天线210、220、230。
形成于上述天线单元200的每个天线可以通过以顺时针方向或逆时针方向卷绕的圆形、椭圆形、螺旋形或诸如四边形状的多边形状的线圈来实现，或者通过蚀刻(etching)铜箔等的金属箔来实现。或者可以在电路板290的一面形成印刷图案。
根据目的可以不同地设计上述每个天线的形态、大小、材质等。并且，包括在上述天线单元200的天线数量的设计也可根据目的而不同，其可以根据功能或用途具备单个天线，或者，使用互不相同的工作频率或不同传送方式的无线电力传输方式(例如，磁感应方式及磁共振方式)而具备多个用于某一种功能的(例如，用于无线电力传输的功能)的天线，因此，本发明对天线的数量不进行特别限定。
并且，包括在本发明一实施例的上述不同种类的天线210、220、230可以是分别以互不相同的频带作为工作频率的天线或分别执行互不相同的功能的天线。作为一例，可以是通过包括第一天线、第二天线及第三天线中的2种以上来具有不同工作频率的天线。其中，第一天线以5～350kHz的频带作为工作频率，第二天线以包括6.78MHz的频带作为工作频率，并且第三天线具有包括13.56MHz的频带作为工作频率。并且，作为另一例，上述不同种类的天线可以包括近场通信(NFC)用天线、磁力安全传输(MST)用天线及无线电力传输(WPT)用天线中的两种以上，使得复合模块具有互不相同的功能。
并且，参照图1来说明每个天线的配置，由于NFC用天线210使用比WPT用天线230高的频带，因此NFC用天线210沿着电路板290的外廓形成为微小线宽的矩形形态的导电性图案。WPT用天线230需要电力传输且使用比NFC用天线210低的频带，因此WPT用天线230可以在NFC用天线210的内侧以比NFC用天线210线宽宽的线宽形成。另外，使用比NFC用天线210低的频带的MST用天线220，可以位于NFC用天线210与WPT用天线230之间的区域。各个天线之间的位置关系可根据目的而改变，并且包括在一电路板290的各个天线的数量也可以改变。
上述NFC用天线210还可以执行接收天线或传输天线的作用，以便能够以通过传输或接收的信号来进行文件传送及移动支付等的方式传输或接收数据。上述NFC用天线210的具体材质、形状、厚度及长度等可以与常规的NFC用天线的相同，因此在本发明中对此不进行特别的限定。
并且，上述MST用天线220可以执行接收天线的作用，并且还可以执行传输天线的作用，以便通过传输或接收的磁信号来传输或接收用于电子支付的数据。
作为一例，上述MST用天线220可以由电感器构成，上述电感器可以由具有至少一个绕组线(winding)的回路(loop)构成。优选地，上述回路可以由20个以上的绕组线构成。作为一例，如图2所示，在上述回路中，上述回路的最外廓的宽度w可以为15～50mm，并且构成上述回路的绕组线的宽度d可以为3mm。此时，上述回路可以以上述回路形成的面积为600～1700mm2的方式形成。
如图3所示，作为一个功能，上述电感器能形成遍及对应于上述POS终端3000的磁读头的传感(sensing)开口3100的区域而扩散的磁场，以便即使将便携式电子设备2000(其包含具有MST用天线的多功能复合模块2100)从POS终端3000隔开一定距离，也能产生可以贯通上述POS终端3000内的读头(未图示)的无定向(nondirectional)磁场。
并且，上述电感器可以具有电感容量(inductive capacity)值，该电感容量值由于适当时机(timing)的电流脉冲达到其最大值而在POS终端3000中的读头(未示出)中引起最大感应电压。并且，上述电感器可以具有足够低的电阻值，以便允许产生强磁场所需的大电流。因此，在上述电感器中，其电感容量与电阻值之比可以为10μH/Ω～80μH/Ω。
并且，上述电感器可以由在流过上述电感器的电流下不饱和的材质形成。
并且，上述WPT用天线230可以执行接收天线的作用，并且还可以执行传送天线的作用，以便通过传输或接收的无线电力信号利用磁感应方式或磁共振方式来传送电力。如上所述的通过磁感应方式或磁共振方式的充电技术为公知的技术，因此省略了详细的说明。
另一方面，当上述天线210、220、230形成在电路板290上时，上述电路板290作为其上表面形成有不同种类天线的各个图案及电路部的基材的元件，具有耐热性及耐压性，并且其可以是具有可挠性(flexible)的材料。顾虑到这种材料的物理性质时，可以采用作为热固性高分子膜的诸如聚酰亚胺(Polyimide，PI)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，PET)等膜作为上述电路板290的材质。
并且，上述天线单元200可以从两端部引出用于与上述电路板290电连接的连接端子(未图示)。
接着，配置在上述天线单元200的一面的磁场屏蔽单元100起到提高包括在上述天线单元200的不同种类的天线210、220、230的特性的作用及向上述天线集中磁通的作用。
