CN109119233B - 线圈组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了线圈组件及其制造方法。所述线圈组件可以包括主体，所述主体具有：支撑构件，包括通孔；线圈，设置在所述支撑构件的上表面和下表面中的至少一个表面上；以及磁性材料，包封所述线圈和所述支撑构件并且填充所述通孔。所述线圈包括线圈图案。所述线圈组件还包括连接到所述线圈的外电极。所述支撑构件的所述上表面和所述下表面中的至少一个表面包括凹槽，所述凹槽具有与所述线圈图案的形状相对应的形状，并且所述线圈图案的至少一部分嵌入所述凹槽中。

Description

线圈组件及其制造方法
本申请要求于2017年6月23日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0079837号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件及其制造方法，更具体地，涉及一种薄膜型功率电感器及其制造方法。
背景技术
目前，随着智能手机和可穿戴装置的小型化和薄化趋势，诸如功率电感器的片的尺寸已经减小，并且使用磁性金属材料的复合材料已经被用在功率电感器中以获得高效率。
由于片尺寸的限制，已经进行了努力以实现具有诸如高电感和低直流电阻(Rdc)的特性的小型化的功率电感器。例如，通过将延伸到常规的片的上表面的C形外电极改变为不延伸到常规的片的上表面的L形外电极，对于相同的片尺寸，可以增加磁性材料的含量。然而，尽管进行了这样的努力，但仍未解决由于难以确保异质材料之间的粘结性而导致的分层或因磁性材料的含量增加而引起的问题。
发明内容
本公开的一方面可以提供一种线圈组件和制造该线圈组件的方法，所述线圈组件可以在使片尺寸小型化的同时通过增加线圈的高宽比(AR)来提供高容量。
线圈组件可以包括主体，主体具有：支撑构件，包括通孔；线圈，设置在所述支撑构件的上表面和下表面中的至少一个表面上；以及磁性材料，包封所述线圈和所述支撑构件并且填充所述通孔。所述线圈包括线圈图案。所述线圈组件还包括连接到所述线圈的外电极。所述支撑构件的所述上表面和所述下表面中的至少一个表面包括凹槽，所述凹槽具有与所述线圈图案的形状相对应的形状，并且所述线圈图案的至少一部分嵌入所述凹槽中。
根据本公开的另一方面，一种用于制造线圈组件的方法可以包括：在支撑构件中形成通路孔；在所述支撑构件的上表面和下表面中的至少一个表面中形成凹槽；在所述通路孔的侧表面以及所述支撑构件的所述上表面和所述下表面上形成基础导电层；以及在所述上表面和所述下表面的未形成所述凹槽的部分上形成绝缘图案。所述方法还可以包括：在所述绝缘图案之间的空间中形成线圈图案层，所述线圈图案层填充所述凹槽；去除所述绝缘图案；以及去除所述基础导电层的通过去除所述绝缘图案而暴露的部分。所述方法还可以包括：通过将所述线圈图案层和所述支撑构件包封在磁性材料中来形成主体；以及在所述主体的外表面上形成外电极，所述外电极电连接到所述线圈图案层。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征以及优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是根据实施例的线圈组件的示意性透视图；
图2是沿图1的I-I'线截取的示意性截面图；
图3是图2的区域A的示意性放大图；
图4是图2的修改的示意性截面图；
图5是根据另一实施例的图1中示出的线圈组件的沿I-I'线截取的示意性截面图；
图6是根据又一实施例的图1中示出的线圈组件的沿I-I'线截取的示意性截面图；
图7是根据另外的实施例的图1中示出的线圈组件的沿I-I'线截取的示意性截面图；以及
图8A至图8K示意性地示出了根据实施例的在使用制造线圈组件的方法制造线圈组件期间线圈组件在各个步骤的截面。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。在附图中，为了清楚起见，可夸大或缩小组件的形状、尺寸等。
然而，可以以许多不同的形式说明本公开，并且本公开不应被解释为局限于这里阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将把公开的范围充分传达给本领域技术人员。
在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶片(基板)的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可以存在置于其间的其它元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可以不存在置于其间的其它元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项中的任意组合和全部组合。
