CN105655241A - 单片式湿法清洗方法 - Google Patents

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CN105655241A CN201610212958.6A CN201610212958A CN105655241A CN 105655241 A CN105655241 A CN 105655241A CN 201610212958 A CN201610212958 A CN 201610212958A CN 105655241 A CN105655241 A CN 105655241A
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Abstract

本发明揭示了一种单片式湿法清洗方法，用于对晶圆进行清洗，所述单片式湿法清洗方法包括多个清洗步骤，同一所述清洗步骤中的清洗液相同，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转。本发明提供的单片式湿法清洗方法可以解决现有工艺清洗高深宽比结构的缺陷残留等问题。

Description

单片式湿法清洗方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种单片式湿法清洗方法。
背景技术
早期湿法工艺主要采用槽式设备批量作业，生产效率高，也可以满足工艺要求。然而随着半导体工艺制程不断的发展，硅片尺寸逐渐由8寸发展到12寸、18寸，芯片的最小线宽也由微米级逐渐向纳米级过渡，如65nm，40nm，32nm，22nm等等。随着硅片直径增加和器件尺寸进一步缩小，单片式湿法清洗因其较强的制程环境控制与颗粒去除能力，以及富有弹性的制程调整能力，在IC制造尤其是高技术节点的IC制造过程中得到越来越多的应用。
但随着技术节点达到28nm以下，器件沟槽或通孔的深宽比增大，工艺难度也越来越高。目前所用单片式清洗对于硅片的表面大开口或浅深度的沟道或通孔具有很好清洗效果。然而，对于高深宽比结构如开口小且深度大的通孔或沟道就很难清除其内部残留。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种单片式湿法清洗方法，可以解决现有工艺清洗高深宽比结构的缺陷残留等问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种单片式湿法清洗方法，用于对晶圆进行清洗，所述单片式湿法清洗方法包括多个清洗步骤，同一所述清洗步骤中的清洗液相同，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转。
进一步的，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆至少有两种不同的转速。
进一步的，所述至少一个清洗步骤分为多个子步骤，相邻所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同。
进一步的，不同子步骤中所述晶圆的旋转方向均相同。
进一步的，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向不同。
进一步的，在所述至少一个清洗步骤中，所述晶圆呈两种不同速度交替旋转。
进一步的，所述至少一个清洗步骤分为多个子步骤，至少两个所述子步骤中所述晶圆的旋转方向不同。
进一步的，相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向均不同。
进一步的，不同子步骤中所述晶圆的旋转速度均相同。
进一步的，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转速度不同。
进一步的，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转，所述至少一个清洗步骤分为多个子步骤，部分所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同，部分所述子步骤的中的所述晶圆的旋转方向不同。
进一步的，相邻所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同，且相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向均不同。
进一步的，所有所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，所有所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，所有所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转；或部分所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转，且部分所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转。
进一步的，在所有的所述清洗步骤完成后，再对所述晶圆进行干燥过程。
进一步的，所述晶圆干燥过程为旋转干燥工艺、IPA干燥工艺或氮气干燥工艺。
进一步的，所述晶圆的转速范围为1rpm～2000rpm。
与现有技术相比，本发明提供的单片式湿法清洗方法具有以下优点:
在本发明提供的单片式湿法清洗方法中，所述单片式湿法清洗方法包括多个清洗步骤，同一所述清洗步骤中的清洗液相同，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转，通过改变清洗步骤中晶圆的转速和方向，可以提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性，使清洗液能充分传递扩散，在晶圆的沟道或通孔内部充分浸润、清洗、再离心甩出，达到彻底清除缺陷的目的。
附图说明
图1为本发明现有技术的喷嘴与晶圆的位置示意图；
图2为本发明现有技术的喷嘴弧线运动的示意图；
图3为本发明中第一实施例单片式湿法清洗方法的流程图；
图4为本发明中第二实施例单片式湿法清洗方法的流程图；
图5为本发明中第三实施例单片式湿法清洗方法的流程图。
具体实施方式
现有技术中的清洗方法不能有效的清洗深宽比大的沟道(例如沟槽或通孔)，发明人研究发现，湿法清洗主要基于物质交换带走缺陷残留，而清洗液在沟槽内部的物质交换主要由扩散来决定，深度越高的沟道扩散路径也越长，且开口越小，清洗液越难进入沟道底部。
在清洗时，晶圆放在清洗机台的旋转平台上，如图1所示，清洗液由清洗机台的喷嘴20喷向晶圆10，喷嘴20一边向晶圆10喷洒清洗液一边弧线运动(如图2所示，沿弧线20A运动)，同时，旋转平台带动晶圆10旋转。喷洒在晶圆10表面的清洗液受晶圆10高速旋转产生的离心力而沿着硅片切线方向高速流动，这种情况对于开口小、深度大的沟道而言，清洗液很难进入沟道内部，甚至基本只有少量能够进入沟道内部，不能彻底清洗；，而进入的清洗液因沟道的开口小、扩散路径大，很难从沟道内部出来，以至于在后面高速旋转干燥后，仍然有缺陷残留在沟道内部。
发明人进一步研究发现，如果能提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性，便可以增强清洗液在晶圆内的传递及对深孔内的扩散，并利于清洗副产物的传出。发明人深入研究发现，可以通过改变清洗步骤中晶圆的转速和方向，可以提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性。
根据上述研究，发明人提供一种单片式湿法清洗方法，包括多个清洗步骤，同一所述清洗步骤中的清洗液相同，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转，通过改变清洗步骤中晶圆的转速和方向，可以提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性，使清洗液能充分传递扩散，在晶圆的沟道或通孔内部充分浸润、清洗、再离心甩出，达到彻底清除缺陷的目的。
下面将结合示意图对本发明的单片式湿法清洗方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
以下列举所述单片式湿法清洗方法的几个实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。
第一实施例
请参阅图3具体说明本发明的第一实施例，其中，图3为本发明中第一实施例单片式湿法清洗方法的流程图。在本发明中，通过改变所述晶圆的旋转速度提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性。
所述单片式湿法清洗方法用于对晶圆进行清洗，可以应用于半导体制造技术中各种单片式湿法清洗工艺，例如干法刻蚀后的清洗、平坦化后的清洗、聚合物剥离等等，本发明以聚合物剥离为例进行说明。聚合物剥离的过程一般包括SPM清洗步骤、SC1清洗步骤、SCN清洗步骤，一般在SPM清洗步骤和SC1清洗步骤之间，以及SC1清洗步骤和SCN清洗步骤之间，以及SCN清洗步骤之后，分别加入去离子水(DIW)清洗步骤。其中SPM清洗步骤、SC1清洗步骤、SCN清洗步骤为本领域的普通技术人员可以理解的，在此不作赘述。
在所述单片式湿法清洗方法中，同一所述清洗步骤中的清洗液相同，即整个SPM清洗步骤的清洗液不变，整个SC1清洗步骤的清洗液不变，整个SCN清洗步骤的清洗液不变，整个DIW清洗步骤的清洗液不变。其中，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆为变速旋转。例如在本实施例中，所述SPM清洗步骤中所述晶圆为变速旋转。
在本实施例中，所述SPM清洗步骤中所述晶圆至少有两种不同的转速。较佳的，参考图3，所述SPM清洗步骤S11分为多个子步骤：子步骤S111、子步骤S112、子步骤S113、…子步骤S11n，子步骤S111、子步骤S112、子步骤S113、…子步骤S11n中的清洗液均为SPM，相邻所述子步骤的中的所述晶圆10的旋转速度不同。在本实施例中，所述晶圆10呈两种不同速度W1、W2交替旋转。具体的，子步骤S111的转速为W1，子步骤S112的转速为W2，子步骤S113的转速为W1，…子步骤S11n的转速为W2，其中转速W1小于转速W2，可以有效提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
在本实施例中，所述晶圆10先以较低转速W1旋转，同时用清洗液SPM冲洗，以保证清洗液SPM在低转速时能完全进入高深宽比沟道内部完成清洗，然后所述晶圆10提速到较高转速W2，硅片高速旋转使沟道内部清洗液有足够的力甩出，同时带出缺陷残留，后续各清洗步骤均可选择类似多次减速或加速，使清洗液能充分传递扩散，完成清洗过程。
其中，所述SPM清洗步骤中所述晶圆10并不限于两种不同速度W1、W2交替旋转，还可以三种不同的速度交替旋转，或者转速依次增加等等，只要所述SPM清洗步骤S11中所述晶圆10有两种以上的不同转速，均在本发明的思想范围之内。
如图3所示，在本实施例中，不同子步骤中所述晶圆10的旋转方向均相同，即子步骤S111、子步骤S112、子步骤S113、…子步骤S11n中的转向一致。在本发明的其它实施例中，还可以，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转方向不同，可以进一步提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
在本实施例中，如图3所示，所述SPM清洗步骤S11之后进行DIW清洗步骤S12，所述DIW清洗步骤S12中所述晶圆10至少有两种不同的转速。较佳的，参考图3，所述SPM清洗步骤S12分为多个子步骤：子步骤S121、子步骤S122、子步骤S123、…子步骤S12n，子步骤S121、子步骤S122、子步骤S123、…子步骤S12n中的清洗液均为DIW，相邻所述子步骤的中的所述晶圆10的旋转速度不同。在本实施例中，所述晶圆10呈两种不同速度W3、W4交替旋转。具体的，子步骤S121的转速为W3，子步骤S122的转速为W4，子步骤S123的转速为W3，…子步骤S12n的转速为W4，其中转速W3小于转速W4，可以有效提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
其中，所述DIW清洗步骤中所述晶圆10并不限于两种不同速度W3、W4交替旋转，还可以三种不同的速度交替旋转，或者转速依次增加等等，只要所述DIW清洗步骤S12中所述晶圆10有两种以上的不同转速，均在本发明的思想范围之内。
如图3所示，在本实施例中，不同子步骤中所述晶圆10的旋转方向均相同，即子步骤S121、子步骤S122、子步骤S123、…子步骤S12n中的转向一致。在本发明的其它实施例中，还可以，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转方向不同，可以进一步提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
