CN108899280A - 显示屏及其制造方法 - Google Patents

显示屏及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108899280A
CN108899280A CN201810718560.9A CN201810718560A CN108899280A CN 108899280 A CN108899280 A CN 108899280A CN 201810718560 A CN201810718560 A CN 201810718560A CN 108899280 A CN108899280 A CN 108899280A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
adhesive layer
nano
manufacturing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810718560.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108899280B (zh
Inventor
杨海涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Guoxian Technology Co Ltd
Original Assignee
Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yungu Guan Technology Co Ltd filed Critical Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority to CN201810718560.9A priority Critical patent/CN108899280B/zh
Publication of CN108899280A publication Critical patent/CN108899280A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108899280B publication Critical patent/CN108899280B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示屏及其制造方法,在基材上形成纳米银线层,纳米银线层具有优良的导电性,同时由于其纳米级别的尺寸效应而具有优异的透光性和耐曲挠性,相较于现有技术中常用的氧化铟锡具有更优的性能。进一步的,在纳米银线层形成之前,在基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态,在纳米银线层形成之后,对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强,由此,既能够便于纳米银线层的形成,又能够使得所述纳米银线层通过所述粘附层很好的粘附在所述基材上。

Description

显示屏及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示器制造技术领域,特别涉及一种显示屏及其制造方法。
背景技术
随着当代科技的飞速发展,人们的生活生产需求的提高,越来越多的电子设备纷纷出现,满足了越来越高的生活生产需求,而显示屏作为电子设备与人直接沟通的不可或缺的窗口,得到了广泛的应用。显示屏作为一种既能输出又能输入的设备,它是将指定的数字信号通过特定的传输设备达到让电子设备操作简单化可视化的重要工具。生活中离我们最近的电子设备例如:电视,手机,电脑,智能穿戴设备都离不开显示屏,有的是为了操作,而有的是为了观赏。目前市场上已经存在的显示屏主要为:LCD(液晶显示屏),LED(发光二极管)显示屏,等离子体显示屏等等,很多显示屏的技术已经发展了很多年,技术已经成熟,但是也有或多或少的问题。因此,本领域技术人员始终在致力于提高显示屏的质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示屏及其制造方法,以进一步提高现有显示屏的质量。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种显示屏的制造方法,所述显示屏的制造方法包括:
提供一基材;
在所述基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态;
在所述粘附层上形成纳米银线层;及
对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,通过激光照射方式对所述粘附层进行热辐射。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态包括:对所述粘附层的特定位置进行热辐射,使得特定位置上热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,在所述基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态时,所述粘附层呈固态;对所述粘附层进行热辐射中,所述粘附层由固态转变为熔融状态。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,所述粘附层的材质选自于硅树脂、聚氨酯和/或丙烯酸。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,在所述粘附层上形成纳米银线层包括:
在所述粘附层上涂布纳米银线以形成纳米银线材料层;及
图案化所述纳米银线材料层以形成所述纳米银线层。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,所述纳米银线层的厚度介于10nm~200nm。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,在对所述粘附层进行热辐射之后,所述显示屏的制造方法还包括:
在所述粘附层上形成一盖层,所述盖层覆盖所述纳米银线层。
可选的,在所述的显示屏的制造方法中,所述盖层的材质选自于透明光学胶或者氧化物,所述盖层的厚度介于10nm~300nm。
本发明还提供一种通过上述的显示屏的制造方法制得的显示屏,所述显示屏包括:基材、形成于所述基材上的粘附层及形成于所述粘附层上的纳米银线层。
在本发明提供的显示屏及其制造方法中,在基材上形成纳米银线层,纳米银线层具有优良的导电性,同时由于其纳米级别的尺寸效应而具有优异的透光性和耐曲挠性,相较于现有技术中常用的氧化铟锡(ITO)具有更优的性能。进一步的,在纳米银线层形成之前,在基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态,在纳米银线层形成之后,对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强,由此,既能够便于纳米银线层的形成,又能够使得所述纳米银线层通过所述粘附层很好的粘附在所述基材上。
附图说明
图1是本发明实施例的显示屏的制造方法的流程示意图;
图2是本发明实施例所提供的基材的部分结构示意图;
图3是在图2所示的器件上形成粘附层后的部分结构示意图;
图4是在图3所示的器件上形成纳米银线层后的部分结构示意图;
图5是在图4所示的器件上进行热辐射的部分结构示意图;
图6是在图5所示的器件上形成盖层后的部分结构示意图;
其中,
100-显示屏;110-基材;120-粘附层;130-纳米银线层;140-盖层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的显示屏及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
首先,请参考图1,其为本发明实施例的显示屏的制造方法的流程示意图。如图1所示,所述显示屏的制造方法包括:
步骤S10:提供一基材;
步骤S11:在所述基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态;
步骤S12:在所述粘附层上形成纳米银线层;及
步骤S13:对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强。
在本申请实施例中,在基材上形成纳米银线层,纳米银线层具有优良的导电性,同时由于其纳米级别的尺寸效应而具有优异的透光性和耐曲挠性,相较于现有技术中常用的氧化铟锡(ITO)具有更优的性能。进一步的,在纳米银线层形成之前,在基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态,在纳米银线层形成之后,对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强,由此,既能够便于纳米银线层的形成,又能够使得所述纳米银线层通过所述粘附层很好的粘附在所述基材上。
接下去,请参考图2至图5,以进一步描述所述显示屏的制造方法以及通过所述显示屏的制造方法制得的显示屏。其中,图2是本发明实施例所提供的基材的部分结构示意图;图3是在图2所示的器件上形成粘附层后的部分结构示意图;图4是在图3所示的器件上形成纳米银线层后的部分结构示意图;图5是在图4所示的器件上进行热辐射的部分结构示意图;图6是在图5所示的器件上形成盖层后的部分结构示意图。
如图2所示,提供基材110,其中,所述基材110可以为硬质基板,也可以为柔性基板。例如,所述基材110可以为玻璃基板等的硬质基板。又如,所述基材110的材质可以选自于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯四氟乙烯(ETFE)、聚乙醇酸(PGA)、聚甲基戊烯(PMP)、聚甲醛(POM)、聚苯醚(PPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、苯乙烯-丙烯腈(SAN)等,以制成能够弯折的柔性基板。进一步的,所述基材110还可以为形成有电路/功能结构的硬质基板或者形成有电路/功能结构的柔性基板。所述电路/功能结构例如可以包括晶体管及与晶体管连接的控制线等。
接着,如图3所示,在所述基材110上形成粘附层120,所述粘附层120处于第一粘性状态。在本申请实施例中,此时,所述粘附层120呈固态,其处于粘性较差的第一粘性状态。由于此时所述粘附层120呈固态,其表面比较稳定,从而易于后续纳米银线层的形成。
其中,所述粘附层120的厚度优选为10nm~300nm,例如,所述粘附层120的厚度可以为10nm、15nm、20nm、50nm、80nm、100nm、120nm、150nm、180nm、200nm、250nm或者300nm等。通过对所述粘附层120的厚度的选择,既可以达到很好的粘附效果,也能够很好的控制所述粘附层120的成膜质量以及所形成的显示屏的厚度。较佳的,所述粘附层120的材质可以为光敏胶材,具体的,所述粘附层120的材质可以选自于硅树脂、聚氨酯和/或丙烯酸。
请参考图4,接着,在所述粘附层120上形成纳米银线层130。优选的,所述纳米银线层130的厚度为10nm~200nm,例如,所述纳米银线层130的厚度可以为10nm、15nm、20nm、50nm、80nm、100nm、120nm、150nm、180nm或者200nm等。
在本申请实施例中,在所述粘附层120上形成纳米银线层130具体可包括:在所述粘附层120上涂布纳米银线以形成纳米银线材料层;及图案化所述纳米银线材料层以形成所述纳米银线层130。其中,所述纳米银线材料层可以通过涂布的方式形成,进一步的,所述纳米银线材料层可以通过一次涂布或者多次涂布的方式形成,以最终形成厚度介于10nm~200nm的纳米银线材料层。通过刻蚀工艺可以图案化所述纳米银线材料层以形成所述纳米银线层130,具体可以通过干法刻蚀工艺实现对所述纳米银线材料层的图案化。
进一步的,所述纳米银线层130可以是连线结构。例如,所述纳米银线层130可以包括沿着第一方向延伸的第一连线(图中未示出)和沿着第二方向延伸的第二连线(图中未示出)。其中,所述第一连线可以和所述第二连线垂直或者基本垂直相交,所述第一方向可以是水平X方向,所述第二方向可以是水平Y方向。在本申请的其他实施例中,所述纳米银线层130具体也可以是其他所需的图案化后的结构。
接着请参考图5,对所述粘附层120进行热辐射,热辐射后的所述粘附层120处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强。即经过热辐射处理后,所述粘附层120的粘性增强了。在此,对所述粘附层120进行热辐射的过程中,所述粘附层120由固态转变为熔融状态,同时,增强了其粘性,从而提高了对于所述纳米银线层130的粘附,即使得所述纳米银线层130通过所述粘附层120能够很好的附着于所述基材110上。进一步的,由于通过对所述粘附层120进行热辐射,所述粘附层120进入了人熔融状态,由此能够使得所述纳米银线层130嵌入到所述粘附层中,从而进一步提高了对于所述纳米银线层130的粘附。
具体的,可以通过激光照射方式对所述粘附层120进行热辐射。激光照射方式能够使得所述粘附层120快速的达到较高的温度,从而熔融并提高了粘性。较佳的,激光照射所述粘附层120的温度为50℃~500℃,时长为1s~50s,从而能够很好的控制所述粘附层120快速的熔融并极大的提高其粘性。
在本申请实施例中,可以对所述粘附层120的整体进行热辐射,也可以对所述粘附层120的局部进行热辐射。具体的,可以对所述粘附层120的特定位置进行热辐射,使得特定位置上热辐射后的所述粘附层120处于第二粘性状态。其中,所述特定位置可以为对应形成有纳米银线层130的位置,或者,所述特定位置也可以为对应形成有纳米银线层130的部分位置,例如,所述特定位置可以为所述第一连线和所述第二连线的相交处,或者所述第一连线、第二连线的边界位置等。通过对所述粘附层120的特定位置进行热辐射,使得特定位置上热辐射后的所述粘附层120处于第二粘性状态,由此既可以简化工艺,又可以使得所述粘附层120需要的位置的粘性得到提高,保证了对于所述纳米银线层130的粘附。
在本申请实施例中,在对所述粘附层120进行热辐射的同时,还可以对所述纳米银线层130进行热处理,以在所述纳米银线层130中形成熔融点,从而使得所述纳米银线层130中的纳米银线之间固定连接,由此提高了所述纳米银线层130中的纳米银线之间的连接可靠性,从而也就提高了所述纳米银线层130的灵敏度及导电能力。
接着,请参考图6,在本申请实施例中,所述显示屏的制造方法还包括:在所述粘附层120上形成一盖层140,所述盖层140覆盖所述纳米银线层130。通过所述盖层140能够保护所述纳米银线层130,提高所述纳米银线层130对于基材110的粘附性。
具体的,所述盖层140的材质选自于透明光学胶或者氧化物,所述盖层140的厚度可以介于10nm~300nm。例如,所述盖层140的厚度可以为10nm、15nm、20nm、50nm、80nm、100nm、120nm、150nm、180nm、200nm、250nm或者300nm等。通过对所述盖层140的厚度的选择,既可以达到很好的保护效果并提高所述纳米银线层130对于基材110的粘附性,也能够很好的控制所述盖层140的成膜质量以及所形成的显示屏的厚度。
相应的,本实施例还提供一种通过如上显示屏的制造方法制得的显示屏,请继续参考图6,所述显示屏100包括:基材110、形成于所述基材110上的粘附层120及形成于所述粘附层120上的纳米银线层130。其中,所述粘附层120的材质可以为光敏胶材,具体的,所述粘附层120的材质可以选自于硅树脂、聚氨酯和/或丙烯酸。
进一步的,所述显示屏100还包括形成于所述粘附层120上的盖层140,所述盖层140覆盖所述纳米银线层130。所述盖层140的材质选自于透明光学胶或者氧化物,通过所述盖层140能够保护所述纳米银线层130,提高所述纳米银线层130对于基材110的粘附性。
在本申请实施例中,所述显示屏100具体可以为液晶显示屏(LED)、有机发光二极管(OLED)显示器等。更进一步的,所述显示屏100为触摸显示屏或者柔性显示屏等。
综上可见,在本发明实施例提供的显示屏及其制造方法中,在基材上形成纳米银线层,纳米银线层具有优良的导电性,同时由于其纳米级别的尺寸效应而具有优异的透光性和耐曲挠性,相较于现有技术中常用的氧化铟锡(ITO)具有更优的性能。进一步的,在纳米银线层形成之前,在基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态,在纳米银线层形成之后,对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强,由此,既能够便于纳米银线层的形成,又能够使得所述纳米银线层通过所述粘附层很好的粘附在所述基材上。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示屏的制造方法,其特征在于,所述显示屏的制造方法包括:
提供一基材;
在所述基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态;
在所述粘附层上形成纳米银线层;及
对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态,所述第二粘性状态的粘性较所述第一粘性状态的粘性强。
2.如权利要求1所述的显示屏的制造方法,其特征在于,通过激光照射方式对所述粘附层进行热辐射。
3.如权利要求1所述的显示屏的制造方法,其特征在于,对所述粘附层进行热辐射,热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态包括:对所述粘附层的特定位置进行热辐射,使得特定位置上热辐射后的所述粘附层处于第二粘性状态。
4.如权利要求1所述的显示屏的制造方法,其特征在于,在所述基材上形成粘附层,所述粘附层处于第一粘性状态时,所述粘附层呈固态;对所述粘附层进行热辐射中,所述粘附层由固态转变为熔融状态。
5.如权利要求1~4中任一项所述的显示屏的制造方法,其特征在于,所述粘附层的材质选自于硅树脂、聚氨酯和/或丙烯酸。
6.如权利要求1~4中任一项所述的显示屏的制造方法,其特征在于,在所述粘附层上形成纳米银线层包括:
在所述粘附层上涂布纳米银线以形成纳米银线材料层;及
图案化所述纳米银线材料层以形成所述纳米银线层。
7.如权利要求6所述的显示屏的制造方法,其特征在于,所述纳米银线层的厚度介于10nm~200nm。
8.如权利要求1~4中任一项所述的显示屏的制造方法,其特征在于,在对所述粘附层进行热辐射之后,所述显示屏的制造方法还包括:
在所述粘附层上形成一盖层,所述盖层覆盖所述纳米银线层。
9.如权利要求8所述的显示屏的制造方法,其特征在于,所述盖层的材质选自于透明光学胶或者氧化物,所述盖层的厚度介于10nm~300nm。
10.一种如权利要求1~9中任一项所述的显示屏的制造方法制得的显示屏,其特征在于,所述显示屏包括:基材、形成于所述基材上的粘附层及形成于所述粘附层上的纳米银线层。
CN201810718560.9A 2018-06-30 2018-06-30 显示屏及其制造方法 Active CN108899280B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810718560.9A CN108899280B (zh) 2018-06-30 2018-06-30 显示屏及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810718560.9A CN108899280B (zh) 2018-06-30 2018-06-30 显示屏及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108899280A true CN108899280A (zh) 2018-11-27
CN108899280B CN108899280B (zh) 2021-01-29

Family

ID=64347748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810718560.9A Active CN108899280B (zh) 2018-06-30 2018-06-30 显示屏及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108899280B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110136891A (zh) * 2019-05-24 2019-08-16 南京大学 一种选区激光图案化制备柔弹性电极的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102324462A (zh) * 2006-10-12 2012-01-18 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
CN104992924A (zh) * 2015-07-01 2015-10-21 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器件及其制造方法
CN105204695A (zh) * 2014-06-12 2015-12-30 宸鸿科技(厦门)有限公司 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板
CN105321956A (zh) * 2014-08-05 2016-02-10 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102324462A (zh) * 2006-10-12 2012-01-18 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
CN105204695A (zh) * 2014-06-12 2015-12-30 宸鸿科技(厦门)有限公司 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板
CN105321956A (zh) * 2014-08-05 2016-02-10 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN104992924A (zh) * 2015-07-01 2015-10-21 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器件及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110136891A (zh) * 2019-05-24 2019-08-16 南京大学 一种选区激光图案化制备柔弹性电极的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108899280B (zh) 2021-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016041259A1 (zh) 触摸屏、其制作方法及显示装置
WO2017012189A1 (zh) 触控传感器及其制备方法及具有触控传感器的显示器件
US10976852B2 (en) Touch panel, manufacturing method thereof, and display device
WO2020000897A1 (zh) 触控面板及其制作方法、显示装置
CN108899280B (zh) 显示屏及其制造方法
CN102645989B (zh) 触摸屏面板的制备方法
CN108845707B (zh) 触控面板及其制作方法
CN104423743B (zh) 触摸屏的制备方法
TWI486859B (zh) 電容式觸控面板結構
CN114327118A (zh) 透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及触控面板
TW201515989A (zh) 觸摸屏的製備方法
CN108919998B (zh) 触控面板及其制作方法
CN109002206B (zh) 触控结构、显示装置及触控结构的制备方法
WO2020000902A1 (zh) 触控面板及其制造方法及显示装置
US20140118637A1 (en) Touch panel
TW201516775A (zh) 觸摸屏及其製備方法
CN108958546B (zh) 一种触控结构及其制备方法
TW201516812A (zh) 觸摸屏的製備方法
CN109032401B (zh) 导电层叠结构、导电层叠结构的制备方法及触控面板
CN108920004B (zh) 导电层叠结构的制备方法、导电层叠结构及触控面板
CN208722162U (zh) 一种弯曲的触摸屏
CN109032438A (zh) 触控面板及其制造方法
CN108920003B (zh) 触控面板及其制备方法
CN108899279B (zh) 纳米银线结构及其制备方法、显示面板
CN108958545B (zh) 导电层叠结构及其制备方法、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20181127

Assignee: Bazhou Yungu Electronic Technology Co., Ltd.|Kunshan Institute of technology new flat panel display technology center Co., Ltd.|Kunshan Guoxian photoelectric Co., Ltd

Assignor: The valley (Guan) Technology Co. Ltd.

Contract record no.: X2019990000155

Denomination of invention: Protective film for plasma display panel and method for manufacturing this protective film, and plasma display panel and method for manufacturing thereof

License type: Common License

Record date: 20191030

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20191210

Address after: No. 2 Xiangshan Avenue, Yongning Street, Zengcheng District, Guangzhou, Guangdong province (the core of Zengcheng economic and Technological Development Zone)

Applicant after: Guangzhou Guoxian Technology Co., Ltd

Address before: 065500 Hebei Langfang County Guan emerging industry demonstration area

Applicant before: The valley (Guan) Technology Co. Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant