CN104152879B - 一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法 - Google Patents

一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供镀有阻性材料的铜箔的制造方法,对铜箔的非镀面设置保护层,对铜箔进行前处理,最后通过化学镀镀上阻抗材料层。通过在非镀面贴上感光干膜或微粘膜,或者镀上作为保护层的阻抗材料,能够对非镀面进行保护,从而使后续的工艺过程不会发生误差,使非镀面的后续加工质量更好。对镀面进行前处理能够使镀面进行化学镀时,镀层质量更好。采用化学镀镀上阻抗材料层,工艺操作方便,并且镀层均匀、稳定,技术条件要求较为简单,成本较低。

Description

一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法
技术领域
本发明涉及应用于PCB领域的铜箔,特别涉及一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法。
背景技术
电路板上的铜箔一般都需要对其进行表面处理,即常常在其接触PI的面镀上合金层。铜箔厚度通常只有9-35μm,只对其一面进行镀层处理,技术难度很大。美国的Omega-ply公司采用电镀的方式在铜箔表面镀上Ni-P合金层,但通过这方式镀上的合金层易脱落、难以满足环保要求,而且存在均匀性问题,厚度均匀性直接关系到电阻值。美国的Ticer公司采用真空镀在铜箔表面镀Ni-Cr合金层,其中Cr占比20%-30%,所能实现的方阻与上述相近,但真空镀对技术条件要求苛刻,成本高。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足,提供一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其工艺流程操作方便,而且镀层质量良好。
为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,包括以下步骤:
a、在铜箔的非镀面上贴上一层隔离膜;
b、对铜箔的镀面进行预处理:将铜箔进行除油及酸洗处理,随后将铜箔浸入微蚀液中进行微蚀,然后对已被微蚀的铜箔活化及酸侵,最后把铜箔水洗,并烘干备用;
c、在铜箔的镀面通过化学镀的方式镀上一层阻抗材料层;
d、移除非镀面上的隔离膜。
作为优选,所述阻抗材料层为Ni-P合金层,Ni-P合金层的厚度范围为0.01-0.1μm;其中,P质量占比为10%-14%。
作为优选,c步骤应用的化学镀液中包括:硫酸镍20-22g/L、次亚磷酸钠25-27g/L、柠檬酸钠20-25g/L、甘氨酸10-15g/L、五水醋酸钠4-6g/L、醋酸铅0.1-0.3PPM及EDTA盐5-10g/L。
作为优选,所述化学镀的过程中:温度控制在75℃-88℃,镀层的沉积时间控制在1.5分钟。
作为优选,所述化学镀的过程中:温度控制在80℃,镀层的沉积速度为0.01-0.02μm/min,pH值控制在3.5-4.5;所述阻抗材料层为Ni-P合金层;所述Ni-P合金层的P质量占比为13%-14%。
作为优选,所述隔离膜为感光干膜或微粘膜。
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,包括以下步骤:
a、对铜箔的两个侧面进行预处理:将铜箔进行除油及酸洗处理,随后将铜箔浸入微蚀液中进行微蚀,然后对已被微蚀的铜箔活化及酸侵,最后把铜箔水洗,并烘干备用;
b、在铜箔的两个侧面上通过化学镀的方式分别镀上一层阻抗材料层,所述铜箔的两个侧面分别为镀面及非镀面;
c、铜箔的镀面与PI粘合后,将铜箔的非镀面上的阻抗材料层移除。
作为优选,所述阻抗材料层为Ni-P合金层;所述铜箔的镀面上的Ni-P合金层的厚度范围为0.01-0.1μm,P质量占比为10%-14%。
作为优选,b步骤应用的化学镀液中包括:硫酸镍20-22g/L、次亚磷酸钠25-27g/L、柠檬酸钠20-25g/L、甘氨酸10-15g/L、五水醋酸钠4-6g/L、醋酸铅0.1-0.3PPM及EDTA盐5-10g/L。
作为优选,所述化学镀的过程中:温度控制在75℃-88℃,镀层的沉积时间控制在1.5分钟。
作为优选,所述化学镀的过程中:温度控制在80℃,镀层的沉积速度为0.01-0.02μm/min,pH值控制在3.5-4.5;所述阻抗材料层为Ni-P合金层;所述铜箔镀面上的Ni-P合金层的P质量占比为13%-14%。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
通过在非镀面贴上感光干膜或微粘膜,或者镀上作为保护层的阻抗材料,能够对非镀面进行保护,从而使后续的工艺过程不会发生误差,使非镀面的后续加工质量更好。对镀面进行前处理能够使镀面进行化学镀时,镀层质量更好。采用化学镀镀上阻抗材料层,工艺操作方便,并且镀层均匀、稳定,技术条件要求较为简单,成本较低。
具体实施方式
实施例1
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,包括以下步骤:
a、在铜箔的非镀面上贴上一层作为保护层的隔离膜,隔离膜为感光干膜或微粘膜;采用roll-to-roll的方式将铜箔及隔离膜粘合。
b、对铜箔的镀面进行预处理:将铜箔进行除油及酸洗处理,随后将铜箔浸入微蚀液中进行微蚀,然后对已被微蚀的铜箔活化及酸侵,最后把铜箔水洗,并烘干备用。
c、在铜箔的镀面上通过化学镀的方式镀上一层阻抗材料层;其中:
应用的化学镀液中包括:硫酸镍20g/L、次亚磷酸钠25g/L、柠檬酸钠20g/L、甘氨酸10g/L、五水醋酸钠4g/L、醋酸铅0.1PPM及EDTA盐5g/L。
化学镀的过程中,温度控制在75℃-88℃,镀层的沉积时间控制在1.5分钟。
阻抗材料层为Ni-P合金层,Ni-P合金层的厚度为0.01μm;其中,P质量占比为10%。
d、使用退膜液将非镀面上的隔离膜移除。
实施例2
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法。本实施例的制造方法与实施例1基本相同,不同之处在于:
应用的化学镀液中包括:硫酸镍22g/L、次亚磷酸钠27g/L、柠檬酸钠25g/L、甘氨酸15g/L、五水醋酸钠6g/L、醋酸铅0.3PPM及EDTA盐10g/L。
得到Ni-P合金层的厚度为0.1μm;P质量占比为14%。
实施例3
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法。本实施例的制造方法与实施例2基本相同,不同之处在于:
化学镀的过程中:温度控制在80℃,镀层的沉积速度为0.01-0.02μm/min,pH值控制在3.5-4.5。
采用本实施例的制造方法,可以得到Ni-P合金层的P质量占比为13%。
实施例4
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,包括以下步骤:
a、对铜箔的两个侧面(即镀面及非镀面)进行预处理:将铜箔进行除油及酸洗处理,随后将铜箔浸入微蚀液中进行微蚀,然后对已被微蚀的铜箔活化及酸侵,最后把铜箔水洗,并烘干备用;
b、在铜箔的两个侧面(即镀面及非镀面)通过化学镀的方式分别镀上一层阻抗材料层;其中:
化学镀应用的化学镀液中包括:硫酸镍20g/L、次亚磷酸钠25g/L、柠檬酸钠20g/L、甘氨酸10g/L、五水醋酸钠4g/L、醋酸铅0.1PPM及EDTA盐5g/L。
化学镀的过程中:温度控制在75℃-88℃,镀层的沉积时间为1.5分钟。
阻抗材料层为Ni-P合金层;镀面上的Ni-P合金层的厚度为0.01μm,P质量占比为10%。
c、铜箔的镀面与PI粘合后,移除铜箔非镀面上的阻抗材料层。
实施例5
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法。本实施例的制造方法与实施例4基本相同,不同之处在于:
应用的化学镀液中包括:硫酸镍22g/L、次亚磷酸钠27g/L、柠檬酸钠25g/L、甘氨酸15g/L、五水醋酸钠6g/L、醋酸铅0.3PPM及EDTA盐10g/L。
得到镀面上的Ni-P合金层的厚度为0.1μm,其中P质量占比为14%。
实施例6
一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法。本实施例的制造方法与实施例5基本相同,不同之处在于:
化学镀的过程中:温度控制在80℃,镀层的沉积速度为0.01-0.02μm/min,pH值控制在3.5-4.5。
采用本实施例的制造方法,可以得到铜箔镀面上的Ni-P合金层的P质量占比为13%。
本发明所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法中:
隔离膜使非镀面保持完好,能让以后对非镀面进行加工更为简单,效果良好。
非镀面上的阻抗材料层是作为保护层应用,使非镀面保持完好,能让以后对非镀面进行加工更为简单,效果良好。
化学镀的过程中,温度控制在75℃-88℃这一较低的温度,保证镀层的沉积保持较慢的速度,使Ni-P合金层镀层为10%-14%的高磷状态。
Ni-P合金层厚度0.01-0.1μm,是为了满足材料对方阻的要求。
化学镀液中,甘氨酸作为络合剂,五水醋酸钠作为pH缓冲剂使用,EDTA盐作为电阻值调整剂使用;醋酸铅可以让阻抗材料层(即镀层)更加稳定。
实施例1至实施例4是本发明所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法的四个实施例。本发明所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,通过在非镀面贴上感光干膜或微粘膜,或者镀上作为保护层的阻抗材料,能够对非镀面进行保护,从而使后续的工艺过程不会发生误差,使非镀面的后续加工质量更好。对镀面进行前处理能够使镀面进行化学镀时,镀层质量更好。采用化学镀镀上阻抗材料层,工艺操作方便,并且镀层均匀、稳定,技术条件要求较为简单,成本较低。工艺流程操作方便,镀层质量良好。
本发明并不局限于上述实施方式,如果对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围,倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变动。

Claims (9)

1.一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
a、在铜箔的非镀面上贴上一层隔离膜;
b、对铜箔的镀面进行预处理:将铜箔进行除油及酸洗处理,随后将铜箔浸入微蚀液中进行微蚀,然后对已被微蚀的铜箔活化及酸侵,最后把铜箔水洗,并烘干备用;
c、在铜箔的镀面通过化学镀的方式镀上一层阻抗材料层;c步骤应用的化学镀液中包括:硫酸镍20-22g/L、次亚磷酸钠25-27g/L、柠檬酸钠20-25g/L、甘氨酸10-15g/L、五水醋酸钠4-6g/L、醋酸铅0.1-0.3PPM及EDTA盐5-10g/L;
d、移除非镀面上的隔离膜。
2.根据权利要求1所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,所述阻抗材料层为Ni-P合金层,Ni-P合金层的厚度范围为0.01-0.1μm;其中,P质量占比为10%-14%。
3.根据权利要求1镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,所述化学镀的过程中:温度控制在75℃-88℃,镀层的沉积时间控制在1.5min。
4.根据权利要求1所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,所述隔离膜为感光干膜或微粘膜。
5.一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
a、对铜箔的两个侧面进行预处理:将铜箔进行除油及酸洗处理,随后将铜箔浸入微蚀液中进行微蚀,然后对已被微蚀的铜箔活化及酸侵,最后把铜箔水洗,并烘干备用;
b、在铜箔的两个侧面上通过化学镀的方式分别镀上一层阻抗材料层,所述铜箔的两个侧面分别为镀面及非镀面;
c、铜箔的镀面与PI粘合后,将铜箔的非镀面上的阻抗材料层移除。
6.根据权利要求5所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,所述阻抗材料层为Ni-P合金层;所述铜箔的镀面上的Ni-P合金层的厚度范围为0.01-0.1μm,P质量占比为10%-14%。
7.根据权利要求5所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,b步骤应用的化学镀液中包括:硫酸镍20-22g/L、次亚磷酸钠25-27g/L、柠檬酸钠20-25g/L、甘氨酸10-15g/L、五水醋酸钠4-6g/L、醋酸铅0.1-0.3PPM及EDTA盐5-10g/L。
8.根据权利要求5所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,所述化学镀的过程中:温度控制在75℃-88℃,镀层的沉积时间控制在1.5分钟。
9.根据权利要求1或5所述的镀有阻性材料的铜箔的制造方法,其特征在于,所述化学镀的过程中:温度控制在80℃,镀层的沉积速度为0.01-0.02μm/min,pH值控制在3.5-4.5;所述阻抗材料层为Ni-P合金层;所述Ni-P合金层的P质量占比为13%-14%。
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