CN108963099A - 一种用于有机电致发光元件的组合物及有机电致发光元件 - Google Patents

一种用于有机电致发光元件的组合物及有机电致发光元件 Download PDF

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Abstract

本发明有机光电技术领域，本发明提供了一种给体化合物和受体化合物的组合物及包含该组合物的有机电致发光元件，包括给体化合物和受体化合物，所述给体化合物由式(1)和/或式(2)表示的至少一种或多种化合物。使用本发明提供的组合物制备的有机电致发光元件中形成激基复合物能量高于2.7eV，所形成的激基复合物发光峰小于465nm为纯蓝或深蓝发光，所得到的有机电致发光元件具有高外量子效率、高电流密度下效率衰减小，元件的操作寿命长，具有良好的应用前景。

Description

一种用于有机电致发光元件的组合物及有机电致发光元件
技术领域
本发明属于有机光电技术领域，尤其涉及一种用于有机电致发光元件的组合物及有机电致发光元件。
背景技术
有机光电器件中，尤其是有机电致发光元件(OLED)、有机场效应晶体管(OFET)、有机太阳能电池引起了众多科学家和产业界的研究。其中，OLED或二极管作为新一代的平板显示技术逐渐进入人们的视野，其广泛的应用前景和近年来技术上的突飞猛进使得OLED成为平板信息显示领域和科学研究产品开发最热门的研究之一。
有机电致发光材料的研究始于20世纪60年代，直到1987年Tang等首次制作有机电致发光器件，有机发光器件已经取得了极大的进展。近25年来，有机发光二极管(OLED)因其具有自发光、宽视角、工作电压低、反应时间快、可弯曲等优点，已成为国际上平板显示领域的一个研究热点，其商品化产品已经崭露头角，在平面显示和照明领域开始了部分应用。但是，同时获得高效率和长寿命的问题一直是OLED研究的瓶颈和热点。
OLED发光的机理是在外加电场作用下，电子和空穴分别从正负两极注入后在有机材料中迁移、复合并衰减而产生发光。OLED的典型结构包括阴极层、阳极层和位于这两层之间的有机功能层，有机功能层可包括电子传输层、空穴传输层和发光层中的一种或几种功能层。在OLED的制备和优化中，有机功能层材料的选择至关重要，其性质是决定器件性能的重要因素之一。近年来，高激子利用率材料逐渐成为OLED的研究热点，其中具有热活化延迟荧光(TADF)效应的材料和器件正在广泛被研究，并有望应用于商业化。
在高激子利用率材料中，激基复合物(exciplex)发光自1963年被发现以来，其重要性和可实现的广泛性引起了OLED领域的关注。2012年，Adachi课题组通过选择具有强分子间电荷转移体系的材料，有效得实现了获得高效率的激基复合物发光OLED器件，最大外量子效率达到5.4％。之后，苏仕健等提出了有机平面pn异质结型电致发光器件，将激基复合物作为传统荧光材料的激发态能量给体，使得OLED器件具有结构简单、外量子效率高，驱动电压低等特点(Adv.Mater.2016,28,6758；CN108155295)。近期，一系列具有TADF效应的激基复合物高效率OLED器件得到了广泛的研究，利用激基复合物激发态能量作为天蓝色磷光主体材料，器件外量子效率甚至达到了30％。
OLED技术在显示和照明领域的发展一直受蓝光OLED的效率和寿命的制约，高效率蓝光OLED可明显提高显示逼真性，降低显示和照明器件的功耗。目前，成熟应用于手机等显示的蓝光OLED技术，主要还是基于荧光材料的OLED，但其功率效率较低。已经报道可实现纯蓝光(<465nm)或深蓝光(<440nm)TADF激基复合物发光OLED器件为给体化合物(如NPB，mCP，TAPC，CBP，mCBP，TCTA等)和受体化合物(如TPBi，TmPyPB，B3PyMPM，BPhen等)的组合，这些给体化合物或受体化合物不同程度上存在三线态能级(ET)低、或者玻璃化转变温度(Tg)低、或者器件寿命短等问题，导致所得的纯蓝色或深蓝色激基复合物OLED器件效率低(EQE,<3％)，激基复合物发光OLED器件的寿命短或未见报道，目前尚无法满足后续商业化的应用的需求。因此，需要一种具有更高电流效率和性能的组合物。
发明内容
为了解决现有OLED技术中存在的电流效率低以及性能差的问题，本发明提供一种用于有机电致发光元件的组合物，包括给体化合物和受体化合物，所述给体化合物为具有化学式(1)或(2)表示的至少一种或多种化合物：
其中L独立地表示单键，或者经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的取代或未取代的杂芳基，或者取代胺基等；
X相同或不同地表示C-R或者N；
Ar1独立地表示经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的经取代或未取代的杂芳基，或者芳基或杂芳基胺基；
R各自独立地表示H、D、F、CN中的一种，或R为具有1～36个碳原子的烷基、烷氧基、硅烷基、芳族或杂芳族环系中的一种，所述芳族或杂芳族环系可以独立的选自下列中的一种：取代或未取代的苯基、烷基苯基、联苯基、烷基联苯基、卤代苯基、烷氧基苯基、卤代烷氧基苯基、氰基苯基、硅基苯基、萘基、烷基萘基、卤代萘基、氰基萘基、硅基萘基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芳基噻唑基、二苯并呋喃基、芴基、咔唑基、菲基、三联苯基、三联苯撑基、荧蒽基或二氮杂芴基；n为0、1、2、3或4；*表示与相邻原子相连位置；
受体化合物由式(3)表示的至少一种或多种化合物：
其中
Y表示单键，或者经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的经取代或未取代的杂芳基；
X相同或不同地表示C-R或者N；
Ar2表示经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的经取代或未取代的杂芳基，所述芳基或杂芳基可以独立的选自下列中的一种：取代或未取代的苯基、烷基苯基、联苯基、烷基联苯基、卤代苯基、烷氧基苯基、卤代烷氧基苯基、氰基苯基、硅基苯基、萘基、烷基萘基、卤代萘基、氰基萘基、硅基萘基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芳基噻唑基、二苯并呋喃基、芴基、咔唑基、菲基、三联苯基、三联苯撑基、荧蒽基、二氮杂芴基、吡啶基、烷基吡啶基、卤代吡啶基、氰基吡啶基、烷氧基吡啶基、硅基吡啶基、嘧啶基、卤代嘧啶基、氰基嘧啶基、烷氧基嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、吡嗪基、喹唑啉基、萘啶基、取代三嗪基、咪唑基、咔啉基、氮杂芴基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻唑基或氮杂苯并噻吩基；
R各自独立地表示H、D、F、CN中的一种，或R为具有1～36个碳原子的烷基、烷氧基、硅烷基、芳族或杂芳族环系中的一种，所述芳族或杂芳族环系可以独立的选自下列中的一种：取代或未取代的苯基、烷基苯基、联苯基、烷基联苯基、卤代苯基、烷氧基苯基、卤代烷氧基苯基、氰基苯基、硅基苯基、萘基、烷基萘基、卤代萘基、氰基萘基、硅基萘基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芳基噻唑基、二苯并呋喃基、芴基、咔唑基、菲基、三联苯基、三联苯撑基、荧蒽基、二氮杂芴基、吡啶基、烷基吡啶基、卤代吡啶基、氰基吡啶基、烷氧基吡啶基、硅基吡啶基、嘧啶基、卤代嘧啶基、氰基嘧啶基、烷氧基嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、吡嗪基、喹唑啉基、萘啶基、取代三嗪基、咪唑基、咔啉基、氮杂芴基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻唑基或氮杂苯并噻吩基；
n为0、1、2、3或4；
优选的，所述的给体化合物式(1)或式(2)，其中的L为单键，或选自于由式L-1至L-46表示的基团，*，**表示相连的位置：
其中的Ar1选自由式Ar-1至Ar-55表示的基团，*，表示相连的位置：
所述的受体化合物式(3)其中的Y为单键，或选自于由式Y-1至Y-45表示的基团：
其中的Ar2选自由式Ar-1至Ar-42表示的基团：
优选的R为1-12个碳的烷基链、取代苯基、取代杂芳基等。
为了实现具有长寿命、高效率的深蓝色、纯蓝色激基复合物OLED，所选择的给体化合物的HOMO能级在-6.5至-5.3eV之间，玻璃化转变温度大于120度，三线态能级大于2.7eV。所选择的受体化合物其的LUMO能级在-2.4至-3.3eV之间，玻璃化转变温度大于120度，三线态能级大于2.6eV。
相应的给体化合物在满足玻璃化转变温度、三线态能级的条件下，可有从已知或未知的技术方案中进行选择，优选自以下结构式，但不代表本发明给体化合物的选择限于以下结构：
相应的受体化合物在满足玻璃化转变温度、三线态能级的条件下，可有从已知或未知的技术方案中进行选择，优选自以下结构式，但不代表本发明受体化合物的选择限于以下结构：
本发明还要求保护一种有机电致发光元件，所述有机电致发光元件包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极相面对；
