CN108878572A - 感光元件、光电传感探测基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种感光元件、光电传感探测基板及光电传感探测基板的制造方法，涉及光电技术领域。本公开的感光元件包括第一电极层、光电转化层、第二电极层、绝缘层和第三电极层。光电转化层设于第一电极层。第二电极层设于光电转化层远离第一电极层的表面。绝缘层覆盖光电转化层的侧面和第二电极层远离光电转化层的至少部分表面，且绝缘层为透明材质。第三电极层覆盖绝缘层，用于将进入绝缘层内的至少部分光线反射至光电转化层的侧面。本公开的感光元件可提高光电流，使光电传感探测基板的信噪比提升。

Description

感光元件、光电传感探测基板及其制造方法
技术领域
本公开涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种感光元件、光电传感探测基板及光电传感探测基板的制造方法。
背景技术
X射线检测装置是一种常用的间接转化型光电探测装置，通常用于医疗、工业生产等领域。其中，X射线探测基板是其核心部件，目前，X射线探测基板一般包括光电二极管、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)等，通过光电二极管可将可见光转换为电信号，薄膜晶体管可接收电信号并将电信号输出，以显示图像。但是，现有光电二极管对光线的利用率较低，使光电流较小，导致X射线探测基板的信噪比难以提升。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种感光元件、光电传感探测基板及光电传感探测基板的制造方法，可提高光电流，使光电传感探测基板的信噪比提升。
根据本公开的一个方面，提供一种感光元件，包括：
第一电极层；
光电转化层，设于所述第一电极层；
第二电极层，设于所述光电转化层远离所述第一电极层的表面；
绝缘层，覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，且所述绝缘层为透明材质；
第三电极层，覆盖所述绝缘层，用于将进入所述绝缘层内的至少部分光线反射至所述光电转化层的侧面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第三电极层与所述光电转化层的侧面相对的表面向远离所述光电转化层的方向凸起。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第三电极层与所述光电转化层的侧面相对的表面为弧面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述绝缘层的材料为树脂，所述第三电极层的材料为金属。
在本公开的一种示例性实施例中，所述感光元件还包括：
保护层，覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，所述绝缘层覆盖所述保护层与所述光电转化层的侧面和所述第二电极层对应的区域。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第三电极层通过穿透所述绝缘层的过孔与所述第二电极层连接，且所述过孔位于所述第二电极层远离所述光电转换层的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光电转化层包括：
第一半导体层，设于所述第一电极层；
本征半导体层，设于所述第一半导体层远离所述第一电极层的一侧；
第二半导体层，设于所述本征半导体层远离所述第一电极层的一侧。
根据本公开的一个方面，提供一种光电传感探测基板，包括：
衬底基板；
上述任意一项所述的感光元件，所述第一电极层设于所述衬底基板。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光电传感探测基板还包括与所述感光元件连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设于所述衬底基板设有所述感光元件的一侧，且所述栅极与所述第三电极层通过一次构图工艺形成；
栅绝缘层，覆盖所述栅极；
有源层，设于所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；
源漏极，设于所述有源层远离所述栅极的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光电传感探测基板还包括：
钝化层，覆盖所述薄膜晶体管和所述感光元件；
平坦化层，覆盖所述钝化层。
根据本公开的一个方面，提供一种光电传感探测基板的制造方法，包括：
在衬底基板上形成第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的表面形成光电转化层；
在所述光电转化层远离所述衬底基板的表面形成第二电极层；
形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，且所述绝缘层为透明材质；
形成覆盖所述绝缘层的第三电极层，所述第三电极层用于将进入所述绝缘层内的至少部分光线反射至所述光电转化层的侧面。
本公开的感光元件、光电传感探测基板及光电传感探测基板的制造方法，一方面，光线可经过第一电极层照射至光电转化层靠近第一电极层的表面，另一方面，第三电极层可将进入绝缘层内的至少部分光线反射至光电转化层的侧面。由此，扩大了光电转化层接收光线的面积，从而使光电流得以提高，有利于提高光电传感探测基板的信噪比。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本公开实施方式感光元件的示意图。
图2为本公开实施方式光电传感探测基板的示意图。
图3为本公开实施方式光电传感探测基板中感光元件的分布示意图。
图4为本公开实施方式光电传感探测基板的制造方法的流程图。
图5为完成本公开实施方式制造方法中步骤S110后的示意图。
图6为完成本公开实施方式制造方法中步骤S120后的示意图。
图7为完成本公开实施方式制造方法中步骤S130后的示意图。
图8为完成本公开实施方式制造方法中步骤S140后的示意图。
图9为完成本公开实施方式制造方法中步骤S150和步骤S1610后的示意图。
图10为完成本公开实施方式制造方法中步骤S1620后的示意图。
图11为完成本公开实施方式制造方法中步骤S1630后的示意图。
图12为完成本公开实施方式制造方法中步骤S1640后的示意图。
图13为完成本公开实施方式制造方法中步骤S170后的示意图。
图中：100、感光元件；11、第一电极层；12、光电转化层；121、第一半导体层；122、本征半导体层；123、第二半导体层；13、第二电极层；14、绝缘层；15、第三电极层；151、过孔；16、保护层；200、衬底基板；300、薄膜晶体管；31、栅极；32、栅绝缘层；33、有源层；331、非晶硅层；332、掺杂非晶硅层；34、源漏极；400、钝化层；500、平坦化层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
在相关技术中，X射线探测基板一般包括光电二极管、薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)等，通过光电二极管可将可见光转换为电信号，薄膜晶体管可接收电信号并将电信号输出，以显示图像。其中，光电二极管可包括层叠设置的第一透明电极层、N型非晶硅层、本征非晶硅层，P型非晶硅层和第二透明电极层，光线从第一透明电极层远离N型非晶硅层的一侧入射，需要穿过第一透明电极层和N型非晶硅层才能照射至本征非晶硅层，以便实现光电转化。在此过程中，仅能利用穿透第一透明电极层和N型非晶硅层的光线，无法利用入射到其它区域的光线，造成光能的损耗，不利于提高光电流，无法提高X射线探测基板的信噪比。
本公开实施方式提供了一种感光元件，该感光元件可以是光电二极管，如图1所示，本公开实施方式的感光元件100可包括第一电极层11、光电转化层12、第二电极层13、绝缘层14和第三电极层15，其中：
光电转化层12可设于第一电极层11。
第二电极层13可设于光电转化层12远离第一电极层11的表面。
绝缘层14可覆盖光电转化层12的侧面和第二电极层13远离光电转化层12的至少部分表面，且绝缘层14为透明材质。
第三电极层15覆盖绝缘层14，并用于将进入绝缘层14内的至少部分光线反射至光电转化层12的侧面。
本公开实施方式的感光元件100，一方面，光线可经过第一电极层11照射至光电转化层12靠近第一电极层11的表面，另一方面，第三电极层15可将进入绝缘层14内的至少部分光线反射至光电转化层12的侧面，使得光电转化层12的底面、侧面甚至顶面均可接收到光线。由此，扩大了光电转化层12接收光线的面积，从而产生更大的光电流，有利于提高光电传感探测基板的信噪比。
下面对本公开实施方式感光元件100的各部分进行详细说明：
如图1所示，第一电极层11可为透明导电材质，例如ITO(氧化铟锡)等，以便光线穿过，且第一电极层11可形成于一透明的衬底基板200上。同时，第一电极层11可通过气相沉积、蒸镀等工艺形成，其尺寸和形状在此不做特殊限定。
如图1所示，光电转化层12可设于第一电极层11，例如第一电极层11远离衬底基板200的表面。在被光线照射时，可用于将光信号转化为电信号。光电转化层12可包括第一半导体层121、本征半导体层122和第二半导体层123，其中：
如图1所示，第一半导体层121可以是非晶硅、非晶锗及其化合物等半导体材料进行N型/P型掺杂所形成的半导体层，也可以直接采用硅、锗及其化合物等半导体材料，还可以采用例如IGZO、ZnO、ITGO等半导体材料。
第一半导体层121可设于第一电极层11，例如位于第一电极层11远离衬底基板200的表面。第一半导体层121可通过气相沉积、蒸镀、掺杂等工艺形成，在此不做特殊限定。
本征半导体层122可采用非晶硅、非晶锗及其化合物等半导体材料，其可设于第一半导体层121远离第一电极层11的一侧，例如位于第一半导体层121远离第一电极层11的表面，并可通过气相沉积、蒸镀等工艺形成。
第二半导体层123可以是硅、锗及其化合物等半导体材料进行N型/P型掺杂所形成的半导体层，也可以采用硅、锗及其化合物等半导体材料，还可以采用IGZO、ZnO等半导体材料。
第二半导体层123可设于本征半导体层122远离第一电极层11的一侧，例如位于本征半导体层122远离第一电极层11的表面，并可通过气相沉积、蒸镀、掺杂等工艺形成。
需要说明的是，若第一半导体层121为N型半导体层，则第二半导体层123为P型半导体层；若第一半导体层121为P型半导体层，则第二半导体层123为N型半导体层。
结合以上说明，光电转化层12可包括层叠设置于第一电极层11上的第一半导体层121、本征半导体层122和第二半导体层123。同时，光电转化层12的侧面可以为平面。
如图1所示，第二电极层13可为透明导电材质，例如ITO(氧化铟锡)等，以便光线穿过，且第二电极层13可设于光电转化层12远离第一电极层11的表面，且完全覆盖该表面，例如覆盖第二半导体层123远离本征半导体层122的表面。同时，第一电极层11可通过气相沉积、蒸镀等工艺形成，其边沿可与光电转化层12的侧面平齐。
如图1所示，绝缘层14可覆盖第二电极层13远离光电转化层12的部分或全部表面，当然，也可不覆盖第二电极层13远离光电转化层12的表面；同时，绝缘层14还可覆盖光电转化层12的侧面。穿过第一电极层11且位于光电转化层12侧方的光线可不通过光电转化层12而进入绝缘层14，可减小光能的损耗。绝缘层14的材料可以是树脂，当然，也可以是其它透明且绝缘的材料。
绝缘层14的外表面可向远离光电转化层12的方向凸起，且可以是弧面等光滑的曲面，也可以是棱面等其它表面，举例而言，绝缘层14的外表面可为半球面或抛物面，可将第二电极层13和光电转化层12罩设在内部。
如图1所示，第三电极层15可覆盖绝缘层14，并可将进入绝缘层14内的至少部分光线反射至光电转化层12的侧面，从而对光电转化层12侧方的光线加以利用，提高光线的利用率，使光电流得以提高，有利于提高光电传感探测基板的信噪比。同时，穿过第一电极层11进入绝缘层14的光线，可不用穿过第一半导体层121，即可被第三电极层15反射至光电转化层12的侧面，可减小光能的损耗，有利于提升光电流，从而使信噪比进一步提高。
第三电极层15可为非透明的金属材质，在导电的同时，可反射光线。第三电极层15与光电转化层12的侧面相对的表面可向远离光电转化层12的方向凸起，在将光线向光电转化层12反射的同时，可对光线进行汇聚，将尽可能多的光线反射至光电转化层12的侧面。具体而言，第三电极层15的形状可与绝缘层14的外表面相同，举例而言：如图3所示，绝缘层14的外表面为半球面或抛物面，则第三电极层15可为半球状或抛物面状的结构，即上述的第三电极层15与光电转化层12的侧面相对的表面为弧面。
第三电极层15可通过过孔151与第二电极层13连接，且过孔151可位于第二电极层13远离光电转化层12的一侧，且穿透绝缘层14。过孔151的数量可以是一个或多个，在此不做特殊限定。
如图1所示，本公开实施方式的感光元件100还可以包括保护层16，其为透明且绝缘材料，可覆盖光电转化层12的侧面，并可覆盖第二电极层13远离光电转化层12的全部或部分表面；绝缘层14可覆盖保护层16与光电转化层12的侧面和第二电极层13对应的区域，从而先通过保护层16对光电转化层12的侧面与第二电极层13远离光电转化层12的表面进行保覆盖保护，再形成上述的绝缘层14。
保护层16还可覆盖第一电极层11的其他位置，绝缘层14可形成在保护层16上，而与第一电极层11不直接接触，当然，保护层16也可位于绝缘层14在第一电极层11的投影范围内，绝缘层14与第一电极层11直接接触。
本公开实施方式提供一种光电传感探测基板，该光电传感探测基板可为X射线探测基板，如图2所示，该光电传感探测基板可以包括衬底基板200、薄膜晶体管300和上述任一实施方式中的感光元件100，其中：
衬底基板200可为玻璃或其它透明材质，其形状和尺寸在此不做特殊限定。
如图2所示，感光元件100的第一电极层11可设于衬底基板200上，并可覆衬底基板200的全部区域或部分区域，感光元件100的具体结构可参考上述感光元件100的实施方式，在此不再详述。
如图3所示，感光元件100的数量可为多个，且阵列分布于衬底基板200上，每个感光元件100进可将光信号转化为电信号，当然，也可同时包括上述的感光元件100和其它感光元件。由于感光元件100可利用其光电转化层12侧方的光线，使光电流得到了提升，从而可提高光电传感探测基板的信噪比，以提升检测效果。
如图2所示，薄膜晶体管300可设于衬底基板200上，且与感光元件100位于衬底基板200的同一表面。同时，薄膜晶体管300可与感光元件100连接，以接收感光元件100发出的电信号。此外，薄膜晶体管300的数量可与感光元件100的数量相同，例如，薄膜晶体管300和感光元件100的数量均为多个，且阵列分布于衬底基板200，各薄膜晶体管300可一一对应的与各感光元件100连接。
以一个薄膜晶体管300为例，如图2所示，薄膜晶体管300可以包括栅极31、栅绝缘层32、有源层33和源漏极34，其中：
栅极31可设于衬底基板200设有感光元件100的一侧，栅极31可与第三电极层15通过一次构图工艺形成。举例而言，感光元件100的保护层16可沿第一电极层11向远离光电转化层12的方向延伸，栅极31可形成于保护层16上，或者，保护层16也可以不完全覆盖衬底基板200，栅极31可可以直接形成于衬底基板200上。
栅极31和第三电极层15可通过一次掩膜工艺或其它构图工艺形成，也可以分别独立形成。
栅绝缘层32可为绝缘材质，并可覆盖栅极31。
有源层33可设于栅绝缘层32远离栅极31的一侧。同时，有源层33可为半导体材质，其可包括非晶硅层331和掺杂非晶硅层332，非晶硅层331位于掺杂非晶硅层332和栅绝缘层32之间。
源漏极34可为金属材质，且包括源极和漏极，源漏极34可设于有源层33远离栅极31的一侧，并可与感光元件100的第三电极层15连接，例如源漏极34的漏极可与第三电极层15连接。
根据本发明的一个实施例，薄膜晶体管可以具有上述结构，然而本公开不限于此，在本公开的其它实施例中，也可以使用其它结构的薄膜晶体管，例如具有本领域已知的“顶栅型”、“底栅型”、“双栅型”等结构的薄膜晶体管，在这里将不再赘述。
如图2所示，本公开实施方式的光电传感探测基板还可以包括钝化层400和平坦化层500，其中：
钝化层400可为透明且绝缘的材料，并可覆盖薄膜晶体管300和感光元件100。
平坦化层500的材料可为树脂或其它透明的绝缘材料，并可覆盖钝化层400，平坦化层500远离衬底基板200的一侧，且远离衬底基板200的表面为平面。
本公开实施方式的光电传感探测基板，由于采用了上述实施方式的感光元件100，扩大了接收光线的面积，可使光电流得以提高，有利于提高光信噪比，以提升检测效果。
本公开实施方式还提供一种光电传感探测基板的制造方法，如图4所示，该制造方法可以包括：
步骤S110、在衬底基板上形成第一电极层；
步骤S120、在所述第一电极层远离所述衬底基板的表面形成光电转化层；
步骤S130、在所述光电转化层远离所述衬底基板的表面形成第二电极层；
步骤S140、形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，且所述绝缘层为透明材质；
步骤S150、形成覆盖所述绝缘层的第三电极层，所述第三电极层用于将进入所述绝缘层内的至少部分光线反射至所述光电转化层的侧面。
本公开实施方式光电传感探测基板的制造方法的有益效果可参考上述实施方式的感光元件100和光电传感探测基板的有益效果，在此不再详述。
下面对本公开实施方式光电传感探测基板的制造方法的各步骤进行详细说明：
如图5所示，在步骤S110中，可通过物理或化学气相沉积等工艺在衬底基板200上形成第一电极层11，第一电极层11的材料可为ITO等透明导电材料。
如图6所示，在步骤S120中，可通过沉积或掩膜等工艺在第一电极层11远离衬底基板200的表面形成光电转化层12。举例而言，光电转化层12可包括层叠设置的第一半导体层121、本征半导体层122和第二半导体层123，形成光电转化层12可包括：依次在第一电极层11上沉积层叠的第一半导体层121、本征半导体层122和第二半导体层123，然后通过刻蚀工艺形成光电转化层12的图案。当然，也可以在形成第一半导体层121的图案后，再形成本征半导体层122的图案，然后再形成第二半导体层123的图案，只要能形成光电转化层12即可。
如图7所示，在步骤S130中，形成第二电极层13的工艺可与第一电极层11相同，且第二电极层13的材料也可与第一电极层11相同，在此不再详述。同时，第二电极层13可形成在光电转化层12远离衬底基板200的表面。
第二电极层13可与光电转化层12通过一次刻蚀形成，举例而言，可在第一电极层11上依次形成沉积层叠的第一半导体层121、本征半导体层122、第二半导体层123和第二电极层13，再通过一次刻蚀工艺形成光电转化层12和第二电极层13的图案。当然，也可以在形成光电转化层12的图案后再形成第二电极层13。
如图8所示，在步骤S140中，绝缘层14可覆盖光电转化层12的侧面和第二电极层13远离光电转化层12的至少部分表面。其具体结构可参考上述感光元件100中的绝缘层14，在此不再详述。
如图9所示，在步骤S150中，可直接绝缘层14上覆盖第三电极层15，第三电极层15的形状可与绝缘层14的外表面相同，从而可将进入绝缘层14内的至少部分光线反射至光电转化层12的侧面。第三电极层15的具体结构可参考上述感光元件100中的第三电极层15，在此不再详述。
本公开实施方式的制造方法还可以包括：
步骤S160、形成薄膜晶体管300。
薄膜晶体管300可形成于衬底基板200设有感光元件100的一侧，并可与感光元件100连接，以接收感光元件100发出的电信号。
步骤S160可以包括：
如图6所示，步骤S1610、在衬底基板200设有感光元件100的一侧形成栅极31。
栅极31可位于第一电极层11远离衬底基板200的一侧，例如设于保护层16远离第一电极层11的表面，当然，栅极31也可以直接形成在衬底基板200的表面。同时，栅极31与第三电极层15可通过一次构图工艺形成，即步骤S1610与步骤S150为同步完成，当然，也可分别独立形成。
如图10所示，步骤S1620、在栅极31上形成覆盖栅极31的栅绝缘层32。
如图11所示，步骤S1630、在栅绝缘层32远离第一电极层11形成有源层33，非晶硅层331和掺杂非晶硅层332，非晶硅层331位于掺杂非晶硅层332和栅绝缘层32之间。
其中，栅绝缘层32和有源层33可通过一次刻蚀形成，即可依次完成栅绝缘层32和有源层33的沉积，再通过一次刻蚀形成栅绝缘层32和有源层33的图案。
如图12所示，步骤S1640、在有源层33远离栅极31的一侧形成源漏极34。
本公开实施方式的制造方法还可以包括：
如图13所示，步骤S170、形成覆盖第三电极层15和薄膜晶体管300的钝化层400。
该钝化层400可为无机绝缘材料，例如硅的氧化物或氮化物。当然，也可以是其它绝缘且耐腐蚀的材料。
如图2所示，步骤S180、在钝化层400上形成平坦化层500。
平坦化层500的材料可为树脂或其它透明且绝缘的材料，且平坦化层500远离衬底基板200的一侧，且远离衬底基板200的表面为平面。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (11)

1.一种感光元件，其特征在于，包括：
第一电极层；
光电转化层，设于所述第一电极层；
第二电极层，设于所述光电转化层远离所述第一电极层的表面；
绝缘层，覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，且所述绝缘层为透明材质；
第三电极层，覆盖所述绝缘层，用于将进入所述绝缘层内的至少部分光线反射至所述光电转化层的侧面。
2.根据权利要求1所述的感光元件，其特征在于，所述第三电极层与所述光电转化层的侧面相对的表面向远离所述光电转化层的方向凸起。
3.根据权利要求2所述的感光元件，其特征在于，所述第三电极层与所述光电转化层的侧面相对的表面为弧面。
4.根据权利要求1所述的感光元件，其特征在于，所述绝缘层的材料为树脂，所述第三电极层的材料为金属。
5.根据权利要求1所述的感光元件，其特征在于，所述感光元件还包括：
保护层，覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，所述绝缘层覆盖所述保护层。
6.根据权利要求1-5任一项所述的感光元件，其特征在于，所述第三电极层通过穿透所述绝缘层的过孔与所述第二电极层连接，且所述过孔位于所述第二电极层远离所述光电转换层的一侧。
7.根据权利要求1-5任一项所述的感光元件，其特征在于，所述光电转化层包括：
第一半导体层，设于所述第一电极层；
本征半导体层，设于所述第一半导体层远离所述第一电极层的一侧；
第二半导体层，设于所述本征半导体层远离所述第一电极层的一侧。
8.一种光电传感探测基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
权利要求1-7任一项所述的感光元件，所述第一电极层设于所述衬底基板。
9.根据权利要求8所述的光电传感探测基板，其特征在于，所述光电传感探测基板还包括与所述感光元件连接的薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的光电传感探测基板，其特征在于，所述光电传感探测基板还包括：
钝化层，覆盖所述薄膜晶体管和所述感光元件；
平坦化层，覆盖所述钝化层。
11.一种光电传感探测基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的表面形成光电转化层；
在所述光电转化层远离所述衬底基板的表面形成第二电极层；
形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述光电转化层的侧面和所述第二电极层远离所述光电转化层的至少部分表面，且所述绝缘层为透明材质；
形成覆盖所述绝缘层的第三电极层，所述第三电极层用于将进入所述绝缘层内的至少部分光线反射至所述光电转化层的侧面。
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