CN108998834A - 一种传感器单晶硅刻蚀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室，所述反应室的上表面固定安装有伺服电机，且反应室的上表面靠近伺服电机的一侧位置处开设有进气口，所述进气口的上端嵌入安装有送气管道，所述反应室的外侧壁焊接有置放端架，所述置放端架的上表面开设有置放槽。本发明通过设置了伺服电机、连接杆、固定杆和毛刷，能够对反应室的内壁进行刮灰，进而保证了反应室内壁的清洁，增加传感器单晶硅的刻蚀质量，通过设置了温度传感器和显示屏，便于使用者得知反应室内的温度，有利于后续的降温处理，通过设置了送风室，在反应室刻蚀工作结束后，能够对反应室内部温度进行降温处理，加快刻蚀的速率。

Description

一种传感器单晶硅刻蚀装置
技术领域
本发明涉及半导体元器件加工设备技术领域，具体是一种传感器单晶硅刻蚀装置。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单品硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀，
中国专利公开了一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置.（授权公告号CN104988582B），该专利技术放端架能够在升降丝杆的驱动下进行升降，使得电磁圈亦可随之进行升降，电磁线圈在升降过程中，其在反应室内部产生的电场分布也会进行实时变化，从而使得反应室内的电场分布更为均匀，进而使得反应室中各个位置的单晶硅所进行的刻蚀工艺的工艺精度均可达到需求程度，上述装置使得批量处理的单晶硅的整体加工精度得以改善，避免残次品的出现，从而使得传感器整体的工艺效率得到提升，但是，该装置没有设置伺服电机、连接杆、固定杆和毛刷，不能对反应室的内壁进行刮灰，无法保证反应室内壁的清洁，没有设置温度传感器和显示屏，不便于使用者得知反应室内的温度，不便于后续的降温处理，没有设置送风室，在反应室刻蚀工作结束后，不能对反应室内部温度进行降温处理。因此，本领域技术人员提供了一种传感器单晶硅刻蚀装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种传感器单晶硅刻蚀装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室，所述反应室的上表面固定安装有伺服电机，且反应室的上表面靠近伺服电机的一侧位置处开设有进气口，所述进气口的上端嵌入安装有送气管道，所述反应室的外侧壁焊接有置放端架，所述置放端架的上表面开设有置放槽，所述置放槽的内部设置有电磁线圈，所述反应室的底端固定安装有支撑腿，且反应室的底端靠近中部位置处设置有片架旋转机构，所述反应室的内部对应片架旋转机构的上方位置处连接有片架，且反应室的底端靠近片架旋转机构的一侧位置处嵌入安装有抽气管道，所述抽气管道的一侧连接有真空泵。
作为本发明进一步的方案：所述反应室的一侧靠近置放端架的上方位置处嵌入安装有温度传感器，且反应室的内部对应伺服电机的下方位置处安装有连接杆。
作为本发明再进一步的方案：所述连接杆的底端靠近边缘位置处固定安装有固定杆，所述固定杆的一侧嵌入安装有毛刷，所述毛刷为一种不锈钢材质的构件，且毛刷与反应室的内壁相接触。
作为本发明再进一步的方案：所述反应室的底端靠近片架旋转机构的另一侧位置处连接有送风室，所述送风室的前侧安装有显示屏，且送风室的前侧靠近显示屏的一侧位置处安装有控制开关。
作为本发明再进一步的方案：所述送风室包括进风口、防尘滤网、风机和出风口，所述送风室的一侧侧壁设置有进风口，且送风室的另一侧侧壁设置有出风口，所述送风室的内部设置有防尘滤网，且送风室的内部靠近防尘滤网的一侧位置处固定安装有风机。
作为本发明再进一步的方案：所述出风口的一侧连接有送风管道，送风管道的一端嵌入在反应室的底端。
作为本发明再进一步的方案：所述送气管道的一端连接有气源室，且送气管道与气源室通过法兰密封连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过设置了伺服电机、连接杆、固定杆和毛刷，能够对反应室的内壁进行刮灰，进而保证了反应室内壁的清洁，增加传感器单晶硅的刻蚀质量，通过设置了温度传感器和显示屏，便于使用者得知反应室内的温度，有利于后续的降温处理，通过设置了送风室，在反应室刻蚀工作结束后，能够对反应室内部温度进行降温处理，加快刻蚀的速率。
附图说明
图1为一种传感器单晶硅刻蚀装置的结构示意图；
图2为一种传感器单晶硅刻蚀装置中毛刷的安装结构示意图；
图3为一种传感器单晶硅刻蚀装置中送风室的结构示意图。
图中：1、反应室；2、伺服电机；3、进气口；4、送气管道；5、温度传感器；6、置放端架；7、置放槽；8、电磁线圈；9、片架旋转机构；10、支撑腿；11、抽气管道；12、真空泵；13、送风室；131、进风口；132、防尘滤网；133、风机；134、出风口；14、显示屏；15、控制开关；16、连接杆；17、固定杆；18、毛刷；19、片架。
具体实施方式
请参阅图1～3，一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室1，反应室1的上表面固定安装有伺服电机2，且反应室1的上表面靠近伺服电机2的一侧位置处开设有进气口3，进气口3的上端嵌入安装有送气管道4，送气管道4的一端连接有气源室，且送气管道4与气源室通过法兰密封连接，反应室1的外侧壁焊接有置放端架6，置放端架6的上表面开设有置放槽7，置放槽7的内部设置有电磁线圈8，反应室1的底端固定安装有支撑腿10，且反应室1的底端靠近中部位置处设置有片架旋转机构9，反应室1的内部对应片架旋转机构9的上方位置处连接有片架19，且反应室1的底端靠近片架旋转机构9的一侧位置处嵌入安装有抽气管道11，抽气管道11的一侧连接有真空泵12。
