CN108890122B - 一种陶瓷基板的划线方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种陶瓷基板的划线方法，涉及陶瓷基板技术领域。该划线方法包括：S1，在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层；S2，采用激光加工方法在所述陶瓷基板上划线；S3，去除所述陶瓷基板上的所述聚氯乙烯胶层。在激光划线之前，先在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层，对基板形成保护。聚氯乙烯胶层能够对刻线两侧的熔渣进行包覆，形成较为松散的结构。在后续的去除步骤中，熔渣能够被有效地剔除干净，大幅度提升陶瓷基板的应用价值和品质。

Description

一种陶瓷基板的划线方法
技术领域
本发明涉及陶瓷基板加工领域，且特别涉及一种陶瓷基板的划线方法。
背景技术
在电阻及散热板等陶瓷基板产品中，常涉及一些非通用尺寸的产品，特别是LED用的陶瓷散热基板，产品尺寸基本都需应根据不同要求而进行单独的设计。在这类非通用尺寸的产品中，通常需要使用激光机对陶瓷基板进行划线来满足对产品尺寸的要求。
激光划线机的光源有红光、绿光、紫光及p秒激光机等，由于不同激光光源设备的费用相差很大，因此在陶瓷基板的激光划线工艺上，绝大多数还是采用的1064nm的红光激光机。红光激光机是一种热光源镭设机，其划线原理是在激光生成腔内产生的激光，通过透镜对激光聚焦后形成高能量的聚焦光斑，高能量光斑通过电器的控制驱动反光镜，使激光产生偏移运动形成划线动作。在对陶瓷基板表面进行划线的过程。实际上是高能量光斑对陶瓷基板表面进行烧灼产生的具有一定深度凹痕的过程。
发明人研究发现，由于划线烧灼是从陶瓷基板表面逐步深入的，因此在陶瓷基板表面划痕线的凹槽的边缘均会产生熔渣，这些熔渣在划痕线两侧会产生高于基板表面的凸起，并且非常牢固的附着在基板的表面。在激光划线后，很难将划痕线凹槽两侧的熔渣彻底的清除干净。由于熔渣存在会造成基板表面的不平整。使陶瓷基板在后续产品制作过程中质量无法得到保证。如印刷电阻时，熔渣会造成阻值分散；若制作LED用散热基板时，熔渣会使铜层与基板结合力不良，造成LED寿命过短的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种陶瓷基板的划线方法，此划线方法简单，易于操作，能够有效消除激光划线后产生的熔渣。
本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明提出一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
S1，在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层；
S2，采用激光加工方法在所述陶瓷基板上划线；
S3，去除所述陶瓷基板上的所述聚氯乙烯胶层。
本发明实施例的陶瓷基板的划线方法的有益效果是：
在激光划线之前，先在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层，聚氯乙烯胶层在基板上形成保护层，在激光进行划线过程中，高能量的光斑在熔融基板时，基板表面的聚氯乙烯胶层对光具有吸收作用，不但可以大大减少刻线表面的熔渣量，还可以使激光高温熔融的陶瓷溶液不会黏附在基板上，聚氯乙烯胶层能够对刻线两侧的熔渣进行包覆，形成较为松散的结构。在后续的去除步骤中，熔渣能够被有效地剔除干净，大幅度提升陶瓷基板的应用价值和品质。且聚氯乙烯胶层的成本低、容易取得、环保安全。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例的陶瓷基板的划线方法的流程图；
图2为本发明实施例制作的陶瓷基板形成聚氯乙烯层的结构示意图；
图3为本发明实施例制作的覆胶陶瓷基板划线后的结构示意图；
图4为本发明实施例制作的划线后陶瓷基板去除聚氯乙烯层后的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本发明实施例的陶瓷基板的划线方法进行具体说明。
本发明实施例提供一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
S1，在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层；
S2，采用激光加工方法在所述陶瓷基板上划线；
S3，去除所述陶瓷基板上的所述聚氯乙烯胶层。
首先，在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层的步骤为：
S11，配置胶液，按照重量份计，胶液包括：聚氯乙烯胶水30～40份、水60～70份。
采用水和聚氯乙烯胶水的混合物作为胶液，原料易得，成本低。且无需采用其他有机溶剂，绿色环保。只需要在常温下简单混合即可，操作十分方便。需要说明的是，聚氯乙烯胶水可以自己制备也可以采用市售产品，例如采用聚力胶业生产的JL-6283聚氯乙烯胶水。
进一步地，按照重量份计，胶液还包括螯合型磷酸酯钛偶联剂1～1.5份和黑色色素0.01～0.03份。加入黑色色素具有吸收激光的作用，能够减少熔渣的产生。螯合型磷酸酯钛偶联剂能够改善黑色色素与聚氯乙烯胶水的兼容性，提高黑色色素在聚氯乙烯胶水中的分散，胶液的流动性更好。优选地，本实施例中，黑色色素选用炭黑，例如植物炭黑、乙炔炭黑、灯黑、炉黑、气黑等。优选地，本实施例中，选用植物炭黑，按照以下方法制备：将废弃的植物原料(例如芦苇茎秆研磨后的粉末)放入在质量分数为30％的磷酸溶液中，在120℃条件下微波5min，经洗涤、干燥得到微波产物。将微波产物置于反应釜中，在800～900℃条件下保温5～6h，得到植物炭黑。植物炭黑利用废弃植物资源制备，节能环保，且先经过微波处理在高温处理，制备时间段，表面官能团多，能够与聚氯乙烯分子形成交联结构，分散性更好，光吸收效果更佳。
进一步地，按照重量份计，按照重量份计，胶液还包括羧甲基淀粉钠0.3～0.8份、多巴胺0.5～0.8份。在胶液中加入羧甲基淀粉钠，能够提高胶液的稠度，更容易在陶瓷基材表面形成粘胶层，且加入多巴胺，能够在陶瓷基材表面形成自聚合的聚多巴胺功能层，其黏附性很强，能够提高聚氯乙烯胶层与熔渣的粘接力。
S12，在陶瓷基板的表面涂覆胶液。
在涂覆胶液的过程中，优选地，采用滚动刷涂刷两道胶液，两道胶液涂刷时交叉进行。每道涂刷厚度不小于1mm。采用交叉涂刷方式，保证陶瓷基板均匀附着胶液，避免出现空缺部分。
S13，对涂胶后的所述陶瓷基板进行干燥。优选地，涂胶后的所述陶瓷基板在60～90℃条件下干燥0.5～1h。干燥后，在陶瓷基板的表面形成具有一定黏度的胶层，有效对陶瓷基板进行保护，避免高温产生的熔渣直接附着在陶瓷基板上。
在陶瓷基板上形成聚氯乙烯层后，进行激光划线。
优选地，激光加工方法进行划线的步骤为：激光与空压气体通过激光喷嘴在陶瓷基板上形成线条。在激光划线过程中，空压气体能够将高温熔融形成的陶瓷溶液吹走溅落到覆胶的陶瓷基板上形成熔渣。进一步地，空压气体为空气。
进一步地，在较佳的实施例中，空压气体的喷气气压为0.5～0.6MPa。进一步地，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.1～0.2mm。更为优选地，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.165mm。激光喷嘴距离陶瓷基板的距离大于0.2mm时，激光熔蚀区域少，能以达到良好的刻线效果。而距离小于0.1mm时，激光熔蚀区域过宽，导致熔渣增多，且容易引起陶瓷基板表层的浅层熔蚀。发明人发现，在0.165mm的距离处进行激光刻线，能够达到最佳的刻线效果。
进一步地，陶瓷基板的厚度为0.38～0.5mm时，以5000～6000mm/min的速度进行激光划线。不同的厚度的陶瓷基板采用不同的速度进行划线，发明人研究发现，在厚度为0.38～0.5mm时，采用5500mm/min的速度划线，能够避免产生过多的熔渣，且可以加工出完整的、边缘较为光滑的刻线凹痕。划线速度低于5000mm/min，刻线凹痕内的熔渣堆积多。划线速度超过6000mm/min，则刻线凹痕的精细度下降，刻线过浅。
进一步优选地，激光的功率为200～250Hz。
完成激光刻线后，陶瓷基板经过2～4道尼龙磨刷轮磨刷去除聚氯乙烯胶层。优选地，经过3道尼龙磨刷轮磨刷去除聚氯乙烯胶层。更为优选地，优选地，陶瓷基板以3m/min的传送速度经过第一道磨刷轮，磨刷轮压力为1.5kg/cm2，然后以2m/min的传送速度经过第二道磨刷轮，磨刷轮压力为3kg/cm2，最后以0.5m/min的传送速度经过第三道磨刷轮，磨刷轮压力为1.5kg/cm2。采用尼龙磨刷轮去除胶层，因熔渣粘附于胶层上，被一同去除。采用三道磨刷轮磨刷时，先是快速去除大部分的熔渣，然后在更大的压力下去除粘附性较强的熔渣，最后再慢速进行磨刷，保证了陶瓷基板表面的胶层被彻底清除。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供的一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
(1)配置胶液：按重量份计，胶液包括聚氯乙烯胶水35份、水65份。常温下搅拌混合得到胶液。
(2)将胶液涂覆在陶瓷基板(0.5mm厚)表面，并在75℃条件下干燥0.5h，得到覆胶的陶瓷基板。
(3)将覆胶的陶瓷基板放置到镭射机激光台面上，200Hz的激光和气压为0.55MPa的空压气体经过激光喷嘴打到覆胶陶瓷基板上形成线条。刻线速度为5500mm/min，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.165mm。
(4)人工手动将覆胶的陶瓷基板放置于磨刷清洗机输送皮带上，设定参数后启动设备，覆胶的陶瓷基板经3道尼龙磨刷轮磨刷去除聚氯乙烯胶层。
实施例2
本实施例提供的一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
(1)配置胶液：按重量份计，胶液包括聚氯乙烯胶水35份、水63.5份、螯合型磷酸酯钛偶联剂1.5份、植物炭黑0.015份。常温下搅拌混合得到胶液。
(2)将胶液涂覆在陶瓷基板表面，并在75℃条件下干燥0.5h，得到覆胶的陶瓷基板。
(3)将覆胶的陶瓷基板(0.5mm厚)放置到镭射机激光台面上，200Hz的激光和气压为0.55MPa的空压气体经过激光喷嘴打到覆胶陶瓷基板上形成线条。刻线速度为5500mm/min，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.165mm。
(4)人工手动将覆胶的陶瓷基板放置于磨刷清洗机输送皮带上，设定参数后启动设备，覆胶的陶瓷基板经3道尼龙磨刷轮磨刷去除聚氯乙烯胶层。
实施例3
本实施例提供的一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
(1)配置胶液：按重量份计，胶液包括聚氯乙烯胶水35份、水63.5份、螯合型磷酸酯钛偶联剂1.5份、植物炭黑0.015份、羧甲基淀粉钠0.4份、多巴胺0.6份。常温下搅拌混合得到胶液。
(2)将胶液涂覆在陶瓷基板(0.5mm厚)表面，并在75℃条件下干燥0.5h，得到覆胶的陶瓷基板。
(3)将覆胶的陶瓷基板放置到镭射机激光台面上，200Hz的激光和气压为0.55MPa的空压气体经过激光喷嘴打到覆胶陶瓷基板上形成线条。刻线速度为5500mm/min，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.165mm。
(4)人工手动将覆胶的陶瓷基板放置于磨刷清洗机输送皮带上，设定参数后启动设备，覆胶的陶瓷基板经2道尼龙磨刷轮磨刷去除聚氯乙烯胶层。
对比例1
本对比例提供的一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
(1)将陶瓷基板(0.5mm厚)放置到镭射机激光台面上，200Hz的激光经过激光喷嘴打到覆胶陶瓷基板上形成线条。刻线速度为5500mm/min，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.165mm。
(2)人工手动将划线后的陶瓷基板放置于磨刷清洗机输送皮带上，设定参数后启动设备，陶瓷基板经3道尼龙磨刷轮磨刷去除熔渣。
对比例2
本对比例提供的一种陶瓷基板的划线方法，其包括：
(1)配置成膜液：按重量份计，成膜液包括聚氯乙烯树脂35份、四氢呋喃63.5份、螯合型磷酸酯钛偶联剂1.5份、植物炭黑0.015份。加热至50℃混合得到成膜液。
(2)将成膜液涂覆在陶瓷基板表面，并在75℃条件下干燥0.5h，得到覆膜的陶瓷基板。
(3)将覆膜的陶瓷基板(0.5mm厚)放置到镭射机激光台面上，200Hz的激光和气压为0.55MPa的空压气体经过激光喷嘴打到覆膜陶瓷基板上形成线条。刻线速度为5500mm/min，激光喷嘴距离陶瓷基板的距离为0.165mm。
(4)人工手动将覆膜的陶瓷基板放置于磨刷清洗机输送皮带上，设定参数后启动设备，覆膜的陶瓷基板经3道尼龙磨刷轮磨刷去除膜层。
表1.陶瓷基板质量
基板表面残余熔渣量 刻线产生的熔渣量
实施例1 基本无熔渣 ++
实施例2 基本无熔渣 +
实施例3 基本无熔渣 +
对比例1 **** +++
对比例2 *** +
注：“*”越多代表残余熔渣量越多，“+”越多代表刻线产生的熔渣量越多。
从表1中可以看出，本实施例提供的陶瓷基板的划线方法能够有效减少陶瓷基板激光刻线产生的熔渣量，且达到良好的熔渣清除效果，确保了基板的划线品质。实施例3中，由于添加了多巴胺，使得熔渣更容易被去除，只采用2道磨刷就能达到良好的熔渣清除效果。相比于对比例2中，采用聚氯乙烯树脂在陶瓷基板上形成覆膜，采用聚氯乙烯胶水与水的混合物，在常温下搅拌混合即可，无需使用有机溶剂，且保证熔渣能够与胶层形成松散结构，更方便去除熔渣。
以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

Claims (5)

1.一种陶瓷基板的划线方法，其特征在于，其包括：
S1，在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层；
S2，采用激光加工方法在所述陶瓷基板上划线；
S3，经过2～4道尼龙磨刷轮磨刷去除所述陶瓷基板上的所述聚氯乙烯胶层；
其中，在陶瓷基板上形成聚氯乙烯胶层的步骤为：
S11，配置胶液，按照重量份计，所述胶液包括：聚氯乙烯胶水30～40份、水60～70份、螯合型磷酸酯钛偶联剂1～1.5份、黑色色素0.01～0.03份、羧甲基淀粉钠0.3～0.8份和多巴胺0.04～0.06份；
S12，在陶瓷基板的表面涂覆所述胶液；
S13，对涂胶后的所述陶瓷基板进行干燥。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板的划线方法，其特征在于，步骤S13中，涂胶后的所述陶瓷基板在60～90℃条件下干燥0.5～1h。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板的划线方法，其特征在于，步骤S2中，激光加工方法进行划线的步骤为：激光与空压气体通过激光喷嘴在所述陶瓷基板上形成线条。
4.根据权利要求3所述的陶瓷基板的划线方法，其特征在于，所述空压气体的喷气气压为0.5～0.6MPa。
5.根据权利要求3所述的陶瓷基板的划线方法，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为0.38～0.5mm时，以5000～6000mm/min的速度进行激光划线。
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