CN109150139A - 一种窄脉宽脉冲输出电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种窄脉宽脉冲输出电路，包括第一开关管和供电电源，所述第一开关管的控制端用于连接控制信号，输出端接地；所述供电电源通过母线电容接地，还通过第一阻感负载连接第一开关管的输入端，第一开关管的输入端还通过串设的第一储能单元、第二阻感负载接地；所述第一储能单元和第二阻感负载的串接点用于输出窄脉宽脉冲。本发明控制简单、可靠，可实现脉冲宽度从200ns到200μs脉宽的脉冲信号功率的放大，提高了该电路输出与控制信号的一致性。

Description

一种窄脉宽脉冲输出电路
技术领域
本发明属于脉冲功率技术领域，具体涉及一种窄脉宽脉冲输出电路。
背景技术
近年来，脉冲功率技术发展迅猛，已广泛应用于高温等离子体、脉冲强磁场、高能激光加工、微波探测等领域。随着科技的进步，更窄脉宽、更集中的能量释放、更高的效率、更强的可靠性成为脉冲功率技术的重要发展方向。
目前，市面上脉冲设备多种多样，但窄脉宽脉冲设备在脉冲宽度精确控制方面一直存在较大的难题。现有的窄脉宽脉冲输出电路，通常情况下开关管的关断速度慢，导致与输出脉冲的控制信号之间的相位一致性较差，脉冲宽度控制精确性差。如何更简单、高效、快速的处理窄脉宽脉冲输出电路脉冲宽度控制问题，是如今努力的方向。
发明内容
本发明的目的在于提供一种窄脉宽脉冲输出电路，用以解决现有技术中的窄脉宽脉冲输出电路由于开关管关断速度慢导致功率脉冲与控制信号之间的相位一致性低的问题。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：
本发明提供了一种窄脉宽脉冲输出电路，包括第一开关管和供电电源，所述第一开关管的控制端用于连接控制信号，输出端接地；所述供电电源通过母线电容接地，还通过第一阻感负载连接第一开关管的输入端，第一开关管的输入端还通过串设的第一储能单元、第二阻感负载接地；所述第一储能单元和第二阻感负载的串接点用于输出窄脉宽脉冲。
本发明的有益效果：
本发明的窄脉宽脉冲输出电路，包括第一储能单元和第一开关管，第一储能单元为第一开关管提供功率脉冲输出提供能量，在第一开关管的控制端输入控制信号后，第一开关管导通，第二阻感负载产生的阻抗加速第一储能单元能量的释放，从而产生一个窄脉宽脉冲输出。本发明控制简单、可靠，可快速、高效关断开关管，提高了该电路输出与控制信号的一致性。
第二阻感负载的设置，一能有效的限制第一储能单元的充电电流以及供电电源的瞬间输出功率，二能在第一开关管导通期间使电感储能，使电感电流在第一开关管关断时，迅速转化为第一储能单元的充电电流，改变了第一储能单元的电流方向，加速第一储能单元的关断速度。
进一步的，为了进一步精确控制控制信号，第一开关管的控制端通过脉冲信号放大模块连接控制信号；所述脉冲信号放大模块包括第二开关管，所述第二开关管的控制端用于连接控制信号，输出端连接第一开关管的控制端，输入端连接供电电源。
通过控制第二开关管的开通与关断来控制第一开关管的开通与关断，使得对第一开关管的控制更加可靠。
进一步的，为了进一步精确控制控制信号，第一开关管的控制端通过脉冲信号放大模块连接控制信号；所述脉冲信号放大模块包括第二开关管，所述第二开关管的控制端用于连接控制信号，输出端连接第一开关管的控制端，输入端通过分压支路连接供电电源。
通过控制第二开关管的开通与关断来控制第一开关管的开通与关断，使得对第一开关管的控制更加可靠。
进一步的，为了加速第一开关管的关断，所述第二开关管的输入端还通过第二储能单元接地，输出端还通过第三阻感负载接地。
第三阻感负载串设在第二开关管的输出端和地之间，当控制信号为高时，第二开关管导通，第三阻感负载上电流升高，并迅速抬高第二开关管输出端的电压，增强第一开关管的驱动电流；当控制信号为低时，第二开关管关断，电感电流、第二储能单元、以及第二开关管输出电容谐振，迅速提高第二开关管控制端电压，降低输出端电压，加速第一开关管的关断，提高了该电路输出与控制信号相位的一致性。
进一步的，为了实现对第二储能单元的充电，所述分压支路包括串设的两个分压电阻，第二开关管的输入端连接两个分压电阻的串接点。
进一步的，为了提高电路输出与控制信号相位的一致性，还包括继流二极管，所述继流二极管并联在第二阻感负载的两端，且继流二极管的阴极接地。
继流二极管，既作为第一储能单元的充电导通回路，也给第二阻感负载提供继流路径，防止了输出脉冲电压反向振荡，减小了第一开关管关断时的关断电流，提高了该电路输出与控制信号相位的一致性。
进一步的，为了实现简单、可靠的储能，第一储能单元和第二储能单元均为电容。
