CN109112002A - 用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂、清洗方法和电子产品 - Google Patents

用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂、清洗方法和电子产品 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂、清洗方法和电子产品，涉及玻璃清洗技术领域。用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物4～8％、氨基磺酸或其衍生物10～15％、氧化剂5～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。清洗方法使用上述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗。本发明缓解了目前现有的清洗剂对产品退镀后残留的脏污清洗不干净，无法满足良率要求的技术问题。本发明的清洗剂能有效清洗掉用退镀液退镀电镀层后玻璃上残留的脏污，使用本发明清洗剂清洗后玻璃外观洁净、无残留脏污，良率高。

Description

用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂、清洗方法和电子 产品
技术领域
本发明涉及玻璃清洗技术领域，具体而言，涉及一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂、清洗方法和电子产品。
背景技术
随着社会的进步，2D、2.5D或3D玻璃已经应用于各种电子产品上，在玻璃上电镀Logo也已成为一种时尚，而对退镀、清洗的要求也越来越高。例如盖板玻璃电镀Logo工艺包括：电镀(例如硅、钛和铬等的复合膜层)—丝印油墨—退镀—清洗—检验，即先在玻璃上镀一层电镀层，然后丝印好图案后选择性去掉一部分(退除logo多余部分的电镀层)，从而赋予镀膜层图案化效果，形成Logo。
为了保证电镀层的退镀效果，要选择适合的退镀液，但退镀液中含有一些对玻璃吸附性很强的物质(例如铁氰化钾等)，普通的清洗剂(碱性清洗剂)很难清洗掉这些物质，从而造成产品脏污。目前现有的清洗剂对产品退镀后残留的脏污清洗不干净，无法满足良率要求。同时传统碱性清洗剂需在高温下进行，腐蚀性气体容易挥发，对环境和作业人员产生影响。
因此，所期望的是提供一种新的清洗剂，能够解决上述问题中的至少一个。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，能够解决上述问题中的至少一个。
本发明的目的之二在于提供一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，使用上述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗，具有与上述退镀液相同的优势。
本发明的目的之三在于提供一种电子产品，包括采用上述清洗剂或采用上述清洗方法清洗得到的玻璃。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物4～8％、氨基磺酸或其衍生物10～15％、氧化剂5～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物5～8％、氨基磺酸或其衍生物12～14％、氧化剂6～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水；
优选地，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物5～6％、氨基磺酸或其衍生物12～13％、氧化剂6～8％、络合剂0.5～0.8％、渗透剂2～3％和余量的水。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述氧化剂包括无机氧化剂，优选包括过硫酸盐、过氧硫酸盐、高氯酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高碘酸盐、碘酸盐、高硼酸盐、过硼酸盐或高锰酸盐中的一种或几种，优选为过硫酸盐。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述络合剂包括磷酸盐、醇胺类、氨基羧酸盐、羟基羧酸盐、有机膦酸盐或聚丙烯酸类中的一种或几种，优选包括氨基羧酸盐，优选包括氨三乙酸盐、乙二胺四乙酸盐或二乙烯三胺五羧酸盐中的一种或几种，优选为乙二胺四乙酸盐。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸4～8％、氨基磺酸10～15％、过硫酸盐5～10％、乙二胺四乙酸盐0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
第二方面，本发明提供了一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，使用上述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，使用质量分数5～15％的所述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗；
优选地，清洗条件包括：清洗温度为常温；清洗时间为80～100s，优选为80～95s。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，清洗采用超声清洗方式；
优选地，超声清洗条件包括：超声频率为30～40KHz，优选35～40KHz，进一步优选40KHz；超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述清洗方法还包括先使用所述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗再进行水洗和干燥的步骤；
优选地，水洗条件包括：水洗温度为60～65℃，优选62～65℃，进一步优选62～63℃；水洗时间为3～8min，优选3～6min，进一步优选3～5min；
优选地，水洗采用超声清洗方式；
优选地，超声清洗条件包括：超声频率为30～40KHz，优选35～40KHz，进一步优选40KHz；超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A；
优选地，干燥条件包括：干燥温度为100～110℃，优选100～108℃，进一步优选100～105℃；干燥时间为2～8min，优选2～6min，进一步优选3～5min。
第三方面，本发明提供了一种电子产品，包括采用上述清洗剂或采用上述清洗方法清洗得到的玻璃。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明清洗剂组分中水杨酸(或其衍生物)和氨基磺酸(或其衍生物)提供基础酸环境，通过两者的配合，能够有效溶解清除退镀后玻璃上残留的难清洗物质，氧化剂能使残留脏污中的金属离子形成氧化物，加快脏污与酸的反应速率，氨基磺酸来补充消耗的酸，促进氧化物的持续溶解，络合剂能与脏污中的金属离子形成可溶性络合物，进一步有利于金属氧化物更好地溶解去除，渗透剂的加入有利于清洗剂渗入脏污中，增强清洗效果。此外，通过调节清洗剂的各组分浓度比例，获得了较佳的清洗效果。本发明的清洗剂能有效清洗掉用退镀液退镀电镀层后玻璃上残留的脏污，使用本发明清洗剂清洗后玻璃外观洁净、无残留脏污，良率高，达90％以上。
(2)本发明清洗剂常温下使用即可将脏污去除干净，对环境和人员损害小。
(3)本发明的清洗方法简单、加工成本低，可以批量完成、生产效率高，良率稳定。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
根据本发明的第一个方面，提供了一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物4～8％、氨基磺酸或其衍生物10～15％、氧化剂5～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
在2D、2.5D、3D等玻璃上制作Logo通常会先在玻璃上镀一层电镀膜，然后丝印油墨，形成图案，再将Logo区域以外的电镀膜层退除。电镀膜层退除后需要清洗剂进行清洗，目前现有的清洗剂对产品退镀后残留的脏污清洗不干净。例如电镀膜为硅、钛和铬复合膜层，为了有效退镀Logo区域以外的电镀层，一般先去除铬层，在去除钛和硅层，退除铬层时所需要的退镀液含有对玻璃吸附性强的铁氰化钾以及氧化物等，很难清洗，从而造成产品脏污。
这里的脏污主要指用退镀液退镀电镀层后残留在玻璃上的物质。
为了缓解现有的高温碱性清洗剂对产品退镀后残留脏污清洗不干净的问题，本公开提出了一种清洗剂，包括4～8wt％的水杨酸或其衍生物、10～15wt％的氨基磺酸或其衍生物、5～10wt％的氧化剂、0.5～1wt％的络合剂、1～3wt％的渗透剂和余量的水。
水杨酸或其衍生物指水杨酸或水杨酸的衍生物，水杨酸的衍生物是指水杨酸的盐类或水杨酸经一定化学反应(缩合、酯化、酰化、酰胺化、或二氧化碳化)得到的，在水中能够重新水解成水杨酸，包括但不限于水杨酸苯胺、水杨酸苯酯、乙酰水杨酸、水杨酸甲酯、乙酰水杨酸甲酯、水杨酸异丙酯、对-氨基水杨酸或水杨酰胺等。
水杨酸或其衍生物典型但非限制性的质量百分含量例如为4％、5％、6％、7％或8％。
氨基磺酸或其衍生物指氨基磺酸或氨基磺酸的衍生物，氨基磺酸的衍生物是指氨基磺酸的盐类或具有修饰基团的氨基磺酸，修饰基团例如包括C1-C4烷基、氨基、苯基或环己基等，包括但不限于N-甲基氨基磺酸、乙基氨基磺酸或环己基氨基磺酸等。
氨基磺酸具有与盐酸、硫酸等同等的强酸性，具有不挥发、无臭味和对人体毒性极小的特点。
氨基磺酸或其衍生物典型但非限制性的质量百分含量例如为10％、11％、12％、13％、14％或15％。
氧化剂能将脏污中的物质氧化成氧化物，包括无机氧化剂或有机氧化剂，优选选用无机氧化剂，包括但不限于过硫酸盐、过氧硫酸盐、高氯酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高碘酸盐、碘酸盐、高硼酸盐、过硼酸盐或高锰酸盐中的一种或几种。
这里的盐指对应化合物的可溶性盐，典型的例如为钠盐、钾盐或铵盐。
氧化剂典型但非限制性的质量百分含量例如为5％、6％、7％、8％、9％或10％。
络合剂能够与脏污中的金属离子形成络合物，典型但非限制性的包括磷酸盐(如三聚磷酸钠、焦磷酸钠、六偏磷酸钠等)、醇胺类(如单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等)、氨基羧酸盐(如氨三乙酸钠、乙二胺四乙酸盐、二乙烯三胺五羧酸盐等)、羟基羧酸盐(如酒石酸、庚糖酸盐、葡萄糖酸钠、海藻酸钠等)、有机膦酸盐(如乙二胺四甲叉磷酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐、胺三甲叉磷酸盐等)或聚丙烯酸类(水解聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚羟基丙烯酸、马来酸丙烯酸共聚物以及聚丙烯酰胺等)中的一类或几类的组合。
络合剂典型但非限制性的质量百分含量例如为0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％。
渗透剂是指一类能够帮助需要渗透的物质渗透到需要被渗透物质的化学品，典型但非限制性的渗透剂为表面活性剂(可以是阴离子或非离子的)或有机或无机溶剂，典型但非限制性的非离子型渗透剂例如为JFC、JFC-1、JFC-2或JFC-E等，阴离子型渗透剂例如快速渗透剂T、耐碱渗透剂OEP-70、耐碱渗透剂AEP或高温渗透剂JFC-M等。
渗透剂典型但非限制性的质量百分含量例如为1％、1.5％、2％、2.5％或3％。
水可以是常规用水，也可以是去离子水或超纯水等。
本发明所述的“包括”，意指其除所述组分外，还可以包括其他组分，这些其他组分赋予所述清洗剂不同的特性。除此之外，本发明所述的“包括”，还可以替换为封闭式的“为”或“由……组成”。
例如，清洗剂还可以包括其他酸(例如硝酸、盐酸或硫酸等)。
需要注意的是，余量的水，指本发明清洗剂的组分中除去水杨酸或其衍生物、氨基磺酸或其衍生物、氧化剂、络合剂、渗透剂以及任选地其他组分之外的余量为水，水与水杨酸或其衍生物、氨基磺酸或其衍生物、氧化剂、络合剂、渗透剂以及任选地其他组分的质量百分含量之和为100％。
本发明清洗剂组分中水杨酸和氨基磺酸提供基础酸环境，通过两者的配合，能够有效溶解清除退镀后玻璃上残留的难清洗物质，氧化剂能使残留脏污中的金属离子形成氧化物，加快脏污与酸的反应速率，通过氨基磺酸来补充消耗的酸，促进氧化物的持续溶解，同时，络合剂能与脏污中的金属离子发生作用，形成可溶性络合物，进一步有利于金属氧化物更好地溶解去除和避免形成脏污，渗透剂的加入有利于清洗剂渗入脏污中，增强清洗效果。此外，通过调节清洗剂的各组分浓度比例，获得了较佳的清洗效果。本发明主要由特定浓度比例的水杨酸或其衍生物、氨基磺酸或其衍生物、氧化剂、络合剂和渗透剂组成，能有效清洗掉用退镀液退镀电镀层后玻璃上残留的脏污，缓解了现有的清洗剂对产品退镀后残留的脏污清洗不干净，无法满足良率要求的问题，使用本发明清洗剂清洗后玻璃外观洁净、无残留脏污，良率高。
同时传统碱性清洗剂需在高温下进行，腐蚀性气体容易挥发，对环境和作业人员产生影响。本发明清洗剂常温下使用即可将脏污去除干净，环保安全。
作为一种优选的实施方式，清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物5～8％、氨基磺酸或其衍生物12～14％、氧化剂6～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
作为进一步优选的实施方式，清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物5～6％、氨基磺酸或其衍生物12～13％、氧化剂6～8％、络合剂0.5～0.8％、渗透剂2～3％和余量的水。
通过进一步地优化各组分浓度比例，清洗去污效果更好。
在一种优选的实施方式中，氧化剂为过硫酸盐，优选为过硫酸铵。
在一种优选的实施方式中，络合剂为氨基羧酸盐，包括氨三乙酸钠(NTA)、乙二胺四乙酸盐(EDTA二钠或四钠)或二乙烯三胺五羧酸盐(DTPA)中的一种或几种，优选为乙二胺四乙酸盐(EDTA二钠或四钠)。
在一种优选的实施方式中，渗透剂为非离子型渗透剂JFC。
通过对氧化剂、络合剂、渗透剂的进一步选择，获得更好的清洗效果。
在一种优选的实施方式中，作为一种典型的清洗剂，按质量百分含量包括如下组分：水杨酸4～8％、氨基磺酸10～15％、过硫酸盐5～10％、乙二胺四乙酸盐0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
该典型的清洗剂配方合理，水杨酸清洗溶解脏污且具有防腐性、氨基磺酸补充消耗的酸、过硫酸盐加快酸解速率、乙二胺四乙酸盐络合分散灰尘、渗透剂增强渗透效果，通过一定浓度组分之间的相互配合，清洗效果优秀。
根据本发明的第二个方面，提供了一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，使用上述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗。
该清洗方法使用本发明的清洗剂对玻璃进行清洗，具有与本发明清洗剂相同的优势，在此不再赘述。
本发明的清洗方法简单、加工成本低，可以批量完成、生产效率高，良率稳定。
在一种优选的实施方式中，使用质量分数5～15％的清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗。
清洗剂的质量分数典型但非限制性的例如可以为5％、10％或15％。
优选地，清洗条件包括：清洗温度为常温；清洗时间为80～100s，优选为80～95s。
常温指在常规的室温温度下，即周围环境温度，无需额外加热或冷却操作来改变温度。
清洗时间例如可以为80s、90s或100s。
在常温下使用清洗剂短时间内即可有效去除脏污。
典型但非限制性的清洗方式为将清洗剂放入清洗槽中，将玻璃浸泡于清洗剂中进行清洗。清洗方式并不限于此种方式，也可以采用其他方式进行清洗。
优选地，清洗采用超声清洗方式；
优选地，超声清洗条件包括：超声频率为30～40KHz，优选35～40KHz，进一步优选40KHz；超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
超声频率典型但非限制性的例如为30KHz、32KHz、34KHz、35KHz、36KHz、38KHz或40KHz。
超声电流典型但非限制性的例如为2A、3A、4A或5A。
通过控制超声清洗条件，能够获得良好的超声清洗效果。
在一种优选的实施方式中，清洗方法还包括先使用所述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗再进行水洗和干燥的步骤。
优选用去离子水进行水洗。
优选地，水洗条件包括：水洗温度为60～65℃，优选62～65℃，进一步优选62～63℃；水洗时间为3～8min，优选3～6min，进一步优选3～5min。
水洗温度典型但非限制性的例如为60℃、61℃、62℃、63℃、64℃或65℃。
水洗时间典型但非限制性的例如为3min、4min、5min、6min、7min或8min。
用清洗剂清洗后在一定温度下水洗短时间清洗干净，避免清洗剂残留对玻璃基体造成损伤。
优选地，水洗采用超声清洗方式；
优选地，超声清洗条件包括：超声频率为30～40KHz，优选35～40KHz，进一步优选40KHz；超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
水洗时超声，获得更好的水洗效果。
干燥可采用常规干燥方式进行，优选烘干。
优选地，干燥条件包括：干燥温度为100～110℃，优选100～108℃，进一步优选100～105℃；干燥时间为2～8min，优选2～6min，进一步优选3～5min。
干燥温度典型但非限制性的例如为100℃、102℃、105℃、108℃或110℃。
干燥时间典型但非限制性的例如为2min、3min、4min、5min、6min、7min或8min。
干燥后获得洁净的玻璃。
在一种优选的实施方式中，典型的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，包括以下步骤：
(a)清洗：将退镀电镀层后的玻璃浸泡于质量分数5～15％的清洗剂中，常温下超声清洗80～100s，超声频率为30～40KHz，超声电流为2～5A；
(b)水洗：将步骤(a)清洗后的玻璃浸泡于去离子水中，60～65℃下超声清洗3～8min，超声频率为30～40KHz，超声电流为2～5A；
(c)干燥：将步骤(b)水洗后的玻璃在100～110℃下干燥2～8min，得到清洗后玻璃。
该典型的清洗方法通过采用本发明清洗剂在常温下清洗，清洗后进行水洗和干燥，清洗后的玻璃脏污退除干净，外观良率高、光亮度高。同时，整个过程可以在超声清洗机上实现，操作简单、工艺稳定，能够实现量化生产，生产效率高，良率稳定。
本工艺适用于2D、2.5D或3D等玻璃经电镀、丝印油墨形成图案后对玻璃Logo区域以外的电镀膜层退除后残留脏污的清洗。
根据本发明的第三个方面，提供了一种电子产品，包括采用上述清洗剂或采用上述清洗方法清洗得到的玻璃。
典型但非限制性的玻璃指2D、2.5D或3D等盖板玻璃。
典型但非限制性的电子产品例如包括手机、平板电脑或数码相机等电子设备。
为了进一步了解本发明，下面结合具体实施例对本发明方法和效果做进一步详细的说明。本发明涉及的各原料均可通过商购获取。
实施例1
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：水杨酸6％，N-甲基氨基磺酸12％，高氯酸铵8％，焦磷酸钠0.5％，渗透剂JFC 3％和水70.5％。
实施例2
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：水杨酸4％，氨基磺酸15％，次氯酸铵5％，乙二胺四乙酸二钠1％，渗透剂JFC 1％和水74％。
实施例3
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：乙酰水杨酸8％，乙基氨基磺酸10％，高锰酸钾10％，聚丙烯酸0.5％，渗透剂JFC 3％和水68.5％。
