CN109003900A - 一种制作稳定vdmos功率器件的工艺方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，属于集成电路技术领域。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。该工艺方法能够使VDMOS功率器件的沟道区电阻大大降低，降低VDMOS功率器件在单粒子辐照条件下的寄生三极管导通可能性，提高了可靠性；并且加工工艺简单，可控性强，具有很强的可操作性。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法。
背景技术
单粒子辐照效应对超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated Circuit，VLSI)、CMOS电路器件、功率VDMOS功率器件器件具有较大影响，能够干扰器件和电路的正常工作。单粒子辐照能够对器件造成硬损伤，可能会就此造成器件永久失效。当单粒子入射在VDMOS器件的源极有源区时，可能导致器件的寄生晶体三极管(由源极有源区、p-body区和外延层形成)开启，使VDMOS器件失去栅开关功能，进一步可能形成正反馈，导致器件的烧毁，称为单粒子烧毁(SEB)现象。
在VDMOS功率器件的制作工艺中，需要一个较浓的电阻率做衬底材料片，在衬底材料片上进行硅外延所需的电阻率和厚度，完成后进行VDMOS功率器件制作。器件制作工艺通常是要生成场氧（SiO2）后，进行场氧腐蚀，完成有源区的隔离。在有源区上进行P型杂质注入，形成阱（Pwell）、器件的沟道区域和耐压的隔离，进行N型杂质注入，形成源端接触（N+），接着进行P型杂质的注入，形成体接触(P+)，然后进行栅氧氧化，淀积多晶，进行光刻腐蚀，形成栅控制端，最后把栅端和漏端通过金属连线引出，这样器件结构基本完成。现有的VDMOS功率器件结构由于一般采用硅基材料来做VDMOS功率器件，基础介质层如硅、硅化合物等材料，其在辐照环境下，会产生单粒子烧毁效应，当整个集成电路中采用大量的VDMOS功率器件进行驱动、开关，其可靠性将巨幅下降，无法满足电路应用高可靠性的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，以解决现有的VDMOS功率器件容易产生单粒子烧毁效应，可靠性无法满足电路应用的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，包括如下步骤：
对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；
按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。
可选的，所述P型杂质的注入剂量为1E14~1E15cm-2，能量为50-70Kev。
可选的，在对器件的沟道区域注入光刻前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上生长出外延硅层；
进行P型杂质注入，注入剂量为5E12~5E13cm-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成P阱。
可选的，在进行高温退火激活处理后，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：
按照N+/P+光罩的图形，分别形成源端和体接触的图形；
按照P+光罩图形注入P型杂质，注入剂量为5E14~5E15cm-2，能量为50-100Kev，并进行高温退火处理形成P+体接触端；按照N+光罩图形注入N型杂质，注入剂量为5E14~1E16cm-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成N+源端；
进行栅氧SiO2生长和多晶硅的淀积；
对栅氧SiO2和多晶硅进行光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端；
进行介质隔离层淀积，完成接触孔和金属淀积光刻，接出源端、体接触和栅端，形成完整的VDMOS功率器件。
可选的，在进行P型杂质注入之前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：按照P阱光罩的图形，形成所需P阱的图形。
可选的，所述硅衬底的电阻率为0.002~0.004Ω·cm。
可选的，所述外延硅层的电阻率为3-24Ω·cm，厚度为3um-50um。
可选的，所述P型杂质的种类包括B和BF2；所述N型杂质的种类包括P、As和In。
本发明还提供了一种根据上述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法制作出的VDMOS功率器件。
在本发明中提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。该工艺方法能够使VDMOS功率器件的沟道区电阻大大降低，降低VDMOS功率器件在单粒子辐照条件下的寄生三极管导通可能性，提高了可靠性；并且加工工艺简单，可控性强，具有很强的可操作性。
附图说明
图1是本发明提供的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法的流程示意图；
图2~图9是制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法的各步骤示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
本发明提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其流程示意图如图1所示。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括如下步骤：
步骤S11：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；
步骤S12：按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。
具体的，首先提供硅衬底1，并在所述硅衬底1上生长出外延硅层2，如图2所示。其中，所述硅衬底1的电阻率为0.002~0.004Ω·cm，所述外延硅层2的电阻率为3-24Ω·cm，厚度为3um-50um。
接着，如图3所示，根据器件要求进行P阱的光刻：按照P阱光罩的图形3，形成所需P阱的图形。然后如图4，进行P型杂质注入，注入完成后进行高温退火处理形成P阱。其中，P型杂质的注入剂量为5E12~5E13cm-2，能量为50-80Kev，所述P型杂质优选B或BF2。
请继续参阅图5，为了器件在辐照环境下高可靠性要求，增加器件沟道区域的注入。对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩4的图形；如图6所示，按照LDD光罩4的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。其中所述P型杂质优选B或BF2，注入剂量为1E14~1E15cm-2，能量为50-70Kev。通过离子注入处理使其降低沟道电阻，从而降低因寄生三极管导通引发的器件烧毁概率。
根据器件要求分别进行源端和体接触端的光刻。先按照图7中N+/P+光罩7的图形（包括图7中虚线框内部分和其两侧的阴影部分），分别形成源端和体接触的图形；按照P+光罩图形（图7中虚线框部分）注入P型杂质，所述P型杂质优选B或BF2，注入剂量为5E14~5E15cm-2，能量为50-100Kev，注入完成后进行高温退火处理形成P+体接触端；按照N+光罩图形（图7中阴影部分）注入N型杂质，所述N型杂质优选P、As或In，注入剂量为5E14~1E16cm-2，能量为50-80Kev，注入完成后进行高温退火处理形成N+源端，如图8。
接着进行栅氧SiO2 5生长和多晶硅6的淀积，再对所示栅氧SiO2 5和多晶硅6进行光刻和腐蚀工艺，形成多晶栅控制端，这样一个完整的器件基本形成；进行介质隔离层淀积，完成接触孔和金属淀积光刻，接出源端、体接触和栅端，形成完整的VDMOS功率器件。
采用本发明的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法制作出的VDMOS功率器件，对其沟道区域进行了离子注入工艺处理，因此在沟道区域下的导通电阻很低，能够减少单粒子辐照时发生烧毁和在大电流工作条件下的烧毁概率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (9)
1.一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；
按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。
2.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述P型杂质的注入剂量为1E14~1E15cm-2，能量为50-70Kev。
3.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在对器件的沟道区域注入光刻前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上生长出外延硅层；
进行P型杂质注入，注入剂量为5E12~5E13cm-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成P阱。
4.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在进行高温退火激活处理后，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：
按照N+/P+光罩的图形，分别形成源端和体接触的图形；
按照P+光罩图形注入P型杂质，注入剂量为5E14~5E15cm-2，能量为50-100Kev，并进行高温退火处理形成P+体接触端；按照N+光罩图形注入N型杂质，注入剂量为5E14~1E16cm-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成N+源端；
进行栅氧SiO2生长和多晶硅的淀积；
对栅氧SiO2和多晶硅进行光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端；
进行介质隔离层淀积，完成接触孔和金属淀积光刻，接出源端、体接触和栅端，形成完整的VDMOS功率器件。
5.如权利要求3所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在进行P型杂质注入之前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：按照P阱光罩的图形，形成所需P阱的图形。
6.如权利要求3所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述硅衬底的电阻率为0.002~0.004Ω·cm。
7.如权利要求3所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述外延硅层的电阻率为3-24Ω·cm，厚度为3um-50um。
8.如权利要求4所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述P型杂质的种类包括B和BF2；所述N型杂质的种类包括P、As和In。
9.一种根据权利要求1-8任一所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法制作出的VDMOS功率器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810763632.1A CN109003900B (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种制作稳定vdmos功率器件的工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810763632.1A CN109003900B (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种制作稳定vdmos功率器件的工艺方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109003900A true CN109003900A (zh) | 2018-12-14 |
| CN109003900B CN109003900B (zh) | 2021-05-04 |
Family
ID=64599897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810763632.1A Active CN109003900B (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种制作稳定vdmos功率器件的工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109003900B (zh) |
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- 2018-07-12 CN CN201810763632.1A patent/CN109003900B/zh active Active
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |