CN108987551B - 发光装置以及发光装置的制造方法 - Google Patents
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- CN108987551B CN108987551B CN201810531983.XA CN201810531983A CN108987551B CN 108987551 B CN108987551 B CN 108987551B CN 201810531983 A CN201810531983 A CN 201810531983A CN 108987551 B CN108987551 B CN 108987551B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 67
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 168
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 320
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 48
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 37
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- LZWJWPDVARVFJI-UHFFFAOYSA-N antimony;nickel;oxotitanium Chemical class [Ni].[Sb].[Ti]=O LZWJWPDVARVFJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法,提供即使从倾斜方向观察,从发光元件的漏光也较少的发光装置以及发光装置的制造方法。发光装置(100)具备:透光性部件(3),其具备第一面、与上述第一面相反侧的第二面、与上述第一面以及上述第二面连接的第三面;荧光体层(4),其与上述透光性部件的上述第二面对置地配置;覆盖层(5),其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述第三面;发光元件(1),其与上述荧光体层对置地配置;以及反射部件(6),其覆盖上述覆盖层的至少一部分。
Description
技术领域
本公开涉及发光装置以及发光装置的制造方法。
背景技术
以往,作为汽车的尾灯、信号灯、液晶面板的背光灯等光源,在许多的领域使用红色LED。另一方面,已知由四元系材料构成的红色LED与绿色LED、蓝色LED相比温度特性较差,高温时的输出降低较大。
因此,近年,不使用红色LED,而提出了提高红色光的发光效率的发光装置。例如,在专利文献1中,提出了在蓝色LED与含有红色荧光体的含荧光体层之间设置反射蓝色光的电介质多层膜,通过蓝色光使红色荧光体高效地激发,从而提高红色光的发光效率的发光装置。
专利文献1:日本特开2014-130911号公报
然而,在上述的发光装置中,相对于电介质多层膜的蓝色光的射入角(0°~90°)越大,透过电介质多层膜的蓝色光的比例越增加。因此,特别是在从斜向观察上述的发光装置的情况下,也有含荧光体层射出的红色光与透过电介质多层膜的蓝色光混在一起,而红色光的颜色纯度降低的情况。
发明内容
本公开所涉及的实施方式的课题在于提供即使从倾斜方向观察,从发光元件的漏光也较少的发光装置以及发光装置的制造方法。
本公开的实施方式所涉及的发光装置具备:透光性部件,其具备第一面、与上述第一面相反侧的第二面、与上述第一面以及上述第二面连接的第三面;荧光体层,其与上述透光性部件的上述第二面对置地配置;覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述第三面;发光元件,其与上述荧光体层对置地配置;以及反射部件,其覆盖上述覆盖层的至少一部分。
本公开的实施方式所涉及的发光装置具备:透光性部件,其具备第一面、与上述第一面相反侧的第二面、与上述第一面以及上述第二面连接的第三面;荧光体层,其与上述透光性部件的上述第一面对置地配置;覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述第三面;发光元件,其与上述透光性部件对置地配置;以及反射部件,其覆盖上述覆盖层的至少一部分。
本公开的实施方式所涉及的发光装置的制造方法包含:准备第一部件的工序,该第一部件具备:透光性部件,其具备第一面、与上述第一面相反侧的第二面、与上述第一面以及上述第二面连接的第三面;荧光体层,其与上述透光性部件的上述第二面对置地配置;以及覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述第三面;在具有凹部的基台安装发光元件的工序;将上述发光元件与上述第一部件接合的工序;以及以覆盖上述覆盖层的至少一部分的侧面的方式在上述凹部设置反射部件的工序。
本公开的实施方式所涉及的发光装置的制造方法包含:准备第二部件的工序,该第二部件具备:透光性部件,其具备第一面、与上述第一面相反侧的第二面、与上述第一面以及上述第二面连接的第三面;荧光体层,其与上述透光性部件的上述第二面对置地配置;覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述第三面;以及发光元件,其与上述荧光体层对置地配置;在具有凹部的基台之上安装上述第二部件的上述发光元件的工序;以及以覆盖上述覆盖层的至少一部分的侧面的方式在上述凹部设置反射部件的工序。
本公开的实施方式所涉及的发光装置的制造方法包含:准备第三部件的工序,该第三部件具备:透光性部件,其具备第一面、与上述第一面相反侧的第二面、与上述第一面以及上述第二面连接的第三面;荧光体层,其与上述透光性部件的上述第一面对置地配置;覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述第三面;以及发光元件,其与上述透光性部件对置地配置;在具有凹部的基台之上安装上述第三部件的上述发光元件的工序;以及以覆盖上述覆盖层的至少一部分的侧面的方式在上述凹部设置反射部件的工序。
根据本公开的实施方式所涉及的发光装置,即使从倾斜方向观察,也能够减少从发光元件的漏光。
附图说明
图1A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的构成的俯视图。
图1B是第一实施方式所涉及的发光装置的图1A中的IB-IB线上的剖视图。
图2A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的变形例的构成的剖视图。
图2B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的变形例的构成的剖视图。
图2C是表示第一实施方式所涉及的发光装置的变形例的构成的剖视图。
图3是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的顺序的流程图。
图4A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的电介质多层膜形成工序的剖视图。
图4B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的荧光体层形成工序的剖视图。
图4C是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的透光性部件单片化工序的剖视图。
图5A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的单片化部件配置工序的剖视图。
图5B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的覆盖层形成工序的剖视图。
图5C是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的覆盖层分割工序的剖视图。
图5D是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的第一部件剥离工序的剖视图。
图6A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的发光元件安装工序的剖视图。
图6B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的第一部件接合工序的剖视图。
图6C是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的反射部件配置工序的剖视图。
图7是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例的顺序的流程图。
图8A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的电介质多层膜形成工序的剖视图。
图8B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的荧光体层形成工序的剖视图。
图8C是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的透光性部件单片化工序的剖视图。
图9A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的单片化部件配置工序的剖视图。
图9B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的覆盖层形成工序的剖视图。
图9C是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的发光元件载置工序的剖视图。
图9D是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的覆盖层分割工序的剖视图。
图9E是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的第二部件剥离工序的剖视图。
图10A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的发光元件安装工序的剖视图。
图10B是表示第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中的反射部件配置工序的剖视图。
图11A是表示第二实施方式所涉及的发光装置的构成的俯视图。
图11B是第二实施方式所涉及的发光装置的图11A中的XIB-XIB线上的剖视图。
图12是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法的顺序的流程图。
图13A是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的电介质多层膜形成工序的剖视图。
图13B是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的荧光体层形成工序的剖视图。
图13C是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的透光性部件单片化工序的剖视图。
图14A是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的单片化部件配置工序的剖视图。
图14B是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的覆盖层形成工序的剖视图。
图14C是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的发光元件载置工序的剖视图。
图14D是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的覆盖层分割工序的剖视图。
图14E是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的第三部件剥离工序的剖视图。
图15A是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的发光元件安装工序的剖视图。
图15B是表示第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法中的反射部件配置工序的剖视图。
图16是表示ECE标准与色度坐标的关系的图。
图17是表示波长与光强度的关系的图。
图18是表示指向角与配光色度的关系的图。
图19A是表示实施例1所涉及的发光装置的点亮时的外观的图。
图19B是表示实施例2所涉及的发光装置的点亮时的外观的图。
图19C是表示比较例1所涉及的发光装置的点亮时的外观的图。
具体实施方式
以下,对实施方式所涉及的发光装置、及其制造方法进行说明。此外,在以下的说明中参照的附图示意地示出实施方式,所以有时各部件的规模、间隔、位置关系等夸张,或者,省略部件的一部分的图示。另外,在俯视图及其剖视图中,也有各部件的规模、间隔不一致的情况。另外,在以下的说明中,原则上对于同一名称以及附图标记来说表示同一或者同样的部件,适当地省略详细的说明。另外,在本说明书中,“上”、“下”等表示构成要素间的相对的位置,并不表示绝对的位置。
《第一实施方式》
<发光装置的构成>
首先,参照图1A以及图1B,对第一实施方式所涉及的发光装置100的构成进行说明。图1A是表示第一实施方式所涉及的发光装置的构成的俯视图,图1B是表示图1A的IB-IB线上的第一实施方式所涉及的发光装置的构成的剖视图。此外,图1A与在图1B的剖视图中对各部件施加的影线对应地,记载相同的影线。
发光装置100具备:透光性部件3,其具备第一面、与第一面相反侧的第二面、和第一面以及第二面连接的第三面;荧光体层4,其与透光性部件3的第二面对置地配置;覆盖层5,其配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面;发光元件1,其与荧光体层4对置地配置;以及反射部件6,其覆盖覆盖层5的至少一部分。发光元件1配置于基台2。
发光元件1具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面。第一面是上表面,第二面是下表面,第三面是侧面。发光元件1的第一面与荧光体层4对置地配置,发光元件1的第二面配置在基台2的凹部23a的底面23b上,发光元件1的第三面配置在反射部件6。该发光元件1与配置在基台2的布线电连接,并射出蓝色光。
发光元件1在俯视时为大致正方形。发光元件1在俯视时,既可以是与荧光体层4相同的面积,也可以是比荧光体层4小的面积。此外,发光元件1在俯视时,既可以是四边形、三边形、六边形等多边形,也可以是圆形、椭圆形等。
基台2具有凹部23a,在俯视时,外部形状以及成为凹部23a的内侧的内部形状为大致正方形。基台2例如由陶瓷、热固化性树脂、热塑性树脂等材料形成。此外,基台2也可以是不具有凹部23a的平板状。
透光性部件3具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面。第一面是上表面,第二面是下表面,第三面是侧面。透光性部件3的第二面与荧光体层4对置地配置,透光性部件3的第三面配置在覆盖层5。另外,在透光性部件3的第二面与荧光体层4之间配置有电介质多层膜7。通过设置电介质多层膜7基本上不会向外部泄露透过荧光体层4的来自发光元件1的光,能够使其返回到荧光体层4,能够高效地利用荧光体层4对来自发光元件1的泄漏光进行波长转换。
优选透光性部件3由具有良好的透光性的材料形成,作为该材料,例如能够列举玻璃、陶瓷、丙烯酸树脂、硅树脂、环氧树脂等。
荧光体层4例如经由接合部件8与发光元件1接合,吸收发光元件1射出的蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光。这里,黄红至红色光是指从黄红色到红色的波长范围的颜色的光。发光元件1射出的蓝色光越多地射入荧光体层4,荧光体层4越能够高效地使荧光体激发,越多地射出黄红至红色光。此外,荧光体层4既可以通过混合荧光体和母材形成,也可以仅由荧光体形成。
优选荧光体层4的母材是具有良好的透光性的材料,作为该材料,例如能够列举硅树脂、环氧树脂、苯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氟树脂、它们的变性树脂、它们的混合树脂等。特别是,硅树脂由于耐久性、耐热性以及耐光性优异,所以优选使用为荧光体层4的母材。
荧光体层4含有的荧光体是吸收发光元件1射出的蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光的材料。作为荧光体的材料,例如能够列举CaAlSiN3:Eu荧光体(“CASN荧光体”)、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu荧光体(“SCASN荧光体”)、K2SiF6:Mn荧光体(“KSF荧光体”)等,或者,它们的组合等。
覆盖层5在荧光体层4的侧面、电介质多层膜7的侧面、以及透光性部件3的第三面配置为矩形环状,吸收发光元件1射出的蓝色光的至少一部分并射出或者呈现黄红至红色光。另外,覆盖层5吸收透过电介质多层膜7的蓝色光。覆盖层5配置为从荧光体层4的侧面覆盖到透光性部件3的第三面,从而从蓝色光转换为黄红至红色光的光的比例增加。由此,能够实现即使相对于电介质多层膜7的射入角(0°~90°)增大,从而透过电介质多层膜7的蓝色光的比例增加,从发光元件1的漏光也较少的发光装置100。
覆盖层5既可以是荧光体层,也可以是颜料层。在覆盖层5是荧光体层的情况下,荧光体吸收蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光。另一方面,在覆盖层5为颜料层的情况下,颜料吸收蓝色光的至少一部分并呈现黄红至红色光。颜料自身不发光。此外,在覆盖层5含有荧光体的情况下,优选荧光体层4中的荧光体的密度比覆盖层5中的荧光体的密度高。
优选覆盖层5的母材是具有良好的透光性的材料,作为该材料,例如能够列举硅树脂、环氧树脂、苯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氟树脂、它们的变性树脂、它们的混合树脂等。特别是,硅树脂由于耐久性、耐热性以及耐光性优异,所以优选使用为覆盖层5的母材。
作为覆盖层5含有的荧光体所使用的材料,例如能够列举CASN荧光体、SCASN荧光体、KSF荧光体等,或者,它们的组合等。另外,作为覆盖层5含有的颜料所使用的材料,例如能够列举二萘嵌苯系颜料、钛镍锑系氧化物、它们的组合等。
优选反射部件6配置为覆盖覆盖层5的至少一部分。这是因为能够增加从发光元件1的向上方的光量。在附图中除了覆盖层5的上表面覆盖侧面以及下表面。在基台2具有凹部23a的情况下,更优选反射部件6填充到凹部23a,覆盖覆盖层5。反射部件6通过使覆盖层5射出或者呈现的黄红至红色光高效地反射,能够提高发光装置100的光取出效率。
优选反射部件6的母材是具有良好的透光性的材料,作为该材料,例如能够列举硅树脂、硅变性树脂、硅混合树脂、环氧树脂、环氧变性树脂、尿素树脂、邻苯二甲酸二丙烯酯树脂、苯树脂、不饱和聚酯树脂等。
优选反射部件6含有的光反射性物质是与母材的折射率差较大的材料,例如能够列举氧化钛、二氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼等。特别是,氧化钛由于对于水分等稳定性较高,导热性也优异,所以优选使用为光反射性物质。此外,优选光反射性物质的平均粒径在0.001μm以上10μm以下,更优选在0.001μm以上0.05μm以下。通过使平均粒径在该范围,能够提高光散射效应,提高发光装置100的光取出效率。
电介质多层膜7配置在透光性部件3与荧光体层4之间,使发光元件1射出的蓝色光高效地射入荧光体层4或者覆盖层5。即,电介质多层膜7对发光元件1射出的蓝色光具有较高的反射率,对荧光体层4射出的黄红至红色光,或者覆盖层5射出或者呈现的黄红至红色光具有较高的透过率。优选电介质多层膜7的对于蓝色光的反射率在蓝色光的射入角在0°以上30°以下的范围时,在90%以上,更优选在蓝色光的射入角在0°以上30°以下的范围时,在95%以上。
电介质多层膜7通过交替地层叠至少两种以上的电介质层形成。作为电介质层所使用的材料,例如能够列举SiO2、Nb2O5等。此外,电介质层的层叠数并不特别限定。
接合部件8将发光元件1与荧光体层4接合。优选接合部件8由与荧光体层4的母材相同的材料形成。由此,能够减小荧光体层4与接合部件8的折射率差,所以能够使发光元件1射出的蓝色光较多地射入荧光体层4。另外,优选接合部件8由具有良好的透光性的材料形成。作为该材料,例如能够列举硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等。
如上述那样,根据第一实施方式所涉及的发光装置100,覆盖层5配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面。若不设置覆盖层5,而直接以反射部件6覆盖透光性部件3的第三面,则发光元件1的光从透光性部件3的第三面与反射部件6的界面附近泄露到外部。与此相对,通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面设置覆盖层5,能够防止来自发光元件1的光泄露到外部。由此,能够成为即使从倾斜方向观察,从发光元件的漏光也较少,能够不根据观察红色的方向改变而进行显示的发光装置100。
<变形例>
接下来,参照图2A、图2B、以及图2C,对第一实施方式所涉及的发光装置100中的变形例进行说明。在第一变形例中,对在图1所示的发光装置100中,使发光元件1与荧光体层4的接合方法变形的发光装置100A进行说明。在第二变形例中,对在图1所示的发光装置100中,使接合部件8的形状变形的发光装置100B进行说明。在第三变形例中,对在图1所示的发光装置100中,使反射部件6的结构变形的发光装置100C进行说明。
(第一变形例)
图2A是表示第一实施方式所涉及的发光装置100的变形例的构成的剖视图。参照图2A对第一变形例所涉及的发光装置100A进行说明。
本变形例中的发光装置100A直接接合发光元件1与荧光体层4。通过不在发光元件1与荧光体层4之间配置接合部件8,发光元件1射出的蓝色光不容易被接合部件8遮挡,所以能够使发光装置100A中的发光不均减少。
作为直接接合的方法,例如能够列举表面活化键合法、羟基键合法、原子扩散键合法等。表面活化键合法是通过在真空中对接合面进行处理成为容易化学键合的状态,将各接合面键合的方法。羟基键合法是通过原子层沉积法等在接合面形成羟基,并使各接合面的羟基键合的方法。原子扩散键合法是通过在各接合面形成于相当一个原子层的膜厚的金属膜,并在真空中或者非活性气体环境气中使各接合面接触来使金属原子键合的方法。通过这样的直接接合,能够在接近常温的环境下,使发光元件1与荧光体层4成为一体。
(第二变形例)
图2B是表示第一实施方式所涉及的发光装置100的变形例的构成的剖视图。参照图2B对第二变形例所涉及的发光装置100B进行说明。
本变形例中的发光装置100B在发光元件1的第一面以及第三面配置接合部件8B。由于接合部件8B也设置在发光元件1的第三面,形成倒角,所以能够容易地使发光元件1射出的蓝色光射入荧光体层4以及覆盖层5。另外,接合部件8B不仅将发光元件1与荧光体层4接合,还将发光元件1与覆盖层5接合。因此,即使在俯视时,发光元件1的面积比荧光体层4的面积小的情况下,也能够使发光元件1射出的蓝色光高效地射入荧光体层4或者覆盖层5。
另外,配置在发光元件1的第三面的接合部件8B的倒角部分在剖视时,大致为三角形。通过成为该形状,能够使发光元件1射出的蓝色光更多地在接合部件8B与反射部件6的界面反射。由此,能够提高发光装置100B中的发光效率,使发光亮度提高。此外,接合部件8B能够根据接合部件的量调整倒角部分的大小,能够根据发光元件1与荧光体层4以及覆盖层5的接合面的润湿性、粘度适当地决定倒角部分的大小。
(第三变形例)
图2C是表示第一实施方式所涉及的发光装置100的变形例的构成的剖视图。参照图2C对第三变形例所涉及的发光装置100C进行说明。
本变形例中的发光装置100C在覆盖层5与反射部件6之间设置保护层10。保护层10使覆盖层5射出或者呈现的黄红至红色光高效地在反射部件6的光反射面反射。另外,保护层10抑制光反射面的损伤、劣化,并且使反射部件6的耐腐蚀性提高。此外,保护层10也可以不仅配置在覆盖层5与反射部件6之间,还配置在发光元件1与反射部件6之间。
优选保护层10由反射率较高的材料形成,更优选由耐腐蚀性较高的金属材料形成。保护层10例如能够列举Ni、Rh、Pt、Pd、Ru、Os、Ir等,作为材料。另外,优选保护层10的膜厚在0.1nm以上500nm以下,更优选在10nm以上200nm以下。通过使膜厚为该范围,能够提高发光装置100C的光取出效率,并保护反射部件6。此外,在本说明书中,相反侧在将第一面作为表面的情况下,是指作为相对于表面的背面的第二面。
<发光装置的制造方法>
接下来,参照图3~图6C对第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法进行说明。此外,一部分的工序并不限定顺序,顺序也可以前后颠倒。
第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法包含第一部件准备工序(S21)、发光元件安装工序(S22)、第一部件接合工序(S23)、以及反射部件配置工序(S24)。第一部件准备工序(S21)包含电介质多层膜形成工序(S201)、荧光体层形成工序(S202)、透光性部件单片化工序(S203)、单片化部件配置工序(S204)、覆盖层形成工序(S205)、覆盖层分割工序(S206)、以及第一部件剥离工序(S207)。
第一部件准备工序(S21)是准备第一部件的工序,该第一部件具备:透光性部件3,其具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面;荧光体层4,其与透光性部件3的第二面对置地配置;以及覆盖层5,其配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面。
以下,对第一部件准备工序(S21)进行具体的说明。
如图4A所示,电介质多层膜形成工序(S201)是在透光性部件3之上形成电介质多层膜7的工序。在电介质多层膜形成工序(S201)中,电介质多层膜7通过利用溅射法等在透光性部件3之上作为至少两种以上的电介质层成膜来形成。
如图4B所示,荧光体层形成工序(S202)是在电介质多层膜7之上形成荧光体层4的工序。在荧光体层形成工序(S202)中,通过在电介质多层膜7之上利用丝网印刷法等涂覆添加了红色荧光体的树脂来形成荧光体层4。
如图4C所示,透光性部件单片化工序(S203)是使形成了电介质多层膜7以及荧光体层4的透光性部件3单片化的工序。在透光性部件单片化工序(S203)中,利用刀片切割法、激光切割法等,沿着单片化预定线BD1将形成了电介质多层膜7以及荧光体层4的透光性部件3单片化。
如图5A所示,单片化部件配置工序(S204)是以规定间隔在热剥离片9排列单片化后的部件的工序。在单片化部件配置工序(S204)中,以规定间隔在热剥离片9排列单片化后的部件,考虑在下一个工序形成的覆盖层5的宽度等适当地设定该间隔。覆盖层5的宽度是指相对于发光元件1的第三面垂直方向上的覆盖层5的厚度。
热剥离片9是在常温下具有粘着力,粘合被粘合物,但通过加热或者紫外线照射而固化,从而丧失粘着力,剥离被粘合物的片。因此,热剥离片9在进行单片化部件配置工序(S204)~覆盖层分割工序(S206)的期间,具有粘着力,但在进行第一部件剥离工序(S207)时,丧失粘着力。此外,在热剥离片9由于加热而丧失粘着力的情况下,优选热剥离片9的剥离温度比作为荧光体层4以及覆盖层5的母材使用的热固化性树脂的固化温度更高。
如图5B所示,覆盖层形成工序(S205)是在单片化后的部件间形成覆盖层5的工序。在覆盖层形成工序(S205)中,通过使用了分配器的灌注法等,在单片化后的部件间填埋含有红色荧光体或者红色颜料的树脂来形成覆盖层5。此外,覆盖层5不形成在透光性部件3之上。
如图5C所示,覆盖层分割工序(S206)是分割覆盖层5的工序。在覆盖层分割工序(S206)中,利用刀片切割法、激光切割法等,沿着分割预定线BD2分割覆盖层5。优选在俯视时分割预定线BD2设定在露出的覆盖层5的中央。
如图5D所示,第一部件剥离工序(S207)是从热剥离片9剥离第一部件211的工序。在第一部件剥离工序(S207)中,热剥离片9由于加热或者紫外线照射而丧失粘着力,剥离第一部件211。以上,第一部件准备工序(S21)结束。
如图6A所示,发光元件安装工序(S22)是在具有凹部23a的基台2安装发光元件1的工序。在发光元件安装工序(S22)中,优选发光元件1的安装方法是使用了回流法的基于焊料的倒装安装。
如图6B所示,第一部件接合工序(S23)是将发光元件1与第一部件211接合的工序。在第一部件接合工序(S23)中,在发光元件1的接合面以及/或者第一部件211的接合面利用涂覆法等形成接合部件8,各接合面经由接合部件8接合。
如图6C所示,反射部件配置工序(S24)是以覆盖覆盖层5的至少一部分的侧面的方式,在凹部23a设置反射部件6的工序。在反射部件配置工序(S24)中,在通过使用了分配器的灌注法等,以使光反射性物质分散的未固化的树脂填充凹部23a之后,通过加热器、回流炉等加热装置以规定温度加热该树脂规定时间来形成反射部件6。此外,反射部件6不形成在透光性部件3以及覆盖层5之上。
在基台2不具有凹部23a,而为平板状的情况下,通过以使光反射性物质分散的未固化的树脂填充配置为包围发光元件1的框体的内部,并以规定温度加热该树脂规定时间,之后除去框体来形成反射部件6。
以上,如说明的那样通过进行上述的各工序,制造发光装置100。此外,各工序并不需要一定以上述的顺序进行实施,例如也可以在实施发光元件安装工序(S22)之后,实施第一部件准备工序(S21)。
<变形例>
接下来,参照图7~图10,对第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例进行说明。在第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中,使单片化后的部件的荧光体层4向下,并排列在热剥离片9形成第一部件211,但在第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中,使单片化后的部件的透光性部件3向下,并排列在热剥离片9形成第二部件311。此外,一部分的工序并不限定顺序,顺序也可以前后颠倒。
第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例包含第二部件准备工序(S31)、发光元件安装工序(S32)、以及反射部件配置工序(S33)。第二部件准备工序(S31)包含电介质多层膜形成工序(S301)、荧光体层形成工序(S302)、透光性部件单片化工序(S303)、单片化部件配置工序(S304)、覆盖层形成工序(S305)、发光元件载置工序(S306)、覆盖层分割工序(S307)、以及第二部件剥离工序(S308)。
第二部件准备工序(S31)是准备第二部件的工序,该第二部件具备:透光性部件3,其具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面;荧光体层4,其与透光性部件3的第二面对置地配置;覆盖层5,其配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面;以及发光元件1,其与荧光体层4对置地配置。
以下,对第二部件准备工序(S31)进行具体的说明。此外,对与上述的第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法共用的部分省略重复的说明。
图8A~图8C所示的工序(S301~S303)与图4A~图4C所示的工序(S201~S203)相同,所以参考上述的说明。
如图9A所示,单片化部件配置工序(S304)是使透光性部件3向下来将单片化后的部件以规定间隔排列在热剥离片9的工序。在单片化部件配置工序(S304)中,热剥离片9在进行单片化部件配置工序(S304)~覆盖层分割工序(S307)的期间,具有粘着力,但在进行第二部件剥离工序(S308)时,丧失粘着力。
如图9B所示,覆盖层形成工序(S305)是在单片化后的部件间形成覆盖层5的工序。在覆盖层形成工序(S305)中,通过使用了分配器的灌注法等,以含有红色荧光体或者红色颜料的树脂填埋单片化后的部件间来形成覆盖层5。此外,覆盖层5不形成在荧光体层4之上。
如图9C所示,发光元件载置工序(S306)是在荧光体层4之上载置发光元件1的工序。在发光元件载置工序(S306)中,在发光元件1的接合面以及/或者荧光体层4的接合面利用涂覆法等形成接合部件8,各接合面经由接合部件8接合,从而发光元件1载置在荧光体层4之上。
如图9D所示,覆盖层分割工序(S307)是分割覆盖层5的工序。在覆盖层分割工序(S307)中,利用刀片切割法、激光切割法等沿着分割预定线BD3分割覆盖层5。优选在俯视时分割预定线BD3设定在露出的覆盖层5的中央。
如图9E所示,第二部件剥离工序(S308)是从热剥离片9剥离第二部件311的工序。在第二部件剥离工序(S308)中,热剥离片9由于加热或者紫外线照射而丧失粘着力,剥离第二部件311。以上,第二部件准备工序(S31)结束。
如图10A所示,发光元件安装工序(S32)是在具有凹部23a的基台2安装发光元件1的工序。在发光元件安装工序(S32)中,第二部件311使发光元件1向下,直接安装在具有凹部23a的基台2。
即,在第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法中,将发光元件1单独安装在基台2,之后将发光元件1与第一部件211接合,但在第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例中,直接将第二部件311安装于基台2。
如图10B所示,反射部件配置工序(S33)是以覆盖覆盖层5的至少一部分的侧面的方式在凹部23a设置反射部件6的工序。在反射部件配置工序(S33)中,通过使用了分配器的灌注法等,以使光反射性物质分散的未固化的树脂填充凹部23a,之后通过加热器回流炉等加热装置以规定温度加热该树脂规定时间从而形成反射部件6。此外,反射部件6不形成在透光性部件3以及覆盖层5之上。
以上,如说明的那样通过进行上述的各工序,也能够制造发光装置100。
《第二实施方式》
<发光装置的构成>
接下来,参照图11A以及图11B对第二实施方式发光装置200的构成进行说明。此外,对与上述的第一实施方式共用的部分省略重复的说明。
图11A是表示第二实施方式所涉及的发光装置的构成的俯视图,图11B是表示图11A的XIB-XIB线上的第二实施方式所涉及的发光装置的构成的剖视图。
发光装置200具备:透光性部件3,其具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面;荧光体层4,其与透光性部件3的第一面对置地配置;覆盖层5,其配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面;发光元件1,其与透光性部件3对置地配置;以及反射部件6,其覆盖覆盖层5的至少一部分。
发光元件1具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面。第一面是上表面,第二面是下表面,第三面是侧面。发光元件1的第一面与透光性部件3对置地配置,发光元件1的第二面配置在基台2的凹部23a的底面23b,发光元件1的第三面配置在反射部件6。
透光性部件3具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面。第一面是上表面,第二面是下表面,第三面是侧面。透光性部件3的第一面与荧光体层4对置地配置,透光性部件3的第二面与发光元件1对置地配置,透光性部件3的第三面配置在覆盖层5。另外,在透光性部件3的第一面与荧光体层4之间配置有电介质多层膜7。
荧光体层4与透光性部件3的第一面对置地配置,吸收发光元件1射出的蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光。
覆盖层5在荧光体层4的侧面、电介质多层膜7的侧面、以及透光性部件3的第三面配置为矩形环状,吸收发光元件1射出的蓝色光的至少一部分并射出或者呈现黄红至红色光。另外,覆盖层5吸收透过电介质多层膜7的蓝色光。通过将覆盖层5配置为从荧光体层4的侧面覆盖到透光性部件3的第三面,从蓝色光转换为黄红至红色光的光的比例增加。由此,能够实现即使相对于电介质多层膜7的射入角(0°~90°)增大,从而透过电介质多层膜7的蓝色光的比例增加,从发光元件1的漏光也较少的发光装置200。
反射部件6配置为覆盖覆盖层5的至少一部分。在附图中除了覆盖层5的上表面覆盖侧面以及下表面。反射部件6通过使覆盖层5射出或者呈现的黄红至红色光高效地反射,能够提高发光装置200的光取出效率。
电介质多层膜7配置在透光性部件3与荧光体层4之间,使发光元件1射出的蓝色光高效地射入荧光体层4或者覆盖层5。
接合部件8将发光元件1与透光性部件3接合。在以与透光性部件3相同的材料形成接合部件8的情况下,能够减小透光性部件3与接合部件8的折射率差,所以能够使发光元件1射出的蓝色光较多地射入荧光体层4或者覆盖层5,提高发光装置200的光取出效率。
如上述那样,根据第二实施方式所涉及的发光装置200,覆盖层5配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面。由此,能够成为即使从倾斜方向观察,从发光元件的漏光也较少,能够不根据观察红色的方向改变地进行显示的发光装置200。
<发光装置的制造方法>
接下来,参照图12~图15B对第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法进行说明。此外,一部分的工序并不限定顺序,顺序也可以前后颠倒。
第二实施方式所涉及的发光装置的制造方法包含第三部件准备工序(S41)、发光元件安装工序(S42)、以及反射部件配置工序(S43)。第三部件准备工序(S41)包含电介质多层膜形成工序(S401)、荧光体层形成工序(S402)、透光性部件单片化工序(S403)、单片化部件配置工序(S404)、覆盖层形成工序(S405)、发光元件载置工序(S406)、覆盖层分割工序(S407)、以及第三部件剥离工序(S408)。
第三部件准备工序(S41)是准备第三部件的工序,该第三部件具备:透光性部件3,其具备第一面、与第一面相反侧的第二面、与第一面以及第二面连接的第三面;荧光体层4,其与透光性部件3的第一面对置地配置;覆盖层5,其配置在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面;以及发光元件1,其与透光性部件3对置地配置。
以下,对第三部件准备工序(S41)进行具体的说明。此外,对与上述的第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法、上述的第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法的变形例共用的部分,省略重复的说明。
图13A~图13C所示的工序(S401~S403)与图4A~图4C所示的工序(S201~S203)相同,所以能够参考上述的说明。
如图14A所示,单片化部件配置工序(S404)是使荧光体层4向下来将单片化后的部件以规定间隔排列在热剥离片9的工序。在单片化部件配置工序(S404)中,热剥离片9在进行单片化部件配置工序(S404)~覆盖层分割工序(S407)的期间,具有粘着力,但在进行第三部件剥离工序(S408)时,丧失粘着力。
如图14B所示,覆盖层形成工序(S405)是在单片化后的部件间形成覆盖层5的工序。在覆盖层形成工序(S405)中,通过使用了分配器的灌注法等,在单片化后的部件间填埋含有红色荧光体或者红色颜料树脂来形成覆盖层5。此外,覆盖层5不形成在透光性部件3之上。
如图14C所示,发光元件载置工序(S406)是在透光性部件3之上载置发光元件1的工序。在发光元件载置工序(S406)中,在发光元件1的接合面以及/或者透光性部件3的接合面利用涂覆法等形成接合部件8,各接合面经由接合部件8接合,从而发光元件1载置在透光性部件3之上。
如图14D所示,覆盖层分割工序(S407)是分割覆盖层5的工序。在覆盖层分割工序(S407)中,利用刀片切割法、激光切割法等沿着分割预定线BD4分割覆盖层5。优选在俯视时分割预定线BD4设定在露出的覆盖层5的中央。
如图14E所示,第三部件剥离工序(S408)是从热剥离片9剥离第三部件411的工序。在第三部件剥离工序(S408)中,热剥离片9由于加热或者紫外线照射而丧失粘着力,剥离第三部件411。以上,第三部件准备工序(S41)结束。
如图15A所示,发光元件安装工序(S42)是在具有凹部23a的基台2安装发光元件1的工序。在发光元件安装工序(S42)中,第三部件411使发光元件1向下,并直接安装在具有凹部23a的基台2。
如图15B所示,反射部件配置工序(S43)是以覆盖覆盖层5的至少一部分的侧面的方式,在凹部23a设置反射部件6的工序。在反射部件配置工序(S43)中,通过使用了分配器的灌注法等,以使光反射性物质分散的未固化的树脂填充凹部23a,之后通过加热器回流炉等加热装置以规定温度加热该树脂规定时间从而形成反射部件6。此外,反射部件6不形成在荧光体层4以及覆盖层5之上。
以上,如说明的那样通过进行上述的各工序,制造发光装置200。
《实施例》
通过第一实施方式所涉及的发光装置的制造方法,制成了发光装置100。将覆盖层5为荧光体层的发光装置100作为实施例1。将覆盖层5为颜料层的发光装置100作为实施例2。覆盖层5以外的构成要素(发光元件1、基台2、透光性部件3、荧光体层4、反射部件6、电介质多层膜7、以及接合部件8)在实施例1和实施例2中同等地形成。
实施例1以及实施例2中的各构成要素的详细如以下所示。
〔发光元件1〕
个数:一个安装
种类:在约445nm具有发光峰值波长的蓝色LED
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为800μm的正方形
高度:150μm
〔基台2〕
材料:陶瓷
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为3.0mm的正方形
俯视时的内形尺寸:一边(纵×横)为2.3mm的正方形
〔透光性部件3〕
材料:玻璃
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为1.15mm的正方形
形状:平板状
厚度:150μm
〔荧光体层4〕
母材:二甲基硅树脂(商品名KJR-9201“信越化学工业株式会社”,含量35质量%)
荧光体:CASN(381-77,峰值波长660nm,中粒径,含量65质量%)
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为1.15mm的正方形
厚度:68μm
〔覆盖层5〕
《实施例1(荧光体层)》
母材:硅树脂(商品名SCR1011-H2“信越化学工业株式会社”,100phr)
荧光体:CASN(型号381-77,100phr)
填料:二氧化硅(型号999-101,含量0.5质量%)
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为1.35mm的正方形
俯视时的内形尺寸:一边(纵×横)为1.15mm的正方形
厚度:200μm
《实施例2(颜料层)》
母材:硅树脂(商品名SCR1011-H2“信越化学工业株式会社”,100phr)
颜料:钛黄“石原产业”(TY-50,50phr)
填料:二氧化硅(型号999-101,含量0.5质量%)
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为1.35mm的正方形
俯视时的内形尺寸:一边(纵×横)为1.15mm的正方形
厚度:200μm
〔反射部件6〕
母材:硅树脂(含量62.5质量%)
光反射性物质:氧化钛(粒径0.5μm,含量37.5质量%)
加热温度:约150℃
加热时间:约四小时
〔电介质多层膜7〕
整体的厚度:2μm
第1层:SiO2,膜厚33.84nm
第2层:Nb2O5,膜厚19.94nm
第3层:SiO2,膜厚85.01nm
第4层:Nb2O5,膜厚35.82nm
第5层:SiO2,膜厚92.45nm
第6层:Nb2O5,膜厚39.31nm
第7层:SiO2,膜厚73.92nm
第8层:Nb2O5,膜厚48.31nm
第9层:SiO2,膜厚59.86nm
第10层:Nb2O5,膜厚32.65nm
第11层:SiO2,膜厚51.14nm
第12层:Nb2O5,膜厚38.08nm
第13层:SiO2,膜厚65.57nm
第14层:Nb2O5,膜厚47.57nm
第15层:SiO2,膜厚79.54nm
第16层:Nb2O5,膜厚47.89nm
第17层:SiO2,膜厚79.57nm
第18层:Nb2O5,膜厚49.51nm
第19层:SiO2,膜厚78.69nm
第20层:Nb2O5,膜厚50.64nm
第21层:SiO2,膜厚78.58nm
第22层:Nb2O5,膜厚51.55nm
第23层:SiO2,膜厚69.52nm
第24层:Nb2O5,膜厚55.33nm
第25层:SiO2,膜厚76.94nm
第26层:Nb2O5,膜厚45.91nm
第27层:SiO2,膜厚73.83nm
第28层:Nb2O5,膜厚47.58nm
第29层:SiO2,膜厚77.97nm
第30层:Nb2O5,膜厚21.51nm
第31层:SiO2,膜厚187.16nm
〔接合部件8〕
材料:硅树脂
俯视时的外形尺寸:一边(纵×横)为1.15mm的正方形
厚度:10μm
<<比较例》
为了与实施例所涉及的发光装置进行比较,制成了比较例所涉及的发光装置。将不具有覆盖层5的发光装置作为比较例1。构成要素(发光元件1、基台2、透光性部件3、荧光体层4、反射部件6、电介质多层膜7、以及接合部件8)与实施例1以及实施例2同等地形成。比较例1中的各构成要素的详细如上述。
<<评价》
对实施例所涉及的发光装置(实施例1、实施例2)以及比较例所涉及的发光装置(比较例1)进行了评价。评价结果如以下所示。
【表1】
x | y | φv(Im) | λd(nm) | λp(nm) | |
实施例1(红色荧光体) | 0.6935 | 0.3050 | 11.7 | 621.8 | 657.2 |
实施例2(颜料) | 0.6920 | 0.3063 | 10.7 | 621.1 | 654.2 |
比较例1(Ref) | 0.6923 | 0.3052 | 12.1 | 621.7 | 655.2 |
表1是表示实施例1、实施例2以及比较例1中的色度坐标、全光束、主波长、峰值波长的测定结果的表。
“x”表示色度坐标上的x坐标,“y”表示色度坐标上的y坐标, 表示实施例1、实施例2以及比较例1发光的光的亮度,“λd[nm]”表示将实施例1、实施例2以及比较例1发光的光的颜色作为人的眼睛感觉到的颜色数值化后的波长,“λp[nm]”表示实施例1、实施例2以及比较例1发光的光中光谱的输出最高的波长。
对于的值来说,比较例1最大。另外,对于λd的值以及λp的值来说,实施例1最大,实施例2最小。因此,可知由于在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,发光装置的亮度稍微降低。另外,可知实施例2发出靠黄色的光,实施例1发出靠深红的光。
图16是将表1所示的实施例1、实施例2以及比较例1中的xy色度坐标实际曲线化后的图。
在图16中,实线表示ECE标准,粗线的圆圈表示实施例1,细线的圆圈表示实施例2,双点划线的圆圈表示比较例1。这里,ECE标准是指包括日本的主要各国采用的配光、色度等相关的统一标准,发光装置中的xy色度坐标越接近实线(ECE标准),表示发光装置中的红色光的颜色纯度越高。
如图16所示,实施例1的色度坐标最接近ECE标准,比较例1的色度坐标离ECE标准最远。因此,可知通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,能够提高发光装置中的红色光的颜色纯度。
图17是表示实施例1、实施例2以及比较例1中的波长与光强度的关系的图表。纵轴表示光强度[a.u.(任意单位)],横轴表示波长[nm]。在图17中,粗线表示实施例1,细线表示实施例2,双点划线表示比较例1。
如图17所示,对于蓝色光的强度来说,比较例1最强。因此,可知通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,能够减少发光装置中的蓝色光的漏光。
图18是表示实施例1、实施例2以及比较例1中的指向角与配光色度的关系的图表。纵轴表示配光色度Δx(xy色度图上的位移量),横轴表示指向角[°]。在图18中,粗线表示实施例1,细线表示实施例2,双点划线表示比较例1。
如图18所示,在实施例1、实施例2以及比较例1中,指向角越大,配光色度的绝对值越大,特别是若指向角在60°以上,则配光色度的绝对值急剧增大。另外,指向角从0°到30°附近,在实施例1、实施例2以及比较例1间配光色度的绝对值没有较大的差,但指向角从30°附近到75°附近,比较例1中的配光色度的绝对值最大。
因此,可知通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,能够改善发光装置中的色度偏移。另外,可知若指向角超过75°,则无论是否配置覆盖层5,均不能够改善发光装置中的色度偏移。
图19A~图19C是表示在以10mA的驱动电流使实施例1、实施例2以及比较例1点亮的情况下的点亮时的外观的图。
如图19A所示,可知实施例1从玻璃(透光性部件3)的侧面的蓝色光的漏光较少。另外,可知实施例1的外观的颜色偏移较少,但在玻璃的中心和玻璃的侧面有些微的亮度不均。
如图19B所示,可知实施例2从玻璃的侧面有些微的蓝色光的漏光。另外,可知实施例2在玻璃的中心和玻璃的侧面有些微的亮度不均。
如图19C所示,可知比较例1从玻璃的侧面的蓝色光的漏光相当多。另外,可知比较例1由于在反射部件反射漏光的蓝色光,若以彩色图像来看,看起来发光元件的周围发出紫色的光。
因此,可知通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,能够减少发光装置中的蓝色光的漏光。另外,可知覆盖层5为荧光体层的发光装置最能够抑止颜色偏移。
根据上述的《评价》,可知通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,能够减少发光装置中的蓝色光的漏光,提高红色光的颜色纯度。另外,可知通过在荧光体层4的侧面以及透光性部件3的第三面配置覆盖层5,即使相对于电介质多层膜的蓝色光的射入角较大,也能够减少从发光元件的漏光。
以上,根据用于实施发明的方式进行了具体的说明,但本发明的主旨并不限定于这些记载,必须基于权利要求书的记载进行广泛解释。另外,当然基于这些记载进行各种变更、改变等后的记载也包含于本发明的主旨。
本公开的实施方式所涉及的发光装置能够利用于车载用发光装置等。
附图标记说明
1…发光元件,2…基台,3…透光性部件,4…荧光体层,5…覆盖层,6…反射部件,7…电介质多层膜,8、8b…接合部件,9…热剥离片,10…保护层,23a…凹部,23b…底面,100、200…发光装置,BD1…单片化预定线,BD2…分割预定线,BD3…分割预定线,BD4…分割预定线。
Claims (16)
1.一种发光装置,具备:
多层构造,其具备透光性部件、第一荧光体层以及上述透光性部件与上述第一荧光体层之间的电介质多层膜,上述透光性部件具备上表面、与上述上表面相反侧的下表面、与上述上表面以及上述下表面连接的侧面,上述第一荧光体层配置在上述透光性部件的上述下表面的下方;
覆盖层,其配置在包含上述第一荧光体层的侧面、上述透光性部件的上述侧面以及上述电介质多层膜的侧面的上述多层构造的侧面;
发光元件,其配置在上述第一荧光体层的下方;以及
反射部件,其覆盖上述覆盖层的至少一部分,
上述发光装置的特征在于,
上述发光元件射出蓝色光,
上述第一荧光体层吸收来自上述发光元件的上述蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光,
上述覆盖层是吸收来自上述发光元件的上述蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光的第二荧光体层或者是吸收来自上述发光元件的上述蓝色光的至少一部分并呈现黄红至红色光的颜料层。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
上述透光性部件为平板状。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
上述第一荧光体层与上述发光元件直接接合。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
上述第一荧光体层与上述发光元件经由接合部件接合。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,
上述发光元件具备上表面、与上述上表面相反侧的下表面、与上述上表面以及上述下表面连接的侧面,
上述发光元件的上述上表面与上述第一荧光体层对置,
上述接合部件配置在上述发光元件的上述上表面以及上述发光元件的上述侧面。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,
配置在上述发光元件的上述侧面的上述接合部件的剖面形状为三角形。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的发光装置,其中,
上述发光装置还具备具有凹部的基台,
在上述凹部的底面配置上述发光元件,
在上述凹部填充上述反射部件。
8.根据权利要求1~6中任意一项所述的发光装置,其中,
在上述反射部件与上述覆盖层之间具备保护层。
9.根据权利要求1~6中任意一项所述的发光装置,其中,
在俯视时,上述发光元件与上述第一荧光体层相同或者比上述第一荧光体层小。
10.一种发光装置,具备:
多层构造,其具备透光性部件、第一荧光体层以及上述透光性部件与上述第一荧光体层之间的电介质多层膜,上述透光性部件具备上表面、与上述上表面相反侧的下表面、与上述上表面以及上述下表面连接的侧面,上述第一荧光体层配置在上述透光性部件的上述上表面的上方;
覆盖层,其配置在包含上述第一荧光体层的侧面、上述透光性部件的上述侧面以及上述电介质多层膜的侧面的上述多层构造的侧面;
发光元件,其配置在上述透光性部件的下方;以及
反射部件,其覆盖上述覆盖层的至少一部分,
上述发光装置的特征在于,
上述发光元件射出蓝色光,
上述第一荧光体层吸收来自上述发光元件的上述蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光,
上述覆盖层是吸收来自上述发光元件的上述蓝色光的至少一部分并射出黄红至红色光的第二荧光体层或者是吸收来自上述发光元件的上述蓝色光的至少一部分并呈现黄红至红色光的颜料层。
11.一种发光装置的制造方法,其中,包含:
准备第一部件的工序,上述第一部件具备:透光性部件,其具备上表面、与上述上表面相反侧的下表面、与上述上表面以及上述下表面连接的侧面;荧光体层,其配置在上述透光性部件的上述下表面的下方;以及覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述侧面;
在平板状的基台之上安装发光元件的工序;
将上述发光元件与上述第一部件的荧光体层接合的工序;
以包围上述发光元件的方式在上述基台上配置框体的工序;以及
以覆盖上述覆盖层的至少一部分的侧面的方式在上述框体内填充反射部件的工序。
12.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法,其中,
准备上述第一部件的工序包含:
在透光性部件之上形成电介质多层膜的工序;
在上述电介质多层膜之上形成荧光体层的工序;
将形成了上述电介质多层膜以及上述荧光体层的上述透光性部件单片化的工序;
以规定间隔在热剥离片排列单片化后的部件的工序;
在上述单片化后的部件间形成上述覆盖层的工序;
分割上述覆盖层的工序;以及
从上述热剥离片剥离上述第一部件的工序。
13.一种发光装置的制造方法,其中,包含:
准备第二部件的工序,上述第二部件具备:透光性部件,其具备上表面、与上述上表面相反侧的下表面、与上述上表面以及上述下表面连接的侧面;荧光体层,其配置在上述透光性部件的上述下表面的下方;覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述侧面;以及发光元件,其配置在上述荧光体层的下方;
在平板状的基台之上安装上述第二部件的上述发光元件的工序;
以包围上述发光元件的方式在上述基台上配置框体的工序;以及
以覆盖上述覆盖层的至少一部分的侧面的方式在上述框体内填充反射部件的工序。
14.根据权利要求13所述的发光装置的制造方法,其中,
准备上述第二部件的工序包含:
在透光性部件之上形成电介质多层膜的工序;
在上述电介质多层膜之上形成荧光体层的工序;
将形成了上述电介质多层膜以及上述荧光体层的上述透光性部件单片化的工序;
使上述透光性部件向下以规定间隔在热剥离片排列单片化后的部件的工序;
在上述单片化后的部件间形成上述覆盖层的工序;
在上述荧光体层之上载置上述发光元件的工序;
分割上述覆盖层的工序;以及
从上述热剥离片剥离上述第二部件的工序。
15.一种发光装置的制造方法,其中,包含:
准备第三部件的工序,上述第三部件具备:透光性部件,其具备上表面、与上述上表面相反侧的下表面、与上述上表面以及上述下表面连接的侧面;荧光体层,其配置在上述透光性部件的上述上表面的上方;覆盖层,其配置在上述荧光体层的侧面以及上述透光性部件的上述侧面;以及发光元件,其配置在上述透光性部件的下方;
在平板状的基台之上安装上述第三部件的上述发光元件的工序;
以包围上述发光元件的方式在上述基台上配置框体的工序;以及
以覆盖上述覆盖层的至少一部分的侧面的方式在上述框体内填充反射部件的工序。
16.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法,其中,
准备上述第三部件的工序包含:
在透光性部件之上形成电介质多层膜的工序;
在上述电介质多层膜之上形成荧光体层的工序;
将形成了上述电介质多层膜以及上述荧光体层的上述透光性部件单片化的工序;
使上述荧光体层向下以规定间隔在热剥离片排列单片化后的部件的工序;
在上述单片化后的部件间形成上述覆盖层的工序;