实施例4
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：对-氨基水杨酸6％，环己基氨基磺酸12％，碘酸钠7％，三乙醇胺0.8％，渗透剂JFC-12％和水72.2％。
实施例5
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：水杨酸甲酯5％，氨基磺酸12％，过硼酸钠8％，酒石酸0.6％，渗透剂JFC-1 1.4％和水73％。
实施例6
本实施例与实施例5的区别在于，将水杨酸甲酯替换为水杨酸。
实施例7
本实施例与实施例1的区别在于，将N-甲基氨基磺酸替换为氨基磺酸。
实施例8
本实施例与实施例2的区别在于，将次氯酸铵替换为过硫酸铵。
实施例9
本实施例与实施例2的区别在于，将聚丙烯酸替换为乙二胺四乙酸二钠。
实施例10-18
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，包括以下步骤：
在常温下将退镀电镀层后的玻璃分别浸泡于质量分数10％的实施例1-9的清洗剂中5min，取出玻璃后进行水洗和干燥，得到清洗后玻璃。
实施例19
本实施例与实施例10的区别在于，浸泡时间为1min。
实施例20
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，包括以下步骤：
(a)清洗：将退镀电镀层后的玻璃浸泡于质量分数10％的实施例1的清洗剂中，常温下超声清洗1.5min，超声频率为40KHz，超声电流为5A；
(b)水洗：将步骤(a)清洗后的玻璃浸泡于去离子水中，65℃下超声清洗5min，超声频率为40KHz，超声电流为5A；
(c)干燥：将步骤(b)水洗后的玻璃在100℃下干燥2min，得到清洗后玻璃。
对比例1
本实施例与实施例1的区别在于，将水杨酸替换为等量的浓硝酸。
对比例2
本实施例与实施例1的区别在于，将水杨酸替换为等量的N-甲基氨基磺酸。
对比例3
本实施例与实施例1的区别在于，将N-甲基氨基磺酸替换为等量的水杨酸。
对比例4
本实施例与实施例2的区别在于，将次氯酸铵替换为等量的氯化钙。
对比例5
本实施例与实施例2的区别在于，将乙二胺四乙酸二钠替换为等量的氯化钙。
对比例6
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：水杨酸12％，N-甲基氨基磺酸6％，高氯酸铵8％，焦磷酸钠0.5％，渗透剂JFC 3％和水70.5％。
与实施例1不同的是，本对比例的清洗剂中水杨酸和N-甲基氨基磺酸的浓度比例不同，不在本发明所提供的范围内。
对比例7
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：水杨酸12％，N-甲基氨基磺酸6％，高氯酸铵2％，焦磷酸钠0.5％，渗透剂JFC 3％和水76.5％。
与实施例1不同的是，本对比例的清洗剂中高氯酸铵含量过少，不在本发明所提供的范围内。
对比例8
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，按质量百分含量由如下组分组成：水杨酸6％，N-甲基氨基磺酸12％，高氯酸铵8％，焦磷酸钠3％，渗透剂JFC 3％和水68％。
与实施例1不同的是，本对比例的清洗剂中焦磷酸钠含量过多，不在本发明所提供的范围内。
对比例9
Win76强碱性清洗剂(山之风环保科技有限公司)。
对比例10-18
一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，分别采用对比例1-9的清洗剂清洗退镀电镀层后的玻璃，具体的清洗方法可参照实施例10或现有清洗方法进行。
试验例
取1800片电镀膜层、丝印Logo后退镀电镀层后的手机盖板玻璃，随机分为18组，每组100片，分别按照实施例10-20和对比例10-18的清洗方法对各组玻璃进行清洗，对清洗后的玻璃进行玻璃外观检验，检查玻璃玻璃表面有无脏污，计算每组良率：经清洗后玻璃表面无残留脏污记为合格；经清洗后玻璃表面有残留脏污记为不合格，试验结果如表1所示。
表1
从表1中可以看出，采用本发明的清洗剂能有效清洗掉用退镀液退镀电镀层后玻璃上残留的脏污，使用本发明清洗剂清洗后玻璃外观洁净、无残留脏污，良率高，达90％以上。
实施例15与实施例14、实施例16与实施例10、实施例17与实施例11、实施例18与实施例11相比，通过对酸、氧化剂和络合剂的种类选择，获得了更好的清洗效果。实施例18较实施例19浸泡时间更长，清洗效果更好。实施例20通过超声清洗方式，清洗效果得以进一步提升。
对比例10将水杨酸替换为等量的浓硝酸，结果发现清洗效果显著下降，对比例11、12只采用一种酸，清洗效果也不好，可见，本发明清洗剂通过水杨酸与氨基磺酸的配合作用，能发挥更好地清洗效果。对比例13未加入氧化剂，清洗效果和效率明显下降，对比例14未加入络合剂，清洗效果也不好，可见氧化剂和络合剂的加入对清洗效果起到很好的促进作用。对比例15两种酸的比例与本发明范围不同，清洗效果也有所下降，可见水杨酸和N-甲基氨基磺酸在特定比例下才能发挥较好的清洗效果。对比例16高氯酸铵含量过少，对比例17含量过多，均不在本发明范围内，清洗效果有所下降，可见各组分的浓度比例对于清洗效果具有重要影响。对比例18的市售清洗剂只有79％的良率。可见，本发明通过特定组分的配合，获得了很好的清洗效果。
尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明，然而应意识到，在不背离本发明的精神和范围的情况下可作出许多其它的更改和修改。因此，这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。

Claims (10)

1.一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物4～8％、氨基磺酸或其衍生物10～15％、氧化剂5～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
2.按照权利要求1所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物5～8％、氨基磺酸或其衍生物12～14％、氧化剂6～10％、络合剂0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水；
优选地，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸或其衍生物5～6％、氨基磺酸或其衍生物12～13％、氧化剂6～8％、络合剂0.5～0.8％、渗透剂2～3％和余量的水。
3.按照权利要求1或2所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，其特征在于，所述氧化剂包括无机氧化剂，优选包括过硫酸盐、过氧硫酸盐、高氯酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高碘酸盐、碘酸盐、高硼酸盐、过硼酸盐或高锰酸盐中的一种或几种，优选为过硫酸盐。
4.按照权利要求1或2所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，其特征在于，所述络合剂包括磷酸盐、醇胺类、氨基羧酸盐、羟基羧酸盐、有机膦酸盐或聚丙烯酸类中的一种或几种，优选包括氨基羧酸盐，优选包括氨三乙酸盐、乙二胺四乙酸盐或二乙烯三胺五羧酸盐中的一种或几种，优选为乙二胺四乙酸盐。
5.按照权利要求1或2所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂按质量百分含量包括如下组分：水杨酸4～8％、氨基磺酸10～15％、过硫酸盐5～10％、乙二胺四乙酸盐0.5～1％、渗透剂1～3％和余量的水。
6.一种用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，其特征在于，使用权利要求1-5任一项所述的清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗。
7.按照权利要求6所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
使用质量分数5～15％的所述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗；
优选地，清洗条件包括：清洗温度为常温；清洗时间为80～100s，优选为80～95s。
8.按照权利要求7所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，其特征在于，清洗采用超声清洗方式；
优选地，超声清洗条件包括：超声频率为30～40KHz，优选35～40KHz，进一步优选40KHz；超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
9.按照权利要求6-8任一项所述的用于清洗玻璃退镀电镀层后脏污的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括先使用所述清洗剂对退镀电镀层后的玻璃进行清洗再进行水洗和干燥的步骤；
优选地，水洗条件包括：水洗温度为60～65℃，优选62～65℃，进一步优选62～63℃；水洗时间为3～8min，优选3～6min，进一步优选3～5min；
优选地，水洗采用超声清洗方式；
优选地，超声清洗条件包括：超声频率为30～40KHz，优选35～40KHz，进一步优选40KHz；超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A；
优选地，干燥条件包括：干燥温度为100～110℃，优选100～108℃，进一步优选100～105℃；干燥时间为2～8min，优选2～6min，进一步优选3～5min。
10.一种电子产品，其特征在于，包括采用权利要求1-5任一项所述的清洗剂或采用权利要求6-9任一项所述的清洗方法清洗得到的玻璃。
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