将明显的是，虽然可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，可以在这里使用诸如“在……上方”、“上部”、“在……下方”以及“下部”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件相对于其它元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则相对于其它元件被描述为“上方”或“上部”的元件将随后被定位为相对于其它元件的“下方”或“下部”。因此，术语“在……上方”可根据附图的具体方向方位包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其它方位)，并且可以相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语仅描述具体实施例，并且本公开不由此限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或其变形时，说明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。
在下文中，将参照示出了本公开的实施例的示意图来描述本公开的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可以估计示出的形状的修改。因此，本公开的实施例不应被解释为局限于这里示出的区域的具体形状，而是例如将包括因制造导致的形状的改变。下面的实施例也可以被单独地构成，或者作为它们中的几个或全部的组合构成。
下面描述的本公开的内容可以具有各种构造，并仅在这里提出了需要的构造，但是本公开不限于此。
在下文中，描述根据实施例的线圈组件及其制造方法。然而，本公开不限于此。
线圈组件
图1是根据实施例的线圈组件100的示意性透视图。参照图1，线圈组件100包括主体1以及设置在主体1的外表面上的第一外电极21和第二外电极22。
主体1形成线圈组件100的整体外型，主体1具有在厚度方向T上彼此相对的上表面和下表面、在长度方向L上彼此相对的第一端表面和第二端表面以及在宽度方向W上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。主体1的各个表面形成了基本六面体形状。然而，本公开不限于此。
主体1还包括具有磁性性质的磁性材料11。例如，磁性材料11可以通过将铁氧体或磁性金属颗粒混合到树脂中来形成。在实施例中，磁性金属颗粒可以包括从铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、铝(Al)、镍(Ni)和它们的任意组合中选择的至少一种。
设置在主体1的外表面的至少一部分上的第一外电极21和第二外电极22在图2中被示出为呈“C”形。然而，第一外电极21和第二外电极22的详细形状不受限制。例如，如果需要，第一外电极21和第二外电极22可以由于呈“L”形而不延伸到主体1的上表面，第一外电极21和第二外电极22还可以设置为仅设置在主体1的下表面上的下电极。第一外电极21和第二外电极22不必具有相同的形状。例如，在实施例中，第一外电极21是C形的，而第二外电极22是L形的。
第一外电极21和第二外电极22电连接到包括在主体1中的线圈13，并且因此包括例如具有改善的导电性的材料。第一外电极21和第二外电极22可以利用例如镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)或它们的合金形成，并且还可以形成为多层结构。在一些情况下，第一外电极21和第二外电极22中的每个可以通过在其最内部中形成镀有铜(Cu)的布线然后在布线上设置多个镀层来形成。然而，第一外电极21和第二外电极22的材料和形成方法不限于此。
当从主体1的内部观看时，主体1包括包封在磁性材料11中的线圈13和支撑线圈13的支撑构件12。线圈13包括多个线圈图案。在实施例中，线圈13包括设置在支撑构件12的上表面上的上线圈131和设置在支撑构件12的下表面上的下线圈132。在实施例中，上线圈131和下线圈132通过过孔(未示出)彼此电连接。
线圈13被示出为具有整体螺旋形状，并且可以利用具有改善的导电性的金属材料形成，例如，铜(Cu)。
在实施例中，支撑线圈13的支撑构件12具有设置在支撑构件12的中部中的通孔H。通孔H填充有磁性材料11以形成中部的磁芯。支撑构件12的通孔H可以增加线圈组件100的磁导率。
支撑构件12的材料不受具体的限制，并且可以由本领域普通技术人员根据设计细节或期望的性能来进行适当的选择。例如，作为通用的覆铜层叠板(CCL)的中央芯部，可以选择包括玻璃纤维的材料或诸如半固化片(prepreg)、仅利用树脂形成的复合膜(build-upfilm)、光可成像介电质(PID)等的材料。
图2是沿图1的I-I'线截取的示意性截面图，图3是图2的区域A的示意性放大图。参照图2和图3更详细地描述线圈组件100的支撑构件12和线圈13。
参照图2和图3，第一凹槽121和第二凹槽122分别形成在支撑构件12的上表面12a和下表面12b中。第一凹槽121和第二凹槽122中的每个具有与线圈13的整体形状对应的形状。线圈13的整体形状可以是螺旋形的。因此，当从线圈组件100上方或下方观看第一凹槽121和第二凹槽122时，第一凹槽121和第二凹槽122中的每个具有大体上螺旋形形状。
第一凹槽121的深度D1可以与第二凹槽122的深度D2基本相同。第一凹槽121和第二凹槽122的深度D1和D2可以由本领域普通技术人员根据设计细节和需求来进行适当的改变。例如，当第一凹槽121形成为具有线圈13的螺旋形形状时，深度D1可以在第一凹槽121的各个点处改变，并且，当第二凹槽122形成为具有线圈13的螺旋形形状时，深度D2也可以在第二凹槽122的各个点处保持不变，相反，第一凹槽121的深度D1可以在第一凹槽121的各个点处保持不变，并且第二凹槽122的深度D2可以在第二凹槽122的各个点处改变。在同一点处的第一凹槽121的深度D1和第二凹槽122的深度D2的总和小于支撑构件12的厚度即可。
第一凹槽121和第二凹槽122中的每个的截面被示出为具有上部的宽度和下部的宽度彼此相同的矩形形状。然而，截面可以由本领域普通技术人员根据设计细节和需求来进行适当的改变。例如，第一凹槽121和第二凹槽122中的每个可以具有宽度在朝向支撑构件12的内部的方向上变窄的锥形形状，并且也可以具有梯形形状。在各种实施例中，第一凹槽121和第二凹槽122不必具有相同的形状。
支撑构件12的第一凹槽121和第二凹槽122填充有线圈图案。为了描述的方便和简洁，仅描述了线圈图案之中的填充第一凹槽121的至少一部分的上线圈131的多个线圈图案131a、131b……。对以上示例的描述也可适用于下线圈132的多个线圈图案。
第一线圈图案131a的至少下部嵌入第一凹槽121中。第一线圈图案131a的下部嵌入到第一凹槽121中的深度可以通过第一凹槽121的深度D1来确定。随着缠绕第一线圈图案131a，第一凹槽121的深度D1可以改变。因此，第一线圈图案131a的下部嵌入第一凹槽121中的深度也可以改变。第一线圈图案131a的下部可以向支撑构件12内嵌入，因此线圈13的整体高宽比(AR)可以显著地增加。结果，线圈组件100的电气特性(诸如直流电阻(Rdc)等)可以改善。
为了便于引用，线圈图案的嵌入第一凹槽121中的部分被称作线圈图案的下部部分。同样地，线圈图案的未嵌入第一凹槽121中的部分(即，线圈图案的暴露部分)被称作线圈图案的上部部分。线圈图案的下部部分的截面面积可以与线圈图案的上部部分的截面面积相同。就这一点而言，每个线圈图案的截面的形状可以均匀的。因此，可以提供具有高AR的更稳定的线圈。
参照图3，第一线圈图案131a包括接触第一凹槽121的第一部分的侧表面和下表面的基础导电层1311a以及设置在基础导电层1311a上的线圈图案层1312a。相似地，第二线圈图案131b包括接触第一凹槽121的第二部分的侧表面和下表面的基础导电层1311b以及设置在基础导电层1311b上的线圈图案层1312b。
基础导电层1311a和1311b以及设置在其上的线圈图案层1312a和1312b可以利用彼此相同的或不同的材料形成。例如，在一些实施例中，线圈图案层1312a和1312b是包括Cu作为主要成分的镀铜(Cu)层，但基础导电层1311a和1311b包括具有Ni作为主要成分的镀镍(Ni)层或Ni溅射层。在其它实施例中，线圈图案层1312a和1312b以及基础导电层1311a和1311b均包含Cu作为主要成分，但其成分含量可以不同。
图4示出了具有在图2中示出的线圈组件100中形成的附加绝缘膜14的线圈组件200。为了便于描述，图2中使用的附图标记可以应用于图4。
虽然未在图2的线圈组件100中具体示出，但是还可以在图2的线圈组件100中在线圈13与包封线圈13的磁性材料11之间设置用于绝缘的构造。如图4中所示，用于绝缘的构造可以是均匀地设置在线圈图案的上表面上的绝缘膜14。绝缘膜14可以是朝向线圈图案的上表面内部形成的氧化层，或者可以是填充线圈图案之间的空间的绝缘片。然而，用于绝缘的构造不受具体的限制。
参照图4，绝缘膜14形成为具有线圈图案的形状，以具有均匀的厚度，并且可以是例如聚对二甲苯涂层。聚对二甲苯涂层可以被设置为利用化学气相沉积(CVD)工艺形成为具有线圈图案的上表面的形状的连续的、均匀的绝缘膜，因此特别适用于紧凑的线圈组件。因为基础导电层的全部外表面要么与支撑构件12接触，要么与线圈图案层接触，因此绝缘膜14可以设置在线圈图案的每个线圈图案层的侧表面和上表面上，而不设置在嵌入支撑构件12中的基础导电层上。
图5至图7示出了对包括在图2的线圈组件100中的第一凹槽121和第二凹槽122的布置进行的修改。为了便于描述，与图2中的构造重复的构造的附图标记可以用于图5至图7，并且省略重复的描述。
参照图5，形成在支撑构件12的上表面12a中的第一凹槽321的深度D3大于形成在支撑构件12的下表面12b中的第二凹槽322的深度D4。虽然未示出，但在实施例中，支撑构件12可以具有仅形成在其上表面12a中的凹槽，而没有形成在其下表面12b中的凹槽(即，深度D4≒0)。
图5的线圈组件300可以通过区分上线圈131和下线圈132的AR而呈现对于所需电气特性值显著增加的自由度。
参照图6，在线圈组件400中，设置在支撑构件12的上表面12a上的第一凹槽421的深度可以随着缠绕线圈13而改变，设置在支撑构件12的下表面12b上的第二凹槽422的深度也可以随着缠绕线圈13而改变。
第一凹槽421的深度可以在朝向线圈图案的内部方向(即，从主体1的外围到主体1的中心)上减小。相反地，第二凹槽422的深度可以在朝向线圈图案的内部方向上增大。深度上的改变可以由本领域普通技术人员根据设计细节来进行适当的修改。在支撑构件12的总厚度受限制的实施例中，随着第一凹槽421的深度增加，调整第二凹槽422的深度使其减小可以是有利的。
虽然未示出，但与图6的线圈组件400相似，也可以将第一凹槽421的深度调整为在朝向线圈图案的内部的方向上增大并且将第二凹槽422的深度调整为在朝向线圈图案的内部的方向上减小。
参照图7，线圈组件500的第一凹槽521和第二凹槽522中的每个的截面可以具有其宽度在朝向支撑构件12的内部的方向上变窄的锥形形状。
用于修改第一凹槽521和第二凹槽522中的每个的截面的形状的方法不受限制，并且该形状可以由本领域普通技术人员通过例如在激光加工工艺期间在蚀刻支撑构件时控制激光束的强度来进行修改。第一凹槽521和第二凹槽522中的每个可以具有在朝向支撑构件12的内部的方向上变窄的宽度。因此，当蚀刻支撑构件12时，可以减少照射激光束的次数，即使当支撑构件12的总厚度相对减小时，形成凹槽形状的自由度也可以增加。
用于制造线圈组件的方法
图8A至图8K是根据实施例的线圈组件在制造线圈组件的方法的各个阶段中的示意性截面图。为了便于描述，相同的附图标记可以用于与以上在图1和图2中描述的组件重复的组件。
图8A示出了支撑构件12。可以设置支撑构件12，以形成具有进一步减小的厚度的线圈13并且更容易地形成线圈13，并且支撑构件12可以是利用绝缘树脂形成的绝缘基板。绝缘树脂可以包括诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂或者诸如半固化片、ABF(Ajinomoto build-up Film)、FR-4树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂或PID树脂的浸渍有诸如玻璃纤维或无机填料的增强物的树脂。当支撑构件12包括玻璃纤维时，可以进一步改善支撑构件12的硬度。
图8B示出了利用例如UV激光形成的在支撑构件12中的通路孔V。通路孔V可以被设置为使随后将形成的上线圈131和下线圈132电连接。在实施例中，形成多个通路孔。通路孔V的直径和数目可以由本领域普通技术人员根据期望的器件规格来进行适当的选择。
图8C示出了位于支撑构件12的上表面12a中的第一凹槽121和和位于支撑构件12的下表面12b中的第二凹槽122。在实施例中，第一凹槽121和第二凹槽122分别形成在支撑构件12的两个不同的表面中，但是，本公开不限于此。第一凹槽121和第二凹槽122还可仅形成在支撑构件12的上表面12a中，且第一凹槽121和第二凹槽122中的每个的截面的形状、深度等也可以由本领域普通技术人员根据设计细节和需求来进行适当的修改。用于形成第一凹槽121和第二凹槽122的详细的方法可以由本领域普通技术人员根据支撑构件12的特性来进行适当的选择，但不受具体的限制。第一凹槽121和第二凹槽122可以形成在支撑构件12的上表面12a和下表面12b中，使得第一凹槽121和第二凹槽122中的每个的形状可以与线圈13的整体形状相对应。当形成第一凹槽121和第二凹槽122时，可以确定线圈13具有螺旋形形状还是具有重复多个四边形的形状。