有机功能层，夹设于所述第一电极和所述第二电极之间；
其中，所述有机功能层包含上述用于有机电致发光元件的组合物。
优选的，所述有机功能层还含有其他有机化合物、金属或金属化合物作为掺杂剂。
优选的，所述有机功能层包括自由发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层或它们的组合组成的一种。
优选的，所述有机电致发光元件发射深蓝色或纯蓝色光。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明涉及的给体化合物和受体化合物组合，所涉及的化合物具有超过120度的玻璃化转变温度，高于2.70eV的三线态能级。同时给体化合物和受体化合物组合在OLED器件中形成激基复合物能量高于2.70eV，所形成的激基复合物发光峰<465nm为纯蓝或深蓝发光。使用本发明提供的组合物所形成的OLED器件在100cd/m2亮度下寿命超过100小时。由于本发明所形成的激基复合物能量高，且具有TADF特性，可以作为蓝色荧光材料的能量提供体，可以使现有蓝色荧光OLED器件的外量子效率超过6％，突破理论极限的5％。与传统给体化合物(如NPB，mCP，TAPC，CBP，mCBP，TCTA等)和受体化合物(如TPBi，TmPyPB，B3PyMPM，BPhen等)相比，本发明选择的组合化合物由于其高玻璃化转变温度，可以有效提升有机电子器件操作时的热稳定性，符合后续有机发光元件的封装等加工工艺。本发明中的给体化合物还可以直接作为空穴传输层或电子阻挡层，本发明中的受体化合物还可以直接作为电子传输层或空穴阻挡层，简化了有机发光元件的结构，同时还提升了发光效率和器件寿命。
附图说明
图1为本发明中组合3，组合4，组合7，组合10的光致发光光谱；
图2为本发明中器件1，器件2，器件3，器件4的电致发光光谱；
图3为本发明中用给体/受体组合形成发光层的方案示意图；
图4为为本发明有机发光元件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有空穴传输层，空穴传输材料可以优选自已知或未知的材料，特别优选地选自以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：
在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有的空穴传输层，其包含一种或多种p型掺杂剂。本发明优选的p型掺杂剂为以下结构：
本发明的式(1)和式(2)表示的化合物被用作空穴传输层、空穴注入层或激子阻挡层中的空穴传输材料，式(1)和式(2)中的化合物可以单独使用，也可以将含式(1)和式(2)中化合物与上述一种或多种p型掺杂剂共同形成。
本发明的一种优选实施方式中，所述的电子传输层可以选自化合物ET-1至ET-8的至少一种，但不限于此：
本发明的一种优选实施方式中，当上述电子传输材料或本发明的式(3)表示的化合物被用作空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层材料，式(3)表示的化合物可以单独使用，也可以含一种或多种n型掺杂剂。本发明优选的掺杂剂为Liq等。
在本发明另外优选的一种实施方式中，式(1)和式(2)中的化合物与式(3)中的化合物的组合可以以一定的厚度形成平面pn结，或者本体异质结单独作为发光层，也以由它们相互组合作为发光层。
在本发明的应用实施方案中，式(1)和式(2)中的化合物与式(3)中的化合物的组合可以优选地作为荧光或磷光化合物的主体材料，所述掺杂剂优选是一种或多种荧光或磷光掺杂剂，可以优选自有机化合物，或铱(Ir)、铜(Cu)、或铂(Pt)的络合物的任意已知和未知的结构。
为了形成本发明有机电致发光元件的各层，可采用真空蒸镀、溅射、离子电镀等方法，或湿法成膜如旋涂、打印、印刷等方法。本发明还提供一种包括所述组合物和溶剂的制剂，所用的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂。
有机发光元件的制造通用方法：
在发光面积为2mm×2mm大小的ITO玻璃的表面用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法将p掺杂材料P-1～P-6或者将此p掺杂材料以1％～50％浓度与空穴传输材料共同形成5-50nm的空穴注入层(HIL)，再形成5-200nm的空穴传输层(HTL)，随后在空穴传输层上形成10-100nm的发光层(EML)，最后依次形成电子传输层(ETL)10-200nm和阴极50-200nm，如有必要在HTL和EML层中间加入电子阻挡层(EBL),在ETL和阴极间加入电子注入层(EIL)从而制造了有机发光元件。通过标准方法表征所述OLED。
由此设计的有机发光元件在实际应用中包含以下技术方案，但不限于此。
方案1:给体化合物与受体化合物形成给/受体双层pn结层作为发光层
在所述的ITO玻璃上用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法形成上述的空穴注入层，传输层和电子阻挡层后，选取所述的给体化合物形成5-50nm的薄层，随后在这个给体化合物上形成5-50nm的受体化合物层，形成给/受体双层pn结发光层，在此发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
方案2：给体化合物与受体化合物共同形成本体异质结层作为发光层
在所述的ITO玻璃上用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法形成上述的空穴注入层，传输层和电子阻挡层后，选取所述的给体和受体化合物通过预先以一定的比例(1:0.1-99)共混，然后通过真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法5-100nm的本体异质层作为发光层，或者将给体化合物与受体化合物以一定的比例(1:0.1-99)共同蒸发形成5-100nm的本体异质结层作为发光层，随后在发光层上，再依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
方案3：多个给/受体双层pn结层作为发光层
在所述的ITO玻璃上用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法形成上述的空穴注入层，传输层和电子阻挡层后，选取所述的给体化合物形成0.5-5nm的薄层，随后在这个给体化合物上形成0.5-5nm的受体化合物层，形成第一个给/受体双层pn结薄层，在此基础上再形成0.5-5nm的给体化合物层，继而在形成0.5-5nm的受体化合物层，得到第二个给/受体双层pn结薄层，如此反复，形成2-20对相互叠加的给/受体双层pn结薄层，以这个2-20个相互叠加的给/受体双层pn结薄层形成最终的发光层，随后在发光层上，再依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
方案4：给受体pn结薄层与给受体本体异质结混合作为发光层
在所述的ITO玻璃上用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法形成上述的空穴注入层，传输层和电子阻挡层后，选取所述的给体材料形成1-50nm的薄层，然后此层上形成5-50nm的给受体本体异质结层，随后再上形成1-50nm的受体材料层，给受体pn结薄层与给受体本体异质结混合形成发光层，在此发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
方案5：多个给受体pn结层与给受体本体异质结层组合作为发光层
在所述的ITO玻璃上用真空蒸镀、旋涂、打印或印刷的方法形成上述的空穴注入层，传输层和电子阻挡层后，选取所述的给体化合物形成0.5-5nm的薄层，随后在这个给体化合物上形成0.5-5nm的受体化合物层，形成第一个给/受体双层pn结薄层，在此层上在形成一层5-50nm的给体化合物与受体化合物本体异质结层，随后在此基础上加一层给/受体双层pn结薄层，形成最终的发光层，在此发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
方案6：给体化合物与受体化合物形成给/受体双层pn结层作为主体，掺杂材料形成发光层
方案7：给体化合物与受体化合物共同形成本体异质结层作为主体，掺杂材料形成发光层
本发明中给体化合物和受体化合物组合，在紫外光激发下，获得蓝色或深蓝色的激基复合物发光，如下表所示。
实施例1：以给体化合物D1-3-1和受体化合物P4-3-29通过方案1的方式，制作平面pn结作为发光层的器件，在高真空下，有机材料的蒸发速率为通过真空蒸镀法制作结构为ITO/P-4(10)/NPB(10)/TCTA(10)/给体化合物D1-3-1(10)/受体化合物P4-3-29(10)/TmPyPB(40)/Liq(1)/Al(80)的OLED器件(器件1)，其中各层材料间用“/”隔开，括号内表示各层的厚度，单位为nm。电流密度-电压-亮度曲线用Keithley 2400电流表和PR650光谱仪测的。
