CN108933149A - 成像传感器像素及系统 - Google Patents
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Abstract
本申请案涉及成像传感器像素及系统。一种成像传感器像素包括具有前侧及背侧的高电阻性N‑掺杂半导体层。在所述前侧处，至少存在光感测区域、邻近于所述光感测区域的转移栅极及P阱区域。所述P阱区域环绕所述光感测区域及所述转移栅极区域，且至少包括浮动扩散区域及在所述浮动扩散区域外部的第一电极，其中第一负电压被施加到所述第一电极。所述转移栅极耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间。在所述背侧处，存在背侧P+掺杂层，所述背侧P+掺杂层包括形成于所述背侧P+掺杂层上的第二电极，其中第二负电压被施加到所述第二电极。所述第二负电压比所述第一负电压更负。
Description
技术领域
本发明大体来说涉及半导体图像传感器，且特定来说但非排他地，涉及具有经减少串扰的CMOS图像传感器。
背景技术
图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数字静态相机、蜂窝式电话、安全相机以及医疗、汽车及其它应用中。典型图像传感器如下操作。来自外部场景的图像光入射于图像传感器上。图像传感器包含多个光敏元件，使得每一光敏元件吸收入射图像光的一部分。图像传感器中所包含的每一光敏元件(例如光电二极管)在吸收图像光后即刻产生图像电荷。所产生图像电荷的量与图像光的强度成比例。所产生图像电荷可用于产生表示外部场景的图像。
由于对较高分辨率、较低功率消耗、经增加动态范围等的增加的需求，图像传感器的装置架构已持续快速地发展。这些需求还促进了图像传感器的进一步小型化及图像传感器向这些装置中的集成。图像传感器的小型化可导致相邻光敏元件之间的经减小距离。随着光敏元件之间的距离减小，光敏元件之间的光学串扰及电串扰的可能性及量值可能增加。
发明内容
在一个方面中，提供一种成像传感器像素。所述成像传感器像素包含高电阻性N-掺杂半导体层，其具有前侧及背侧；光感测区域，其形成于所述前侧处；转移栅极，其形成于所述前侧处，邻近于所述光感测区域；P阱区域，其形成于所述前侧处，环绕所述光感测区域及所述转移栅极；浮动扩散区域，其形成于所述P阱区域内，其中所述转移栅极经配置以耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间；第一电极，其耦合到所述P阱区域，其中所述第一电极不与所述浮动扩散区域接触，且其中第一负电压被施加到所述第一电极；背侧P+掺杂层，其形成于所述背侧处；及第二电极，其耦合到所述背侧P+掺杂层，其中第二负电压被施加到所述第二电极，且所述第二负电压比所述第一负电压更负。
在另一方面中，提供一种成像传感器系统。所述成像传感器系统包含多个图像传感器像素及模拟电路，其中每一图像传感器像素包括：高电阻性N-掺杂半导体层，其具有前侧及背侧；光感测区域，其形成于所述前侧处；转移栅极，其形成于所述前侧处，邻近于所述光感测区域；P阱区域，其形成于所述前侧处，环绕所述光感测区域及所述转移栅极；浮动扩散区域，其形成于所述P阱区域内，其中所述转移栅极经配置以耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间；第一电极，其耦合到所述P阱区域，其中所述第一电极不与所述浮动扩散区域接触，且其中第一负电压被施加到所述第一电极；背侧P+掺杂层，其形成于所述背侧处；及第二电极，其耦合到所述背侧P+掺杂层，其中第二负电压被施加到所述第二电极，且所述第二负电压比所述第一负电压更负。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实例，其中除非另有规定，否则在所有各个视图中相似参考编号指代相似部件。
图1是示意性地图解说明根据本发明的实施例的成像系统的一个实例的框图。
图2是根据本发明的实施例的背侧照明式成像传感器的成像传感器像素的横截面图。
图3是根据本发明的实施例的前侧照明式成像传感器的成像传感器像素的横截面图。
贯穿图式的数个视图，对应参考字符指示对应组件。技术人员将了解，各图中的元件是为简单及清晰起见而图解说明的，且未必按比例绘制。举例来说，为帮助改善对本发明的各种实施例的理解，各图中的元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件被放大。此外，通常不描绘商业上可行的实施例中有用或必需的常见而众所周知的元件以便促进对本发明的这些各种实施例的较不受阻碍的观看。
具体实施方式
本文中描述用于具有经改善串扰的图像传感器的设备及方法的实例。在以下描述中，陈述众多特定细节以便提供对实例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将认识到，本文中所描述的技术可在不具有所述特定细节中的一或多者的情况下实践或者可借助其它方法、组件、材料等来实践。在其它例子中，未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作以避免使某些方面模糊。
在本说明书通篇中对“一个实例”或“一个实施例”的提及意指结合所述实例所描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此，在本说明书通篇的各个地方中短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”的出现未必全部指代同一实例。此外，在一或多个实例中可以任何适合方式组合所述特定特征、结构或特性。
贯穿本说明书，使用数个技术术语。这些术语将呈现其在其所属领域中的普通含义，除非本文中另外具体定义或其使用的上下文将另外清晰地暗示。应注意，在本文件中，元件名称及符号可互换使用(例如，Si与硅)；然而，其两者具有相同含义。
图1是图解说明成像系统100的一个实例的框图。成像系统100包含像素阵列104、控制电路103、读出电路101及功能逻辑102。在一个实例中，像素阵列104是光电二极管或图像传感器像素(例如，像素P1、P2…、Pn)的二维(2D)阵列。如所图解说明，光电二极管被布置成若干行(例如，行R1到Ry)及若干列(例如，列C1到Cx)以获取人、地点、物体等的图像数据，所述图像数据接着可用于再现所述人、地点、物体等的2D图像。然而，在其它实例中，应了解，光电二极管不必布置成行及列且可采取其它配置。
在一个实例中，在像素阵列104中的图像传感器光电二极管/像素已获取其图像数据或图像电荷之后，所述图像数据由读出电路101读出且接着传送到功能逻辑102。在各种实例中，读出电路101可包含放大电路、模/数转换(ADC)电路或其它。功能逻辑102可仅仅存储所述图像数据或甚至通过应用后图像效应(例如，裁剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵所述图像数据。在一个实例中，读出电路101可沿着读出列线一次读出一行图像数据(所图解说明)或可使用多种其它技术(未图解说明)读出所述图像数据，例如串行读出或对所有像素同时进行的全并行读出。
在一个实例中，控制电路103耦合到像素阵列104以控制像素阵列104中的多个光电二极管的操作。举例来说，控制电路103可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实例中，所述快门信号是用于同时启用像素阵列104内的所有像素以在单一获取窗期间同时捕获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实例中，所述快门信号是滚动快门信号，使得在连续获取窗期间顺序地启用像素的每一行、每一列或每一群组。在另一实例中，图像获取与例如闪光灯等灯光效应同步。
在一个实例中，成像系统100可包含于数码相机、蜂窝电话、膝上型计算机、汽车等等中。另外，成像系统100可耦合到其它硬件，例如处理器(通用或其它)、存储器元件、输出(USB端口、无线发射器、HDMI端口等)、灯光装置/闪光灯、电输入(键盘、触摸显示器、跟踪垫、鼠标、麦克风等)及/或显示器。其它硬件可将指令递送到成像系统100、从成像系统100提取图像数据或操纵由成像系统100供应的图像数据。
图2是根据本发明的实施例的背侧照明式成像传感器的成像传感器像素200的横截面图。成像传感器像素200是图1中所展示的像素阵列104的至少一个像素的一个可能实施方案。成像传感器像素200的所图解说明实施例包含具有前侧表面209及背侧表面208的高电阻性N-掺杂半导体层205，其中从背侧表面208接收入射光。高电阻性N-掺杂半导体层205包括半导体材料，所述半导体材料具有在大约0到1x1015离子/cm3的范围内的N型掺杂剂浓度。在此实例中，针对半导体层205使用接近于本征半导体的高电阻性衬底以便充分地减少两个邻近像素之间的暗电流及电串扰是合意的。
在高电阻性N-掺杂半导体层205的前侧处，至少存在光感测区域217、转移栅极207及P阱区域203。
光感测区域217包括光电二极管(PD)N掺杂区域201作为PD的光电转换区域及前侧P+掺杂层202作为钉扎层，所述钉扎层帮助减少前侧表面处热电子诱发的暗电流。光电二极管(PD)N掺杂区域201具有从距半导体层205的前侧表面209的第一距离212处延伸到距半导体层205的前侧表面209的第二距离211处的N型掺杂剂的浓度。前侧P+掺杂层202与PD N掺杂区域201垂直对准，其中前侧P+掺杂层202具有从半导体层205的前侧表面209延伸到距半导体层205的前侧表面209的第一距离212处的P型掺杂剂的第二浓度，其中第一距离212比第二距离211短。在一个实例中，N型掺杂剂的浓度处于大约1x1016离子/cm3到1x1018离子/cm3的范围内，P型掺杂剂的浓度处于大约1x1018离子/cm3到1x1021离子/cm3的范围内，第二距离211处于大约1000A到5000A的范围内，且第一距离212为大约10A到500A。
P阱区域203形成为用于图像传感器像素装置的装置形成区域。其环绕光感测区域217及转移栅极207。在P阱区域203内，至少存在浮动扩散区域206及第一电极215，所述第一电极不与浮动扩散区域206接触。转移栅极207耦合于光电二极管(PD)N掺杂区域201与浮动扩散区域206之间以将在光电二极管(PD)N掺杂区域201中积累的信号电荷输出到浮动扩散区域206。
P阱区域203具有从前侧表面209延伸到距前侧表面209的第三距离210处的P型掺杂剂的浓度，其中第三距离210比第二距离211长。在一个实例中，P型掺杂剂的浓度处于大约1x1015离子/cm3到1x1017离子/cm3的范围内，且第三距离210处于大约0.5微米到2微米的范围内。
浮动扩散区域206具有从前侧表面209延伸到距前侧表面209的第四距离214处的N型掺杂剂的浓度，且第四距离214比第三距离210短。在一个实例中，N掺杂剂的浓度处于大约1x1018离子/cm3到1x1021离子/cm3的范围内，且第四距离214处于大约10A到500A的范围内。
在高电阻性N-掺杂半导体层205的背侧处，存在背侧P+掺杂层204，在所述背侧P+掺杂层处形成第二电极216。背侧P+掺杂层204在背侧表面208附近产生电场，以便将通过背侧表面208处的光子吸收产生的电子空穴对分离，且将电子驱动到光电二极管(PD)N掺杂区域201。背侧P+掺杂层204具有从背侧表面208延伸到距背侧表面208的第五距离213处的P型掺杂剂的浓度。在一个实例中，P型掺杂剂的浓度处于大约1x1017离子/cm3到1x1020离子/cm3的范围内，且第五距离213处于大约10A到1000A的范围内。在背侧P+掺杂层204与前侧P阱区域203之间不存在重叠。
N型掺杂剂包括As、P、从AsH3源衍生出的As及从PH3源衍生出的P中的任一者。P型掺杂剂包括硼(B)、氟化硼(BF2)、从B2H6源衍生出的B及从BF3源衍生出的B中的任一者。N型掺杂及P型掺杂可通过离子束植入或等离子体植入实施。可实施热退火或激光退火以活化N型及P型掺杂剂。在另一实例中，可通过在半导体层205的背侧表面208上沉积带负电荷的材料中的任一者而在背侧表面208上形成背侧P+掺杂层204。
P阱区域203处的第一电极215被第一负电压偏置，而背侧P+掺杂层204处的第二电极216被第二负电压偏置，其中第二负电压被有意地设置为比第一负电压更负。在一个实例中，第一负电压为大约-1V，且第二负电压为大约-4V。因此，在高电阻性N-掺杂半导体层205内产生电场。此电场具有驱动光电子朝向光电二极管(PD)N掺杂区域201且使得光电子更难以进入邻近像素的方向。同时，通过光电转换产生的空穴联合电子也朝向第二电极216漂移且在那里被吸收。因此，邻近像素之间的电串扰可被减少。此外，由于P阱区域203被负偏置而非接地，因此溢流路径的电位值可维持于正常值(例如在此实例中是0.5V)而不使浮动扩散区域206的全阱电容降级。因此，也可减少晕染效应(blooming effect)。
在一个实例中，第一电极215及第二电极216可由金属硅化物、金属合金及透明导体中的任一者形成。
图3是根据本发明的实施例的前侧照明式成像传感器的成像传感器像素300的横截面图。成像传感器像素300是图1中所展示的像素阵列104的至少一个像素的一个可能实施方案。成像传感器像素300的所图解说明实施例包含可为在P型半导体衬底305a的顶部上生长的外延层的高电阻性N-掺杂半导体层305，其中第二电极321耦合到P型半导体衬底305a。P型半导体衬底305a具有背侧表面309。高电阻性N-掺杂半导体层305具有从其接收入射光的前侧表面307。在高电阻性N-掺杂半导体层305与P型半导体衬底305a之间存在界面308。在一个实例中，高电阻性N-掺杂半导体层305具有处于大约3微米到10微米的范围内的厚度及处于大约0到1x1015离子/cm3的范围内的N型掺杂剂浓度。P型半导体衬底305a具有处于大约100微米到1000微米的范围内的厚度及处于大约1x1016离子/cm3到1x1019离子/cm3的范围内的P型掺杂剂浓度。在此实例中，针对半导体层305使用接近于本征半导体的高电阻性衬底以便充分地减少两个邻近像素之间的暗电流及电串扰是合意的。
在高电阻性N-掺杂半导体层305的前侧处，至少存在光感测区域317、转移栅极315及P阱区域303。
光感测区域317包括光电二极管(PD)N掺杂区域302作为PD的光电转换区域及前侧P+掺杂层301作为钉扎层，所述钉扎层帮助减少前侧表面处热电子诱发的暗电流。光电二极管(PD)N掺杂区域302具有从距半导体层305的前侧表面307的第一距离314处延伸到距半导体层305的前侧表面307的第二距离313处的N型掺杂剂的浓度。前侧P+掺杂层301与PD N掺杂区域302垂直对准，其中前侧P+掺杂层301具有从半导体层305的前侧表面307延伸到距半导体层305的前侧表面307的第一距离314处的P型掺杂剂的第二浓度，其中第一距离314比第二距离313短。在一个实例中，N型掺杂剂的浓度处于大约1x1016离子/cm3到1x1018离子/cm3的范围内，P型掺杂剂的浓度处于大约1x1018离子/cm3到1x1020离子/cm3的范围内，第一距离313处于大约1000A到5000A的范围内，且第二距离314为大约10A到500A。
P阱区域303形成为用于图像传感器像素装置的装置形成区域。其环绕光感测区域317及转移栅极315。在P阱区域303内，至少存在浮动扩散区域304及在浮动扩散区域304外部的第一电极320。转移栅极315耦合于光感测区域317与浮动扩散区域304之间以将在PD N掺杂区域302中积累的信号电荷输出到浮动扩散区域304。
P阱区域303具有从前侧表面307延伸到距前侧表面307的第三距离311处的P型掺杂剂的浓度，其中第三距离311比第一距离313长。在一个实例中，P型掺杂剂的浓度处于大约1x1015离子/cm3到1x1017离子/cm3的范围内，且第三距离311处于大约0.5微米到2微米的范围内。
浮动扩散区域304具有从前侧表面307延伸到距前侧表面307的第四距离312处的N型掺杂剂的浓度，且第四距离312比第三距离311短。在一个实例中，N掺杂剂的浓度处于大约1x1018离子/cm3到1x1021离子/cm3的范围内，且第四距离312处于大约10A到500A的范围内。
N型掺杂剂包括As、P、从AsH3源衍生出的As及从PH3源衍生出的P中的任一者。P型掺杂剂包括硼(B)、氟化硼(BF2)、从B2H6源衍生出的B及从BF3源衍生出的B中的任一者。N型掺杂及P型掺杂可通过离子束植入或等离子体植入实施。可实施热退火或激光退火以活化N型及P型掺杂剂。
P阱区域303处的第一电极320被第一负电压偏置，而耦合到P半导体衬底305a的背侧表面309的第二电极321被第二负电压偏置，其中第二负电压被有意地设置为比第一负电压更负。在一个实例中，第一负电压为大约-1V，且第二负电压为大约-4V。因此，在高电阻性N-掺杂半导体层305内产生电场。此电场具有驱动光电子朝向光电二极管(PD)N掺杂区域302且使得光电子更难以进入邻近像素的方向。同时，通过光电转换产生的空穴联合电子也朝向第二电极321漂移且在那里被吸收。因此，邻近像素之间的电串扰可被减少。此外，由于P阱区域303被负偏置而非接地，因此溢流路径的电位值可维持于正常值(例如在此实例中为0.5V)而不使浮动扩散区域304的全阱电容降级。因此，也可减少晕染效应。
在一个实例中，第一电极320及第二电极321包括金属硅化物、金属合金及透明导体中的任一者。
在一个实例中，图像传感器像素及模拟电路形成于同一晶片处，其中图像传感器像素放置于负偏置P阱区域中而模拟电路放置于接地P阱区域中。特别地，用于像素的偏置电流电路位于接地P阱区域中。在另一实例中，图像传感器像素及模拟电路形成于两个经分离晶片处以便更方便地对其P阱区域施加不同偏置。在一个实例中，图像传感器像素放置于具有负偏置P阱区域的第一晶片处，且模拟电路放置于具有接地P阱区域的第二晶片处。第一晶片及第二晶片通过任何种类的堆叠技术接合，其中接合界面包括金属及电介质材料。
包含发明摘要中所描述内容的本发明的所图解说明实例的以上描述并非打算为穷尽性的或将本发明限制于所揭示的精确形式。尽管出于说明性目的而在本文中描述了本发明的特定实例，但如相关领域的技术人员将认识到，可在本发明的范围内做出各种修改。
可鉴于以上详细描述对本发明做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应理解为将本发明限制于本说明书中所揭示的特定实例。而是，本发明的范围将完全由所附权利要求书来确定，所述权利要求书将根据所创建的权利要求解释原则来加以理解。
Claims (22)
1.一种成像传感器像素，其包括：
高电阻性N-掺杂半导体层，其具有前侧及背侧；
光感测区域，其形成于所述前侧处；
转移栅极，其形成于所述前侧处，邻近于所述光感测区域；
P阱区域，其形成于所述前侧处，环绕所述光感测区域及所述转移栅极；
浮动扩散区域，其形成于所述P阱区域内，其中所述转移栅极经配置以耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间；
第一电极，其耦合到所述P阱区域，其中所述第一电极不与所述浮动扩散区域接触，且其中第一负电压被施加到所述第一电极；
背侧P+掺杂层，其形成于所述背侧处；及
第二电极，其耦合到所述背侧P+掺杂层，其中第二负电压被施加到所述第二电极，且所述第二负电压比所述第一负电压更负。
2.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述光感测区域包括：
光电二极管PD N掺杂区域，其具有从距所述高电阻性N-掺杂半导体层的前侧表面的第一距离处延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的第二距离处的第一掺杂剂的第一浓度；及
前侧P+掺杂层，其与所述PD N掺杂区域垂直对准，其中所述前侧P+掺杂层具有从所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的所述第一距离处的第二掺杂剂的第二浓度，其中所述第一距离比所述第二距离短。
3.根据权利要求2所述的成像传感器像素，所述P阱区域包括从所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的第三距离处的所述第二掺杂剂的第三浓度，其中所述第二距离比所述第三距离短。
4.根据权利要求3所述的成像传感器像素，所述浮动扩散区域包括从所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的第四距离处的所述第一掺杂剂的第四浓度，其中所述第四距离比所述第三距离短。
5.根据权利要求3所述的成像传感器像素，所述背侧P+掺杂层包括所述第二掺杂剂的第五浓度，且从所述高电阻性N-掺杂半导体层的背侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述背侧表面的第五距离处，其中所述第五浓度的分布曲线不与所述第三浓度的分布曲线重叠。
6.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述背侧P+掺杂层是通过沉积在所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述背侧表面上沉积的带负电荷的材料而形成。
7.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述第一电极包括透明导体。
8.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中所述第二电极包括透明导体。
9.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中入射光是穿过所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面接收。
10.根据权利要求1所述的成像传感器像素，其中入射光是穿过所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述背侧表面接收。
11.根据权利要求9所述的成像传感器像素，其中所述高电阻性N-掺杂半导体层是外延层。
12.一种成像传感器系统，其包括多个图像传感器像素及模拟电路，其中每一图像传感器像素包括：
高电阻性N-掺杂半导体层，其具有前侧及背侧；
光感测区域，其形成于所述前侧处；
转移栅极，其形成于所述前侧处，邻近于所述光感测区域；
P阱区域，其形成于所述前侧处，环绕所述光感测区域及所述转移栅极；
浮动扩散区域，其形成于所述P阱区域内，其中所述转移栅极经配置以耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间；
第一电极，其耦合到所述P阱区域，其中所述第一电极不与所述浮动扩散区域接触，且其中第一负电压被施加到所述第一电极；
背侧P+掺杂层，其形成于所述背侧处；及
第二电极，其耦合到所述背侧P+掺杂层，其中第二负电压被施加到所述第二电极，且所述第二负电压比所述第一负电压更负。
13.根据权利要求12所述的成像传感器系统，其中所述光感测区域包括：
光电二极管PD N掺杂区域，其具有从距所述高电阻性N-掺杂半导体层的前侧表面的第一距离处延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的第二距离处的第一掺杂剂的第一浓度；及
前侧P+掺杂层，其与所述PD N掺杂区域垂直对准，其中所述前侧P+掺杂层具有从所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的所述第一距离处的第二掺杂剂的第二浓度，其中所述第一距离比所述第二距离短。
14.根据权利要求13所述的成像传感器系统，所述P阱区域包括从所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的第三距离处的所述第二掺杂剂的第三浓度，其中所述第二距离比所述第三距离短。
15.根据权利要求14所述的成像传感器系统，所述浮动扩散区域包括从所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面的第四距离处的所述第一掺杂剂的第四浓度，其中所述第四距离比所述第三距离短。
16.根据权利要求14所述的成像传感器系统，所述背侧P+掺杂层包括所述第二掺杂剂的第五浓度，且从所述高电阻性N-掺杂半导体层的背侧表面延伸到距所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述背侧表面的第五距离处，其中所述第五浓度的分布曲线不与所述第三浓度的分布曲线重叠。
17.根据权利要求12所述的成像传感器系统，所述背侧P+掺杂层是通过沉积在所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述背侧表面上沉积的带负电荷的材料而形成。
18.根据权利要求12所述的成像传感器系统，其中入射光是穿过所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述前侧表面接收。
19.根据权利要求12所述的成像传感器系统，其中入射光是穿过所述高电阻性N-掺杂半导体层的所述背侧表面接收。
20.根据权利要求18所述的成像传感器系统，其中所述高电阻性N-掺杂半导体层是外延层。
21.根据权利要求12所述的成像传感器系统，其中所述模拟电路包含接地P阱区域。
22.根据权利要求12所述的成像传感器系统，其中所述多个图像传感器像素形成于第一晶片中且所述模拟电路形成于第二晶片中，其中所述第一晶片与所述第二晶片通过堆叠而接合在一起。
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