CN108987259A - 一种电镀制程中的洗边流程 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电镀制程中的洗边流程，属于半导体制造技术领域，包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆，所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜，所述晶圆边缘具有缺口，将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜，所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。本发明的有益效果：通过优化电镀机台中的洗边模块的洗边流程，在顺时针旋转的基础上添加逆时针旋转，解决窄洗边状况下，晶圆缺口附近金属膜去除不充分的问题，防止在后续制程中产生缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电镀制程中的洗边流程。
背景技术
洗边模块中洗边酸液通过固定的喷嘴喷到晶圆边缘，晶圆单一方向旋转，达到晶圆边缘均匀去边的效果。但是在窄洗边(窄洗边指洗边宽度接近缺口长度，包括洗边宽度接小于或稍大于缺口长度)的情况下，逆着晶圆1旋转方向的缺口(notch)2一侧，因酸液从notch流失，会出现铜膜去除不充分的情况，如图1所示，箭头为晶圆旋转方向，逆着晶圆旋转方向的notch一侧出现由于铜膜去除不充分产生的铜残留3。
具体的，酸液喷管喷出的酸液柱喷到晶圆后形成的接触面会比液柱的截面积大。接触面的面积大小和晶圆旋转速度，喷液速度有关。在预设洗边宽度下，设定的酸液落水点是比洗边宽度小的。
只要是酸液在晶圆上的落水点在大致等于缺口长度或小于缺口长度，酸液就会从缺口流失，导致出现洗边不充分的现象。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明涉及一种电镀制程中的洗边流程。
本发明采用如下技术方案：
一种电镀制程中的洗边流程，包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆，所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜，所述晶圆边缘具有缺口，将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜，所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。
优选的，所述金属膜为铜膜
优选的，所述洗边模块包括：
喷嘴，所述喷嘴用于向旋转的所述预处理晶圆的边缘喷洒洗边酸液；
旋转装置，所述旋转装置用于放置并旋转所述预处理晶圆。
优选的，所述预处理晶圆放置于所述旋转装置上后，所述喷嘴位于所述预处理晶圆的外侧上方。
优选的，所述预处理晶圆按照顺时针旋转和逆时针旋转顺序交替进行的方式进行所述洗边处理。
优选的，所述预处理晶圆按照顺时针旋转第一预设次数和逆时针旋转第二预设次数交替进行的方式进行所述洗边处理。
优选的，预处理晶圆按照第一预设旋转速度进行顺时针旋转和第二预设旋转速度进行逆时针旋转。
优选的，所述洗边处理为窄洗边，所述洗边宽度小于所述缺口宽度；或
所述洗边处理为窄洗边，所述窄洗边的所述洗边宽度大于所述缺口宽度一预设数值。
本发明的有益效果：通过优化电镀机台中的洗边模块的洗边流程，在顺时针旋转的基础上添加逆时针旋转，解决窄洗边状况下，晶圆notch附近铜膜去除不充分的问题，防止在后续制程中产生缺陷。
附图说明
图1为现有技术中，洗边处理示意图；
图2为本发明一种优选的实施例中，一种电镀制程中的洗边流程示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，下述技术方案，技术特征之间可以相互组合。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：
如图2所示，一种电镀制程中的洗边流程，包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆，上述预处理晶圆包括晶圆1及经过电镀金属后形成于上述晶圆1上表面的金属膜，上述晶圆1边缘具有缺口2，将上述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除上述缺口2处的金属膜，上述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。金属膜为铜膜。
在本实施例中，两个箭头为预设旋转方向，通过优化电镀机台中的洗边模块的洗边流程，在顺时针旋转的基础上添加逆时针旋转，解决窄洗边状况下，晶圆1notch附近铜膜去除不充分的问题，防止在后续制程中产生缺陷。解决了窄洗边时，晶圆1单一旋转方向下，逆着晶圆1旋转方向的notch一侧出现铜膜去除不充分的情况。防止残留的铜膜在后续制程中产生缺陷，影响良率。
较佳的实施例中，上述预处理晶圆1包括晶圆1及设置在上述晶圆1上表面的铜膜，上述晶圆1边缘具有缺口2。
较佳的实施例中，上述洗边模块包括：
喷嘴，上述喷嘴用于向旋转的上述预处理晶圆1的边缘喷洒洗边酸液；
旋转装置，上述旋转装置用于放置并旋转上述预处理晶圆1。
较佳的实施例中，上述预处理晶圆1放置于上述旋转装4置上后，上述喷嘴位于上述预处理晶圆1的外侧上方.
较佳的实施例中，上述预处理晶圆1按照顺时针旋转和逆时针旋转顺序交替进行的方式进行上述洗边处理。
较佳的实施例中，上述预处理晶圆1按照顺时针旋转第一预设次数和逆时针旋转第二预设次数交替进行的方式进行上述洗边处理。
较佳的实施例中，预处理晶圆1按照第一预设旋转速度进行顺时针旋转和第二预设旋转速度进行逆时针旋转。
较佳的实施例中，上述洗边处理为窄洗边，上述洗边宽度小于上述缺口2宽度或
上述洗边处理为窄洗边，上述窄洗边的所述洗边宽度大于上述缺口2宽度一预设数值。
在本实施例中，窄洗边指洗边宽度接近缺口长度，包括洗边宽度接小于或稍大于缺口长度。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (8)
1.一种电镀制程中的洗边流程，其特征在于，包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆，所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜，所述晶圆边缘具有缺口，将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜，所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。
2.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述金属膜为铜膜。
3.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述洗边模块包括：
喷嘴，所述喷嘴用于向旋转的所述预处理晶圆的边缘喷洒洗边酸液；
旋转装置，所述旋转装置用于放置并旋转所述预处理晶圆。
4.根据权利要求3的洗边流程，其特征在于，所述预处理晶圆放置于所述旋转装4置上后，所述喷嘴位于所述预处理晶圆的外侧上方。
5.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述预处理晶圆按照顺时针旋转和逆时针旋转顺序交替进行的方式进行所述洗边处理。
6.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述预处理晶圆按照顺时针旋转第一预设次数和逆时针旋转第二预设次数交替进行的方式进行所述洗边处理。
7.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，预处理晶圆按照第一预设旋转速度进行顺时针旋转和第二预设旋转速度进行逆时针旋转。
8.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述洗边处理为窄洗边，所述窄洗边的所述洗边宽度小于所述缺口宽度；或
所述洗边处理为窄洗边，所述窄洗边的所述洗边宽度大于所述缺口宽度一预设数值。
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| CN201810806543.0A CN108987259A (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种电镀制程中的洗边流程 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN110957208A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置 |
| CN113118099A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 旋转喷头、清洗设备及清洗方法 |
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2018
- 2018-07-20 CN CN201810806543.0A patent/CN108987259A/zh active Pending
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