如图4所示，上述磁场屏蔽单元100包括磁场屏蔽层110，上述磁场屏蔽层110包括Fe类合金的碎片111及电介质112，其中，上述电介质112填充于上述Fe类合金碎片111a、111b之间的间隔空间S的至少一部分S1、S3中。并且，上述磁场屏蔽单元100还包括保护构件140及粘合构件130，其中，上述保护构件140通过第一粘合层140b粘合在磁场屏蔽层110的上部，上述粘合构件130配置在上述磁场屏蔽层110的下部以粘合于上述天线单元200。上述粘合构件130还可以形成有第二粘合层130b及离型膜150，其中，上述第二粘合层130b用于粘合在磁场屏蔽层110的下部，上述离型膜150用于保护上述第二粘合层130b，并且附着于上述天线单元200之前临时附着。
并且，为了提高屏蔽单元的可挠性且减少涡电流的产生，包括在本发明一实施例的上述磁场屏蔽层110由破碎的Fe类合金的碎片111形成。如图4所示，磁场屏蔽层110由破碎的Fe类合金碎片111a、111b、111c、111d形成。其与由一个单一的形状构成时相比，例如，与带状片(ribbon sheet)时相比，比电阻(resistivity)显著增加，因此具有使由涡电流引起的磁损失最小化的效果。比电阻值根据磁性体的种类而不同，比电阻明显较大的磁性体(如铁氧体)对由涡电流引起的磁损失的顾虑明显较少。与此相反，作为根据本发明的一实施例中包括的磁性体的Fe类合金的比电阻显著小而由涡电流引起的磁损失非常大，使得在带状片的情况下难以表现出期望水平的物理性质。然而，当破碎带状片时，破碎化的Fe类磁性体碎片由于碎片之间存在间隔空间等而比电阻显著增加，由此使得由涡电流引起的磁损失显著减少，从而使由于碎片化而可能引起的磁导率的减少及由此导致的天线的电感减少得以补偿。
另一方面，使得由碎片化的碎片111形成的磁场屏蔽层110具有优秀的可挠性。这是因为Fe类合金，例如Fe类合金的带状片(ribbon sheet)具有明显较小的弹性系数且脆性强，因此向带状片施加冲击或进行弯曲时容易破碎化。即使以满足初始设计性能(例如，磁导率)值的方式制造Fe类合金带状片，当带状片被碎片化成微小的碎片时，也会存在与初始设计的物理性质相比物理性质值明显降低的问题。如果，当将处于不再满足初始设计物理性质值的状态的磁场屏蔽构件与天线组合时，则生产出的产品可能无法以初始设计时期望的水平确保通过该天线的信号的传输/接收效率及传输/接收距离。尤其，近年来，随着需求磁场屏蔽构件的便携式设备以轻量化、细薄化的方式呈现，磁场屏蔽构件也要求薄型化。然而，当带状片具有非常薄的厚度时更容易碎，因此就如这种问题变得更加严重。
然而，在本发明一实施例中包括的磁场屏蔽单元中，Fe类非晶质合金带状片从一开始被破碎而形成为碎片状态，因而屏蔽单元的可挠性显著提高，因此，即使屏蔽单元的单面厚度薄型化，也可以从根本上消除由外力引起的Fe类非晶质合金碎片进一步发生裂纹的顾虑。并且，Fe类非晶质合金以碎片状态包括在屏蔽单元中，且初始物理性质值被设计成包含碎片状态的Fe类非晶质合金的屏蔽单元从一开始可以同时且优秀地表现出多功能(例如，无线电力传输或数据传输/接收的功能)。在安装屏蔽单元的成品制造步骤中，进而在成品使用阶段中也可以持续保持上述初始物理性质值。因此，可以从根本上消除在具有常规非碎片化的Fe类合金的屏蔽单元中发生不期望的碎片化导致的物理性质降低、以及由此导致的根据功能的信号传输/接收性能显著降低的顾虑。
上述Fe类非晶质合金可以是包括铁(Fe)、硅(Si)及硼(B)的3元素类合金，或者可以是包括铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铜(Cu)以及铌(Nb)的5元素类合金。
上述3元素类合金可以是除铁(Fe)之外，还包括硅(Si)及硼(B)的3元素合金，并且，在3元素合金的基本组成基础上，还可以添加用于提高其他特性(例如，提高耐腐蚀性)的铬(Cr)、钴(Co)及镍(Ni)等元素。当上述Fe类合金为Fe-Si-B类3元素合金时，优选地可以是具有70～90at％(原子数百分比)的Fe的合金。当上述Fe的含量增加时，合金的饱和磁通密度可增加，但相反地，可能会制造出结晶质合金。并且，上述Si及B元素的作用是提高合金的结晶化温度以便更加容易地使合金非晶质化。对于上述Si及B元素的含量，具体地，当Si为10～27at％时，B为3～12at％，但并不仅限于此，能够根据所期望的物理性质的程度来变更并实施。
并且，上述5元素类合金可以是包括铁(Fe)、铜(Cu)及铌(Nb)，并且还包括硅(Si)及硼(B)的5元素类合金。上述铜可以提高合金的Fe类合金的耐蚀性，即使产生结晶也可以防止结晶尺寸变大，同时还能改善磁导率等的磁特性。
优选地，在合金内包括0.01～10at％的上述铜，若小于0.01at％时，通过铜获得的效果可能不明显，若大于10at％时，则存在难以产生非晶质的合金的问题。
另外，上述铌(Nb)可以改善磁导率等的磁特性，优选地，在合金内包括0.01～10at％的上述铌，若小于0.01at％时，通过铌获得的效果可能不明显，若大于10at％时，则存在难以产生非晶质的合金的问题。
当上述Fe类合金为还包括Si及B的5元素合金时，优选地，在合金内可以包括10～30at％的Si和B，且包括剩余量的Fe。当上述Fe的含量增加时，合金的饱和磁通密度可增加，但相反地，可能会制造出结晶质合金。上述Si及B的含量可以提高合金的结晶化温度而更加容易地使合金非晶质化。对于上述Si及B的含量，具体地，当Si为10～27at％时，B可以为3～12at％，但并不仅限于此，并且能根据所期望的物理性质的程度来变更并实施。
