CN108988789B - 一种延迟单元参数选择方法、装置和振荡器电路 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种延迟单元参数选择方法、装置和振荡器电路，方法包括：对所述振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；当所述温度系数不为目标温度系数时，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长，继续对调整后的振荡电路进行温度仿真，直至所述温度系数达到所述目标温度系数；当所述温度系数达到所述目标温度系数时，输出所述振荡电路的设计参数。使得振荡器的输出频率不跟随温度变化而变化，从而解决了现有技术中振荡器的频率随温度变化而变化的问题。

Description

一种延迟单元参数选择方法、装置和振荡器电路

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种延迟单元参数选择方法、装置和振荡器电路。

背景技术

时序电路和电荷泵子系统是现有集成电路设计中经常用到的电路结构之一，在时序电路或者电荷泵子系统中均需要一个时钟为整个系统工作提供时钟驱动。该时钟驱动通常由环形振荡器来提供，环形振荡器具有机构简单和成本低的优势，往往会将其集成在一些芯片中进而省略一些外部器件。

申请人经研究发现，所述环形振荡器的输出受温度影响较大，其输出频率随着温度变化而变化，其输出频率偏差较大，例如当温度变化时，输出的频率变化可以偏差50％以上，对于有些对频率要求较高的场合，这样的偏差不能接受。

因此，如何提供一种输出频率不受温度影响的振荡器，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种延迟单元参数选择方法、装置和振荡器电路，以实现解决现有技术中振荡器的输出频率跟随温度变化而变化的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种延迟单元参数选择方法，用于计算振荡电路中延迟单元中开关管的设计参数，方法包括：

对所述振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；

当所述温度系数不为目标温度系数时，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长，继续对调整后的振荡电路进行温度仿真，直至所述温度系数达到所述目标温度系数；

当所述温度系数达到所述目标温度系数时，输出所述振荡电路的设计参数。

优选的，上述延迟单元参数选择方法中，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述开关管的栅长，包括：

获取预设梯度；

当所述温度系数大于目标温度系数时，依据预设度增加所述开关管的栅长，当所述温度系数小于目标温度系数时，依据所述预设度减小所述开关管的栅长。

优选的，上述延迟单元参数选择方法中，所述获取预设梯度，包括：

计算所述温度系数与目标温度系数的差值，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度，其中，所述映射表中获取到的预设梯度的值随着所述差值减小而减小。

优选的，上述延迟单元参数选择方法中，所述目标温度系数为0。

优选的，上述延迟单元参数选择方法中，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度之前，还包括：

获取所述开关管的设计工艺；

获取与所述设计工艺相匹配的映射表。

优选的，上述延迟单元参数选择方法中，当所述延迟单元中开关管的栅长相同时，对所述振荡电路进行温度仿真之前，还包括：预先设置所述开关管的最大栅长和最小栅长；

所述调整所述延迟单元中开关管的栅长，包括：

依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长。

优选的，上述延迟单元参数选择方法中，当所述温度系数为目标温度系数时，还包括：

获取目标频率；

获取并输出与所述目标频率相对应的开关管的栅宽；

获取与所述目标频率相对应的第二开关管的栅宽。

一种延迟单元参数选择装置，用于计算振荡电路中延迟单元中开关管的设计参数，装置包括：

参数设定单元，用于设定所述振荡电路以及所述振荡电路中各个开关管的栅长，当获取到所述判断单元输出的触发信号时，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长；

仿真单元，用于对所述参数设定单元设定的振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；还用于，当检测到所述参数设定单元设定的振荡电路中的开关管的栅长调整时，对调整后的振荡电路进行温度仿真；

判断单元，用于获取所述仿真单元的仿真结果，当所述温度系数不为目标温度系数时，向所述参数设定单元输出触发信号，当所述温度系数为目标温度系数时，向所述输出单元输出触发信号；