实施例2：以给体化合物D1-3-1和受体化合物P4-3-29通过方案1的方式，制作平面pn结作为发光层的器件，在高真空下，有机材料的蒸发速率为通过真空蒸镀法制作结构为ITO/P-4(10)/NPB(10)/TCTA(10)/给体化合物D1-3-1(20)/受体化合物P4-3-29(20)/TmPyPB(40)/Liq(1)/Al(80)的OLED器件(器件2)，其中各层材料间用“/”隔开，括号内表示各层的厚度，单位为nm。电流密度-电压-亮度曲线用Keithley 2400电流表和PR650光谱仪测的。
实施例3：以给体化合物D1-3-1和受体化合物P4-3-29通过方案4的方式，制作平面pn结和本体异质结混合作为发光层的器件，在高真空下，有机材料的蒸发速率为通过真空蒸镀法制作结构为ITO/P-4(10)/NPB(10)/TCTA(10)/给体化合物D1-3-1(10)/给体化合物D1-3-1：受体化合物P4-3-29(1:1)(10)/受体化合物P4-3-29(10)/受体化合物P4-3-29:Liq(1:1)(20)/Liq(1)/Al(80)的OLED器件(器件3)，其中各层材料间用“/”隔开，括号内表示各层的厚度，单位为nm。电流密度-电压-亮度曲线用Keithley 2400电流表和PR650光谱仪测的。
实施例4：以给体化合物D1-3-1和受体化合物5-44-49通过方案4的方式，制作平面pn结和本体异质结混合作为发光层的器件，在高真空下，有机材料的蒸发速率为通过真空蒸镀法制作结构为ITO/P-4(10)/NPB(10)/TCTA(10)/给体化合物D1-3-1(10)/给体化合物D1-3-1：受体化合物5-44-49(1:1)(10)/受体化合物5-44-49(10)/受体化合物5-44-49:Liq(1:1)(20)/Liq(1)/Al(80)的OLED器件(器件4)，其中各层材料间用“/”隔开，括号内表示各层的厚度，单位为nm。电流密度-电压-亮度曲线用Keithley 2400电流表和PR650光谱仪测的。
实施例5：以给体化合物D1-3-1和受体化合物P4-3-29通过方案4的方式，制作平面pn结和本体异质结混合作为发光层的器件，在高真空下，有机材料的蒸发速率为通过真空蒸镀法制作结构为ITO/HT-8:P-3(97:3)(20)/HT-1(40)/给体化合物D1-3-1(10)/给体化合物D1-3-1：受体化合物P4-3-29(1:1)(10)/受体化合物P4-3-29(10)/受体化合物P4-3-29:Liq(1:1)(20)/Liq(1)/Al(80)的OLED器件(器件5)，其中各层材料间用“/”隔开，括号内表示各层的厚度，单位为nm。
其中实施例1和实施例2的器件中，以传统的电子传输材料TmPyPB作为电子传输层，由于形成的激基复合物能量被TmPyPB捕获，形成510nm处绿色发光，导致发光器件不是单纯的深蓝色发光，且效率较低。但已经说明本发明中所述的给体受体化合物组合可以形成深蓝色的发光。在器件3中将本发明中的受体化合物P4-3-29替换传统的电子传输材料TmPyPB作为电子传输层后，可以明显消除510nm左右的发光，获得深蓝色发光OLED器件，效率有显著提升。通过实施不同的发光层方案，如器件4和器件5的效率在器件3的基础上有不同层度的提升。
其中实施例3，在氮气氛下未经封装的OLED器件(器件3)，在100cd/m2的亮度下，寿命为175小时，实施例5(器件5)在选取更优的空穴注入和传输层材料后，效率和使用寿命明显提升，寿命提升至300小时以上。显然如果器件经过严格封装将使寿命有效提高。
本发明涉及的给体化合物和受体化合物组合，所涉及的化合物具有超过120度的玻璃化转变温度，高于2.60eV的三线态能级。同时给体化合物和受体化合物组合在OLED器件中形成激基复合物能量高于2.7eV，所形成的激基复合物发光峰≤465nm为纯蓝或深蓝发光。该组合应用于OLED器件，在100cd/m2亮度下寿命至少超过100小时。由于本发明所形成的激基复合物能量高，且具有TADF特性，可以作为蓝色荧光材料的能量提供体，使现有蓝色荧光OLED器件的外量子效率超过6％，突破理论极限的5％，同时延长元件使用寿命。
以上对本发明的实施方式进行了详细的说明，本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于有机电致发光元件的组合物，包括给体化合物和受体化合物，所述给体化合物由式(1)和/或式(2)表示的至少一种或多种化合物：
其中
L独立地表示单键，或者经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的取代或未取代的杂芳基，或者取代的胺基；
X相同或不同地表示C-R或者N；