进一步的，为了实现可靠控制，所述第一开关管和第二开关管均为MOSFET。
附图说明
图1是实施例1的窄脉宽脉冲输出电路原理图；
图2是实施例2的窄脉宽脉冲输出电路原理图；
图3是信号波形图。
具体实施方式
实施例1
该电路包括功率脉冲发生模块，功率脉冲发生模块中设置有储能单元和开关管，储能单元为功率脉冲发生模块提供脉冲输出的能量。
如图1所示，功率脉冲发生模块包括第一储能单元C1和主POWER MOSFET Q1(即第一开关管)。供电电源VCC通过串设的电阻R1、电感L1(R1、L1为第一阻感负载)连接主POWERMOSFET Q1的漏极，主POWER MOSFET Q1的栅极连接控制信号VIN+，同样也是该窄脉宽脉冲输出电路的控制信号V1，主POWER MOSFET Q1的源极接地。供电电源VCC还通过母线电容C3接地，为供电电源VCC进行稳压。
主POWER MOSFET Q1的漏极还通过串设的第一储能单元C1、电阻R2和电感L2(R2、L2为第二阻感负载)接地，电阻R2和电感L2两端连接有继流二极管D1，继流二极管D1的阴极接地。第一储能单元C1和电感L2的串接点用于输出窄脉宽脉冲VOUT。
其中，供电电源VCC可根据主POWER MOSFET Q1的关断能力及额定电压来设置合适的电压值。第一储能单元C1为功率脉冲发生模块的储能单元，采用ESR小、高频ESL小的膜电容，其容量可根据输出功率脉冲的电压、带载能力来选定。主POWER MOSFET Q1关断时，供电电源VCC通过电阻R1、电感L1、继流二极管D1对第一储能单元C1进行充电，当充电电流减小到0时，第一储能单元C1约等于供电电源VCC的电压。
现对图1的工作原理做进一步的详细说明。
当控制信号V1为低时，主POWER MOSFET Q1处于关断状态，电阻R2和电感L2的电压为0V。
当控制信号V1为高时，主POWER MOSFET Q1导通，第一储能单元C1通过主POWERMOSFET Q1对电感L2和电阻R2进行放电，输出电压VOUT为负，输出功率放大后的负向窄脉宽功率脉冲；继流二极管D1反向截止。同时，母线电容C3通过电阻R1、电感L1、主POWER MOSFETQ1对地放电，电感L1上的电流逐渐增大。
当控制信号V1变为低时，主POWER MOSFET Q1开始关断，降低主POWER MOSFET Q1的漏极电压，主POWER MOSFET Q1的栅极电压也迅速下降，此时，电感L1上的电感电流达到最大。电感L1通过继流二极管D1、母线电容C3、电阻R1给第一储能单元C1和主POWER MOSFETQ1的输出结电容进行充电，提高主POWER MOSFET Q1的漏极电压，加速主POWER MOSFET Q1的关断。主POWER MOSFET Q1关断后，电感L2上的残余电流通过继流二极管D1进行继流，输出电压VOUT被钳位到继流二极管D1的导通压降，限制输出脉冲电压的反向振荡，输出功率脉冲截止。供电电源VCC继续通过电阻R1、电感L1、继流二极管D1对第一储能单元C1进行充电。该电路再次恢复到稳态。
等待下一次控制信号V1为高，从而实现该电路的重复工作。
实施例2
该电路在实施例1的基础上增加了脉冲信号放大模块，也即包括脉冲信号放大模块和功率脉冲发生模块。脉冲信号放大模块和功率脉冲发生模块中均设置有储能单元和开关管，对应的储能单元分别为脉冲信号放大模块和功率脉冲发生模块提供脉冲输出的能量。脉冲信号放大模块通过控制脉冲信号放大模块中的开关管的开通与关断，释放脉冲信号放大模块中的储能单元的部分能量，放大控制脉冲信号的驱动功率；功率脉冲发生模块，通过脉冲信号放大模块的输出来控制功率脉冲发生模块中的开关管的开通与关断，迅速释放脉冲信号放大模块中的储能单元的能量，从而产生一个功率放大的窄脉宽脉冲输出。
如图2所示，脉冲信号放大模块包括第一储能单元C1和低压高速MOSFET Q2(即第二开关管)。供电电源VCC通过分压电阻R4、R5接地，分压电阻R4、R5的串接点连接低压高速MOSFET Q2的漏极。
低压高速MOSFET Q2的栅极、源极连接的信号VIN+、VIN-为脉冲信号放大模块的控制信号，同样也是该窄脉宽脉冲输出电路的控制信号V1，该电压可在3.3V～15V之间。
低压高速MOSFET Q2的漏极还通过第二储能单元C2接地，低压高速MOSFET Q2的源极连接功率脉冲发生模块的控制端，还通过电阻R3和电感L3(R3、L3即第三阻感负载)接地。电阻R3的设置电感L3的设置，既能有效的进行储能，又不会因为储能过多造成电压振荡。
其中，第二储能单元C2为脉冲信号放大模块的储能单元，选择高频性能好的膜电容；通过分压电阻R4、R5来确定第二储能单元C2的充电电压、充电电流，一般充电电压选择15V～25V。低压高速MOSFET Q2采用小封装、低结电容、较大通流能力的低耐压开关管，例如SI2304BDS、SI2374DS、VN3205等，该类开关管驱动电流小、导通关断快、通态电阻低，适合窄脉宽驱动控制。电阻R3的范围在10Ω～20Ω之间，从而既能限制电感L3的最大充电电流，还能抑制电感L3与第二储能单元C2在低压高速MOSFET Q2关断后造成的电压振荡；电感L3可选择2μH～10μH，使得电感L3既能有效的进行储能，又不会因为储能过多造成电压振荡。
功率脉冲发生模块包括第一储能单元C1和主POWER MOSFET Q1(即第一开关管)。供电电源VCC通过串设的电阻R1、电感L1(R1、L1为第一阻感负载)连接主POWER MOSFET Q1的漏极，主POWER MOSFET Q1的栅极连接低压高速MOSFET Q2的漏极，主POWER MOSFET Q1的源极接地。供电电源VCC还通过母线电容C3接地，为供电电源VCC进行稳压。
主POWER MOSFET Q1的漏极还通过串设的第一储能单元C1、电阻R2和电感L2(R2、L2为第二阻感负载)接地，电阻R2和电感L2两端连接有继流二极管D1，继流二极管D1的阴极接地。第一储能单元C1和电感L2的串接点用于输出窄脉宽脉冲VOUT。
其中，供电电源VCC可根据主POWER MOSFET Q1的关断能力及额定电压来设置合适的电压值。第一储能单元C1为功率脉冲发生模块的储能单元，采用ESR小、高频ESL小的膜电容，其容量可根据输出功率脉冲的电压、带载能力来选定。主POWER MOSFET Q1关断时，供电电源VCC通过电阻R1、电感L1、继流二极管D1对第一储能单元C1进行充电，当充电电流减小到0时，第一储能单元C1约等于供电电源VCC的电压。而且，第二储能单元C2一般可选择主POWER MOSFETQ1输入结电容的3～5倍。
现对图2的工作原理做进一步的详细说明。
当控制信号V1为低时，低压高速MOSFET Q2处于关断状态，电阻R3和电感L3的电压为0V。
当控制信号V1为高时，如图3的V1所示，低压高速MOSFET Q2导通，第二储能单元C2通过低压高速MOSFET Q2对主POWER MOSFET Q1的输入结电容充电，低压高速MOSFET Q2输入结电容电压波形如图3的V2所示；同时，电感L3和电阻R3上的电流也逐渐增大。当主POWERMOSFET Q1的输入结电容V2提高到主POWER MOSFET Q1的导通门限后，主POWER MOSFET Q1导通。第一储能单元C1通过主POWER MOSFET Q1对电感L2和电阻R2进行放电，输出电压VOUT为负，输出功率放大后的负向窄脉宽功率脉冲；继流二极管D1反向截止，波形图如图3的V2和V3所示。同时，母线电容C3通过电阻R1、电感L1、主POWER MOSFET Q1对地放电，电感L1上的电流逐渐增大。
当控制信号V1变为低时，低压高速MOSFET Q2开始关断，电感L3上的电流通过第二储能单元C2、电阻R3对低压高速MOSFET Q2的输出结电容进行充电，提高低压高速MOSFETQ2的漏极电压，加速低压高速MOSFET Q2的关断，并降低低压高速MOSFET Q2的源极电压，主POWER MOSFET Q1的栅极电压也迅速下降，主POWER MOSFET Q1也开始关断，此时，电感L1上的电感电流达到最大。电感L1通过继流二极管D1、母线电容C3、电阻R1给第一储能单元C1和主POWER MOSFET Q1的输出结电容进行充电，提高主POWER MOSFET Q1的漏极电压，加速主POWER MOSFET Q1的关断。主POWER MOSFET Q1关断后，电感L2上的残余电流通过继流二极管D1进行继流，输出电压VOUT被钳位到继流二极管D1的导通压降，限制输出脉冲电压的反向振荡，输出功率脉冲截止。供电电源VCC继续通过电阻R1、电感L1、继流二极管D1对第一储能单元C1进行充电；VCC还通过分压电阻R4、R5向第二储能单元C2进行充电。该电路再次恢复到稳态。
等待下一次控制信号V1为高，从而实现该电路的重复工作。
从上述过程中分析来看，脉冲信号放大模块中的低压高速MOSFET Q2的源极和地信号之间串联有一小阻抗的阻感负载(即第三阻感负载)。当控制信号为高时，低压高速MOSFET Q2导通，阻感负载上电流的升高，迅速抬高低压高速MOSFET Q2源极的电压，增强主POWER MOSFET Q1的驱动电流；当控制信号为低时，低压高速MOSFET Q2关断，电感电流、储能单元、以及低压高速MOSFET Q2输出电容谐振，迅速提高低压高速MOSFET Q2漏极电压，降低源极电压，加速主POWER MOSFET Q1的关断，提高了该电路输出与控制信号相位的一致性。
而且，第二阻感负载的设置，一能有效的限制第一储能单元C1的充电电流以及供电电源VCC的瞬间输出功率，二能在主POWER MOSFET Q1导通期间使电感储能，使电感电流在主POWER MOSFET Q1关断时，迅速转化为第一储能单元C1的充电电流，改变了第一储能单元C1的电流方向，加速主POWER MOSFET Q1的关断速度。
进而，在第二阻感负载两端连接的继流二极管D1，既作为第一储能单元C1的充电导通回路，也给第二阻感负载提供继流路径，防止了输出脉冲电压反向振荡，减小了主POWER MOSFET Q1关断时的关断电流，提高了该电路输出与控制信号相位的一致性。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (8)

1.一种窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，包括第一开关管和供电电源，所述第一开关管的控制端用于连接控制信号，输出端接地；
所述供电电源通过母线电容接地，还通过第一阻感负载连接第一开关管的输入端，第一开关管的输入端还通过串设的第一储能单元、第二阻感负载接地；
所述第一储能单元和第二阻感负载的串接点用于输出窄脉宽脉冲。
2.根据权利要求1所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，第一开关管的控制端通过脉冲信号放大模块连接控制信号；所述脉冲信号放大模块包括第二开关管，所述第二开关管的控制端用于连接控制信号，输出端连接第一开关管的控制端，输入端连接供电电源。
3.根据权利要求1所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，第一开关管的控制端通过脉冲信号放大模块连接控制信号；所述脉冲信号放大模块包括第二开关管，所述第二开关管的控制端用于连接控制信号，输出端连接第一开关管的控制端，输入端通过分压支路连接供电电源。
4.根据权利要求2或3所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，所述第二开关管的输入端还通过第二储能单元接地，输出端还通过第三阻感负载接地。
5.根据权利要求3所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，所述分压支路包括串设的两个分压电阻，第二开关管的输入端连接两个分压电阻的串接点。
6.根据权利要求1所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，还包括继流二极管，所述继流二极管并联在第二阻感负载的两端，且继流二极管的阴极接地。
7.根据权利要求4所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，第一储能单元和第二储能单元均为电容。
8.根据权利要求2或3所述的窄脉宽脉冲输出电路，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为MOSFET。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112731342A (zh) * 2020-12-17 2021-04-30 武汉万集信息技术有限公司 用于多线激光雷达的驱动电路及激光发射模组

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855669A (ja) * 1994-08-17 1996-02-27 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd パルス・コロナ放電回路
JP2003133619A (ja) * 2001-10-25 2003-05-09 Meidensha Corp ピーキングコンデンサの電圧クランプ方法、およびパルス電源装置
US20060076338A1 (en) * 2003-07-02 2006-04-13 Valery Kagan Method and apparatus for providing harmonic inductive power
CN2788451Y (zh) * 2004-09-22 2006-06-14 中国电子科技集团公司第五十研究所 窄脉冲功率信号源
JP2010051105A (ja) * 2008-08-22 2010-03-04 Honda Motor Co Ltd ゲート駆動回路
US20100283515A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Semisouth Laboratories, Inc. Gate driver for enhancement-mode and depletion-mode wide bandgap semiconductor jfets
CN103474873A (zh) * 2013-09-06 2013-12-25 中国科学院半导体研究所 一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路
CN106405508A (zh) * 2016-09-26 2017-02-15 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种超窄脉冲产生装置复合馈电装置及方法
CN206041199U (zh) * 2016-09-13 2017-03-22 武汉万集信息技术有限公司 一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路
CN206116865U (zh) * 2016-10-31 2017-04-19 深圳市镭神智能系统有限公司 一种激光二极管驱动电路

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855669A (ja) * 1994-08-17 1996-02-27 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd パルス・コロナ放電回路
JP2003133619A (ja) * 2001-10-25 2003-05-09 Meidensha Corp ピーキングコンデンサの電圧クランプ方法、およびパルス電源装置
US20060076338A1 (en) * 2003-07-02 2006-04-13 Valery Kagan Method and apparatus for providing harmonic inductive power
CN2788451Y (zh) * 2004-09-22 2006-06-14 中国电子科技集团公司第五十研究所 窄脉冲功率信号源
JP2010051105A (ja) * 2008-08-22 2010-03-04 Honda Motor Co Ltd ゲート駆動回路
US20100283515A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Semisouth Laboratories, Inc. Gate driver for enhancement-mode and depletion-mode wide bandgap semiconductor jfets
CN103474873A (zh) * 2013-09-06 2013-12-25 中国科学院半导体研究所 一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路
CN206041199U (zh) * 2016-09-13 2017-03-22 武汉万集信息技术有限公司 一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路
CN106405508A (zh) * 2016-09-26 2017-02-15 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种超窄脉冲产生装置复合馈电装置及方法
CN206116865U (zh) * 2016-10-31 2017-04-19 深圳市镭神智能系统有限公司 一种激光二极管驱动电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
辛德胜，等: ""大功率窄脉冲半导体激光光源等效电路参数研究"", 《兵工学报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112731342A (zh) * 2020-12-17 2021-04-30 武汉万集信息技术有限公司 用于多线激光雷达的驱动电路及激光发射模组

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