上述Fe类合金碎片可以来源于Fe类非晶质合金带(alloy ribbon)，且为了调节成所期待的磁导率，也可以是进行热处理的Fe类合金碎片。被热处理的Fe类合金的晶相
可以包括非晶质
或者纳米晶粒(nano crystal grain)。上述Fe类合金的晶相可根据合金的组分、组分比及/或热处理温度/时间等而不同。
另一方面，包括于常规的磁场屏蔽的磁性体，磁导率越高，越有利于磁场屏蔽，但是，不能一律地将磁性体的磁导率与提高天线特性的关系视为单纯的比例关系。因此，即使磁导率非常高，也可能无法达到所期望水平的无线特性。作为一例，任一具有高磁导率的磁性体与无线电力传输用天线组合时，可以提高天线的电感特性，并且与电感特性的增加幅度相比，可以使天线的比电阻特性的增加幅度更大。在这种情况下，与具有低磁导率的磁场屏蔽单元与该无线电力传输用天线组合时相比，反而天线特性可能降低或者天线特性的提高程度可能较小。因此，优选地，磁场屏蔽层具备具有适当磁导率的Fe类非晶质合金，其中，适当磁导率是指当磁场屏蔽单元100与不同种类的天线210、220、230组合时，能够提高每个天线210、220、230的电感且将比电阻的增加最小化的程度的磁导率。破碎后磁场屏蔽层的磁导率为100～1300，更优选地，可以为100～1000。然而，温度及热处理时间可以根据Fe类非晶质合金带的具体组分比及所期望的磁导率的程度而不同。因此，本发明没有特别限定对于Fe类非晶质合金带的热处理工艺中的温度和时间。
并且，上述Fe类非晶质合金带可以被破碎而实现破碎化，此时，单一碎片的形状可以是非定型。并且，当Fe类非晶质合金碎片以其一棱角呈曲线或者一面呈曲面的方式被破碎时，包括具有该形状的碎片的磁场屏蔽层存在以下优点：即其可挠性会增加，并且即使向磁场屏蔽单元施加外力，也可以防止不期望的碎片进一步微细碎块化。
被破碎的上述Fe类合金碎片的粒径可以为1μm～5mm，优选地，可以为1～1000μm。上述碎片的粒径为通过光学显微镜对碎片进行测量的粒径，其是指从碎片表面的一点到另一个点之间的距离中的最长距离。此时，优选地，对于上述Fe类合金碎片的粒径分布，粒径小于500μm的碎片的数量可以是碎片总数的40％以上，更加优选地，可以是60％以上，更加优选地，可以是80％以上。当粒径小于500μm的碎片的数量低于碎片总数的40％时，即使Fe类合金自身的磁导率高而诱导天线的电感特性的提高，但天线的比电阻特性也会进一步增加，从而使天线特性提高的程度非常小。并且，可能会发生由涡电流引起的发热问题或由漏磁导致的磁场屏蔽功能的降低。尤其，可能会导致由额外的外力引起Fe类合金的不期待的微细碎块化，及由此导致所初始设计的物理性质的变更或物理性质的降低。
并且，更优选地，对于包括在上述磁场屏蔽层110的多个Fe类合金碎片111的粒径分布，粒径小于50μm的碎片的数量可以低于碎片总数的50％。当包括50％以上的粒径小于50μm的微小碎片时，在提高屏蔽单元的可挠性和降低涡电流的方面具有优势，但屏蔽单元本身的磁特性会降低，由此会出现难以同时满足使用不同工作频率的不同种类的天线特性的问题。
接着，对电介质112进行说明，其填充于上述的Fe类合金碎片111中部分相邻的碎片111a/111b、111b/111d之间的间隔空间的至少一部分。
上述电介质112，其可以使相邻的Fe类合金碎片局部地、或整体地绝缘，从而将产生的涡电流进一步最小化的同时，以使破碎的Fe类合金碎片111在磁场屏蔽层110内部不发生移动的方式进行固定支撑，并且，可以防止水分浸透而引起的非晶质合金的氧化，而且，还能够起到缓冲材料的作用，以便在向磁场屏蔽层施加外力或磁场屏蔽层被弯曲时，能够防止碎片111进一步破碎及微细碎块化。
如图1所示，就上述电介质112而言，可在第一Fe类合金碎片111a和第二Fe类合金碎片111b之间的间隔空间S1、S2、S3中的一部分间隔空间S1、S3填充电介质112a1、112a2，而一部分间隔空间S2可以保留为没有填充电介质状态的空的空间，由此可以使Fe类合金碎片局部绝缘。
另一方面，作为其他一例，如图2所示，电介质112’可以填充于相邻碎片111a～111d之间的全部的间隔空间，从而使Fe类合金碎片全部绝缘。
上述电介质112、112’的材质可以是已知的常规电介质物质，并且从固定Fe类合金碎片的这一方面考虑，优选地，可以是具有粘附性的物质。如果是表现出这种物理性质的材质，则可以没有限制地使用。作为对此的非限制性例子，上述电介质112、112’可以是将电介质形成组合物固化而形成、或者是加热熔融后冷却而形成，还可以是在常温下通过加压表现出粘合力的组合物。作为固化而形成电介质的组合物的一例，上述电介质形成组合物包括热塑性树脂及热固性树脂中至少一个以上，并且可以包括固化剂。并且，上述电介质形成组合物还可以包括固化促进剂及溶剂。
