KR20090089277A

KR20090089277A - 유전체층의 기능이 부여된 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체 및 그 연자성체층의 형성방법

Info

Publication number: KR20090089277A
Application number: KR1020090069695A
Authority: KR
Inventors: 권상균; 김범진; 송용설; 박원욱
Original assignee: 주식회사 에이엠오
Priority date: 2009-07-29
Filing date: 2009-07-29
Publication date: 2009-08-21

Abstract

본 발명은 유전체층의 기능이 부여된 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체 및 그 연자성체층의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 전자파 흡수체는 뛰어난 유전체층 기능을 보유하면서도 그러한 기능 부여에 의한 전자파 흡수체의 두께 증가가 거의 없다. 또한, 간단하고 저렴한 공정으로 제조할 수 있어 매우 경제적이다.

전자파 흡수체, 유전체, 연자성체

Description

유전체층의 기능이 부여된 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체 및 그 연자성체층의 형성방법{ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBER COMPRING MAGNETICALLY SOFT BODY LAYER HAVING FUNCTION OF DILECTIRC LAYER}

본 발명은 유전체층의 기능이 부여된 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체 및 그 연자성체층의 형성방법에 관한 것이다.

최근, 전자제품은 휴대성, 편의성등을 향상시키기 위해 다기능화, 소형화, 고속화되고 있다. 이러한 경향은 전자회로를 더욱 복잡하게 구성되도록 하고 있으며, 많은 양의 데이터 처리를 위해 신호가 더욱 고주파화 되고 있다. 전자제품의 복잡화와 고주파수화는 전자파의 발생의 원인이 되며, 발생한 전자파는 주변 전자부품의 오작동 및 파손을 초래한다.　 또한, 전자파는 인체에도 나쁜 영향을 주어 국제적으로 그 발생량을 제한하고 있다. 따라서, 전자제품에서 발생하는 전자파 및 외부 전자파에 대한 전자제품의 오작동을 막기 위해 전자파 흡수체가 사용되고 있다.

전자파 흡수체는 폴리머 기지에 연자성 특성을 가지는 분말이 분산된 형태로 제조된 것이 사용되고 있다. 작동원리는 외부에서 발생한 전자파 에너지를 연자성 분말이 열에너지로 변화시켜 소모하는 것이다. 기존의 연자성 분말은 페라이트가 주로 이용되었다. 그러나, 페라이트 분말로 제조된 전자파 흡수체는 전자파를 흡수하기 위해 필요한 두께가 두꺼워 공간적으로 제한을 받는다. 따라서, 소형화 되어가는 전자제품의 전자파 장애 및 발생을 막기 위해 새로운 연자성 재료를 사용한 전자파 흡수체 개발이 절실히 요구되고 있다.

한편, 연자성 특성이 우수한 퍼멀로이(permalloy) 또는 몰리브덴(Mo)을 함유하고 있는 MPP도 전자파 흡수체의 연자성 재료로서 최근 사용되고 있다. 퍼멀로이 또는 MPP는 페라이트에 비해 연자성 특성이 우수하여 두께 제한을 개선하였지만, 구상의 분말을　편평화하여야 하고 원재료가 고가이기 때문에, 제조공정이 복잡하고 고가인 문제점이 있다. 또한, 재료 자체의 특성에 의하여, 주파수 범위의 한계를 지니고 있다. 이를 개선하기 위해, 전자파 흡수에 효과를 지니는 유전체층을 유전체의 표면 혹은 내부에 층으로 형성하고 있다.

특허 제0267358호는 철-니켈계 또는 샌더스트, 페라이트 등의 조성이루어진 군에서 선택되는 조성을 갖는 전자파 흡수를 위한 복합자성체 제조에 대한 것이다. 특허 제 0267358호는 전자파 흡수특성의 향상을 위해 도전층 또는 유전체층을 포함한다. 특히, 상기 각 층중 적어도 하나는 유전체 분말로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

특허 제 0701832호는 박형의 전자파 흡수체 제조기술에 관한 것으로, 전자파 흡수를 위해 유전체층을 형성하고 있다. 유전체층은 BaTiO₃, PMN계 완화형 강유전체 중 선택되는 것을 특징으로 한다.

상기 특허 제 0267358호 및 제 0701832호는 공통으로 전자파 흡수를 위해 유전체층을 형성하고 있으며, 그 위치는 표면 혹은 전자파흡수체 사이에 하나의 층으로 형성된다. 그 형태는 도 1과 같다.

유전체 층을 형성하는 경우, 전자파 흡수특성을 향상시키기 위해서 고 유전체 재료를 사용하거나, 두께를 두껍게 해야한다. 그러나, 최근 전자파 흡수체는 소형화 되는 전자제품의 경향에 맞추어 그 두께가 제한되고 있어 유전체층을 두껍게 형성하는 것은 곤란하며, 그렇다고 얇은 층으로 형성하는 경우에는 전자파 흡수에 좋은 효과를 기대하기 어렵다.

따라서, 유전체층을 하나의 층으로 형성하는 것은 기대만큼의 효과를 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 두께가 중요한 전자파 흡수체에서 그 두께를 증가시키는 요인이 되기 때문에 효과적인 전자파 흡수체의 구성이라 하기 어렵다.

또한, 유전체층이 표면에 형성되는 경우에는 외부 긁힘 등에 의해 회손이 가능하며, 유전체층을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 등의 공법은 제조단가를 높이는 원인이 된다.

따라서, 본 발명은 종래 기술의 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 유전체층의 기능이 부여된 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체 및 그 연자성체층의 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은,

유전체 분말로 코팅된 연자성 분말을 포함하는 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체;

유전체 분말이 연자성 분말 사이에 분산된 형태로 포함되는 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체;

연자성 분말을 유전체 분말로 코팅하는 단계, 상기 코팅된 연자성 분말을 고분자 수지와 혼합하는 단계 및 상기 혼합물을 성형하여 경화시키는 단계를 포함하는 연자성체층의 형성방법; 및

연자성 분말, 유전체 분말 및 고분자 수지를 혼합하는 단계 및 상기 혼합물을 성형하여 경화시키는 단계를 포함하는 연자성체층의 형성방법에 관한 것이다.

본 발명은 유전체층의 기능이 부여된 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체 및 그 연자성체층의 형성방법을 제공한다. 본 발명의 전자파 흡수체는 뛰어난 유전체층 기능을 보유하면서도 그러한 기능 부여에 의한 전자파 흡수체의 두께 증가가 거의 없다. 또한, 간단하고 저럼한 공정으로 제조할 수 있어 매우 경제적이다.

본 발명은,

이하에서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

본 발명에서 사용되는 연자성 분말은 이 분야에서 사용되는 것이라면 제한 없이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로 편상 혹은 구형으로서, 페라이트, Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B, Co-Fe-Si-B, Fe-Ni, 샌더스트 분말 등을 예시할 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

특히, 비정질 구조의 연자성 분말을 사용하는 것이 바람직하며, Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B 및Co-Fe-Si-B 조성의 연자성 분말은 이들의 원료 성분들을 혼합한 후, 약 10⁶K/s의 속도로 급속 냉각함으로써 비정질로 제조하는 것이 가능하다. 그러나, 비정질 구조의 연자성 분말의 제조 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 이 분야에서 사용되는 것이라면 제한 없이 사용될 수 있다.

본 발명에서 연자성 분말로 사용될 수 있는 Fe-Si-B 합금은 Fe가 70-90atomic%, Si 및 B의 합이 10-30atomic%인 것이 바람직하다. Fe를 비롯한 금속의 함유량이 높을수록 포화자속밀도가 높아지지만 Fe 원소의 함유량이 과다할 경우 비정질을 형성하기 어려우므로, 본 발명에서는 Fe의 함량이 70-90atomic%인 것이 바람직하다. 또한, Si 및 B의 합이 10-30atomic%의 범위일 때 함금의 비정질 형성능이 가장 우수하다. 이러한 기본 조성에 부식을 방지시키기 위해 Cr등 내부식성 원소를 0.1~5 atomic% 이내로 첨가할 수도 있다.

본 발명에서 연자성 분말로 사용될 수 있는 Fe-Si-B-Cu-Nb 합금은 Fe가 73-80 atomic%, Si 및 B의 합이 15~26atomic%, Nb 및 Cu의 합이1-5 atomic%인 것이 바람직하다. 이러한 조성 범위가 리본 형태로 제작된 비정질 합금이 후술하는 열처리에 의해 나노상의 결정립으로 쉽게 석출될 수 있다.

본 발명에서 연자성 분말로 사용될 수 있는 Fe-Zr-B합금은 Fe가 85-93 atomic%, Zr이 5-10 atomic%, B가 2-5 atomic%인 것이 바람직하다. 이러한 조성 영역에서 후술하는 열처리에 의해 나노 상의 결정립으로 쉽게 석출될 수 있다.

본 발명에서 연자성 분말로 사용될 수 있는 Co-Fe-Si-B 합금은 Co가 71-85 atomic%, Si 및 B의 합이 12-21 atomic%인 것이 바람직하며, 필요시 Mo, Cr, Ni 등을 1~9 atomic% 이내에서 첨가하는 것이 가능하다. 이 때 Cr과 Ni의 함량의 합은 2-7 atomic% 이내인 것이 바람직하다. Co의 함유량이 낮을수록 최대 자속밀도는 낮으나 투자율이 매우 높으므로 높은 인덕턴스를 얻기에는 낮은 Co 함유량이 유리하지만, Co 함유량에 따라 직류 전류에 의한 바이어스 특성이 크게 달라지므로 시스템과 연계하여 고려해야 한다.

본 발명에서 사용되는 유전체 분말은 이 분야에서 사용되는 것이라면 제한 없이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로 TiO₂, BaTiO₃, Al₂O₃, BaO₃, SrTiO₃, Ba-Nd-Ti-O의 조성을 가지는 세라믹 성분 등을 예시할 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때의 유전체 선택은 사용하고자 하는 주파수 범위에 따라 선택된다. 하기의 표 1은 각 유전체의 주파수에 따른 유전율을 나타내고 있다.

본 발명에서 사용되는 유전체 분말의 입자로는 마이크로 크기 또는 나노 크기의 입자가 사용될 수 있으며, 마이크로 크기의 경우 평균입경이0.5~50um인 것이 바람직하며, 나노 크기의 경우 평균입경이 1~500nm 인 것이 바람직하다.

본 발명의 전자파 흡수체 포함되는 연자성체층에 포함되는 유전체 분말과 연자성 분말의 중량비는 0.1~10 : 90~99.9가 바람직하다. 상기의 비율 범위 내에서 전자파 흡수체는 효과적인 전자파 흡수 능력을 나타낸다.

또한, 유전체 분말과 연자성 분말의 총 중량이 고형분을 기준으로 한 연자성체층 총 중량에 대하여 20~80 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.

본 발명의 전자파 흡수체에 포함되는 연자성체층은 통상적으로 상기에서 언급한 유전체 분말, 연자성 분말 외에 고분자 수지를 포함하여 형성되며, 고분자 수지는 이 분야에서 사용되는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다.

본 발명에서 연자성 분말에 유전체 분말을 코팅하는 방법으로는 나노 크기 혹은 마이크로 크기의 유전체 분말과 연자성 분말을 볼밀법 등과 같은 기계적인 방법으로 코팅하는 방법과 졸겔공법 등으로 액상에 분산된 연자성 분말에 유전체가 흡착되도록 하여 코팅하는 화학적인 방법 및 기상법 등을 들 수 있다. 이 때, 연자성 분말 주변에는 도 2와 같이 유전체 분말이 얇게 코팅된다. 이렇게 제조된 유전체가 코팅된 연자성 분말은 고분자와 혼합하여 성형 후 고분자 경화온도에서 경화공정을 거친다. 이렇게 제조된 시트는 도2 와 같은 형태를 나타낸다.

본 발명은 또한, 연자성 분말, 유전체 분말 및 액상 고분자를 기계적인 방법으로 혼합한 후, 성형하여 경화시키는 방법에 의해서 연자성체층을 형성하는 방법도 포함한다. 이렇게 제조된 시트는 도 3과 같은 형태를 나타낸다.

본 발명의 연자성체층의 형성방법에서 연자성체층에 포함되는 유전체 분말, 연자성 분말 및 고분자 수지의 중량비가 전자파 흡수율 및 연자성체층의 물성 등을 고려할 때 0.08~2 : 18~79.92 : 20~80인 것이 바람직하다.

본 발명의 전자파 흡수체는 유전체 분말로 연자성 분말을 코팅한 경우에 코팅막들끼리 상호 연결되어 다수의 얇은 유전체 박막을 형성하게 됨으로써 우수한 전자파 흡수능을 나타낸다.

또한, 유전체 분말이 연자성 분말 사이에 분산된 경우에도 다수의 얇은 유전체 박막이 형성된 것과 같은 효과를 기대할 수 있다.

본 발명에 의해 제조되는 전자파흡수체는 컴퓨터 CPU 및 IC와 같은 고속처리부품의 위, 전자제품 내부의 커넥터 부분, 소형화를 위해 사용되는 FPCB등에 사용 된다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정 되는 것은 아니다.

실시예 1 내지 4: 전자파 흡수체의 제조

연자성 분말의 원재료를 제조하기 위하여 비정질 합금 Fe-Si-B를 제조하였다. 구체적으로, 출발물질로써 Fe-B를 모합금으로 하고, 여기에 조성비에 맞도록 전해철(Fe)과 Si을 배합하여, 용융로에서 함께 녹인 후 Fe₇₉(Si,B)₂₁ 조성의 잉곳을 제작하였다. 이어서, 고주파 유도로에 상기 잉곳을 장입한 후 고주파 유도로에 전원을 인가하여 고주파 에너지를 잉곳에 부가함으로써 잉곳을 완전히 녹였다. 이어서, 노즐을 통해 고속으로 회전하는 냉각 롤에 고온의 용융된 상기 조성의 금속을 분사하여 평균 두께가 0.02mm의 두께를 갖는 비정질 합금 리본을 제작하였다. 제작된 비정질 리본을 해머밀을 통하여 분말로 제조하였다. 해머밀을 통하여 제조된 분말은 편상화를 위해 볼밀공정을 통하여 크기 100um이하 두께 1um크기의 분말로 제조하였다. 제조된 분말은 응력제거 및 미세구조 제어를 위해 320^oC에서 7시간 동안 열처리하였다.

상기와 같이 제조된 합금 분말은 유전체층을 형성하기 위해 각각 나노크기의 TiO₂ 분말(실시예 1,2)과 마이크로 크기의 TiO₂분말(실시예 3,4)을 볼밀공정을 이용하여 코팅하였다. 이때, 나노 크기의 TiO₂분말이 평균입경은 약 50nm이며, 마이크로크기의 분말의 평균입경은 약20um 이다. 이때, 연자성 분말과 유전체 분말의 혼합 비율은 유전체의 입도에 따라 각각 연자성 분말에 대한 중량비로0.33wt%(실시예 1,3)과 0.66wt%(실시예2,4) 조건으로 제조하였다. 위 공정으로 제조한 코팅한 연자성 분말은 우레탄 수지와 7:3의 비율로 혼합하고, 이를 기판에 코팅한 후 건조하고 기재를 분리함으로써 혼합시트를 제조 하였다. 이 혼합시트를 70^oC에서 롤링을 실시함으로써 두께 0.2mm(실시예 1내지 4)의 전자파 흡수체를 제조하였다.

실시예 5: 전자파 흡수체의 제조

유전체 분말로 연자성 분말을 코팅하지 않고, 연자성 분말, 유전체 분말 및 액상의 우레탄 수지를 동시에 혼합하여 제조한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 전자파 흡수체를 제조하였다. 이 때, 유전체 분말의 평균입경은 약 50nm의 크기를 사용하였으며, 연자성 분말과의 혼합비율은 0.66wt%이다.

실시예 6: 전자파 흡수체의 제조

일본 Hitachi 사의 FINEMET 및 독일 Vacuumschmelze 사의 Vitroperm 인 Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉조성의 비정질 합금을 분쇄하여 연자성 분말로 사용하고; 유전체 분말로 연자성 분말을 코팅하지 않고, 연자성 분말, 유전체 분말 및 액상의 우레탄 수지를 동시에 혼합한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 전자파 흡수체를 제조하였다. 이 때, 유전체 분말의 평균입경은 약 50nm의 크기를 사용하였으며, 연자성 분말과의 혼합비율은 0.66wt%이다.

실시예 7: 전자파 흡수체의 제조

편상화 전단계의 분말로서 샌더스트 분말을 사용하고; 유전체 분말로 연자성 분말을 코팅하지 않고, 연자성 분말, 유전체 분말 및 액상의 우레탄 수지를 동시에 혼합한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 전자파 흡수체를 제조하였다. 이 때, 유전체 분말의 평균입경은 약 50nm의 크기를 사용하였으며, 연자성 분말과의 혼합비율은 0.66wt%이다.

비교예 1: 전자파 흡수체의 제조

유전체 분말을 사용하지 않고 연자성 분말인 비정질 분말을 우레탄 수지와 70:30의 중량비로 혼합한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 전자파 흡수체를 제조하였다.

비교예 2: 전자파 흡수체의 제조

유전체 분말을 사용하지 않은 것을 제외하고 실시예 7과 동일한 방법으로 전자파 흡수체를 제조하였다.

비교예 3: 전자파 흡수체의 제조

비교예 1에서 제조된 전자파 흡수체 윗면에 코팅공정을 이용하여 두께 0.01mm 이하 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이 때 사용한 분말은 실시예 1에서 사용한 TiO₂이며, 유전체 분말의 평균입경은 약 50nm 이다.

비교예 4: 전자파 흡수체의 제조

비교예 2에서 제조된 전자파 흡수체 윗면에 코팅공정을 이용하여 두께 0.01mm 이하 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이 때 사용한 분말은 실시예 1에서 사용한 TiO₂이며, 유전체 분말의 평균입경은 약 50nm 이다.

시험예: 전자파 흡수체의 전자파 흡수율 평가

실시예1 내지 7 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 전자파흡수체 시트에 대하여 네트워크 분석기[HP N5230A PNA-L]를 이용하여 전자파 흡수율을 측정하였다. 전자파 흡수율 측정 방식은 마이크로 스트립라인법을 이용하였으며, 측정 시 샘플의 크기는 50mm*50mm였다.

위와 같이 측정한 전자파흡수율을 표 2 및 도6에 나타내었다.

	흡수체 제작 조건	흡수율 (@1GHz)
실시예1	비정질 분말과 나노 크기 유전체 코팅 (0.33wt%)	38%
실시예2	비정질 분말과 나노 크기 유전체 코팅 (0.66wt%)	43%
실시예3	비정질 분말과 마이크로 크기 유전체 코팅 (0.33wt%)	24%
실시예4	비정질 분말과 마이크로 크기 유전체 코팅 (0.66wt%)	30%
실시예5	비정질 분말에 나노 크기 유전체 분산 (0.66wt%)	20%
실시예6	나노 합금 분말에 나노 크기 유전체 분산 (0.66wt%)	22%
실시예7	샌더스트 분말에 나노 크기 유전체 분산 (0.66wt%)	19%
비교예1	실시예 1과 동일한 비정질 분말만을 사용한 흡수체	13%
비교예2	실시예 7과 동일한 샌더스트 분말만을 사용한 흡수체	12%
비교예3	비교예1의 흡수체 상층을 실시예 1의 유전체 분말로 코팅	16%
비교예4	비교예2의 흡수체 상층을 실시예 1의 유전체 분말로 코팅	15%

상기의 시험 결과를 살펴보면, 연자성 분말 자체를 유전체 분말로 코팅한 경우(실시예 1~4) 및 연자성 분말 사이에 유전체 분말을 분산시킨 경우(실시예 5~7)의 전자파 흡수율은 유전체 분말을 사용하여 전자파 흡수체 표면에 유전체 층을 형성한 경우(비교에 3 및 4) 및 유전체 분말을 사용하지 않은 경우(비교예 1 및 2) 보다 전자파 흡수율에서 우수한 효과를 나타내었다.

특히, 연자성 분말 자체를 유전체 분말로 코팅한 경우(실시예 1)에는 동일한 유전체 분말로 전자파 흡수체의 표면을 코팅한 경우(비교예 3) 보다 약2.5배의 전자파 흡수 효과를 나타내었다.

도 1은 종래의 유전체층이 별도로 형성된 전자파 흡수체를 도시한 것이다.

도 2는 본 발명에 사용되는 유전체 분말로 코팅된 연자성 분말을 포함하는 연자성체층의 단면을 도시한 것이다.

도 3은 본 발명에 사용되는 유전체 분말이 연자성 분말 사이에 분산된 형태로 포함된 연자성체층의 단면을 도시한 것이다.

도 4는 본 발명의 유전체 분말로 코팅된 연자성 분말을 포함하는 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체의 일반적인 제조 공정을 도시한 것이다.

도 5는 본 발명의 유전체 분말로 코팅된 연자성 분말의 표면을 SEM(전자주사현미경)으로 관찰한 사진이다.

도 6은 실시예 2 및 6 과 비교예 3 및 4의 전자파 흡수율 나타낸 그래프 이다(1~4는 각각 1: 실시예 2, 2: 실시예 6, 3: 비교예 3, 4: 비교예 4를 타낸다.).

Claims

TiO₂, Al₂O₃, BaO₃ 및 Ba-Nd-Ti-O 분말로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유전체 분말을 사용하여 기계적인 방법 또는 기상법으로 코팅한 비정질 구조의 연자성 분말을 포함하는 연자성체층을 포함하는 전자파 흡수체.
청구항 1에 있어서, 상기 비정질 구조의 연자성 분말이 Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B, 및 Co-Fe-Si-B 분말로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.
청구항 2에 있어서, 상기 비정질 구조의 연자성 분말이 Fe-Si-B-Cu-Nb 및 Fe-Zr-B 분말로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합물이고, 상기 Fe-Si-B-Cu-Nb 및 Fe-Zr-B 분말이 나노 결정립 형태인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 분말의 평균입경이 1~500nm 의 나노 분말인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.
청구항 1에 있어서, 상기 연자성체층에 포함되는 유전체 분말과 비정질 구조 의 연자성 분말의 중량비가 0.1~10 : 90~99.9인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 분말과 비정질 구조의 연자성 분말의 총 중량이 고형분을 기준으로 한 연자성체층 총 중량에 대하여 20~80중량%인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.
비정질 구조의 연자성 분말을 TiO₂, Al₂O₃, BaO₃ 및 Ba-Nd-Ti-O 분말로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유전체 분말을 사용하여 기계적인 방법 또는 기상법으로 코팅하는 단계; 상기 코팅된 비정질 구조의 연자성 분말을 고분자 수지와 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물을 성형하여 경화시키는 단계를 포함하는 연자성체층의 형성방법.
청구항 7에 있어서, 상기 기계적인 방법이 볼밀법인 것을 특징으로 하는 연자성체층의 형성방법.
청구항 7에 있어서, 상기 비정질 구조의 연자성 분말이 Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B, 및 Co-Fe-Si-B 분말로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연자성체층의 형성방법.
청구항 7에 있어서, 상기 연자성체층에 포함되는 유전체 분말, 비정질 구조의 연자성 분말 및 고분자 수지의 중량 비가 0.08~2 : 18~79.92 : 20~80인 것을 특징으로 하는 연자성체층의 형성방법.