较佳的，所述SPM清洗步骤、SC1清洗步骤、SCN清洗步骤、DIW清洗步骤中，所述晶圆10的转速范围为1rpm～2000rpm，例如100rpm、500rpm、1000rpm等等，其中，各个子步骤中所述晶圆10的转速范围为1rpm～2000rpm，例如100rpm、500rpm、1000rpm等等。
在所有的所述清洗步骤完成后，再对所述晶圆10进行干燥过程。较佳的，所述晶圆干燥过程为旋转干燥工艺、IPA干燥工艺或氮气干燥工艺。
在本实施例中，SC1清洗步骤、SCN清洗步骤、以及SC1清洗步骤或SCN清洗步骤之后的DIW清洗步骤中，所述晶圆均可以选择性的为变速旋转，根据本发明的上述描述，此为本领域的技术人员可以理解的，在此不作赘述。
在本实施例中，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转，可以提高所述至少一个清洗步骤中清洗液在所述晶圆10的湍动性，以增强清洗液在晶圆内的传递及对深孔内的扩散，并利于清洗副产物的传出，可以减少清洗缺陷。
第二实施例
请参阅图4具体说明本发明的第二实施例，其中，图4为本发明中第二实施例单片式湿法清洗方法的流程图。在本发明中，通过改变所述晶圆的旋转方向提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性。
在本实施例中，所述SCI清洗步骤中所述晶圆有两种转向。所述SCI清洗步骤分为多个子步骤，具体的，参考图4，所述SCI清洗步骤S21分为多个子步骤:子步骤S211、子步骤S212、子步骤S213、…子步骤S21n，子步骤S211、子步骤S212、子步骤S213、…子步骤S21n中的清洗液均为SCI，至少两个所述子步骤中所述晶圆的旋转方向不同。
较佳的，相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转方向均不同。具体的，子步骤S211的转向为第一转向，子步骤S212的转向为第二转向，子步骤S213的转向为第一转向，…子步骤S21n的转向为第二转向，可以有效提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
如图4所示，在本实施例中，不同子步骤中所述晶圆10的旋转速度均为W5，即子步骤S211、子步骤S212、子步骤S213、…子步骤S21n中的转速相同。在本发明的其它实施例中，还可以，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转速度不同，可以进一步提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
在本实施例中，如图4所示，所述SCI清洗步骤S21之后进行DIW清洗步骤S22，在本实施例中，所述DIW清洗步骤S22中所述晶圆有两种转向。所述DIW清洗步骤分为多个子步骤，具体的，参考图4，所述DIW清洗步骤S22分为多个子步骤:子步骤S221、子步骤S222、子步骤S223、…子步骤S22n，子步骤S221、子步骤S222、子步骤S223、…子步骤S22n中的清洗液均为DIW，至少两个所述子步骤中所述晶圆的旋转方向不同。本领域的普通技术人员可以理解，在旋转方向发生变化的子步骤之间，会具有一个转速为0的状态，在此不作赘述。
较佳的，相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转方向均不同。具体的，子步骤S221的转向为第一转向，子步骤S222的转向为第二转向，子步骤S223的转向为第一转向，…子步骤S22n的转向为第二转向，可以有效提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
如图4所示，在本实施例中，不同子步骤中所述晶圆10的旋转速度均为W6，即子步骤S221、子步骤S222、子步骤S223、…子步骤S22n中的转速相同。在本发明的其它实施例中，还可以，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转速度不同，可以进一步提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
较佳的，所述SPM清洗步骤、SC1清洗步骤、SCN清洗步骤、DIW清洗步骤中，所述晶圆10的转速范围为1rpm～2000rpm，例如100rpm、500rpm、1000rpm等等，其中，各个子步骤中所述晶圆10的转速范围为1rpm～2000rpm，例如100rpm、500rpm、1000rpm等等。
在所有的所述清洗步骤完成后，再对所述晶圆10进行干燥过程。较佳的，所述晶圆干燥过程为旋转干燥工艺、IPA干燥工艺或氮气干燥工艺。
在本实施例中，SPM清洗步骤、SCN清洗步骤、以及SPM清洗步骤或SCN清洗步骤之后的DIW清洗步骤中，所述晶圆均可以选择性的为变速旋转，根据本发明的上述描述，此为本领域的技术人员可以理解的，在此不作赘述。
在本实施例中，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转，可以提高所述至少一个清洗步骤中清洗液在所述晶圆10的湍动性，以增强清洗液在晶圆内的传递及对深孔内的扩散，并利于清洗副产物的传出，可以减少清洗缺陷。
第三实施例
请参阅图5具体说明本发明的第三实施例，其中，图5为本发明中第三实施例单片式湿法清洗方法的流程图。在本发明中，通过改变所述晶圆的旋转速度以及旋转方向提高所述清洗液在所述晶圆的湍动性。
在本实施例中，所述SCN清洗步骤中所述晶圆有两种转向。所述SCN清洗步骤分为多个子步骤，具体的，参考图4，所述SCN清洗步骤S31分为多个子步骤：子步骤S311、子步骤S312、子步骤S313、…子步骤S31n，子步骤S311、子步骤S312、子步骤S313、…子步骤S31n中的清洗液均为SCN，部分所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同，部分所述子步骤的中的所述晶圆的旋转方向不同。
较佳的，相邻所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同，且相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向均不同。具体的，子步骤S311的转向为第一转向，子步骤S312的转向为第二转向，子步骤S313的转向为第一转向，…子步骤S31n的转向为第二转向，子步骤S311的转速为W7，子步骤S312的转速为W8，子步骤S313的转速为W7，…子步骤S31n的转速为W8，其中转速W7小于转速W8，可以有效提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