Ar1独立地表示经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的经取代或未取代的杂芳基，或者取代的胺基；
R分别独立地表示H、D、F、CN中的一种，或R为具有1～36个C原子的烷基、烷氧基、硅烷基、取代的胺基、芳族或杂芳族环系中的一种，所述芳族或杂芳族环系可以独立的选自下列中的一种：取代或未取代的苯基、烷基苯基、联苯基、烷基联苯基、卤代苯基、烷氧基苯基、卤代烷氧基苯基、氰基苯基、硅基苯基、萘基、烷基萘基、卤代萘基、氰基萘基、硅基萘基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芳基噻唑基、二苯并呋喃基、芴基、咔唑基、菲基、三联苯基、三联苯撑基、荧蒽基或二氮杂芴基；n为0、1、2、3或4；
所述受体化合物由式(3)表示的至少一种或多种化合物
其中
Y表示单键，或者经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的经取代或未取代的杂芳基；
X相同或不同地表示C-R或者N；
Ar2表示经取代或未取代的芳基，或者含有氮原子、氧原子、硫原子或硅原子的经取代或未取代的杂芳基；
R各自独立地表示H、D、F、CN中的一种，或R为具有1～60个碳原子的烷基、烷氧基、硅烷基、芳族或杂芳族环系中的一种，所述取代或未取代的芳族或杂芳族环系可以独立的选自下列中的一种：取代或未取代的苯基、烷基苯基、联苯基、烷基联苯基、卤代苯基、烷氧基苯基、卤代烷氧基苯基、氰基苯基、硅基苯基、萘基、烷基萘基、卤代萘基、氰基萘基、硅基萘基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芳基噻唑基、二苯并呋喃基、芴基、咔唑基、菲基、三联苯基、三联苯撑基、荧蒽基、二氮杂芴基、吡啶基、烷基吡啶基、卤代吡啶基、氰基吡啶基、烷氧基吡啶基、硅基吡啶基、嘧啶基、卤代嘧啶基、氰基嘧啶基、烷氧基嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、吡嗪基、喹唑啉基、萘啶基、取代三嗪基、咪唑基、咔啉基、氮杂芴基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻唑基或氮杂苯并噻吩基；n为0、1、2、3或4。
2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述给体化合物式(1)或式(2)中的L独立地为单键，或选自于由式L-1至L-46表示的基团：
所述的Ar1独立地选自由式Ar-1至Ar-55表示的基团：
所述的受体化合物式(3)中的Y为单键，或选自于由式Y-1至Y-45表示的基团：
所述的Ar2选自由式Ar-1至Ar-42表示的基团：
3.根据权利要求1-2所述的组合物，其特征在于，用以下代表化合物群组表述所述给体化合物式(1)和式(2)：
4.根据权利要求1-2任一项所述的组合物，其特征在于，用以下代表化合物群组表述所述受体化合物式(3)的一种或多种：
5.一种有机电致发光元件，其特征在于，包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极相面对；
有机功能层，夹设于所述第一电极和所述第二电极之间；
其中，有机功能层包含权利要求1-4任一项所述组合物。
6.根据权利要求5任所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述有机功能层包括自由发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层或它们的组合组成的一种。
7.根据权利要求5或6所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述给体化合物和受体化合物可以通过形成平面pn结形成发光层。
8.根据权利要求5或6所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述给体化合物和受体化合物可以通过形成本体异质结形成发光层。
9.根据权利要求5或6所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述给体化合物和受体化合物可以平面pn结和本体异质结共同形成发光层。
10.根据权利要求5或6所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述的有机功能层还含有其他有机化合物、金属或金属化合物作为掺杂剂。
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