在图1中：反应室1的一侧靠近置放端架6的上方位置处嵌入安装有温度传感器5，送风室13的前侧安装有显示屏14，且送风室13的前侧靠近显示屏14的一侧位置处安装有控制开关15，温度传感器5为一种PT100温度传感器，在市场上使用较为普遍，控制开关15的内部设置有MAM-300控制器，当温度传感器5的温度探头检测出反应室1内的温度时，将信号传递到MAM-300控制器上，MAM-300控制器将信号传递到显示屏14上，便于使用者查看温度。
在图2中：反应室1的内部对应伺服电机2的下方位置处安装有连接杆16，连接杆16的底端靠近边缘位置处固定安装有固定杆17，固定杆17的一侧嵌入安装有毛刷18，毛刷18为一种不锈钢材质的构件，且毛刷18与反应室1的内壁相接触，在伺服电机2的动力作用下，连接杆16在反应室1内旋转，进而使得固定杆17上的毛刷18刮除反应室1内壁的污质。
在图1和图3中：反应室1的底端靠近片架旋转机构9的另一侧位置处连接有送风室13，送风室13包括进风口131、防尘滤网132、风机133和出风口134，送风室13的一侧侧壁设置有进风口131，且送风室13的另一侧侧壁设置有出风口134，送风室13的内部设置有防尘滤网132，且送风室13的内部靠近防尘滤网132的一侧位置处固定安装有风机133，出风口134的一侧连接有送风管道，送风管道的一端嵌入在反应室1的底端，通过风机133的作用，带动周围气流通过出风口134吹向反应室1的内部。
本发明的工作原理是：当反应室1在长时间使用时，反应室1的内壁会沾染一定数量的污质，当伺服电机2在工作时，伺服电机2通过转轴使得连接杆16转动，而固定杆17上的毛刷18能够对反应室1的内壁进行清洁，在传感器单晶硅的下次刻蚀过程中，能够避免污质掉落在刻蚀产品上，增加传感器单晶硅的刻蚀质量，在刻蚀结束后，由于在反应室1的一侧靠近置放端架6的上方位置处嵌入安装有温度传感器5，当温度传感器5的温度探头检测出反应室1内的温度时，将信号传递到MAM-300控制器上，MAM-300控制器将信号传递到显示屏14上，使用者通过显示屏14查看温度，有利于后续的降温处理，当风机133在工作时，带动周围气流通过出风口134和送风管道，吹向反应室1的内部，能够降低反应室1内部的温度，加快刻蚀的速率。
以上所述的，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室（1），其特征在于，所述反应室（1）的上表面固定安装有伺服电机（2），且反应室（1）的上表面靠近伺服电机（2）的一侧位置处开设有进气口（3），所述进气口（3）的上端嵌入安装有送气管道（4），所述反应室（1）的外侧壁焊接有置放端架（6），所述置放端架（6）的上表面开设有置放槽（7），所述置放槽（7）的内部设置有电磁线圈（8），所述反应室（1）的底端固定安装有支撑腿（10），且反应室（1）的底端靠近中部位置处设置有片架旋转机构（9），所述反应室（1）的内部对应片架旋转机构（9）的上方位置处连接有片架（19），且反应室（1）的底端靠近片架旋转机构（9）的一侧位置处嵌入安装有抽气管道（11），所述抽气管道（11）的一侧连接有真空泵（12）。
2.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室（1）的一侧靠近置放端架（6）的上方位置处嵌入安装有温度传感器（5），且反应室（1）的内部对应伺服电机（2）的下方位置处安装有连接杆（16）。
3.根据权利要求2所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述连接杆（16）的底端靠近边缘位置处固定安装有固定杆（17），所述固定杆（17）的一侧嵌入安装有毛刷（18），所述毛刷（18）为一种不锈钢材质的构件，且毛刷（18）与反应室（1）的内壁相接触。
4.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室（1）的底端靠近片架旋转机构（9）的另一侧位置处连接有送风室（13），所述送风室（13）的前侧安装有显示屏（14），且送风室（13）的前侧靠近显示屏（14）的一侧位置处安装有控制开关（15）。
5.根据权利要求4所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述送风室（13）包括进风口（131）、防尘滤网（132）、风机（133）和出风口（134），所述送风室（13）的一侧侧壁设置有进风口（131），且送风室（13）的另一侧侧壁设置有出风口（134），所述送风室（13）的内部设置有防尘滤网（132），且送风室（13）的内部靠近防尘滤网（132）的一侧位置处固定安装有风机（133）。
6.根据权利要求5所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述出风口（134）的一侧连接有送风管道，送风管道的一端嵌入在反应室（1）的底端。
7.根据权利要求1所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述送气管道（4）的一端连接有气源室，且送气管道（4）与气源室通过法兰密封连接。
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