具体地，上述热塑性树脂可以包括：聚乙烯(polyethylene)、聚丙烯(polypropylene)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂(acrylonitrile butadiene styrene，ABS)、丙烯腈-苯乙烯树脂(AN)、丙烯酸类树脂(acrylic resin)、甲基丙烯酸类树脂(methacrylic resin)、聚酰胺(polyamide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate，PBT)、苯氧基树脂(phenoxy resin)、聚氨酯类树脂(polyurethane resin)、丁腈树脂(nitrile butadiene resin)等的一种以上。
并且，上述热固性树脂可以包括：酚醛类树脂(PE)、尿素类树脂(UF)、三聚氰胺类树脂(MF)、不饱和聚酯类树脂(unsaturated polyester，UP)及环氧树脂等的一种以上，优选地，可以是环氧树脂。当其为上述环氧树脂时，可以将双酚A型(bisphenol A type)、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型(brominated bisphenol A type)、含氢双酚A型、双酚AF型、联苯型(biphenyl type)、萘型(naphthalene type)、芴型(fluorene type)、苯酚酚醛型(phenol novolak type)、甲酚酚醛型(cresol novolak type)、三羟基苯基甲烷型(trishydroxyl phenylmethane type)、四苯甲烷型(tetraphenylmethane type)等单独或组合使用。
当将上述热固性树脂与热塑性树脂混合使用时，相对于100重量份的热塑性树脂，热固性树脂的含量可以是5～95重量份。
并且，如果上述固化剂为公知的，则可以无特别限制地使用，作为对此的非限定性例子，可以将胺化合物、酚醛树脂、酸酐、咪唑化合物、聚胺化合物、酰肼化合物(hydrazidecompound)、双氰胺化合物(dicyandiamide compound)等单独使用或混合2种以上来使用。优选地，固化剂由选自芳香胺化合物固化剂或酚醛树脂固化剂中的1种以上的物质组成，其中，芳香胺化合物固化剂或酚醛树脂固化剂具有即使在常温下长期保管，其粘合特性变化也较小的优点。作为芳香胺化合物固化剂，有间苯二甲胺(m-xylylenediamine)、间苯二胺(m-phenylenediamine)、二氨基二苯基甲烷(diaminodiphenylmethane)、二氨基二苯砜(diaminodiphenylsulfone)、二氨基二乙基二苯基甲烷(Diaminodiethyldiphenylmethane)、二氨基二苯醚(diaminodiphenyl ether)、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene)、2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane)、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜(Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone)、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯(4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl)、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯(1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene)等，并且可以将其单独或组合使用。另外，酚醛树脂固化剂有苯酚酚醛树脂、甲酚酚醛树脂、双酚A酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂(phenol aralkyl resin)、聚对乙烯基苯酚叔丁基苯酚酚醛树脂(poly-p-vinylphenol t-butylphenolnovolak resin)、萘酚酚醛树脂等，并且可以将其单独或组合使用。优选地，相对于100重量份的热塑性树脂及热塑性树脂中至少一个以上的树脂，固化剂的含量为20～60重量份。当固化剂的含量少于10重量份时，对热固性树脂的固化效果不足，从而导致耐热性降低，反之，当其大于60重量份时，与热固性树脂的反应性提高，从而使磁场屏蔽单元的使用性及长期保管性等的物理性质特性降低。
并且，上述固化促进剂可以根据被选择的热固性树脂及固化剂的具体种类来决定，因此在本发明中，对此没有进行特别限定。作为对此的非限定性例子，可以有胺类、咪唑类、磷类，硼类、磷-硼类等的固化促进剂，并且可以将其单独或组合使用。优选地，相对于100重量份的热塑性树脂及热固性树脂中至少一个以上的树脂，固化促进剂的含量为约0.1～10重量份，优选为0.5～5重量份。
并且，通过上述的电介质组合物形成的电介质112、112’，可以通过在Fe类合金碎片之间的被隔开的空间浸透后述的第一粘合层140b及第二粘合层130b中任意一个以上的粘合层的一部分而形成，因此，电介质可以与第一粘合层140b及第二粘合层130b中任意一个以上的粘合层的组分相同。
