CN109119441A - 柔性显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种柔性显示装置及其制备方法，所述柔性显示装置柔性背板、有机发光二极管、下偏光片、TFT阵列及上偏光片，所述有机发光二极管、下偏光片、TFT阵列及上偏光片沿着依次远离所述柔性背板的方向叠层设置于所述柔性背板上。本发明提出的柔性显示装置将有机发光二极管与下偏光片内置于柔性背板与TFT阵列之间，从而避免在柔性显示装置弯曲或折叠时出现机发光二极管、下偏光片与TFT阵列剥离、偏移而造成漏光、色偏的情况。

Description

柔性显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及柔性显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示装置及其制备方法。

背景技术

柔性显示器是继阴极射线管显示器(Cathode Ray Tube，CRT)和平板显示器(FlatPanel Display，FPD)之后的下一代电子显示技术，是显示技术史上的又一次革命。柔性显示器具有外形薄、重量轻、系统稳定、可弯曲且携带方便等优点，可以集成到纺织品上经久耐磨，可以自由设计，因此，在显示领域得到广泛关注。

然而，现有的柔性显示器在弯曲或折叠时容易出现背光源与柔性面板剥离、偏移的情况，从而出现显示漏光、色偏等异常，因而解决柔性显示器在弯曲或折叠时出现的问题显得非常重要。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种柔性显示装置及其制备方法，能够避免在弯曲或折叠时出现背光模组与显示面板剥离、偏移的情况。

本发明提出的具体技术方案为：提供一种柔性显示装置，所述柔性显示装置柔性背板、有机发光二极管、下偏光片、TFT阵列及上偏光片，所述有机发光二极管、下偏光片、TFT阵列及上偏光片沿着依次远离所述柔性背板的方向叠层设置于所述柔性背板上。

进一步地，所述有机发光二极管包括第一电极、发光层、第二电极及第一缓冲层，所述第一电极、发光层、第二电极及第一缓冲层沿着依次远离所述柔性背板的方向叠层设置于所述柔性背板上，所述下偏光片设于所述第一缓冲层上。

进一步地，所述TFT阵列包括阵列设置的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括第二缓冲层、栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，所述第二缓冲层设于所述下偏光片上。

进一步地，所述有机发光二极管为白光OLED，所述柔性显示装置还包括CF基板，所述CF基板位于所述TFT阵列与所述上偏光片之间。

进一步地，所述柔性显示装置还包括液晶层，所述液晶层位于所述TFT阵列与所述CF基板之间。

本发明还提供了一种柔性显示装置的制备方法，所述制备方法包括步骤：

提供一柔性背板；

在所述柔性背板上依次形成有机发光二极管和下偏光片；

在所述下偏光片背离所述有机发光二极管的一面制备TFT阵列；

在所述TFT阵列上贴附上偏光片，获得所述柔性显示装置。

进一步地，在所述柔性背板上依次形成有机发光二极管具体包括：

在所述柔性背板上依次沉积第一电极、发光层、第二电极、第一缓冲层，获得所述有机发光二极管。

进一步地，在所述下偏光片背离所述有机发光二极管的一面制备TFT阵列步骤具体包括：

在所述下偏光片背离所述有机发光二极管的一面沉积第二缓冲层；

在所述第二缓冲层的表面图案化形成栅极；

在所述第二缓冲层、栅极表面沉积栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的表面图案化形成有源层；

在所述栅绝缘层、有源层的表面图案化形成源极、漏极；

在所述有源层、源极、漏极的表面沉积钝化层。

进一步地，在所述TFT阵列上贴附上偏光片之前，所述制备方法还包括：

在所述TFT阵列上制备CF基板。

进一步地，在所述TFT阵列上制备CF基板之后，所述制备方法还包括：

在所述CF基板与所述TFT阵列之间填充液晶。

本发明提出的柔性显示装置包括有机发光二极管、沿着依次远离所述柔性背板的方向叠层设置于所述柔性背板上的下偏光片、TFT阵列及上偏光片，将有机发光二极管与下偏光片内置于柔性背板与TFT阵列之间，从而避免在柔性显示装置弯曲或折叠时出现有机发光二极管、下偏光片与TFT阵列剥离、偏移而造成漏光、色偏的情况。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为实施例1中柔性显示装置的结构示意图；

图2a～2i为实施例1中柔性显示装置的制备方法流程图；

图3为实施例2中柔性显示装置的结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。

实施例1

参照图1，本实施例中的柔性显示装置包括有机发光二极管1、显示面板2及柔性背板3，显示面板2包括下偏光片21、TFT阵列22及上偏光片23，有机发光二极管1、下偏光片21、TFT阵列22及上偏光片23沿着依次远离柔性背板3的方向叠层设置于柔性背板3上。本实施例中的柔性显示装置为OLED显示器，有机发光二极管1作为OLED显示器的自发光层，下面具体对柔性显示装置的结构进行描述。

有机发光二极管1、下偏光片21位于柔性背板3与TFT阵列22之间，通过将有机发光二极管1与下偏光片21内置于柔性背板3与TFT阵列22之间，实现有机发光二极管1与显示面板2一体设计，从而在柔性显示装置弯曲或折叠时避免出现有机发光二极管1与显示面板2剥离、偏移而造成漏光、色偏的问题。

有机发光二极管1包括第一电极12、发光层13、第二电极14及第一缓冲层15，第一电极12、发光层13、第二电极14及第一缓冲层15沿着依次远离柔性背板3的方向叠层设置于柔性背板3与下偏光片21之间，即第一电极12、发光层13、第二电极14、第一缓冲层15及下偏光片21内置于柔性背板3与TFT阵列22之间。

具体地，发光层13包括空穴传输层、空穴注入层、有机半导体层、电子注入层、电子传输层，空穴传输层、空穴注入层、有机半导体层、电子注入层、电子传输层沿着依次远离第一电极12的方向叠层设置于第一电极12与第二电极14之间，其中，第一电极12为有机发光二极管1的阳极，第二电极14为有机发光二极管1的阴极。当然，第一电极12也可以为有机发光二极管1的阴极，第二电极14为有机发光二极管1的阳极，此时，空穴传输层、空穴注入层、有机半导体层、电子注入层、电子传输层沿着依次远离第二电极14的方向叠层设置于第二电极14与第一电极12之间。

本实施例中的TFT阵列22直接设置于下偏光片21上，其包括阵列设置的多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括第二缓冲层100、栅极101、栅绝缘层102、有源层103、源极104、漏极105、钝化层106，第二缓冲层100设于下偏光片21上。下偏光片21即为薄膜晶体管的衬底，其中，薄膜晶体管的结构为底栅结构，栅极101、栅绝缘层102设于第二缓冲层100上，栅绝缘层102覆盖栅极101，有源层103设于栅绝缘层102上并与栅极101对应设置，源极104、漏极105位于有源层103的两端并分别与有源层103连接，源极104位于有源层103的一端并覆盖有源层103的边缘，漏极105位于有源层103的另一端并覆盖有源层103的边缘，钝化层106设于源极104、漏极105上并覆盖源极104、漏极105，钝化层106起到保护源极104、漏极105的作用。

薄膜晶体管还包括像素电极107，像素电极107设于钝化层106上并通过过孔与漏极105连接，其中，像素电极层107的材质为ITO。

本实施例中的有机发光二极管1可以发出红光、绿光或蓝光，也可以是蓝光OLED，通过设置色变换层来将蓝光转换为红光、绿光，也可以是白光OLED，通过设置CF基板来将白光转换为红、绿、蓝三种颜色的光。具体地，当有机发光二极管1为白光OLED时，柔性显示装置还包括CF基板4，CF基板4位于TFT阵列22与上偏光片23之间，白光OLED发出的光线经过CF基板4后形成彩色。CF基板4包括彩色滤膜41和柔性基板42，彩色滤膜41设置于柔性基板42朝向液晶层24的一面，上偏光片23贴附于柔性基板42的表面。柔性背板3作为TFT阵列22的基板，柔性基板42作为彩色滤膜41的基板。

为了能够让TFT阵列22更好的与CF基板4贴附，TFT阵列22还包括平坦层108，平坦层108覆盖于TFT阵列22的表面，其朝向CF基板4的一面为平面，CF基板4贴附于平坦层108的表面。

本实施例中的柔性背板3包括柔性层31、第三缓冲层32。第三缓冲层32位于柔性层31与第一电极12之间。柔性层31的材质为聚酰亚胺(Polyimide，PI)。在柔性层31与第一电极12之间设置第三缓冲层32可以进一步减少柔性显示装置在弯曲或折叠过程中产生的应力，避免柔性层31与第一电极12剥离。

参照图2a～2i所示，本实施例还提供了上述柔性显示装置的制备方法，所述制备方法包括步骤：

S1、提供一柔性背板；

S2、在柔性背板上依次形成有机发光二极管1和下偏光片21，如图2d所示；

S3、在下偏光片21背离有机发光二极管1的一面制备TFT阵列22；

S4、在TFT阵列22上贴附上偏光片23，获得柔性显示装置，如图2i所示。

具体地，在步骤S1中，柔性背板通过以下步骤获得：

S11、提供一第一玻璃基板10，如图2a所示；

S12、在第一玻璃10基板涂覆柔性材料形成柔性背板3，柔性背板3包括柔性层31、第三缓冲层32，先在第一玻璃基板10的表面涂覆柔性材料并加热固化形成柔性层31，然后在柔性层31的表面沉积第三缓冲层32，柔性层31的材质为聚酰亚胺(Polyimide，PI)，如图2b所示。

步骤S2具体包括：

在柔性背板3上依次沉积第一电极12、发光层13、第二电极14、第一缓冲层15、下偏光片21，在第一玻璃基板10的表面制备获得有机发光二极管1，如图2c所示，其中，发光层13包括空穴传输层、空穴注入层、有机半导体层、电子注入层、电子传输层，沉积发光层13包括在第一电极12上依次沉积空穴传输层、空穴注入层、有机半导体层、电子注入层、电子传输层，获得发光层13，第三缓冲层32位于柔性层31与第一电极12之间，然后，在第一缓冲层15的表面贴附下偏光片21，如图2d所示。

具体地，步骤S3具体包括：

S31、在下偏光片21背离有机发光二极管1的一面沉积第二缓冲层100，即在下偏光片21背离第一缓冲层15的一面沉积第二缓冲层100；

S32、在第二缓冲层100的表面图案化形成栅极101，其中，图案化包括光刻工艺；

S33、在第二缓冲层100、栅极101表面沉积栅绝缘层102；

S34、在栅绝缘层102的表面图案化形成有源层103，其中，图案化包括光刻工艺；

S35、在栅绝缘层102、有源层103的表面图案化形成源极104、漏极105，其中，图案化包括光刻工艺；

S36、在有源层103、源极104、漏极105的表面沉积钝化层106，如图2e所示；

S37、在钝化层106上制备像素电极107，像素电极107通过过孔与漏极105连接，如图2f所示；

S38、在钝化层106、像素电极107上形成平坦层108，如图2g所示。

本实施例中的有机发光二极管1为白光OLED，因此，在步骤S4之前，所述制备方法还包括：

S40、在TFT阵列22上制备CF基板4，如图2h所示；

其中，制备CF基板4具体包括：

S401、提供一第二玻璃基板；

S402、在第二玻璃基板的表面涂覆柔性材料形成柔性基板42；

S403、在柔性基板42的表面贴附彩色滤膜41，以在第二玻璃基板表面形成CF基板4；

S404、将第二玻璃基板上的CF基板4转印至TFT阵列22上；

S405、剥离第二玻璃基板。

在步骤S4之后，本实施例中的制备方法还包括：

S5、剥离第一玻璃基板10，将第一玻璃基板10剥离后，获得以柔性背板3为基板的柔性显示装置，如图2i所示。

实施例2

参照图3，本实施例中有机发光二极管的结构与实施例1中有机发光二极管的结构相同，本实施例与实施例1不同之处在于柔性显示装置为LCD，其中，有机发光二极管作为LCD的背光源。显示面板2包括下偏光片21、TFT阵列22、上偏光片23及液晶层24。液晶层24设于TFT阵列22与CF基板4之间。

本实施例还提供了上述柔性显示装置的制备方法，所述制备方法与实施例1不同之处在于，在制备CF基板4之后，将CF基板4与TFT阵列22对盒设置；在CF基板4与TFT阵列22之间填充液晶，形成液晶层24。

以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种柔性显示装置，其特征在于，包括柔性背板、有机发光二极管、下偏光片、TFT阵列及上偏光片，所述有机发光二极管、下偏光片、TFT阵列及上偏光片沿着依次远离所述柔性背板的方向叠层设置于所述柔性背板上。

2.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管包括第一电极、发光层、第二电极及第一缓冲层，所述第一电极、发光层、第二电极及第一缓冲层沿着依次远离所述柔性背板的方向叠层设置于所述柔性背板上，所述下偏光片设于所述第一缓冲层上。

3.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述TFT阵列包括阵列设置的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括第二缓冲层、栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，所述第二缓冲层设于所述下偏光片上。

4.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管为白光OLED，所述柔性显示装置还包括CF基板，所述CF基板位于所述TFT阵列与所述上偏光片之间。

5.根据权利要求4所述的柔性显示装置，其特征在于，所述柔性显示装置还包括液晶层，所述液晶层位于所述TFT阵列与所述CF基板之间。

6.一种柔性显示装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

提供一柔性背板；

在所述柔性背板上依次形成有机发光二极管和下偏光片；

在所述下偏光片背离所述有机发光二极管的一面制备TFT阵列；

在所述TFT阵列上贴附上偏光片，获得所述柔性显示装置。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述柔性背板上依次形成有机发光二极管具体包括：

在所述柔性背板上依次沉积第一电极、发光层、第二电极、第一缓冲层，获得所述有机发光二极管。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述下偏光片背离所述有机发光二极管的一面制备TFT阵列步骤具体包括：

在所述下偏光片背离所述有机发光二极管的一面沉积第二缓冲层；

在所述第二缓冲层的表面图案化形成栅极；

在所述第二缓冲层、栅极表面沉积栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的表面图案化形成有源层；

在所述栅绝缘层、有源层的表面图案化形成源极、漏极；

在所述有源层、源极、漏极的表面沉积钝化层。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述TFT阵列上贴附上偏光片之前，所述制备方法还包括：

在所述TFT阵列上制备CF基板。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述TFT阵列上制备CF基板之后，所述制备方法还包括：

在所述CF基板与所述TFT阵列之间填充液晶。