图8D示出了在通路孔V的侧表面、第一凹槽121和第二凹槽122中的每个的侧表面和下表面以及支撑构件12的上表面12a和下表面12b上的连续的基础导电层1311a和1311b。基础导电层1311a和1311b可以基本是种子图案，并且可以是在基础导电层1311a和1311b上形成增加线圈13的AR的线圈图案时形成线圈图案的基础的图案。用于形成基础导电层1311a和1311b的方法不限于此。例如，可以使用溅射方法、电镀方法等。
图8E示出了位于支撑构件12的上表面12a和下表面12b上的绝缘图案R。用于形成绝缘图案R的详细方法不受限制。例如，方法可以包括在支撑构件12的上表面12a和下表面12b上堆叠多个绝缘片并且然后去除绝缘片的堆叠在支撑构件12的形成第一凹槽121和第二凹槽122的部分上的部分。结果，可以将绝缘图案R形成为与利用第一凹槽121和第二凹槽122形成的线圈13的整体形状基本相对应。
绝缘图案R的材料可以是例如具有改善的绝缘性能和加工性能的树脂。绝缘图案R可以是通过将光致抗蚀剂曝光于光并使曝光的光致抗蚀剂进行显影而形成的光致抗蚀剂图案。
图8F示出了填充绝缘图案R之间的空间的线圈图案层1312a和1312b。可以采用通用的镀铜(Cu)工艺来形成线圈图案层1312a和1312b。然而，本公开不限于此。
当线圈图案层1312a和1312b填充绝缘图案R之间的空间时，线圈图案层1312a和1312b可以在所述空间中填充至例如比与线圈图案层1312a和1312b相邻的绝缘图案R的上表面的水平低的水平。原因是，当线圈图案层1312a和1312b将空间填充至比绝缘图案R的上表面的水平高的水平时，相邻线圈图案之间会发生短路。
此外，线圈图案层1312a和1312b的下部可以填充在预先形成的第一凹槽121和第二凹槽122中。更详细地，因为在第一凹槽121和第二凹槽122中的每个的侧表面和下表面上预先形成基础导电层1311a和1311b，所以线圈图案层1312a和1312b的下部可以填充在基础导电层1311a和1311b上。
图8G示出了蚀刻或去除图8E中形成的绝缘图案R之后的线圈组件的截面。可以根据绝缘图案R的材料和厚度来适当地选择用于蚀刻或去除绝缘图案R的方法(诸如，激光蚀刻方法、利用化学溶液的蚀刻方法等)。
图8H示出了在去除基础导电层1311a和1311b的通过去除绝缘图案R而暴露的部分之后的线圈组件的截面。基础导电层1311a和1311b的接触线圈图案层1312a和1312b的下表面以及设置在第一凹槽121和第二凹槽122内侧的其它部分在去除绝缘图案R之后不会向外暴露。因此，基础导电层的所述其它部分可以留在线圈组件中。
图8I示出了在形成线圈13的整体形状之后形成的用于增加磁导率的通孔H。用于形成通孔H的详细方法可以由本领域普通技术人员进行适当的选择。例如，可以使用机械钻孔方法或激光钻孔方法。
图8J示出了利用磁性材料11包封的线圈图案层1312a和1312b以及支撑构件12。例如，可以利用用于堆叠包括通过树脂和磁性材料形成的复合材料的磁性片的方法来用磁性材料11包封线圈图案层1312a和1312b以及支撑构件12。然而，本公开不限于此。磁性片可以填充形成在图8I中的通孔H以增加磁芯的磁导率。
图8K示出了电连接到预先形成的线圈图案层1312a和1312b的第一外电极21和第二外电极22。虽然没有特别说明，但是引出部可以通过切割工艺等向外暴露，作为可以使线圈图案层1312a和1312b通过其电连接到第一外电极21和第二外电极22的部分。第一外电极21和第二外电极22被实现为具有改善的导电性以及与线圈图案层1312a和1312b的足够的粘合度即可。用于形成第一外电极21和第二外电极22的方法不受具体限制。
如上面所阐述的，根据实施例，可以提供一种线圈组件和制造该线圈组件的方法，所述线圈组件在不使用通常用于制造薄膜型功率电感器的覆铜层叠板(CCL)的情况下具有高的高宽比。
虽然以上已经示出和描述了实施例，但是对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可以进行修改和变化。

Claims (16)

1.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，所述主体包括：支撑构件，包括通孔；线圈，设置在所述支撑构件的上表面和下表面中的至少一个表面上，所述线圈包括线圈图案；以及磁性材料，包封所述线圈和所述支撑构件，并且填充所述通孔；以及
外电极，连接到所述线圈，
其中，所述支撑构件的所述上表面和所述下表面中的至少一个表面包括凹槽，所述凹槽具有与所述线圈图案的形状相对应的形状，并且所述线圈图案的至少一部分嵌入所述凹槽中，
其中，形成在所述支撑构件的所述上表面中的凹槽的深度与形成在所述支撑构件的所述下表面中的凹槽的深度不同。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述凹槽形成为具有螺旋形形状。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述凹槽形成在所述上表面和所述下表面中，且形成在所述上表面中的所述凹槽的深度比形成在所述下表面中的所述凹槽的深度大。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈图案包括第一线圈图案和与所述第一线圈图案直接相邻的第二线圈图案，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案均设置在所述上表面上，
所述第二线圈图案连接到所述第一线圈图案，并且
所述第一线圈图案嵌入所述凹槽中的深度比所述第二线圈图案嵌入所述凹槽中的深度大。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈图案包括嵌入所述凹槽中的嵌入线圈图案部和暴露线圈图案部，并且
所述嵌入线圈图案部的截面面积与所述暴露线圈图案部的截面面积相同。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，绝缘膜设置在所述线圈图案上。
7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述凹槽的截面具有宽度在朝向所述支撑构件的内部的方向上变窄的锥形形状。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽形成在所述上表面中，第二凹槽形成在所述下表面中，并且
所述第一凹槽的深度和所述第二凹槽的深度中的每个深度随着缠绕所述线圈而改变。
9.一种用于制造线圈组件的方法，所述方法包括以下步骤：
在支撑构件中形成通路孔；
在所述支撑构件的上表面和下表面中的至少一个表面中形成凹槽；
在所述通路孔的侧表面以及所述支撑构件的所述上表面和所述下表面上形成基础导电层；
在所述上表面和所述下表面的未形成所述凹槽的部分上形成绝缘图案；
在所述绝缘图案之间的空间中形成线圈图案层，所述线圈图案层填充所述凹槽；
去除所述绝缘图案；
去除所述基础导电层的通过去除所述绝缘图案暴露的部分；
通过将所述线圈图案层和所述支撑构件包封在磁性材料中来形成主体；以及
在所述主体的外表面上形成外电极，所述外电极电连接到所述线圈图案层，
其中，形成在所述支撑构件的所述上表面中的凹槽的深度与形成在所述支撑构件的所述下表面中的凹槽的深度不同。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成所述凹槽的步骤包括：将所述凹槽形成为当从所述支撑构件上方或下方观看所述凹槽时呈螺旋形形状。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成所述凹槽的步骤包括：在所述上表面上形成第一凹槽并且在所述下表面上形成第二凹槽，且形成在所述上表面中的所述第一凹槽的深度比形成在所述下表面中的所述第二凹槽的深度大。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一凹槽的深度和所述第二凹槽的深度中的每个深度根据在所述支撑构件上的位置而改变。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述凹槽的宽度与设置为比所述支撑构件高的所述线圈图案层的宽度相同。
14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述凹槽的截面具有宽度在朝向所述支撑构件的内部的方向上变窄的锥形形状。
15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述基础导电层的导电材料在组成和含量中的至少一个方面上不同于所述线圈图案层的导电材料。
16.根据权利要求9所述的方法，其中，使用激光来执行所述形成所述凹槽的步骤。
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