包括上述的Fe类合金碎片111及电介质112的磁场屏蔽层110的厚度可以是作为上述的Fe类合金碎片的来源的Fe类非晶质合金带的厚度。除了包括碎片的间隔空间在内的、盖住一部分碎片的上部或下部的电介质的厚度之外，一层磁场屏蔽层110的厚度可以为15～35μm，但其不限定于此。
并且，上述磁场屏蔽层的形状除了矩形及正方形的四边形之外，还可以是五角形等多边形，也可以是圆形、椭圆形、以及曲线和直线局部性地共存的形状，以对应于适用磁场屏蔽单元的适用处的形状。例如，可以对应于天线的形状(例如环形)而具有与其相同的形状(环形)。此时，优选地，磁场屏蔽单元的大小具有比所对应的辐射体的大小宽约1～2mm的宽度。
另一方面，如图1或图2所示，磁场屏蔽层110、110’的上部可以具有保护构件140，其具有基材膜140a、以及形成在上述基材膜140a一面的第一粘合层140b，上述磁场屏蔽层110、110’的下部还可以包括粘合构件130。
上述保护部件140的基材膜140a可以为形成于磁场屏蔽单元的常规的保护膜，当其能够确保耐热性、机械强度及耐化学性的材质的薄膜时，可以不受限制地使用，其中，上述耐热性是指在将屏蔽片附着于具有辐射体的基板的工艺中，足以承受为了固化而施加的热/压力等的程度的耐热性；上述机械强度及耐化学性是指对于从外部施加的物理性刺激及化学性刺激，足以保护磁场屏蔽层110、110’的程度的机械强度及耐化学性。作为对此的非限定性例，可以使用从聚乙烯、聚丙烯、聚酰亚胺、交联聚丙烯、尼龙、聚氨酯类树脂、乙酸盐、聚苯并咪唑(polybenzimidazoles)、聚酰亚胺酰胺(polyimideamide)、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚偏氟乙烯(PVDF)，聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)以及聚乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)等，并且可以单独使用或组合使用。
并且，可以使用厚度为1～100μm的上述基材膜140a，优选地，厚度可为10～30μm，但并不仅限于此。
并且，保护部件140中，可以在上述基材膜140a的一面形成第一粘合层140b，并且保护部件140可以通过上述第一粘合层140b附着于磁场屏蔽层110。当上述第一粘合层140b为常规粘合层时，其可以不受限制地使用，但是，优选地，可以为上述的电介质形成组合物，由此可以使涡电流的产生最小化，并且通过与形成在磁场屏蔽层110的电介质112的相容性的增加而能够表现出更加提高的粘合力。由此，电介质112的组分可以与上述第一粘合层140b的组分相同，但并不仅限于此。上述第一粘合层140b的厚度可以为3～50μm，但并不仅限于此，且可以根据需要进行变更及实施。
上述粘合构件130起到将磁场屏蔽单元100、100’附着于天线单元200的作用。如图4所示，上述粘合构件130可以包括第二粘合层130b，还可以形成有在附着于天线单元200前用于保护上述第二粘合层130b的离型膜130a。
上述第二粘合层130b可以通过在磁场屏蔽层110、110’的下部涂布粘合组合物而形成，或者通过在离型膜130a上涂布粘合组合物而形成的第二粘合层130b可以附着于磁场屏蔽层110、110’。或者，上述第二粘合层可以是在膜状的支撑基材的两面涂布有粘合剂以增强机械强度的双面型粘合构件。形成在支撑基材上部的一粘合层可以附着于磁场屏蔽层110、110’的下部面，形成在支撑基材下部的一粘合层可以附着于天线单元200。
并且，上述第二粘合层130b浸透到从附着在磁场屏蔽层的一表面部向Fe类碎片(存在于部到屏蔽层的内部侧)隔开而形成的空间，从而能够局部地或整体地使Fe类碎片绝缘。因此，上述第二粘合层130b可以是上述的电介质112、112’的来源。由此，形成上述第二粘合层130b的粘合组合物可以是上述的电介质形成组合物。另一方面，即使第二粘合层130b不是上述的电介质112、112’的来源，但为了通过提升第二粘合层130b和形成于磁场屏蔽层的电介质112、112’的相容性
来提高粘合力，第二粘合层130b形成组合物可以与上述的电介质形成组合物相同，但并不仅限于此，并且也可以是不同的组分。
包括在上述本发明一实施例的磁场屏蔽单元可以由后述的方法制造，但并不仅限于此。
首先，可以执行步骤a，即准备经热处理的Fe类非晶质合金带状片。上述Fe类非晶质合金带可通过如根据熔融纺丝(melt spinning)的快速凝固法(rapid solidificationprocess，RSP)的公知的方法来制造。所制造的Fe类非晶质合金带可以以片状的方式被切割后，经过热处理工艺来调节磁导率。此时，热处理温度的选择可以根据所期望的非晶质合金的磁导率的程度而不同。即，为了在多种工作频率范围内表现出一定水平以上的优秀的物理性质，并且增加非晶质带的脆性，可在大气环境或氮气环境下，以300～600℃的温度，更优选以400～500℃的温度进行热处理，更加优选地，可以以440～480℃的温度进行热处理30min～2h。如果热处理温度低于300℃，则磁导率与所期望的磁导率水平相比，可能会非常低或非常高，并且因脆性弱而不容易进行破碎而实现破碎化，而且也可导致热处理时间延长。另外，当热处理温度大于600℃时，存在磁导率明显降低的问题。
其次，可以执行步骤b，即在破碎Fe类非晶质合金带而产生的Fe类非晶质合金碎片之间的间隔空间形成电介质。
首先，在关于上述步骤b的一实施例中，将层压体通过破碎装置，从而能够将上述Fe类非晶质合金带状片破碎成非定型的碎片，其中，上述层压体可以通过在Fe类非晶质合金带状片的一面附着形成有第一粘合层的保护构件且在另一面附着形成有第二粘合层的粘合构件而获得。然后，通过向层压体施加压力而使上述第一粘合层及第二粘合层浸透至上述Fe类非晶质合金碎片之间的间隔空间，从而实现对碎片的固定和支撑，同时通过将碎片彼此绝缘，使涡电流的产生显著降低、且防止水分的浸透而防止非晶质合金被氧化。向上述层压体施加压力的方法可以通过在破碎装置中进行破碎的同时向层压体施加压力的方式来执行，或者还可以在破碎层压体后，通过额外的加压工艺来执行以进一步提高第一粘合层及第二粘合层的浸透程度。
具体地，如图6所示，使层压体100a经过破碎装置来进行破碎及加压层压体100a，其中，上述破碎装置具有形成有凹凸部11a、12a的多个第一辊子11、12；以及与上述第一辊子11、12分别对应的第二辊子21、22。然后，通过第三辊子13及与上述第三辊子13对应的第四辊子23对层压体100b进行进一步加压，由此能够制造磁场屏蔽单元100。
并且，如图7所示，将包括Fe类非晶质合金带状片的层压体100a投入至破碎装置，并通过金属球31施加压力而破碎带状片。其中，上述破碎装置具有在一表面安装有多个金属球31的支撑板30；及位于上述支撑板30的上部且用于移动被破碎物的辊子41、42。上述球31的形状可以是球形，但并不仅限于此，其还可以是三角形、多边形及椭圆等。形成在单个第一辊子的球的形状可以由一种形状构成，或也可以由多种形状混合构成。
另一方面，如图8所示，在磁场屏蔽单元100”形成有多个上述磁场屏蔽层110A、110B、110C，并且在相邻的磁场屏蔽层110A/110B、110B/110C之间可以设置有用于减少涡电流的电介质层131、132。
在某些情况下，当仅设置单个磁场屏蔽层时，可能无法达到适合于无线电力传输或近场无线通信及/或磁力安全传输等的功能水平的物理性质。因此，具备多个磁场屏蔽层，即可实现如使用通过增加厚度而具有高磁导率的磁性体的情况相同的增加物理性质的效果。具有层压的磁场屏蔽层的磁场屏蔽单元通过进一步提高不同种类的天线210、220、230的电感，且同时与之相反地使比电阻的增加相对较小，使得天线210、220、230可以表现出高质量指数。
当上述磁场屏蔽单元内形成多个磁场屏蔽层时，优选形成2～10个磁场屏蔽层，但并不仅限于此。另一方面，并不是将磁场屏蔽层的层压层数无限定地增加就能实现所期望的水平的物理性质。如果磁场屏蔽层的层压层数大于10个，比电阻的增加程度明显比天线210、220、230的电感的增加的程度大，从而使天线210、220、230的质量系数提高的幅度非常小，且可导致厚度增加而不利于屏蔽单元的薄型化。
另一方面，当形成有多个磁场屏蔽层110A、110B、110C时，相邻的磁场屏蔽层110A/110B、110B/110C之间可以设置有用于减少涡电流的电介质层131、132。其中，上述电介质层131、132可以是绝缘粘合层，并且上述绝缘粘合层可以通过上述的电介质形成组合物来形成。当形成有多个上述磁场屏蔽层110A、110B、110C时，使上述电介质层131、132介于多个Fe类非晶质合金带之间并进行层压后，通过破碎带(ribbon)来制造形成有多个磁场屏蔽层的磁场屏蔽单元。这种情况下，包括在与任一磁场屏蔽层110A的下部部分、及另一磁场屏蔽层110B的上部部分的电介质，可以是设在两个磁场屏蔽层110A、110B之间的电介质层131浸透至位于一磁场屏蔽层110A的下部部分和另一磁场屏蔽层110B的上部部分的Fe类碎片之间的间隔空间而形成的。优选地，上述电介质层131、132的厚度可以大于等于保护构件的第一粘合层130b及/或粘合构件的第二粘合层140b的厚度，但并不仅限于此，其中，上述保护构件及上述粘合构件可以分别形成在所层压的磁场屏蔽层110A、110B、110C的上部及下部。
并且，作为其他实施例，上述电介质层131、132还可以是散热粘合层。上述散热粘合层可以是在粘合成分中混合公知的散热填料来获得，其中，上述粘合成分可以是丙烯酸类、聚氨酯类、环氧类等，上述散热填料可以是镍、银、碳材料等。由于具体的组分及含量可以根据公知的组分及含量来确定，因此在本发明中，对此并没有进行特别限定。
并且，当形成有多个上述磁场屏蔽层110A、110B、110C时，包括于各个磁场屏蔽层的Fe类非晶质合金的成分可以相同或不同。并且，即便成分相同，也会因热处理时间等的不同而使各个磁场屏蔽层的磁导率互不相同。并且，各个磁场屏蔽层的厚度也可以根据目的构成为相同或不同。
另一方面，根据上述本发明一实施例的复合模块1000中，在天线单元200及/或磁场屏蔽单元100的至少任意一面还可以形成至少一个以上的、执行电磁波屏蔽及/或散热的功能层(未图示)。由此，可以防止由于诸如电源噪声(power noise)的电磁波而导致所组合的天线的频率变动幅度的明显增加，使得天线的不良率降低。并且，因所适用的移动设备等发热时容易分散热，可以防止发热所引起的部件的耐久性降低、功能降低、以及由于热传递导致的使用者的不适感。作为一例，热传导率以及电导率优秀的铜、铝等金属箔(foil)可以通过粘合剂或双面胶附着于磁场屏蔽单元100的保护构件130的上部及/或天线单元200的下部。或者，还可以通过溅射法、真空沉积、化学气相沉积等公知的方法使Cu、Ni、Ag、Al、Au、Sn、Zn、Mn、Mg、Cr、Tw、Ti或这些金属的组合沉积在保护构件130上，从而形成金属薄膜。另外，复合模块的外部面的至少一部分还可以涂布有包括相变化合物的导热性物质。当通过粘合剂具有上述功能层时，上述粘合剂可以是公知的粘合剂。作为对此的非限定性例，可以使用丙烯酸类、聚氨酯类、环氧类等粘合剂。另一方面，还可以将散热性能赋予上述粘合剂来使用。为此，可以在粘合剂中混合镍、银、碳材料等公知的填料。上述填料的含量可以是公知的散热粘合剂内填料的含量，因此在本发明中没有对此进行特别限定。并且，上述功能层的厚度可以为5～100μm，更优选地，为了磁场屏蔽单元的薄膜化，将厚度形成为10～20μm。
具体实施方式
虽然，通过以下实施例对本发明进行更具体的说明，但是以下实施例并不用于限定本发明的范围，而应该被解释为用于帮助理解本发明。
<实施例1>
以根据熔融纺丝的快速凝固法(RSP)制造Fe91.6Si2B6Co0.2Ni0.2非晶质合金带后，通过将切割成片状的厚度为24μm的带状片，在460℃，大气环境中进行无磁场热处理1小时来制造带状片。然后，将附着有离型膜的厚度为10μm的两面胶(支撑基材为PET、制造商为K-WON株式会社、型号为VT-8210C)附着于上述带状片的一面，接着，将厚度为7μm且一面形成有粘合层的PET保护构件(制造商为KOOKJE LA-TECH，型号为KJ-0714)附着于上述带状片的另一面后，使其通过3次如图7及图9所示的破碎装置，从而制造如以下表1的磁场屏蔽单元。
然后，去除上述磁场屏蔽单元的离型膜后，将暴露的两面胶附着于天线单元上，从而制造如表1的多功能复合模块，其中，上述天线单元具有在一个电路板上形成有近场通信用天线、磁力安全传输用天线及无线电力传输用天线全部的如下规格。
*天线单元
其为具有如图1形状的天线单元，在柔性印刷线路板(Flexible Printed CircuitBoard，FPCB)290的两面以厚度为50μm的铜箔实现近场通信用天线210、磁力安全传输用天线220及无线电力传输用天线230。
上述近场通信用天线210通过将厚度为50μm的铜箔旋转4次而使内侧为53mm×63mm且外侧为59mm×65mm，并且电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)为1.5，共振频率为13.56MHz。
并且，上述磁力安全传输用天线220通过将厚度为50μm的铜箔旋转10次而使内侧为41mm×45mm且外侧为47mm×58mm，在10KHz上，电感Ls为15.47μH，比电阻Rs为1.27Ω。
并且，与图1不同地，将上述无线电力传输用天线230的形状改变为圆形，并通过将厚度为50μm的铜箔旋转11次而使内径为23mm且外径为43mm，并且在200KHZ上，电感Ls为8.8μH，电阻Rs为0.589Ω。
<实施例2～6>
以与实施例1相同的方式实施并制造，但将破碎次数变更为如以下表1并制造磁场屏蔽单元，由此制造如以下表1的多功能复合模块。
<实施例7>
以与实施例1相同的方式实施并制造，但以根据熔融纺丝的快速凝固法(RSP)制造Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3非晶质合金带来代替Fe91.6Si2B6Co0.2Ni0.2非晶质合金带后，通过将切割成片状的厚度为24μm的一张带状片，在610℃，N2环境中进行无磁场热处理1小时来制造并使用带状片，然后通过将其破碎来实现磁场屏蔽单元后，制造如以下表1的多功能复合模块。
<比较例1>
以与实施例1相同的方式实施并制造，但以仅使用天线单元而不使用磁场屏蔽单元的方式制造如以下表1的多功能复合模块。
<实验例1>
对于通过实施例及比较例所准备的磁场屏蔽单元，通过以下方式进行碎片的粒径分布的分析，并示于表1。
具体地，将设置在横、竖各为10mm×10mm的5个磁场屏蔽试片的一面的粘合性保护膜剥离后，通过光学显微镜测量碎片的粒径，并对粒径小于500μm的碎片的数量、粒径小于50μm的碎片的数量及碎片的总数进行计数。然后，测定相对于碎片的总数的粒径小于500μm的碎片比率及粒径小于50μm的碎片比率，并计算5个试片的平均碎片比率。
<实验例2>
对根据实施例及比较例的磁场屏蔽单元，进行以下物理性质的评价，并将结果显示在如下表1中。
1.无线电力信号的传输效率
将200KHz正玄信号放大并输入到形成在无线电力信号传输模块的无线电力传输天线后，使在无线电力接收天线的输出端子连接有50Ω的负载电阻的复合模块对齐(align)，并通过示波器(oscilloscope)测量通过无线电力接收天线产生的电流，由此测量电力传输效率。测量结果，将比较例的电力传输效率视为100％的基准，对实施例的电力传输效率进行相对的评价。
2.数据信号的传输距离
通过电缆(cable)将NFC读取器/写入器与复合模块的近场通信用天线连接。并且，制造NFC卡，其连接有与形成在NFC用IC芯片及复合模块的近场通信用天线相同的天线。然后，通过上述NFC读取器/写入器输出13.56MHz的数据信号后，使上述NFC卡位于复合模块的近场通信天线的铅直方向后测量可进行通信的最大距离。将比较例的可进行通信的最大距离视为100％的基准，对实施例的数据信号传输距离进行相对的评价。
3.磁力安全信号传输距离
将多功能复合模块的磁力安全信号传输天线的输出端子通过电缆与磁力安全传输信号识别单元连接，该磁力安全传输信号识别单元被设计为当其识别到磁力安全传输信号时使亮灯。然后，如图3，使复合模块位于输出10KHz的磁力安全信号的POS终端读取头的铅直方向后，测量可进行传输的磁力安全信号的最大传输距离。将比较例的可进行传输的最大距离视为100％的基准，对实施例的磁力安全信号传输距离进行相对的评价。
[表1]
通过上述表1可以确认，在使用Fe91.6Si2B6Co0.2Ni0.2的Fe类合金的实施例1～6或使用Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3的Fe类合金的实施例7的情况下，与比较例相比，无线电力传输效率、数据信号传输距离极磁力安全信号传输距离根据通过磁场屏蔽单元带来的天线特性提高及磁场集中效果都有所提高。
然而，在实施例中，无线电力传输效率、数据信号传输距离极磁力安全信号传输距离也根据碎片的粒径分布表现出不同的物理性质的变化。如实施例6，粒径小于500μm的平均碎片比率仅为32％，与实施例5相比，物理性质的增加较小。
并且，在实施例中，同样可确认在碎片粒径小于50μm的平均碎片比率超过50％的实施例4的情况下，无线电力传输效率及磁力安全信号的传输距离也有所减小。
以上，虽然对本发明的一实施例进行了说明，但是本发明的思想并不会被本说明书记载的实施例所限定，且理解本发明思想的本领域技术人员，能够在相同的思想范围内，通过附加、变更、删除以及追加构成要素等而能够轻易地提供其他实施例，然而这也在本发明的思想范围内。
Claims (11)
1.一种多功能复合模块，其包括：
天线单元，其包括不同种类的天线；及
磁场屏蔽单元，其配置于所述天线单元的一面，并且具有磁场屏蔽层以提高所述天线的特性及向所述天线集中磁通，其中，所述磁场屏蔽层包括：Fe类合金的碎片；以及电介质，其填充于在所述碎片中相邻的至少一部分碎片之间形成的间隔空间的至少一部分中，
所述不同种类的天线分别为以互不相同的频带作为工作频率的天线或分别执行互不相同的功能的天线，
所述不同种类的天线包括近场通信用天线、磁力安全传输用天线及无线电力传输用天线中的两种以上，
在所述Fe类合金的碎片中，粒径小于500μm的碎片的数量为碎片总数的40％以上，
在所述Fe类合金碎片中，粒径小于50μm的碎片的数量低于碎片总数的50％。
2.根据权利要求1所述的多功能复合模块，其中，
所述天线包括第一天线、第二天线及第三天线中的2种以上，其中，所述第一天线以5～350kHz的频带作为工作频率，所述第二天线以包括6.78MHz的频带作为工作频率，并且所述第三天线以包括13.56MHz的频带作为工作频率。
3.根据权利要求1所述的多功能复合模块，其中，
所述磁场屏蔽单元还包括保护构件及粘合构件，其中，所述保护构件配置于磁场屏蔽层的一面，所述粘合构件配置于所述磁场屏蔽层的另一面且附着于天线单元的一面。
4.根据权利要求3所述的多功能复合模块，其中，
所述保护构件通过形成在一面的第一粘合层粘合于磁场屏蔽层的上部面，所述粘合构件通过形成在一面的第二粘合层粘合于所述磁场屏蔽层的下部面，
通过在Fe类非晶质合金碎片之间的间隔空间浸透所述第一粘合层及所述第二粘合层中任意一个以上的粘合层的一部分而形成包括于磁场屏蔽层的电介质。
5.根据权利要求1所述的多功能复合模块，其中，
所述Fe类合金是3元素类合金或5元素类合金，其中，所述3元素类合金包括铁、硅及硼，所述5元素类合金包括铁、硅、硼、铜以及铌。
6.根据权利要求1所述的多功能复合模块，其中，
所述磁场屏蔽单元具有多个所述磁场屏蔽层，并且，相邻的磁场屏蔽层之间还形成有用于粘合磁场屏蔽层之间且减少涡电流的电介质层。
7.根据权利要求1所述的多功能复合模块，其中，
所述磁场屏蔽层的单一层的厚度为15～35μm。
8.根据权利要求6所述的多功能复合模块，其中，
形成在相邻的所述磁场屏蔽层之间的电介质层为绝缘粘合层或导热性散热粘合层。
9.根据权利要求1所述的多功能复合模块，其中，
在所述Fe类合金碎片中，粒径小于500μm的碎片的数量为碎片总数的80％以上。
10.一种便携式设备，其包括根据权利要求1所述的多功能复合模块作为接收用模块。
11.一种电子设备，其包括根据权利要求1所述的多功能复合模块。
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