其中，所述SCN清洗步骤中所述晶圆10并不限于两种不同速度W7、W8交替旋转，还可以三种不同的速度交替旋转，或者转速依次增加等等，只要所述DIW清洗步骤S31中所述晶圆10有两种以上的不同转速，均在本发明的思想范围之内。
在本实施例中，如图5所示，所述SCN清洗步骤S31之后进行DIW清洗步骤S32，在本实施例中，所述DIW清洗步骤S32中所述晶圆有两种转向，且有两种转速。所述DIW清洗步骤分为多个子步骤，具体的，参考图4，所述DIW清洗步骤S32分为多个子步骤：子步骤S321、子步骤S322、子步骤S323、…子步骤S32n，子步骤S321、子步骤S322、子步骤S323、…子步骤S32n中的清洗液均为DIW。
较佳的，相邻所述子步骤中所述晶圆10的旋转方向和旋转速度均不同。具体的，子步骤S321的转向为第一转向，子步骤S322的转向为第二转向，子步骤S323的转向为第一转向，…子步骤S32n的转向为第二转向，子步骤S321的转速为W9，子步骤S322的转速为W10，子步骤S323的转速为W9，…子步骤S32n的转速为W10，其中转速W9小于转速W10，可以有效提高所述清洗液在所述晶圆10的湍动性。
其中，所述DIW清洗步骤中所述晶圆10并不限于两种不同速度W9、W10交替旋转，还可以三种不同的速度交替旋转，或者转速依次增加等等，只要所述DIW清洗步骤S32中所述晶圆10有两种以上的不同转速，均在本发明的思想范围之内。
较佳的，所述SPM清洗步骤、SC1清洗步骤、SCN清洗步骤、DIW清洗步骤中，所述晶圆10的转速范围为1rpm～2000rpm，例如100rpm、500rpm、1000rpm等等，其中，各个子步骤中所述晶圆10的转速范围为1rpm～2000rpm，例如100rpm、500rpm、1000rpm等等。
在所有的所述清洗步骤完成后，再对所述晶圆10进行干燥过程。较佳的，所述晶圆干燥过程为旋转干燥工艺、IPA干燥工艺或氮气干燥工艺。
在本实施例中，SPM清洗步骤、SC1清洗步骤、以及SPM清洗步骤或SC1清洗步骤之后的DIW清洗步骤中，所述晶圆均可以选择性的为变速旋转以及变向旋转，根据本发明的上述描述，此为本领域的技术人员可以理解的，在此不作赘述。
在本实施例中，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转以及变速旋转，可以提高所述至少一个清洗步骤中清洗液在所述晶圆10的湍动性，以增强清洗液在晶圆内的传递及对深孔内的扩散，并利于清洗副产物的传出，可以减少清洗缺陷。
本发明的较佳实施例如上所述，但本发明并不显与上述公开的范围，例如还可以部分所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转，且部分所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种单片式湿法清洗方法，用于对晶圆进行清洗，其特征在于，所述单片式湿法清洗方法包括多个清洗步骤，同一所述清洗步骤中的清洗液相同，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转。
2.如权利要求1所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆至少有两种不同的转速。
3.如权利要求2所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，所述至少一个清洗步骤分为多个子步骤，相邻所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同。
4.如权利要求3所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，不同子步骤中所述晶圆的旋转方向均相同。
5.如权利要求3所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向不同。
6.如权利要求3所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，在所述至少一个清洗步骤中，所述晶圆呈两种不同速度交替旋转。
7.如权利要求1所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，所述至少一个清洗步骤分为多个子步骤，至少两个所述子步骤中所述晶圆的旋转方向不同。
8.如权利要求7所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向均不同。
9.如权利要求8所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，不同子步骤中所述晶圆的旋转速度均相同。
10.如权利要求8所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，至少有一对相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转速度不同。
11.如权利要求1所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，至少一个所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转，所述至少一个清洗步骤分为多个子步骤，部分所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同，部分所述子步骤的中的所述晶圆的旋转方向不同。
12.如权利要求10所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，相邻所述子步骤的中的所述晶圆的旋转速度不同，且相邻所述子步骤中所述晶圆的旋转方向均不同。
13.如权利要求1至12中任意一项所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，所有所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转；或，所有所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转；或，所有所述清洗步骤中的所述晶圆即变速旋转又变向旋转；或部分所述清洗步骤中的所述晶圆变速旋转，且部分所述清洗步骤中的所述晶圆变向旋转。
14.如权利要求1至12中任意一项所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，在所有的所述清洗步骤完成后，再对所述晶圆进行干燥过程。
15.如权利要求14所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，所述晶圆干燥过程为旋转干燥工艺、IPA干燥工艺或氮气干燥工艺。
16.如权利要求1至12中任意一项所述的单片式湿法清洗方法，其特征在于，所述晶圆的转速范围为1rpm～2000rpm。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987259A (zh) * 2018-07-20 2018-12-11 上海华力微电子有限公司 一种电镀制程中的洗边流程
WO2019144273A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning substrates
CN110364424A (zh) * 2019-07-29 2019-10-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 半导体处理设备零部件的清洗方法
CN110416066A (zh) * 2019-08-21 2019-11-05 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法和清洗设备
CN110957208A (zh) * 2019-12-16 2020-04-03 长江存储科技有限责任公司 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置
CN111146073A (zh) * 2018-11-05 2020-05-12 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法及清洗设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101391254A (zh) * 2007-09-17 2009-03-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片清洗方法
CN101419903A (zh) * 2007-10-24 2009-04-29 联华电子股份有限公司 移除晶片上的颗粒的方法
US20150027489A1 (en) * 2013-07-23 2015-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for cleaning wafer and scrubber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101391254A (zh) * 2007-09-17 2009-03-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片清洗方法
CN101419903A (zh) * 2007-10-24 2009-04-29 联华电子股份有限公司 移除晶片上的颗粒的方法
US20150027489A1 (en) * 2013-07-23 2015-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for cleaning wafer and scrubber

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019144273A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning substrates
CN111630649A (zh) * 2018-01-23 2020-09-04 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗基板的方法和装置
CN108987259A (zh) * 2018-07-20 2018-12-11 上海华力微电子有限公司 一种电镀制程中的洗边流程
CN111146073A (zh) * 2018-11-05 2020-05-12 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法及清洗设备
WO2020093928A1 (zh) * 2018-11-05 2020-05-14 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法及清洗设备
CN111146073B (zh) * 2018-11-05 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法及清洗设备
CN110364424A (zh) * 2019-07-29 2019-10-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 半导体处理设备零部件的清洗方法
CN110364424B (zh) * 2019-07-29 2021-11-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 半导体处理设备零部件的清洗方法
CN110416066A (zh) * 2019-08-21 2019-11-05 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法和清洗设备
CN110416066B (zh) * 2019-08-21 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗方法和清洗设备
CN110957208A (zh) * 2019-12-16 2020-04-03 长江存储科技有限责任公司 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置

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