在上述透光性部件之上载置上述发光元件的工序;
分割上述覆盖层的工序;以及
从上述热剥离片剥离上述第三部件的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017108248A JP6966691B2 (ja) | 2017-05-31 | 2017-05-31 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2017-108248 | 2017-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108987551A CN108987551A (zh) | 2018-12-11 |
CN108987551B true CN108987551B (zh) | 2023-09-15 |
Family
ID=62455361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810531983.XA Active CN108987551B (zh) | 2017-05-31 | 2018-05-29 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10608150B2 (zh) |
EP (1) | EP3410497B1 (zh) |
JP (1) | JP6966691B2 (zh) |
KR (1) | KR102537648B1 (zh) |
CN (1) | CN108987551B (zh) |
TW (1) | TWI766032B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018169968A1 (en) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Invensas Corporation | Direct-bonded led arrays and applications |
TWI774927B (zh) * | 2018-02-20 | 2022-08-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製作方法 |
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Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5521325B2 (ja) | 2008-12-27 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
WO2011004795A1 (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | シーシーエス株式会社 | 発光装置 |
JP2011035198A (ja) | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Ccs Inc | Led発光デバイスの製造方法 |
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JP2013065726A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JPWO2014081042A1 (ja) | 2012-11-26 | 2017-01-05 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP6163754B2 (ja) | 2012-12-28 | 2017-07-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置 |
DE102013214896B4 (de) | 2013-07-30 | 2021-09-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements und eines optoelektronischen Bauelements, Konverterelement und optoelektronisches Bauelement |
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JP6582382B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6484982B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-03-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6459354B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
KR102346798B1 (ko) * | 2015-02-13 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
JP6424738B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2018-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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-
2017
- 2017-05-31 JP JP2017108248A patent/JP6966691B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-17 KR KR1020180056312A patent/KR102537648B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-28 EP EP18174548.0A patent/EP3410497B1/en active Active
- 2018-05-29 CN CN201810531983.XA patent/CN108987551B/zh active Active
- 2018-05-30 US US15/993,014 patent/US10608150B2/en active Active
- 2018-05-30 TW TW107118456A patent/TWI766032B/zh active
-
2020
- 2020-02-24 US US16/799,017 patent/US11011685B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-28 US US17/302,248 patent/US11637226B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180351053A1 (en) | 2018-12-06 |
US10608150B2 (en) | 2020-03-31 |
US11011685B2 (en) | 2021-05-18 |
KR102537648B1 (ko) | 2023-05-26 |
US20200194635A1 (en) | 2020-06-18 |
JP6966691B2 (ja) | 2021-11-17 |
TW201904096A (zh) | 2019-01-16 |
TWI766032B (zh) | 2022-06-01 |
US11637226B2 (en) | 2023-04-25 |
JP2018206853A (ja) | 2018-12-27 |
EP3410497B1 (en) | 2021-09-08 |
KR20180131399A (ko) | 2018-12-10 |
US20210249571A1 (en) | 2021-08-12 |
CN108987551A (zh) | 2018-12-11 |
EP3410497A1 (en) | 2018-12-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |