CN105204695A - 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构。该纳米银线导电层叠结构包括：一可挠性基材，一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。现有的纳米银线导电层叠结构，纳米银线之间的搭接不良或游移会影响其导电率，通过提供增粘层，增强了纳米银线导电电极层和基材的附着力，本发明还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

Description

纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板

【技术领域】

本发明涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

【背景技术】

伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极已无法应付市场的需求而逐渐被淘汰。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(SilverNanoWires，简称SNW)、金属网格(MetalMesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。

其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。

一般的纳米银线触控面板，将纳米银线直接涂布在基材上，纳米银线之间仅凭较弱的分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，接触电阻较高和较不稳定，并且涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难。导电率是纳米银线触控面板的一个重要参数，然而纳米银线搭接的牢固程度直接影响银线的导电率。通常纳米银线与基材的附着越牢，纳米银线之间的搭接则更为良好。

一般而言，成膜制造工艺在进行时，常会伴随温度的变化，而可挠性基材具有较大的膨胀系数，在升温降温的过程当中常会有显著的体积变化，常因为粘着于硬质基材上的可挠性基材的膨胀或收缩而使可挠性基材产生翘曲或变形。

【发明内容】

为克服纳米银线导电电极层与基材之间的附着力问题，以及在成膜制造工艺中因可挠性基材的膨胀引起的翘曲或变形等问题，本发明提供了一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

本发明解决技术问题的方案是：提供一种纳米银线导电层叠结构，其包括，一可挠性基材，一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面，及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。

优选地，所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm。

优选地，所述纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，纳米银线相互搭接形成导电网络，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质中，所述纳米银线导电电极层的方阻小于100ohm/sq。

优选地，所述增粘层的厚度为10nm-300nm。

优选地，所述增粘层的热膨胀系数小于可挠性基材的热膨胀系数。

优选地，所述纳米银线导电电极层在厚度方向上至少部分与增粘层相互嵌入。

优选地，所述增粘层材料为高分子聚合物、树脂、透明光学胶、氧化物、类光阻之任意一种或其任意组合。

优选地，所述增粘层为一层光学膜，该光学膜的折射率为1.1-1.6。

优选地，所述增粘层由两层或两层以上的低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式叠加构成，其中低折射率光学膜的折射率为1.1-1.6，高折射率光学膜的折射率为1.8-2.7。

本发明解决上述技术问题提供的又一技术方案是：提供一种电容式触控面板，包括一盖板，一胶层，一触控电路控制器和一纳米银线导电层叠结构，该胶层连接所述盖板和纳米银线导电层叠结构，且胶层粘接所述盖板任一面和纳米银线导电层叠结构的任一面，所述纳米银线导电层叠结构电性连接于所述触控电路控制器，实现触控。

优选地，所述电容式触控面板进一步包括一光学匹配层、一四分之一波长延迟片之任意一种或者其组合，所述光学匹配层位于盖板下方任意位置，所述四分之一波长延迟片位于纳米银线导电电极层和盖板之间。

与现有技术相比，本发明纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板在可挠性基材和纳米银线导电电极层之间设置一增粘层，相比于一般纳米银线触控面板，纳米银线之间仅仅凭借分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，不仅增加了可挠性基材与纳米银线导电电极层之间的附着力，使得不易滑移，而且当纳米银线导电层叠结构运用到触控面板中时，由于基材为可挠性基材时，在成膜制造工艺过程中，常会伴随着温度的升高或降低，而可挠性基材的膨胀系数较大，经常性膨胀或收缩使可挠性基材会产生翘曲或变形，通过设置增粘层，增粘层膨胀系数小于可挠性基材，为可挠性基材于其他功能层之间提供一个缓冲，从而使翘曲或变形等问题得到缓解。此外，本发明纳米银线导电层叠结构制备方法简单、效率高、成本低。传统纳米银线触控面板在涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难，本发明纳米银线通过多种方式进行涂布，实现纳米银线的镶嵌，容易实现均匀涂布。本发明纳米银线导电层叠结构可待增粘层半固化后形成纳米银线导电电极层，使得纳米银线导电电极层至少有部分和增粘层实现相互嵌入，进一步牢固纳米银线导电电极层与可挠性基材之间的附着，本发明触控面板的光学性能良好，光透过率在85％，甚至在90％以上，方阻小于100ohm/sq，具有良好的导电性。

【附图说明】

图1是纳米银线导电电极层分布于可挠性基材上的截面结构示意图。

图2是纳米银线导电电极层分布于可挠性基材上的平面示意图。

图3是本发明第一实施例纳米银线导电层叠结构的剖切结构示意图。

图4是本发明第二实施例纳米银线导电层叠结构的剖切结构示意图。

图5是本发明第三实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。

图6是本发明第四实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。

图7是本发明第五实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。

图8是本发明第六实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。

图9是本发明第七实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。

图10是本发明第八实施例采用图5所述的电容式触控面板制作的触控显示模组的示意图。

【具体实施方式】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

银在纳米级时，纳米银线具有良好的透光率和极佳的导电性，能够很好的运用于触控面板的触控电极。

请参阅图1与图2，系纳米银线导电电极层1005分布于可挠性基材1007上的示意图，其包括可挠性基材1007和制作在可挠性基材1007上的纳米银线导电电极层1005，纳米银线导电电极层1005包括基质1003和嵌入在基质1003中的多根纳米银线1001。纳米银线1001的线长为10μm-300μm，优选为20μm-100μm，最优其长度为20μm-50μm，纳米银线1001的线径小于500nm，或小于200nm，100nm，优选为小于50nm，且其长宽比(线长与线径之比)大于10，优选大于50，更优选大于100，纳米银线导电电极层1005的厚度约为10nm-5μm，优选为20nm-1μm，更优为10nm-200nm。

纳米银线1001散布或嵌入基质1003中，形成导电网络。纳米银线1001依靠基质1003形成纳米银线导电电极层1005，基质1003可以保护纳米银线1001不易受腐蚀、磨损等外界环境的影响。

基质1003是指纳米银线溶液在经过涂布等方法设置在可挠性基材1007上，经过加热烘干使得易挥发的物质挥发后，留在可挠性基材1007上的非纳米银线物质。纳米银线溶液是指，纳米银线1001分散在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液，该溶剂可以是水、水溶液、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等。该溶剂里还可含有其它添加剂，如分散剂、表面活性剂、交联剂、稳定剂、润湿剂或增稠剂，但不以此为限。

此外，可通过选择适当的基质1003材料来调整纳米银线导电电极层1005的光学特性，特别是解决雾度问题。例如，可以将基质1003调整为具有期望的折射率、组成元素和一定的厚度，都可以有效地减少反射损耗、眩光影响、雾度。

但是，由于纳米银线1001之间仅靠分子间作用力相互搭接，在曲挠时容易发生滑移，从而对导电率产生影响。

请参阅图3，本发明第一实施例纳米银线导电层叠结构10包括一可挠性基材1007，一纳米银线导电电极层1005以及一增粘层102，其中，可挠性基材1007为纳米银线导电层叠结构10提供支撑，增粘层102设置于可挠性基材1007上，纳米银线导电电极层1005设置于增粘层102之上，所述增粘层102位于纳米银线导电电极层1005和可挠性基材1007之间，所述纳米银线导电电极层1005包括纳米银线1001和基质1003，纳米银线1001相互搭接形成导电网络，其中所述纳米银线1001至少部分嵌入基质1003中，所述纳米银线导电电极层1005的方阻小于100ohm/sq。

所述可挠性基材1007包括但不限于压克力、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯四氟乙烯(ETFE)、聚环氧乙烷、聚乙醇酸(PGA)、聚甲基戊烯(PMP)、聚甲醛(POM)、聚苯醚(PPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚砜(PES)、聚砜(PSU)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、苯乙烯-丙烯腈(SAN)。

所述增粘层102的厚度为10nm-300nm。

所述增粘层102与可挠性基材1007的附着力大于可挠性基材1007和纳米银线导电电极层1005之间的附着力，所述增粘层102与纳米银线导电电极层1005的附着力大于可挠性基材1007和纳米银线导电电极层1005之间的附着力，增粘层102的材料可以选自高分子聚合物、绝缘材料、树脂、透明光学胶、氧化物，类光阻等，包括但不限于：聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙炔、聚苯胺、聚芳撑、聚噻吩、石墨烯、并五苯、聚苯撑醚(PPE)、聚对苯撑乙炔(PPV)、聚3，4-亚乙基二氧吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3-辛基噻吩(P3OT)、聚C-61-丁酸-甲酯(PCBM)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1，4-苯撑乙烯](MEH-PPV)、氮化硅、二氧化硅。

增粘层102的涂覆面积为纳米银线导电电极层1005表面面积的100％，或80％-90％，最低不低于50％，此处涂覆面积以纳米银线导电电极层1005表面面积为基准，即当纳米银线导电电极层1005大于、小于或等于可挠性基材1007表面面积时，涂覆面积为纳米银线导电电极层1005表面面积的100％，或80％-90％，最低不低于50％。由于纳米银线导电电极层1005的导电率与纳米银线1001之间搭接良好与否有关，增加增粘层102可使纳米银线1001更好的附着于可挠性基材1007上，纳米银线1001之间不易发生游移，搭接更加牢固。

在另一个变形结构中，所述增粘层102的热膨胀系数需小于可挠性基材1007的热膨胀系数。一般而言，成膜制造工艺在进行时，常会伴随温度的变化，而可挠性基材1007具有较大的膨胀系数，在升温降温的过程当中常会有显著的体积变化，常因为膨胀或收缩而使其产生翘曲或变形，由于所述增粘层102的热膨胀系数小于可挠性基材1007的热膨胀系数，当可挠性基材1007因温度变化产生变形时，所述增粘层102的变形相对的很小，并为可挠性基材1007与纳米银线导电电极层1005之间提供缓冲空间，使得不影响纳米银线导电电极层1005及其上的其他功能层(图未示)，通过增粘层102的存在，解决了因可挠性基材1007的膨胀或收缩而引起的翘曲和变形等一系列问题。

由于纳米银线导电电极层1005贴附在可挠性基材1007上，通常纳米银线1001之间仅仅凭借分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，且在工艺处理过程中，可挠性基材1007由于受热或温度变化容易产生形变而让纳米银线导电电极层1005无法良好的全面的覆盖在可挠性基材1007的表面上，提供增粘层102使得纳米银线导电电极层1005和可挠性基材1007之间的附着力良好。而通常纳米银线1001与可挠性基材1007的附着越牢，纳米银线1001之间的搭接则更为良好，从而提供良好的导电率。

纳米银线导电电极层1005的厚度为10nm-200nm，纳米银线导电电极层1005的导电率与其厚度相关，厚度越大则方阻越大，导电率越小，因此选择适当的厚度既可以得到最佳方阻又能保证后续产品的外观。

本发明还提供了纳米银线导电层叠结构10的制造方法，该方法可以包括以下步骤：

S11：提供一可挠性基材1007；

S12：在可挠性基材1007上形成增粘层102，并固化该增粘层102；

S13：形成纳米银线导电电极层1005，调节一定的温度烘干并使之固化；及

S14：对该纳米银线导电电极层1005施加一定压力；

在步骤S11中，可挠性基材1007为整个纳米银线导电层叠结构10提供支撑。

步骤S12中，增粘层102可采用流体的形式涂覆在可挠性基材1007上，得到湿的增粘层102，调节至一定温度，烘干并使增粘层102完全固化。

所述流体包括但不限于：水、离子或包括离子的溶液、超临界流体、油或者它们的任意组合。包括但不限于：水、丙酮、乙酸乙酯、乙醇、乙酸丁酯、酚醛树脂、醇酸树脂、2-甲基四氢呋喃、氨、氢氧化钠异丙醚(i-丙醚)、异丙醇、乙酸甲酯、甲基乙基酮(或者MEK)、甲酸甲酯、甲基正丁酸酯、甲基正丙基酮、甲基叔丁基醚、二氯甲烷、亚甲基、甲基己烷、甲基戊烷、间二甲苯、正丁醇、辛烷、戊烷、戊酮、石油醚、苯酚。

所述流体进一步可以包括表面活性剂、分散剂、稳定剂之任意一种或其组合。

所述流体涂覆为溅镀、静电喷涂、逆转辊涂布、凹槽式涂布、迈耶棒(meyerrod)涂覆、旋涂、夹缝式涂布之任意一种或者其任意组合。

在步骤S13中，纳米银线导电电极层1005以纳米银线溶液的形式涂覆。具体实施时，以夹缝式涂布为例，先配置好纳米银线溶液，后采用夹缝式涂布的方法将纳米银线溶液涂布在可挠性基材1007上，通过调整夹缝的宽度、喷嘴与辊筒的距离、传送速度以及泵进料来获得湿的纳米银线导电电极层1005。

所述涂覆的方法包括：喷墨，撒播，凹版印刷，凸版印刷，柔印，纳米压印，丝网印刷，Meyer杆或刮刀涂布，夹缝式涂布，旋转涂布、针绘(stylusplotting)、条缝涂布、流涂或它们的任意组合。涂覆完成后，调节温度至80℃-140℃，烘干固化该纳米银线导电电极层1005。

在步骤S14中，对纳米银线导电电极层1005施加一定压力为后处理方法。

处理的方法是辊筒滚压：将上述得到的纳米银线导电层叠结构10放在一个平台上，辊筒滚压过，这里可以通过调节辊筒与平台的间距和压力来调整所述纳米银线导电电极层1005和增粘层102的总厚度；在另一个实施方式中辊筒滚压也可以是辊对辊，这里可以通过调节滚筒与辊筒之间的距离和压力调整所述纳米银线导电电极层1005和增粘层102的总厚度。

在处理的过程中，辊筒或者平台的温度范围是50℃-150℃，根据增粘层102或可挠性基材1007的材质不同选择不同的温度和不同的加热体，例如，可挠性基材1007是PET，增粘层102选的是PVB膜，那么可以选择靠近PVB膜的辊筒作为加热体，根据PVB膜的软化温度为60℃-65℃，调节靠近PVB膜的辊筒温度为60℃-65℃。

在另一个变形工艺中，增粘层102的材料本身通过固体薄膜的形式成型，增粘层102则可以通过对固体薄膜加热滚压的形式直接覆盖于可挠性基材1007上方，这时增粘层102的材料包括但不限于：聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯醇(PVA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、玻璃纸。

请参阅图4，本发明第二实施例纳米银线导电层叠结构20与第一实施例基本相同，可挠性基材1007上方依次设置增粘层202、纳米银线导电电极层1005，不同之处在于纳米银线导电电极层1005与增粘层202之间的关系，本实施例中，纳米银线导电电极层1005至少有部分与增粘层202实现相互嵌入。

工艺处理过程中，涂覆增粘层202后，可调节温度至0-80℃，待增粘层202未固化或半固化后再涂覆纳米银线导电电极层1005。所形成的结构与在完全固化增粘层202后涂覆纳米银线导电电极层1005形成的结构有所不同，未固化或半固化后涂覆纳米银线导电电极层1005，经处理后纳米银线导电电极层1005至少有部分与增粘层202相互嵌入。

请参阅图5，本发明第三实施例电容式触控面板30包括一盖板309，一胶层304、一纳米银线导电层叠结构303以及一触控电路控制器(图未示)，所述纳米银线导电层叠结构303与第一实施例所述纳米银线导电层叠结构类似，包括可挠性基材1007，纳米银线导电电极层1005和增粘层3032。所述胶层304粘合于盖板309的上下表面任一面和纳米银线导电电极层1005异于增粘层3032一侧，所述纳米银线导电层叠结构303电性连接于所述触控电路控制器，实现触控。所述盖板309可以是玻璃盖板，偏光片、柔性基材之一但不以此为限。

请参阅图6，本发明第四实施例电容式触控面板40，与第三实施例基本相同，包括一盖板409，一胶层404、一纳米银线导电层叠结构403以及一触控电路控制器(图未示)，所述纳米银线导电层叠结构403包括可挠性基材1007，纳米银线导电电极层1005和增粘层4032。不同之处在于所述胶层404粘合于盖板409上下表面任一面和可挠性基材1007异于增粘层4032一侧。

请参阅图7，本发明第五实施例电容式触控面板50与第三实施例基本相同，包括一盖板509、一胶层504、一纳米银线导电层叠结构503以及一触控电路控制器(图未示)，所述纳米银线导电层叠结构503包括可挠性基材1007，纳米银线导电电极层1005和增粘层5032。不同之处在于，增粘层5032同时是光学匹配层，具有光学匹配层的效果，由低折射率光学膜97和高折射率光学膜99两层光学膜叠加而成，低折射率光学膜97相对高折射率光学膜99靠近触摸面。

所述低折射率光学膜97的折射率小于1.6，优选为1.1～1.6，优选的折射率为1.1，1.25，1.32，1.38，1.46，1.50，1.52。

所述高折射率光学膜99的折射率大于1.8，优选为1.8～2.7，优选的折射率为1.8，1.85，2.0，2.2，2.4，2.7。

所述增粘层5032的厚度为1/4波长奇数倍。

在另外的变形结构中，所述增粘层5032也可以是单独一层低折射率光学膜构成，其厚度为1/4波长的奇数倍。还可以是多层低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式叠加构成，其厚度为1/4波长的奇数倍。

在另外的变形结构中，光学匹配层也可以单独作为一个功能层添加到电容式触控面板50当中，其位置可以是盖板509下方任意位置。

请参阅图8，本发明第六实施例电容式触控面板60包括一盖板609、一粘着性保护层606、一纳米银线导电层叠结构603以及一触控电路控制器(图未示)，所述纳米银线导电层叠结构603包括可挠性基材1007，纳米银线导电电极层1005和增粘层6032。所述粘着性保护层606的材质包括透明的粘着材料和透明的介电材料。所述粘着性保护层606用于保护纳米银线导电电极层1005，防止纳米银线表面被氧化而导电性降低，同时由于粘着性保护层606具有粘性，盖板609通过粘着性保护层606粘合纳米银线导电层叠结构603。

所述粘着性保护层606的粘着材料为感光性粘着剂和/或热固性粘着剂。

相较于一般的保护层下方需要设置一层透明光学胶，所述粘着性保护层606具有粘性，无需设置透明光学胶，更有利于触控面板的轻薄化。

请参阅图9，本发明第七实施例电容式触控面板70与第三实施例基本相同，包括一盖板709、一胶层704、一纳米银线导电层叠结构703以及一触控电路控制器(图未示)，所述纳米银线导电层叠结构703包括可挠性基材1007，纳米银线导电电极层1005和增粘层7032。不同之处在于在胶层704和纳米银线导电电极层1005之间增加了一层四分之一波长延迟片707，用于降低雾度。

通过设置四分之一波长延迟片707，当光通过四分之一波长延迟片707时，产生反射，由于光程差延迟，入射光与反射光抵消，从而可以降低反射光，使得纳米银线1001的雾度得到降低。且通过在纳米银线导电电极层1005上方设置一层四分之一波长延迟片707，可同时将LCD或OLED的线偏光转化成圆偏光，从而在偏光太阳镜下观看触控面板不会出现消光现象。

当电容式触控面板70还有其他功能层时，如上述光学匹配层，粘着性保护层时，需确保四分之一波长延迟片707相对于纳米银线导电电极层1005和光学匹配层靠近观察者一侧。

需要提出的是，上述光学匹配层，四分之一波长延迟片可以任选一个添加，也可以都添加。

应该理解，第四实施例电容式触控面板中粘合层粘合于盖板上下表面任一面和可挠性基材异于增粘层一侧的变形结构同样适用于第五实施例至第七实施例的电容式触控面板及其所有变形结构。

请参阅图10，本发明第八实施例将电容式触控面板30用作触控感应元件制作成触控显示模组200。例如，用在LCD显示屏上时，在电容式触控面板的下方依次设置有上偏光片2001，上基板2003，液晶层2005，下基板2007，下偏光片2009。此处除了用在LCD显示屏上外，还可以用在等离子显示器上，彩色平板显示器上，光电子器件及类似产品上。在上述电子设备中，所述的触控面板贴合于LCD显示屏的上表面，用于电子设备人机交互的其中之一的I/O设备。

与现有技术相比，本发明纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板在可挠性基材和纳米银线导电电极层之间设置一增粘层，相比于一般纳米银线触控面板，纳米银线之间仅仅凭借分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，不仅增加了可挠性基材与纳米银线导电电极层之间的附着力，使得不易滑移，而且当纳米银线导电层叠结构运用到触控面板中时，由于基材为可挠性基材时，在成膜制造工艺过程中，常会伴随着温度的升高或降低，而可挠性基材的膨胀系数较大，经常性膨胀或收缩使可挠性基材会产生翘曲或变形，通过设置增粘层，增粘层膨胀系数小于可挠性基材，为可挠性基材于其他功能层之间提供一个缓冲，从而使翘曲或变形等问题得到缓解。此外，本发明纳米银线导电层叠结构制备方法简单、效率高、成本低。传统纳米银线触控面板在涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难，本发明纳米银线通过多种方式进行涂布，实现纳米银线的镶嵌，容易实现均匀涂布。本发明纳米银线导电层叠结构可待增粘层半固化后形成纳米银线导电电极层，使得纳米银线至少有部分连接于纳米银线导电电极层和增粘层，使得纳米银线导电电极层和增粘层几乎为一体，进一步牢固纳米银线导电电极层与可挠性基材之间的附着，本发明触控面板的光学性能良好的光透过率在85％，甚至在90％以上，方阻小于100ohm/sq，具有良好的导电性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包括本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种纳米银线导电层叠结构，其特征在于，其包括：

一可挠性基材；

一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面；及

一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。

2.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm。

3.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，纳米银线相互搭接形成导电网络，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质中，所述纳米银线导电电极层的方阻小于100ohm/sq。

4.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述增粘层的厚度为10nm-300nm。

5.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述增粘层的热膨胀系数小于可挠性基材的热膨胀系数。

6.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述纳米银线导电电极层在厚度方向上至少部分与增粘层相互嵌入。

7.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述增粘层材料为高分子聚合物、树脂、透明光学胶、氧化物、类光阻之任意一种或其组合。

8.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述增粘层为一层光学膜，该光学膜的折射率为1.1-1.6。

9.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述增粘层由两层或两层以上的低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式叠加构成，其中低折射率光学膜的折射率为1.1-1.6，高折射率光学膜的折射率为1.8-2.7。

10.一种电容式触控面板，其特征在于，包括：

一盖板，

一胶层，

一触控电路控制器，及

如权利要求1-9所述的纳米银线导电层叠结构，

其中，该胶层连接所述盖板和纳米银线导电层叠结构，且胶层粘接所述盖板任一面和纳米银线导电层叠结构的任一面，所述纳米银线导电层叠结构与所述触控电路控制器相连，实现触控。

11.如权利要求10所述的电容式触控面板，其特征在于：进一步包括一光学匹配层、一四分之一波长延迟片之任意一种或者其组合，所述光学匹配层位于盖板下方任意位置，所述四分之一波长延迟片位于纳米银线导电电极层和盖板之间。