输出单元，用于获取到所述判断单元输出的触发信号时，输出所述振荡电路的设计参数。

优选的，上述延迟单元参数选择装置中，所述参数设定单元在调整所述延迟单元中开关管的栅长时，具体用于：

获取预设梯度；

当所述温度系数大于目标温度系数时，依据预设度增加所述开关管的栅长，当所述温度系数小于目标温度系数时，依据所述预设度减小所述开关管的栅长。

优选的，上述延迟单元参数选择装置中，还包括：

梯度采集单元，用于：计算所述温度系数与目标温度系数的差值，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度，其中，所述映射表中获取到的预设梯度的值随着所述差值减小而减小。

优选的，上述延迟单元参数选择装置中，还包括：

映射表提取单元，用于：

获取所述开关管的设计工艺；

获取与所述设计工艺相匹配的映射表。

优选的，上述延迟单元参数选择装置中，当所述参数设定单元设定的延迟单元中开关管的栅长相同时，所述参数设定单元依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长时，具体用于：

依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长，所述最大栅长和最小栅长为预设的所述开关管所允许的最大栅长和最小栅长。

一种振荡器电路，包括：一个电流产生模块和多个延时单元；

各个所述延时单元中开关管的栅长的设计规则满足条件：对所述振荡器电路的温度系数为目标温度系数。

优选的，上述振荡器电路中，所述目标温度系数为0。

优选的，上述振荡器电路中，各个所述延时单元中开关管的栅长相同。

优选的，上述振荡器电路中，所述延时单元中开关管的栅长，由采用上述任意一项所述的方法得到。

优选的，上述振荡器电路中，所述延时单元中的开关管为MOS管；

每个所述延时单元中至少包括一个MOS管组，所述MOS管组包括一个栅极相互连接的第一类型的MOS管和第二类型的MOS管。

优选的，上述振荡器电路中，所述振荡器电路包括5个结构相同的延时单元，每个延时单元包括：

一个PMOS管和一个NMOS管，所述PMOS管的栅极和NMOS管的栅极相连，所述PMOS管的漏极和NMOS管的漏极相连，所述述PMOS管的源极与电流产生模块相连；

下一级延时单元的PMOS管的栅极与上一级延时单元的PMOS管的漏极相连；

最后一级延时单元的PMOS管的漏极与第一级延时单元的PMOS管的栅极相连。

优选的，上述振荡器电路中，所述电流产生模块包括：

比较器，所述比较器的同相输入端用于输入基准电压；

一端与所述比较器的反相输入端相连另一端接地的电阻；

栅极端与所述比较器的输出端相连的第一NMOS开关管，所述第一NMOS开关管的输出端与所述比较器的反相输入端相连；

栅极与所述第一NMOS开关管的漏极相连的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管栅极和漏极相连，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极与外部电源相连，所述第二PMOS管的漏极作为所述电流产生模块的输出端。

基于上述技术方案，本发明实施例提供的方案，通过对振荡器进行温度仿真，依据仿真结果，得到所述振荡器的温度系数，依据所述温度系数与目标温度系数的比较结果调整所述振荡器的延迟单元中开关管的栅长，然后在对调整后的振荡器进行仿真，直至仿真得到的温度系数为所述目标温度系数为止，使得振荡器的输出频率不跟随温度变化而变化，从而解决了现有技术中振荡器的频率随温度变化而变化的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为振荡器的基本结构图；

图2为振荡器的原理示意图；

图3为延迟单元B的基本原理图；

图4为在不同温度下，振荡器的输出频率岁温度的变化示意图；

图5为本申请实施例公开的一种延迟单元参数选择方法的流程示意图；

图6为本申请实施例提供的一种延迟单元参数选择装置的结构示意图；

图7为本申请实施例公开的一种振荡器的电路结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了方便读者理解本申请公开的方案所基于的原理，在介绍本申请实施例公开的延迟单元参数选择方法和装置之前，先对振荡器中的延迟单元的原理进行分析，其中，本申请实施例公开的技术方案中，所述振荡器可以为环形振荡器或其他类型的振荡器。

图1为振荡器的基本结构图，参见图1，环形振荡器主要包括：电流产生模块和若干相同参数的延迟单元B。所述电流产生模块负责产生精准的电流，当然电流也可以由外界给定，通过所述电流产生模块对外界给定的电流进行调整后输出，所述延迟单元B决定了最终振荡的频率。

图2为振荡器的原理示意图，参见图2，振荡器由多级延迟单元B组成，一般每一级的延迟时间相等，最终反馈到第一个延迟单元构成反复振荡系统。

依据图3分析单个延迟单元B的情况，图3为延迟单元B的基本原理图，在图3中，每个延迟单元B等效为一个栅极相互连接的NMOS和PMOS，电流产生模块输出的电流施加在PMOS源极，其中NMOS的宽长比为(W/L)N、PMOS的宽长比为(W/L)P，两者产生了一个电压记为V，中间节点产生了电压Vg；

振荡器在振荡的时候，V保持不变。每级的栅电容为W*L*Cox，其中Cox为单位面积栅极电容；

计算可知：

其中，Vtn为NMOS阈值，un为电子迁移率，I为电流产生模块产生的电流值；

其中，up为空穴迁移率，Vtp为PMOS阈值；

前一级PMOS的栅为V后，NMOS处于饱和区域，饱和电流记为IoN；

前一级的PMOS的栅为0后，PMOS处于饱和区域，饱和电路记为IoP；

每个振荡周期，单个延迟单元B通过的电荷量为Q；

其中，K为一个调和常数。由PMOS和NMOS产生的延迟时间之和记为TD

也就是：

那么，最终的时钟频率freq为：

当振荡器的温度发生变化时，所述振荡器的输出频率随温度发生变化，此时需要采用温度系数对振荡器的输出频率进行校正，参见图4，图4为在不同温度下，振荡器的输出频率岁温度的变化示意图，图中L为延时单元B中开关管的栅长，分析图4，例如栅长度L较短时候，温度系数为正，栅长L较长时，温度系数为负。那么会存在一个特定的栅长度，其温度系数几乎为0，此时无需依据温度系数对振荡器的输出频率进行校正，在此，申请人将此长度定义为Ho`s BandGap(何氏带隙)。

为了如何确定振荡电路中各个开关管的何氏带隙，申请人公开了一种延迟单元参数选择方法和装置。图5为本申请实施例公开的一种延迟单元参数选择方法的流程示意图，其用于计算振荡电路中延迟单元中开关管的设计参数，参见图5，方法包括：

步骤S101：对所述振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；

本步骤中，在最开始时，用户可预先设定一个振荡电路，并设定振荡电路中各个元件的参数，其中包括延迟单元中开关管的栅长，在最开始时，对初始设定的振荡电路进行仿真；每当检测到开关管的栅长调整以后，均对调整后的振荡电路再次进行仿真；

步骤S102：比较所述温度系数与目标温度系数的大小，当所述温度系数不为目标温度系数时，执行步骤S103，当所述温度系数达到所述目标温度系数时，执行步骤S104；

在执行本申请实施例公开的方法之前，可预先设计一个目标温度系数，其可以为0，或其也可以是与0的差值不大于预设阈值的一个预设范围值，例如该预设阈值可以为不大于0.1，此时，所述预设范围值可以为[-0.1,0.1]。

步骤S103：依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长，执行步骤S101；

在本步骤中，所述开关管指的是所述延迟单元中的PMOS管、NMOS管或三级管等，当所述温度系数大于或小于目标温度系数，均需要对所述延迟单元中开关管的栅长进行调整。

步骤S104：输出所述振荡电路的设计参数；

本步骤中，当所述温度系数达到所述目标温度系数时，表明设计合理，此时无需采用温度系数对振荡器输出的振荡频率进行校正，可输出设计结果。

在本申请实施例公开的上述方案中，通过对振荡器进行温度仿真，依据仿真结果，得到所述振荡器的温度系数，依据所述温度系数与目标温度系数的比较结果调整所述振荡器的延迟单元中开关管的栅长，然后在对调整后的振荡器进行仿真，直至仿真得到的温度系数为所述目标温度系数为止，使得振荡器的输出频率不跟随温度变化而变化，从而提高了振荡器的输出频率的精准度。

进一步的，在依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述开关管的栅长时，比较结果不同所调整的开关管栅长的方向不同，例如，如果温度系数大于目标温度系数时，需要增大开关管的栅长，如果温度系数小于目标温度系数时，需要减小开关管的栅长，所增大或减小的梯度可以为用户预先设定的一个梯度；

因此，上述方法中，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述开关管的栅长，具体可以包括：

获取预设梯度；

当所述温度系数大于目标温度系数时，依据预设度增加所述开关管的栅长，当所述温度系数小于目标温度系数时，依据所述预设度降低所述开关管的栅长；

具体的，在本申请实施例中，增大开关管的栅长和降低开关管的栅长，统一对延迟单元中所有开关管的栅长进行增大或减小。

在本申请实施例公开的技术方案中，如果所述温度系数与目标温度系数的差值较大时，所需增大或降低的开关管的栅长值较大，而所述温度系数与目标温度系数的差值较小时，所需增大或降低的开关管的栅长值较小，如果采用固定的预设度降难以使得所述温度系数快速达到所述目标温度系数，针对于此，本申请实施例公开的技术方案中，可预先针对温度系数与目标温度系数的差值设置不同的预设梯度，将所述差值与各个预设梯度之间的对应关系存储于映射表中，所述映射表中获取到的预设梯度的值随着所述差值减小而减小，当需要调整开关管的栅长时，先获取对应的预设梯度，然后在依据预设梯度对开关管的栅长进行调整，因此，上述方法中，所述获取预设梯度，可以包括：

计算所述温度系数与目标温度系数的差值，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度。

在本申请实施例公开的技术方案中，所述预设梯度的大小除了与所述差值有关之外，还与所述开挂管的设计工艺相关，开关管的工艺不同，相同差值下所选择的预设梯度的值也就不同。在电路设计时，同一电路中的开关管所的设计工艺通常相同，因此，本申请实施例公开的技术方案中，可以针对不同的设计工艺预先配置不同的映射表，因此，上述方法中，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度之前，还包括：获取所述开关管的设计工艺；获取与所述设计工艺相匹配的映射表，依据该映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度。

在调整延迟单元中的开关管的栅长时，除了依据映射表查找预设梯度，依据预设梯度调节延迟单元中的开关管的栅长的方式之外，也可以采用二分法调节开关管的栅长，采用二分法方法能够快速确定所述开关管的目标栅长，但是，这要要求需要知晓所述延迟单元中开关管的初始栅长，且，各个开关管的初始栅长要求一致。如果延迟单元中各个开关管的初始栅长不一致时，无法确定所述初始状态时开关管的栅长，因此，无法采用二分法进行调节，而当所述延迟单元中各个开关管采用同一栅长时，就能够采用二分法对所述开关管的栅长进行快速调整，具体的，上述方案中,当所述延迟单元中开关管的栅长相同时，对所述振荡电路进行温度仿真之前还包括：预先设置所述开关管的最大栅长和最小栅长；

所述调整所述延迟单元中开关管的栅长，包括：

依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长。

具体的，在二分法方案中，可以针对不同工艺类型的开关管设计不同的最大栅长和最小栅长，在依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长之前，还需要依据所述开关管的栅长选择对应的最大栅长和最小栅长。

由于如果所述振荡电路的频率确定了，由于栅宽与频率之间存在一一对应的关系，那么振荡电路延迟单元中的开关管的栅宽也就确定了，因此，在本申请实施例公开的技术方案中，除了可以输出所述延迟单元中开关管的栅长之外，还可以输出开关管的栅宽以及所设计的电流产生模块A的输出电流值，因此，上述方法中，当所述温度系数为目标温度系数时，还包括：

获取目标频率；

获取并输出与所述目标频率相对应的开关管的栅宽；

获取与所述目标频率相对应的第二开关管的栅宽。

对应于上述方法本申请还公开了一种延迟单元参数选择装置，本申请实施例公开的方法与装置出于同一发明构思，该装置中的技术特征可以与所述方法中的技术特征描述相互借鉴，由于上述方法中已经对发明构思进行了详细说明，在对装置进行介绍时，描述较为简单，细节部分参见方法描述即可。

图6为本申请实施例提供的一种延迟单元参数选择装置的结构示意图，所述延迟单元参数选择装置用于计算振荡电路中延迟单元中开关管的设计参数，参见图6，装置包括：

参数设定单元100，其部分特征与上述方法中步骤S103相对应，用于设定所述振荡电路以及所述振荡电路中各个开关管的栅长，当获取到所述判断单元输出的触发信号时，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长；

仿真单元200，其与上述方法中步骤S101相对应，用于对所述参数设定单元设定的振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；还用于，当检测到所述参数设定单元设定的振荡电路中的开关管的栅长调整时，对调整后的振荡电路进行温度仿真；

判断单元300，其与上述方法中步骤S102相对应，用于获取所述仿真单元的仿真结果，当所述温度系数不为目标温度系数时，向所述参数设定单元输出触发信号，当所述温度系数为目标温度系数时，向所述输出单元输出触发信号；

输出单元400，其与上述方法中步骤S104相对应，用于获取到所述判断单元输出的触发信号时，输出所述振荡电路的设计参数。

在本申请实施例公开的上述方案中，参数设定单元100设定振荡器的设计参数，然后通过仿真单元200对振荡器进行温度仿真，判断单元300将仿真得到的温度系数与目标温度系数进行比较，依据比较结果触发参数设定单元100或输出单元，当参数设定单元100被触发时，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长，然后在触发仿真单元200工作，最终使得仿真得到的温度系数与目标温度系数相同，使得振荡器的输出频率不跟随温度变化而变化，从而提高了振荡器的输出频率的精准度。

对应于上述方法，所述参数设定单元100在调整所述延迟单元中开关管的栅长时，具体用于：

获取预设梯度；

当所述温度系数大于目标温度系数时，依据预设度增加所述开关管的栅长，当所述温度系数小于目标温度系数时，依据所述预设度减小所述开关管的栅长。

对应于上述方法，上述装置中，还可以包括：

梯度采集单元，用于：计算所述温度系数与目标温度系数的差值，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度，其中，所述映射表中获取到的预设梯度的值随着所述差值减小而减小。

对应于上述方法，上述装置中还可以包括：

映射表提取单元，用于：

获取所述开关管的设计工艺；

获取与所述设计工艺相匹配的映射表。

对应于上述方法，上述装置中，当所述参数设定单元设定的延迟单元中开关管的栅长相同时，所述参数设定单元依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长时，具体用于：

依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长，所述最大栅长和最小栅长为预设的所述开关管所允许的最大栅长和最小栅长。

对应于上述方法和装置，本申请还公开了一种振荡器电路，包括：一个电流产生模块A和多个延时单元B；

各个所述延时单元B中开关管的栅长的设计规则满足条件：对所述振荡器电路的温度系数为目标温度系数，即通过对所述延时单元B中的开关管设置合适的栅长，使得所述振荡器温度系数为目标温度系数，在这里，所述目标温度系数可以为0，此时所述振荡器的输出频率不随振荡器温度变化而变化，其中，所述延时单元B中的开关管的栅长可以为采用本申请上述任意一项实施例公开的方法或装置分析得到的开关管的栅长。

为了方便设计，在本申请实施例公开的技术方案中，各个所述延时单元B中开关管的栅长相同、设计工艺相同，当然其栅宽也可以相同。

进一步的，参见图7，图7为本申请实施例公开的一种振荡器的电路结构示意图，本申请实施例公开的技术方案中，所述延时单元B中的开关管为MOS管，每个所述延时单元B中至少包括一个MOS管组，所述MOS管组包括一个栅极相互连接的第一类型的MOS管和第二类型的MOS管。也就是说，任何在延迟单元通过在MOS管组的基础上，尝试增加或者减小MOS管的接法，均属于本专利保护范围。

可选的，在本申请实施例公开的技术方案中，所述振荡器电路包括2n+1个延时单元B，例如，参见图7，所述振荡器电路可以包括5个结构相同的延时单元B，参见图7，每个延时单元B包括：

一个PMOS管和一个NMOS管，所述PMOS管的栅极和NMOS管的栅极相连，所述PMOS管的漏极和NMOS管的漏极相连，所述述PMOS管的源极与电流产生模块A相连；

下一级延时单元B的PMOS管的栅极与上一级延时单元B的PMOS管的漏极相连；

最后一级延时单元B中PMOS管的漏极与第一级延时单元B的PMOS管的栅极相连。

此外，本申请还公开了一种振荡器电路的具体结构，参见图7，所述电流产生模块A包括：

比较器OP，所述比较器OP的同相输入端用于输入基准电压；

一端与所述比较器OP的反相输入端相连另一端接地的电阻R；

栅极端与所述比较器的输出端相连的第一NMOS开关管M1，所述第一NMOS开关管M1的输出端与所述比较器OP的反相输入端相连；

栅极与所述第一NMOS开关管M1的漏极相连的第一PMOS管M2和第二PMOS管M3，所述第一PMOS管栅极M2和漏极相连，所述第一PMOS管M2和第二PMOS管M3的源极与外部电源相连，所述第二PMOS管M3的漏极作为所述电流产生模块A的输出端。

进一步的，参见图7，上述电路中还可以包括滤波电容C，所述滤波电容C的第一端与所述电流产生模块A的输出端相连，第二端接地。

为了描述的方便，描述以上系统时以功能分为各种模块分别描述。当然，在实施本申请时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (18)

1.一种延迟单元参数选择方法，其特征在于，用于计算振荡电路中延迟单元中开关管的设计参数，方法包括：

对所述振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；

当所述温度系数不为目标温度系数时，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长，继续对调整后的振荡电路进行温度仿真，直至所述温度系数达到所述目标温度系数；

当所述温度系数达到所述目标温度系数时，输出所述振荡电路的设计参数。

2.根据权利要求1所述的延迟单元参数选择方法，其特征在于，依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述开关管的栅长，包括：

获取预设梯度；

当所述温度系数大于目标温度系数时，依据预设度增加所述开关管的栅长，当所述温度系数小于目标温度系数时，依据所述预设度减小所述开关管的栅长。

3.根据权利要求2所述的延迟单元参数选择方法，其特征在于，所述获取预设梯度，包括：

计算所述温度系数与目标温度系数的差值，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度，其中，所述映射表中获取到的预设梯度的值随着所述差值减小而减小。

4.根据权利要求1所述的延迟单元参数选择方法，其特征在于，所述目标温度系数为0。

5.根据权利要求3所述的延迟单元参数选择方法，其特征在于，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度之前，还包括：

获取所述开关管的设计工艺；

获取与所述设计工艺相匹配的映射表。

6.根据权利要求1所述的延迟单元参数选择方法，其特征在于，当所述延迟单元中开关管的栅长相同时，对所述振荡电路进行温度仿真之前，还包括：预先设置所述开关管的最大栅长和最小栅长；

所述调整所述延迟单元中开关管的栅长，包括：

依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长。

7.根据权利要求1所述的延迟单元参数选择方法，其特征在于，当所述温度系数为目标温度系数时，还包括：

获取目标频率；

获取并输出与所述目标频率相对应的开关管的栅宽；

获取与所述目标频率相对应的第二开关管的栅宽。

8.一种延迟单元参数选择装置，其特征在于，用于计算振荡电路中延迟单元中开关管的设计参数，装置包括：

参数设定单元，用于设定所述振荡电路以及所述振荡电路中各个开关管的栅长，当获取到判断单元输出的触发信号时，依据温度系数与目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长；

仿真单元，用于对所述参数设定单元设定的振荡电路进行温度仿真，得到所述振荡电路的温度系数；还用于，当检测到所述参数设定单元设定的振荡电路中的开关管的栅长调整时，对调整后的振荡电路进行温度仿真；

判断单元，用于获取所述仿真单元的仿真结果，当所述温度系数不为目标温度系数时，向所述参数设定单元输出触发信号；

输出单元，用于当所述温度系数为目标温度系数时，获取到所述判断单元输出的触发信号时，输出所述振荡电路的设计参数。

9.根据权利要求8所述的延迟单元参数选择装置，其特征在于，所述参数设定单元在调整所述延迟单元中开关管的栅长时，具体用于：

获取预设梯度；

当所述温度系数大于目标温度系数时，依据预设度增加所述开关管的栅长，当所述温度系数小于目标温度系数时，依据所述预设度减小所述开关管的栅长。

10.根据权利要求9所述的延迟单元参数选择装置，其特征在于，还包括：

梯度采集单元，用于：计算所述温度系数与目标温度系数的差值，依据映射表获取与所述差值相匹配的预设梯度，其中，所述映射表中获取到的预设梯度的值随着所述差值减小而减小。

11.根据权利要求9所述的延迟单元参数选择装置，其特征在于，还包括：

映射表提取单元，用于：

获取所述开关管的设计工艺；

获取与所述设计工艺相匹配的映射表。

12.根据权利要求8所述的延迟单元参数选择装置，其特征在于，当所述参数设定单元设定的延迟单元中开关管的栅长相同时，所述参数设定单元依据所述温度系数与所述目标温度系数的比较结果调整所述延迟单元中开关管的栅长时，具体用于：

依据所述延迟单元中开关管的栅长、最大栅长和最小栅长采用二分法调整所述延迟单元中开关管的栅长，所述最大栅长和最小栅长为预设的所述开关管所允许的最大栅长和最小栅长。

13.一种振荡器电路，其特征在于，包括：一个电流产生模块和多个延时单元；

各个所述延时单元中开关管的栅长的设计规则满足条件：对所述振荡器电路的温度系数为目标温度系数，所述延时单元中开关管的栅长，由采用权利要求1-7任意一项所述的方法得到。

14.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述目标温度系数为0。

15.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，各个所述延时单元中开关管的栅长相同。

16.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述延时单元中的开关管为MOS管；

每个所述延时单元中至少包括一个MOS管组，所述MOS管组包括一个栅极相互连接的第一类型的MOS管和第二类型的MOS管。

17.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述振荡器电路包括5个结构相同的延时单元，每个延时单元包括：

一个PMOS管和一个NMOS管，所述PMOS管的栅极和NMOS管的栅极相连，所述PMOS管的漏极和NMOS管的漏极相连，所述述PMOS管的源极与电流产生模块相连；

下一级延时单元的PMOS管的栅极与上一级延时单元的PMOS管的漏极相连；

最后一级延时单元的PMOS管的漏极与第一级延时单元的PMOS管的栅极相连。

18.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流产生模块包括：

比较器，所述比较器的同相输入端用于输入基准电压；

一端与所述比较器的反相输入端相连另一端接地的电阻；

栅极端与所述比较器的输出端相连的第一NMOS开关管，所述第一NMOS开关管的输出端与所述比较器的反相输入端相连；

栅极与所述第一NMOS开关管的漏极相连的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管栅极和漏极相连，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极与外部电源相连，所述第二PMOS管的漏极作为所述电流产生模块的输出端。