CN108948027A - 一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，公开了一种含有庚嗪环‑吩噁嗪单元的化合物及其在器件中的应用。本发明所公开的含有庚嗪环‑吩噁嗪单元的化合物，具有通式(Ⅰ)所示的结构。该类化合物基于庚嗪环‑吩噁嗪骨架，并且其空穴传输性能与电子传输性能极为匹配，尤其适合作为近红外发光材料应用于OLED等领域。

Description

一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物及其应用
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别涉及一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物及其器件应用。
背景技术
自1987年柯达公司C.W.Tang等人首次报道通过真空热蒸镀方法制备出以Alq3为发光材料的双层器件结构以来，有机电致发光材料就受到人们的极大关注。如三星的Galaxy系列手机、S6等都是OLED手机。2017年，苹果公司也已经采用OLED显示屏配置在其手机上。
有机电致发光可以分为荧光和磷光电致发光。根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的形成概率比例是1:3，即单重态激子仅占“电子-空穴对”的25％。因此，来自于单重态激子的辐射跃迁的荧光就只占到总输入能量的25％，而磷光材料的电致发光就可以通过重金属效应而利用到全部激子的能量，因而具有更大的优越性。
现在的磷光电致发光器件中大多数采用主客体结构，即将磷光发光材料以一定的浓度掺杂到主体材料中，以避免三重态-三重态的湮灭，以提高磷光发光效率。
1999年Forrest和Thompson等[M.A.Baldo,S Lamansky,P.E.Burroes,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Appl Phys Let,1999,75,4]将绿光磷光材料Ir(ppy)3以6wt％的浓度掺杂在4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)的主体材料中，并引入了空穴阻挡层材料2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)，获得的绿光OLED最大外部量子效率8％，功率效率达到31lm/W，均大大超过电致荧光发光器件，立即引起人们对重金属配合物发光材料的广泛关注。
近年来，双极性载流子传输的主体材料也有报道在R&G&B三色OLED器件中使用。Lee等(Lee,Jiun-Haw；Tsai,Hsin-Hun；Leung,Man-Kit；Yang,Chih-Chiang；Chao,Chun-Chieh,Applied Physical Letters,2007,90,243501)，将Ir(ppy)3以9wt％的浓度掺杂在具有双极性传输的噁二唑类主体材料2,2’-二-[5-苯基-2-(1,3,4)-噁二唑基]联苯(OXD)中，器件的电流效率在亮度为1000nit时为24cd/A,略小于以CBP为主体的器件。
Adachi等(Jie Li,Hiroko Nomura,Hiroshi Miyazaki,Chem.Commun.,2014,50,6174)，将2,5,8-三(4-氟原子-3-甲基苯基)-1,3,4,67,9,9b-庚嗪环(HAP-3MF)作为一种电子传输体与1,3-二(9H-咔唑基-9-)苯环(mCP)作为一种绿光激基复合物发光材料，在8wt％的掺杂浓度HAP-3MF时，获得最大的EQE＝11.3％,要远远高于单一以CBP作为主体的荧光OLED器件。
虽然HAP-3MF可以作为一种偏电子传输型的主体材料，但是，基于HAP-3MF为基础的OLED器件同时也展现出与其它OLED器件相同的技术短板。其中，第一技术短板在于，HAP-3MF中含有3个氟原子，这些含有氟原子的主体材料的OLED在长期的点亮过程中，氟原子将可能与苯环发生断键而形成自由基，这些自由基是最终导致发光分子化学降解的基础来源之一。第二个技术短板在于，目前基于HAP-3MF的主体材料是一种偏电子型主体材料或者发光材料，这些材料需要同时与另外一种偏空穴型的主体材料一起使用，这样设计的OLED器件在发光层内的空穴与电子载流子将更加平衡，这种两种材料同时蒸镀的技术不仅造成了设备成本偏高，也增加了工艺制造的难度，不利于OLED面板厂的生产。因此，如何改善OLED主体材料的空穴/电子传输平衡是至关重要的。目前基于庚嗪环作为基本单元的OLED材料，要么是功能单一的偏电子传输性能的主体材料(例如,HAP-3MF)，要么是偏空穴传输性能的TADF热延迟荧光材料(例如HAP-3TPA)。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物及其在器件中的应用。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其具有通式(Ⅰ)所示的结构：
其中，
X1为C或Si；
X2为N或B；
A1、A2、A3各自独立地选自芳基、稠环基、含吩噁嗪结构的基团，且A1、A2、A3中至少有一个是含吩噁嗪结构的基团。
可选地，在通式(Ⅰ)所示的结构中，X1为C。
可选地，本发明的实施方式所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，具有通式(II)或通式(III)所示的结构：
其中，
A1、A2、A3各自独立地选自芳基、稠环基、含吩噁嗪结构的基团，且A1、A2、A3中至少有一个是含吩噁嗪结构的基团。
在通式(Ⅰ)所示的结构中，所述含吩噁嗪结构的基团具有通式(IV)所示的结构：
其中，R1、R2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基、胺类基团；
K选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基。
可选地，在通式(Ⅰ)所示的结构中，X1为C，X2为N。
当X1为C，X2为N时，进一步可选地，本发明的实施方式所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，具有通式(V)、通式(VI)或通式(VII)所示的结构：
其中，
A1、A2各自独立地选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基；
可选地，在通式(Ⅰ)所示的结构中，K具有式(VIIII)所示的通式：
通式(VIIII)中，n为0～6的整数。
可选地，通式(VIIII)中，n为0。
当通式(VIIII)中，n为0时，进一步可选地，本发明的实施方式所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，具有选自如下之一的结构：
本发明的实施方式还提供上述含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物在OLED(有机发光二极管)、OFT(有机晶体场)、OPV(有机太阳能电池)、QLED(量子点发光二极管)器件中的应用。
可选地，所述含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物为有机发光二极管的发光层材料。
相对于现有技术而言，本发明的实施方式所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，基于庚嗪环-吩噁嗪骨架，该类化合物的空穴传输性能与电子传输性能极为匹配，尤其适合作为近红外发光材料应用于OLED(有机发光二极管)、OFT(有机晶体场)、OPV(有机太阳能电池)、QLED(量子点发光二极管)领域。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本发明而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本发明各权利要求所要求保护的技术方案。
化合物
本发明的具体实施方式提供了一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其具有通式(Ⅰ)所示的结构：
其中，X1为C或Si；X2为N或B；A1、A2、A3各自独立地选自芳基、稠环基、含吩噁嗪结构的基团，且A1、A2、A3中至少有一个是含吩噁嗪结构的基团。
在本发明的一些具体实施方式中，所述X1为C。
在本发明的一些具体实施方式中，所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物具有通式(II)或通式(III)所示的结构：
其中，A1、A2、A3各自独立地选自芳基、稠环基或含吩噁嗪结构的基团，且A1、A2、A3中至少有一个是含吩噁嗪结构的基团。
在本发明的一些具体实施方式中，所述吩噁嗪单元具有通式(IV)所示的结构：
其中，R1、R2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基、胺类基团；K选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基。
在本发明的一些具体实施方式中，X1为C，X2为N。
在本发明的一些具体实施方式中，所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，具有通式(V)、通式(VI)或通式(VII)所示的结构：
其中，A1、A2各自独立地选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基；K具有式(VIIII)所示的通式：
通式(VIIII)中，n为0～6的整数。
在本发明的一些具体实施方式中，通式(VIIII)中的n为0。
在本发明的一些具体实施方式中，所提供的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，具有选自如下之一的结构：
通用合成路线
以下部分公开了本发明所提供化合物的制备方法。但是本公开内容不意图限于本文中所叙述的方法的任一种。所属领域的技术人员可容易地修改所叙述的方法或者利用不同的方法来制备所提供的化合物的一种或多种。下列方面仅是示例性的，且不意图限制本公开内容的范围。温度、催化剂、浓度、反应物组成、以及其它工艺条件可改变，并且对于期望的配合物，本公开内容所属领域的技术人员可以容易地选择合适的反应物和条件。
在Varian Liquid State NMR仪器上于CDCl3或DMS0-d6溶液中以400MHz记录1H图谱，以100MHz记录13C NMR图谱，化学位移参照残留的氘代(protiated)溶剂。如果CDCl3用作溶剂，则采用四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标记录1H NMR图谱；采用DMSO-d6(δ＝77.00ppm)作为内标记录13C NMR图谱。如果H2O(δ＝3.33ppm)用作溶剂，则采用残留的H2O(δ＝3.33ppm)作为内标记录1H NMR图谱；采用DMSO-d6(δ＝39.52ppm)作为内标记录13C NMR图谱。使用下列缩写(或其组合)来解释1H NMR的多重性：s＝单重，d＝双重，t＝三重，q＝四重，P＝五重，m＝多重，br＝宽。
本发明化合物可以通过Friedel-Crafts reaction弗里德尔-克拉夫茨反应进行合成，是有机合成中形成C-C键的重要方法之一，由法国化学家Friedel和美国化学家Crafts于1877年在法国共同发现，反应机制为在金属卤化物的作用下，碳正离子对芳环的亲电取代反应。
合成通式：
其中，
代表芳香环；代表庚嗪环的氯代物2,5,8-三氯-1,3,3a,4,6,7,9-庚嗪环(以下简称为3A)；
进一步地，2,5,8-三氯-1,3,3a,4,6,7,9-庚嗪环(以下简称为3A)可以通过以下合成路径进行准备原料：
以上3A的合成方法，也其他文献中可见(例如，Jie Li,Adv.Mater.2013,25,3319-3323)。
本发明的合成示例中，只详细描述以3A为初始原料、通过Friedel-Craftsreaction弗里德尔-克拉夫茨反应进行合成目标产物及其化学表征的过程。
合成示例：
(1)化合物L1
在装有10-苯基-10H-吩噁嗪的CH2Cl2(200ml)混合液的三口瓶加入AlCl3溶液使用冰水浴控制温度在0℃40分钟。然后，将3A慢慢滴加入混合液中，将三口瓶底部加入至25-30℃左右，并充分搅拌48小时后，在反应液中加入NaOH/H2O溶液后再充分搅拌10小时左右。反应液最终通过三氯甲烷溶液进行多次萃取，萃取后的有机相使用饱和盐水进行冲洗，用硫酸镁干燥剂进行干燥处理后进行真空过滤，过滤得到的产物进一步通过色谱柱进行过柱子(前期有机相为甲苯/正己烷＝1:1，后期有机相为甲苯/正己烷溶液＝2:1)得到98％以上纯度的产品L1。为进一步提高L1的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.0％的L1产品。
采用CDCl3用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录1H NMR图谱。
1H NMR(400MHZ,DMSO-d6)：
6.42ppm(6H,d),6.5ppm(6H,d),6.58ppm(6H,t),6.67-6.73ppm(12H,p),7.4ppm(6H,d)。
(2)化合物L2
在装有10-苯基-10H-吩噁嗪的CH2Cl2(200ml)混合液的三口瓶加入AlCl3溶液使用冰水浴控制温度在0℃40分钟。然后，将3A-ph慢慢滴加入混合液中，将三口瓶底部加入至25-30℃左右，并充分搅拌48小时后，在反应液中加入NaOH/H2O溶液后再充分搅拌10小时左右。反应液最终通过三氯甲烷溶液进行多次萃取，萃取后的有机相使用饱和盐水进行冲洗，用硫酸镁干燥剂进行干燥处理后进行真空过滤，过滤得到的产物进一步通过色谱柱进行过柱子(前期有机相为甲苯/正己烷＝1:1，后期有机相为甲苯/正己烷溶液＝2:1)得到98％以上纯度的产品L2。为进一步提高L2的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.0％的L2产品。
采用CDCl3用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录1H NMR图谱。
1H NMR(400MHZ,DMSO-d6)：
6.42ppm(4H,q),6.5-6.58ppm(8H,t),6.67-6.73ppm(8H,p),7.3ppm(3H,s),7.4ppm(4H,d),7.6ppm(2H,s)。
(3)化合物L3
在装有10-苯基-10H-吩噁嗪的CH2Cl2(200ml)混合液的三口瓶加入AlCl3溶液使用冰水浴控制温度在0℃/30分钟。然后，将3A-dph慢慢滴加入混合液中，将三口瓶底部加入至25℃左右，并充分搅拌48小时后，在反应液中加入NaOH/H2O溶液后再充分搅拌10小时左右。反应液最终通过三氯甲烷溶液进行多次萃取，萃取后的有机相使用饱和盐水进行冲洗，用硫酸镁干燥剂进行干燥处理后进行真空过滤，过滤得到的产物进一步通过色谱柱进行过柱子(前期有机相为甲苯/正己烷＝1:1，后期有机相为甲苯/正己烷溶液＝2:1)得到98％以上纯度的产品L3。为进一步提高L3的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.0％的L3产品。
采用CDCL3用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录1H NMR图谱。
1H NMR(400MHZ,DMSO-d6)：
6.42ppm(4H,d),6.5ppm(4H,d),6.58ppm(4H,t),6.67-6.73ppm(8H,p),7.22ppm(1H,t),7.32-7.4ppm(6H,q),7.48-7.5ppm(4H,t),7.7ppm(2H,d)。
光物理信息：
在研究荧光小分子化合物的电子结构时，电子间相互影响是非常重要的，密度泛函理论(DFT)已经被广泛用于研究π共轭体系，且采用DFT方法研究本公开的化合物的结果要比其他的方法更为准确。对化合物分子的基态、阳离子态和阴粒子态下的几何结构的优化，采用DFT//B3LYP/6-31G(d)的方法，对化合物的激发态的几何结构采用DFT//B3LYP/6-31G(d)的方法获得的。在基态和激发态几何结构的基础上，采用含时密度泛函理论(TDDFT)方法计算了这些化合物的吸收和发射光谱。通过上述的计算方法，可以获得所研究化合物的各种性质，包括电离能IP，电子亲和势EA，重组能λ，最高占据轨道HOMO，最低占据轨道LUMO，能隙Eg.
对有机发光器件来说，空穴和电子能有效平衡地注入和传输是非常重要的。分子的电离能和电子亲和势分别是用来评估空穴和电子的注入能力的。下表列出了计算得到的化合物的垂直和绝热电离能、垂直电子亲和势和绝热电子亲和势、空穴抽取能及电子抽取能。垂直电离能IP(v)是指在中性分子几何构型下阳离子和分子的能量差；绝热电离能IP(A)是指在中性和阳离子几何构型下的能量差；空穴抽取能HEP是指阳离子几何构型下分子和阳离子的能量差；垂直电子亲和势EA(v)是指在中性和阴离子几何构型下的能量差；电子抽取能EEP是指在阴离子几何构型下分子和阴离子的能量差。一般来说，对于小分子有机材料，电离能越小，空穴的注入就越容易；而电子亲和势越大，电子的注入就越容易。
从微观角度看，有机薄膜中电荷的传输机理可以描述为自传输的过程。其中，一个电子或空穴从一个带电子分子转移到相邻的中性分子上。根据Marcus理论，电荷的迁移率可以表示为：
其中，T代表温度；V代表指前因子，是两种粒子之间的耦合矩阵元；λ是重组能；Kb是波尔兹曼常数。显然，λ和V是决定Ket值的重要因素。一般地，在非晶态下电荷的转移范围是有限的，V值的变化很小。所以，迁移率的快慢主要由指数上的λ来决定。λ越小，传输速率越快。为了研究方便，忽略外部环境的影响，主要讨论的是内重组能。
根据计算推导，内重组能最终可以表示为：
λhole＝IP(v)-HEP
λelectron＝EEP-EA(v)
以如上方法计算本发明具体实施方式中制备的化合物L1-L10HOMO能级、LUMO能级，HOMO和LUMO的电子云分布，以及ΔEST，S1能级和PL光谱主峰：
表1光物理信息数据
根据上述计算结果，本发明所提供化合物的第一方面优点在于，二元吩噁嗪取代的庚嗪环的设计对于本发明化合物的HOMO/LUMO/S1/ΔEST影响不大，有利于化合物的设计多样性和合成选择性。例如，化合物L1-L4中，无论是萘基，还是联苯还是苯基，对于化合物中的HOMO/LUMO/S1/ΔEST影响不大，有利于选择产率最高、成本最低的化合物作为最终的目标产物，因为它们的性能都接近。而一元吩噁嗪取代的庚嗪环化合物相对于二元取代物来说，PL光谱蓝移。
本发明的第二方面优点在于，以非常简单的分子设计使得本发明的材料达到空穴/电子传输平衡的双极性特性。
以下针对所公开化合物中的L1-L5详细说明本技术方案带来的效果。
表2.IPV,IPA,EAV,EAA,HEP,EEP,λh,λe计算表
从计算的空穴重组能和电子重组能来判断，对于L3分子：[电子重组能λe-空穴重组能λh]＝0.011eV；对于L4分子：[电子重组能λe-空穴重组能λh]＝0.011eV；因此，L1分子和L4分子是一个非常理想的空穴传输能力等同于电子传输能力的双极性有机材料。这样的分子好处，在于有利于平衡OLED器件的空穴/电子载流子的传输平衡，从而提高OLED发光效率和寿命。
对于L2分子：[电子重组能λe-空穴重组能λh]＝0.4eV,因此，L2分子是一个稍微偏传输电子的双极性有机材料。这样的分子好处，在于有利于平衡OLED器件的空穴/电子载流子的传输平衡，从而提高OLED发光效率和寿命。
器件
本发明的具体实施方式还提供上述实施例中的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物在器件中的应用。
在本发明的一些具体实施方式中，所述器件可以为OLED、OFT、OPV、QLED器件。
本发明的具体实施方式还提供一种有机发光二极管器件，该有机发光二极管器件包含上述实施例中的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物。
在本发明所提供的一些具体实施例中，本发明的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物为所述有机发光二极管器件中的发光层材料。
在本发明的一些具体实施例中，所提供的有机发光二极管器件包含：第一电极、在第一电极上形成的空穴传输层、在空穴传输层上形成的发光层、在发光层上形成的电子传输层，以及覆盖在电子传输层上的第二电极，且发光层为本发明中的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物。
器件制备：
取ITO基板，30mm*30mm尺寸的低发射玻璃，有四个发光区域，发光面积AA区为2mm*2mm，ITO薄膜的透光率为90％@550nm，表面粗糙度Ra<1nm，ITO膜厚为1300A，方电阻为10欧姆每平方。
对ITO基板进行清洗：首先放置在盛有丙酮溶液的容器中，将该容器放置于在超声波清洗机进行超声清洗，清洗时间为30分钟，主要是将附着在ITO表面的有机物进行溶解和去除；然后将清洗完毕的ITO基板取出放置在热板上进行高温120℃烘烤半个小时，去除ITO基板表面的有机溶剂和水汽；然后将烘烤完毕的ITO基板迅速转移到UV-ZONE设备中进行O3等离子体处理，将ITO表面难以除尽的有机物或异物进一步使用等离子处理15分钟，处理完毕的ITO迅速转移到OLED蒸镀设备成膜室中。
OLED蒸镀前准备：首先对OLED蒸镀设备进行洁净处理，使用IPA进行擦拭成膜室的腔体内壁，保证整个成膜腔体没有异物或粉尘。然后，将装有OLED有机材料的坩埚和装有金属铝粒的坩埚依次放置在有机蒸发源和无机蒸发源位置上。关闭腔体，进行初抽真空和抽高真空步骤，使得OLED蒸镀设备内部蒸镀度达到10E-7Torr。
OLED蒸镀成膜：打开OLED有机蒸发源，对OLED有机材料进行100℃预热，预热时间为15分钟，保证进一步去除OLED有机材料中的水汽。然后对需要蒸镀的有机材料进行快速升温加热处理，并打开蒸发源上方的挡板，直到该材料的蒸发源有有机材料溢出，同时晶振片检测器检测到蒸发速率时，进行缓慢升温，升温幅度为1-5℃，直到蒸发速率稳定在1A/秒时，打开掩膜板正下方的挡板，进行OLED成膜，当电脑端观测到ITO基板上的有机膜达到预设膜厚时，关闭掩膜板挡板和蒸发源正上方挡板，关闭该有机材料的蒸发源加热器。其它有机材料和阴极金属材料的蒸镀工艺如上所述。
OLED封装流程：20mm*20mm的封装盖的清洁处理方式如ITO基板前处理方式。在清洁完毕的封装盖外延四周进行UV胶材涂覆或点胶，然后，将点完UV胶材的封装盖转移到真空贴合设备中，与成膜OLED有机膜的ITO基板进行真空贴合，然后，转移到UV固化腔体中，使用365nm波段的紫外光进行光固化。光固化的ITO器件，还需要进行80℃半小时的后热处理，使得UV胶材完全固化。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (10)

1.一种含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，具有通式(Ⅰ)所示的结构：
其中，
X1为C或Si；
X2为N或B；
A1、A2、A3各自独立地选自芳基、稠环基或含吩噁嗪结构的基团，且A1、A2、A3中至少有一个是含吩噁嗪结构的基团。
2.根据权利要求1所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，所述X1为C。
3.根据权利要求2所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，具有通式(II)或通式(III)所示的结构：
其中，
A1、A2、A3各自独立地选自芳基、稠环基或含吩噁嗪结构的基团，且A1、A2、A3中至少有一个是含吩噁嗪结构的基团。
4.根据权利要求1所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，所述含吩噁嗪结构的基团具有通式(IV)所示的结构：
其中，R1、R2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基、胺类基团；
K选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基。
5.根据权利要求1所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，X1为C，X2为N。
6.根据权利要求5所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，具有通式(V)、通式(VI)或通式(VII)所示的结构：
其中，
A1、A2各自独立地选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的稠环基；
K具有式(VIIII)所示的通式：
通式(VIIII)中，n为0～6的整数。
7.根据权利要求6所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，n为0。
8.根据权利要求7所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物，其特征在于，具有选自如下之一的结构：
9.权利要求1至8中任一项所述的含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物在OLED、OFT、OPV、QLED器件中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述含有庚嗪环-吩噁嗪单元的化合物为有OLED器件中的发光层材料。
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