CN108873517A - 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在各像素开口区中设置凹陷结构，并将凹陷结构设置在衬底基板与色阻层之间，且凹陷结构在衬底基板的正投影与所在的像素开口区在衬底基板的正投影重叠，这样可以将色阻层填充到凹陷结构中，从而使色阻层与源漏极层之间的段差减小，这样在色阻层上制备平坦化层后，可以使平坦化层的膜厚较均匀，提高平坦化层的平坦化效果，进而可以提高产品品质以及降低工艺制备难度。

Description

一种阵列基板、显示面板以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
现有的显示装置技术中，显示面板可以包括液晶显示面板(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)。其中，LCD通过在像素电极和公共电极上施加电压，形成能够控制液晶分子偏转的电场，进而控制光线的透过实现显示面板的显示功能。OLED显示面板采用有机电致发光材料，当有电流通过有机电致发光材料时，发光材料就会发光，进而实现了显示面板的显示功能。
随着显示技术的发展，出现了曲面显示技术，比如曲面屏手机，智能手表以及可折叠显示屏幕等，随着用户对手机设计感及用户体验的要求提升，曲面屏逐渐成为终端厂商的追逐热点，柔性曲面屏的开发已经成为各面板厂商的研究重点。目前手机曲面屏产品中，已经出现了OLED曲面屏，和LCD柔性曲面屏，而LCD柔性曲面屏由于相对稀缺，它已是各大面板厂的争相研究开发的对象。对于曲面显示面板来讲，如何设计出高品质的曲面显示屏，并尽可能降低工艺制备难度，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，用以解决现有技术中由于色阻层与源漏极层存在段差，导致影响产品品质的问题。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个像素单元，位于各所述像素单元的像素开口区中的色阻层，以及位于各所述像素开口区中的凹陷结构；
所述凹陷结构位于所述衬底基板与所述色阻层之间，且所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影与所在的像素开口区在所述衬底基板的正投影重叠。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在各像素开口区中设置凹陷结构，并将凹陷结构设置在衬底基板与色阻层之间，且凹陷结构在衬底基板的正投影与所在的像素开口区在衬底基板的正投影重叠，这样可以将色阻层填充到凹陷结构中，从而使色阻层与源漏极层之间的段差减小，这样在色阻层上制备平坦化层后，可以使平坦化层的膜厚较均匀，提高平坦化层的平坦化效果，进而可以提高产品品质以及降低工艺制备难度。
附图说明
图1为相关技术中的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的凹陷结构的结构示意图之一；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
图5为本发明实施例提供的凹陷结构的结构示意图之二；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之三；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之四；
图8为本发明实施例提供的凹陷结构的结构示意图之三；
图9为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之五；
图10为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
同时随着人们对显示需求的提高，为了提高显示面板的显示品质，将彩色滤光片与阵列基板集成在一起的COA(Color Filter on Array)技术应用而生。COA技术就是将不同颜色的色阻层设置于阵列基板上，从而改善漏光的问题。
COA阵列基板由于没有对盒产生漏光的问题，可以有效减少黑矩阵宽度，从而提高了像素开口率，进而提高面板透过率。如图1所示，COA阵列基板的基本结构可以包括：衬底基板100、位于衬底基板100上的多个像素单元110。像素单元110中的开口区包括光阻层112，非开口区包括薄膜晶体管111。薄膜晶体管111包括：依次设置于衬底基板100上的有源层1111、栅极1112、分别与有源层1111连接的源极1113和漏极1114。在有源层1111和栅极1112所在的源漏极层之间还设置有栅绝缘层130，用以将栅极1112和有源层1111进行绝缘。在栅极1112所在膜层与源极1113和漏极1114所在膜层之间还设置有层间介质层140，用以将栅极1112分别与源极1113和漏极1114进行绝缘，并且源极1113和漏极1114分别通过贯穿层间介质层140和栅绝缘层130的过孔与有源层1111连接。由于色阻层112的膜厚一般较厚，例如其膜厚可达1.9μm，而源极1113和漏极1114所在膜层一般为0.5μm，这样导致色阻层112与源极1113和漏极1114所在膜层之间的段差高达1.4μm。段差对取向层的涂覆、摩擦效果、甚至液晶取向都会产生不利影响，从而影响产品画面的显示品质。为了改善段差造成的不利影响，通常形成一层平坦化层120以使表面平整。然而发明人发现，平坦化层120的引入，只能对段差起到缓和作用，而并不能完全将段差填平，从而导致平坦化层120背离衬底基板100一侧的表面不平坦，例如图1中121标示出的区域，导致平坦化能力较差。
并且发明人还发现，在平坦化层120上一般还会设置位于各像素单元110中的像素电极150，同一像素单元110中的像素电极150通过贯穿平坦化层120的过孔122与漏极1114电连接。由于色阻层112与源极1113和漏极1114所在膜层之间存在较大的段差，并且平坦化层120的材料具有一定流动性，导致位于色阻层112与漏极1114交界处的平坦化层120的膜厚较厚，例如图1中121标示出的区域，这样会导致制备过孔122的工艺难度增加，或者会导致过孔122出现盲孔而造成不能实现电连接的问题。
本发明实施例提供的阵列基板，通过在各像素开口区中设置凹陷结构，用以降低色阻层与源极和漏极所在层之间的段差，提高产品品质，降低工艺制备难度。
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要注意的是，附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本发明实施例提供的阵列基板，如图2所示，包括：衬底基板100，位于衬底基板100上的多个像素单元110，位于各像素单元110的像素开口区中的色阻层112，以及位于各像素开口区中的凹陷结构200；其中，凹陷结构200位于衬底基板100与色阻层112之间，且凹陷结构200在衬底基板100的正投影与所在的像素开口区在衬底基板100的正投影重叠。
本发明实施例提供的阵列基板，通过在各像素开口区中设置凹陷结构，并将凹陷结构设置在衬底基板与色阻层之间，且凹陷结构在衬底基板的正投影与所在的像素开口区在衬底基板的正投影重叠，这样可以将色阻层填充到凹陷结构中，从而使色阻层与源漏极层之间的段差减小，这样在色阻层上制备平坦化层后，可以使平坦化层的膜厚较均匀，提高平坦化层的平坦化效果，进而可以提高产品品质以及降低工艺制备难度。这样将该阵列基板应用于曲面屏或全面屏中时，可以提高其品质。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，阵列基板还可以包括：位于衬底基板100与色阻层112之间的有源层1111、栅极1112、具有与有源层1111连接的源极1113和漏极1114的源漏极层，位于色阻层112背离衬底基板100一侧的平坦化层120。其中，平坦化层120覆盖衬底基板100，源漏极层中的源极1113和漏极1114位于像素单元110中的非开口区。由于色阻层112填充到凹陷结构200中，从而可以使色阻层112与源漏极层之间的段差减小，以使平坦化层120的膜厚较均匀，提高平坦化效果。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，阵列基板还可以包括：位于栅极1112所在膜层与有源层1111之间的栅绝缘层130，以及位于栅极1112所在膜层与源漏极层之间的层间介质层140。并且，为了提高有源层1111的附着力且避免衬底基板100中的离子扩散到有源层1111中，阵列基板还可以包括：位于有源层1111与衬底基板100之间的缓冲层160。
下面结合具体实施例，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本实施例中是为了更好的解释本发明，但不限制本发明。
实施例一、
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3所示，阵列基板可以包括：位于衬底基板100与色阻层112之间的目标膜层300。其中，目标膜层300具有凹陷结构200；凹陷结构200贯穿目标膜层300，即凹陷结构200可以为过孔。这样在目标膜层中设置贯穿该目标膜层的凹陷结构，以将色阻层填充于该凹陷结构中，从而降低色阻层与源漏极层之间的段差。
一般对于阵列基板而言，其上一般会设置有多个一整层的膜层。设置于阵列基板的凹陷结构，可以是将阵列基板中位于像素开口区中的多层膜层同时去除以形成的，也可以是将阵列基板中位于像素开口区中的某一膜层进行去除以形成的。一般在衬底基板100与色阻层112之间设置有层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160。在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，目标膜层可以包括层间介质层140一个膜层。这样可以将层间介质层140位于各像素开口区中的部分进行去除以得到凹陷结构200，以将色阻层112直接填充在层间介质层140形成的凹陷结构200中，从而降低色阻层112与源漏极层之间的段差。当然，也可以使目标膜层包括栅绝缘层一个膜层。这样可以将栅绝缘层位于各像素开口区中的部分进行去除以得到凹陷结构，这样通过将栅绝缘层位于像素单元开口区处的部分进行去除，再在该膜层上依次设置其它膜层时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，以将色阻层直接填充在该凹陷结构中，以降低色阻层与源漏极层之间的段差。或者，也可以使目标膜层包括缓冲层一个膜层。这样可以将缓冲层位于各像素开口区中的部分进行去除以得到凹陷结构，这样通过将缓冲层位于像素单元开口区处的部分进行去除，再在该膜层上依次设置其它膜层时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，以将色阻层直接填充在该凹陷结构中，以降低色阻层与源漏极层之间的段差。
在具体实施时，如图4所示，在本发明实施例中，目标膜层可以包括：层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160三个膜层。这样可以分别将层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160位于各像素开口区中的部分进行去除以得到凹陷结构200，以将色阻层112直接填充在该凹陷结构200中，从而降低色阻层112与源漏极层之间的段差。或者，也可以使目标膜层包括：缓冲层、栅绝缘层以及层间介质层中的任意两个膜层。这样通过将这两个膜层位于像素单元开口区处的部分进行去除，再在这两个膜层上依次设置其它膜层时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，再将色阻层填充在该凹陷结构中后，可以降低色阻层与源漏极层之间的段差。其中，可以采用刻蚀工艺将相应膜层位于各像素开口区中的部分进行去除。其中刻蚀工艺可以包括干刻工艺。
进一步地，在具体实施时，如图2与图4所示，该衬底基板100具有面向色阻层112的第一表面S1，源漏极层具有背离衬底基板100的第二表面S2，色阻层112具有背离衬底基板100的第三表面S3；其中，第二表面S2与第一表面S1之间的距离h1和第三表面S3与第一表面S1之间的距离h2的差值的绝对值Δh1不大于第一预设距离h01，其中，Δh1＝h2-h1，Δh1≤h01。进一步地，由于应用于不同方面的阵列基板对段差的要求不同，因此第一预设距离h01可以为根据经验得到的数值，例如第一预设距离可以为0μm～0.8μm中任一数值。
具体地，第一预设距离可以设置为0μm，这样得到的平坦化层的平坦效果最好。然而由于段差不能完全消除，而段差在一定数值，例如0.8μm时对平坦化层的影响较小，此时可以将第一预设距离设置为0.8μm。当然，在实际应用中，各膜层的厚度需要根据实际应用环境来设计确定，因此第一预设距离h01也可以根据各膜层的厚度进行确定。下面分别以图2与图4所示的阵列基板的结构为例进行说明。其中，如图2所示，在实际应用中，色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.6μm，则Δh1可以为0.8μm，此时可以将h01设置为0.8μm。如图4所示，在实际应用中色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.6μm，栅绝缘层130设置为0.06μm～0.08μm，缓冲层160设置为0.3μm～0.5μm时，则Δh1可以为0.22μm～0.44μm，此时可以将h01设置为0.44μm。当然，上述各膜层的厚度仅是举例说明，在此不作限定。
为了降低漏光，在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，阵列基板还可以包括：黑矩阵层170；其中，黑矩阵层170位于色阻层112与源漏极层之间；即制备工艺顺序依次为：源漏极层→黑矩阵层170→色阻层112。或者，如图4所示，黑矩阵层170位于色阻层112背离衬底基板100一侧；即制备工艺顺序依次为：源漏极层→色阻层112→黑矩阵层170。并且，黑矩阵层170具有背离衬底基板100的第四表面S4；其中，第四表面S4与第一表面S1之间的距离h3和第三表面S3与第一表面S1之间的距离h2的差值的绝对值Δh2不大于第二预设距离h02；其中，Δh2＝h2-h3，Δh2≤h02。并且黑矩阵在衬底基板的正投影与像素开口区在衬底基板的正投影毗邻。第二预设距离h02可以使为根据经验得到的数值，或者也可以为根据膜层的厚度确定的数值。具体地，如图2所示，目标膜层包括层间介质层140一个膜层。在色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.6μm，黑矩阵层170的膜厚大约设置为0.4μm时，可以将h02设置为0.4μm。或者，如图4所示，目标膜层包括：层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160三个膜层。在色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.6μm，栅绝缘层130设置为0.06μm～0.08μm，缓冲层160设置为0.3μm～0.5μm，黑矩阵层170的膜厚大约设置为0.2μm时，则Δh2可以为0.02μm～0.24μm，此时可以将h02设置为0.24μm。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图4所示，阵列基板还可以包括：位于平坦化层120背离衬底基板100一侧的像素电极层。其中，像素电极层中的像素电极150位于像素单元110中的像素开口区；并且同一像素单元100中，像素电极150通过贯穿平坦化层120的过孔122与源漏极层中的漏极1114电连接。由于平坦化层120的膜厚较均匀，从而可以减低制备过孔122的工艺难度，避免过孔122出现盲孔而造成不能实现电连接的问题。
实施例二、
在具体实施时，在本发明实施例中，如图5所示，阵列基板可以包括：位于衬底基板100与色阻层112之间的目标膜层300。其中，目标膜层300具有凹陷结构200；目标膜层300在凹陷结构200所在区域的厚度小于目标膜层300在其它区域的厚度。这样通过将目标膜层进行减薄形成凹陷结构，以将色阻层填充于该凹陷结构中，从而降低色阻层与源漏极层之间的段差。
一般对于阵列基板而言，其上一般会设置有多个一整层的膜层。设置于阵列基板的凹陷结构，可以是将阵列基板中位于像素开口区中的多层膜层同时进行减薄以形成的，也可以是将阵列基板中位于像素开口区中的某一膜层进行减薄以形成的。一般在衬底基板100与色阻层112之间设置有层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160。在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，目标膜层可以包括层间介质层140一个膜层。这样可以将层间介质层140位于各像素开口区中的部分进行减薄以得到凹陷结构200，以将色阻层112直接填充在层间介质层140形成的凹陷结构200中，从而降低色阻层112与源漏极层之间的段差。当然，也可以使目标膜层包括栅绝缘层一个膜层。这样可以将栅绝缘层位于各像素开口区中的部分进行减薄以得到凹陷结构，这样通过将栅绝缘层位于像素单元开口区处的部分进行减薄，再在该膜层上依次设置其它膜层时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，以将色阻层直接填充在该凹陷结构中，降低色阻层与源漏极层之间的段差。或者，也可以使目标膜层包括缓冲层一个膜层。这样可以将缓冲层位于各像素开口区中的部分进行减薄以得到凹陷结构，这样通过将缓冲层位于像素单元开口区处的部分进行去除，再在该膜层上依次设置其它膜层时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，以将色阻层直接填充在该凹陷结构中，以降低色阻层与源漏极层之间的段差。
在具体实施时，如图7所示，在本发明实施例中，目标膜层可以包括：层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160三个膜层。这样可以分别将层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160位于各像素开口区中的部分进行减薄以得到凹陷结构200，以将色阻层112直接填充在该凹陷结构200中，从而降低色阻层112与源漏极层之间的段差。或者，也可以使目标膜层包括：缓冲层、栅绝缘层以及层间介质层中的任意两个膜层。这样通过将这两个膜层位于像素单元开口区处的部分进行减薄，再在这两个膜层上依次设置其它膜层时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，再将色阻层填充在该凹陷结构中后，可以降低色阻层与源漏极层之间的段差。其中，可以采用刻蚀工艺将相应膜层位于各像素开口区中的部分进行减薄。其中刻蚀工艺可以包括干刻工艺。
进一步地，在具体实施时，如图6与图7所示，该衬底基板100具有面向色阻层112的第一表面S1，源漏极层具有背离衬底基板100的第二表面S2，色阻层112具有背离衬底基板100的第三表面S3；其中，第二表面S2与第一表面S1之间的距离h1和第三表面S3与第一表面S1之间的距离h2的差值的绝对值Δh1不大于第一预设距离h01，其中，Δh1＝h2-h1，Δh1≤h01。进一步地，由于应用于不同方面的阵列基板对段差的要求不同，因此第一预设距离h01可以为根据经验得到的数值，例如第一预设距离可以为0μm～0.8μm中任一数值。
具体地，第一预设距离可以设置为0μm，这样得到的平坦化层的平坦效果最好。然而由于段差不能完全消除，而段差在一定数值，例如0.8μm时对平坦化层的影响较小，此时可以将第一预设距离设置为0.8μm。当然，在实际应用中，各膜层的厚度需要根据实际应用环境来设计确定，因此第一预设距离h01也可以根据各膜层的厚度进行确定。下面分别以图6与图7所示的阵列基板的结构为例进行说明。其中，如图6所示，在实际应用中，色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.7μm，若层间介质层140位于像素单元110的开口区中的部分减薄0.6μm，则Δh1可以为0.8μm，此时可以将h01设置为0.8μm。如图7所示，在实际应用中色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.6μm，栅绝缘层130大约设置为0.08μm，缓冲层160大约设置为0.5μm时，若层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160位于像素单元110的开口区中的部分分别减薄0.5μm、0.07μm、0.4μm，则Δh1可以为0.43μm，此时可以将h01设置为0.43μm。当然，上述各膜层的厚度仅是举例说明，在此不作限定。
为了降低漏光，在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，阵列基板还可以包括：黑矩阵层170；其中，黑矩阵层170位于色阻层112与源漏极层之间；即制备工艺顺序依次为：源漏极层→黑矩阵层170→色阻层112。或者，如图7所示，黑矩阵层170位于色阻层112背离衬底基板100一侧；即制备工艺顺序依次为：源漏极层→色阻层112→黑矩阵层170。并且，第四表面S4与第一表面S1之间的距离h3和第三表面S3与第一表面S1之间的距离h2的差值的绝对值Δh2不大于第二预设距离h02；其中，Δh2＝h2-h3，Δh2≤h02。并且黑矩阵在衬底基板的正投影与像素开口区在衬底基板的正投影毗邻。第二预设距离h02可以使为根据经验得到的数值，或者也可以为根据膜层的厚度确定的数值。具体地，如图6所示，目标膜层包括层间介质层140一个膜层。在色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.7μm，黑矩阵层170的膜厚大约设置为0.4μm时，可以将h02设置为0.4μm。或者，如图7所示，目标膜层包括：层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160三个膜层。在色阻层112的膜厚大约设置为1.9μm，源漏极层的膜厚大约设置为0.5μm，层间介质层140的膜厚大约设置为0.6μm，栅绝缘层130大约设置为0.08μm，缓冲层160大约设置为0.5μm，黑矩阵层170的膜厚大约设置为0.2μm时，则Δh2可以为0.23μm，此时可以将h02设置为0.23μm。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6与图7所示，阵列基板还可以包括：位于平坦化层120背离衬底基板100一侧的像素电极层。其中，像素电极层中的像素电极150位于像素单元110中的像素开口区；并且同一像素单元100中，像素电极150通过贯穿平坦化层120的过孔122与源漏极层中的漏极1114电连接。由于平坦化层120的膜厚较均匀，从而可以减低制备过孔122的工艺难度，避免过孔122出现盲孔而造成不能实现电连接的问题。
实施例三、
当然，也可以将衬底基板进行减薄以形成凹陷结构。在具体实施时，如图8与图9所示，衬底基板100具有面向色阻层112的第一表面S1，第一表面S1具有凹陷结构200；衬底基板100在凹陷结构200所在区域的厚度小于衬底基板100在其它区域的厚度。这样通过将衬底基板100进行减薄形成凹陷结构，再在衬底基板100上依次设置其它膜层，例如层间介质层140、栅绝缘层130以及缓冲层160时，由于同一膜层的形成厚度一般相同，进而可以最终在像素单元开口区形成凹陷结构，以将色阻层直接填充在该凹陷结构中，从而可以降低色阻层与源漏极层之间的段差。并且，阵列基板上的其它膜层可以参见实施例一或实施例二，在此不作赘述。并且，可以采用刻蚀工艺将相应膜层位于各像素开口区中的部分进行减薄。其中刻蚀工艺可以包括干刻工艺。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。该显示面板解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示面板可以为LCD显示面板。具体地，显示面板还包括：与阵列基板相对设置的对向基板，以及封装于阵列基板与对向基板之间的液晶层。并且，显示面板还可以包括位于阵列基板与对向基板之间的公共电极；其中，公共电极可以设置于阵列基板面向对向基板的一侧，或者，公共电极也可以设置于对向基板面向阵列基板的一侧，在此不作限定。
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，已经受到广泛关注，在具体实施时，在本发明实施例中，显示面板也可以为OLED显示面板。其中，OLED显示面板包括：OLED以及用于驱动OLED发光的像素电路。其中，像素单元中的薄膜晶体管作为像素电路中的晶体管。并且OLED包括阳极、发光层以及阴极。像素单元中的像素电极作为OLED中的阳极。OLED可以包括：位于阳极与发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，以及位于阴极与发光层之间的电子注入层和电子传输层。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图10所示，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置可以为刚性显示装置，也可以为曲面、可折叠、可卷曲的柔性显示装置，本申请对此不做限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为图10所示的曲面屏的手机。当然，本发明实施例提供的显示装置可也以为：平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在各像素开口区中设置凹陷结构，并将凹陷结构设置在衬底基板与色阻层之间，且凹陷结构在衬底基板的正投影与所在的像素开口区在衬底基板的正投影重叠，这样可以将色阻层填充到凹陷结构中，从而使色阻层与源漏极层之间的段差减小，这样在色阻层上制备平坦化层后，可以使平坦化层的膜厚较均匀，提高平坦化层的平坦化效果，进而可以提高产品品质以及降低工艺制备难度。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个像素单元，位于各所述像素单元的像素开口区中的色阻层，以及位于各所述像素开口区中的凹陷结构；
所述凹陷结构位于所述衬底基板与所述色阻层之间，且所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影与所在的像素开口区在所述衬底基板的正投影重叠。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：位于所述衬底基板与所述色阻层之间的目标膜层；其中，所述目标膜层具有所述凹陷结构；
所述凹陷结构贯穿所述目标膜层；或者，
所述目标膜层在所述凹陷结构所在区域的厚度小于所述目标膜层在其它区域的厚度。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层包括：层间介质层、栅绝缘层以及缓冲层中之一或组合。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述色阻层之间的源漏极层；
所述衬底基板具有面向所述色阻层的第一表面，所述源漏极层具有背离所述衬底基板的第二表面，所述色阻层具有背离所述衬底基板的第三表面；其中，所述第二表面与所述第一表面之间的距离和所述第三表面与所述第一表面之间的距离的差值的绝对值不大于第一预设距离。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一预设距离为0μm～0.8μm中任一数值。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：黑矩阵层；其中，所述黑矩阵层位于所述色阻层与所述源漏极层之间的黑矩阵层或者位于所述色阻层背离所述衬底基板一侧；
所述黑矩阵层具有背离所述衬底基板的第四表面；其中，所述第四表面与所述第一表面之间的距离和所述第三表面与所述第一表面之间的距离的差值的绝对值不大于第二预设距离；
所述黑矩阵在所述衬底基板的正投影与所述像素开口区在所述衬底基板的正投影毗邻。
7.如权利要求4-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述色阻层背离所述衬底基板一侧的平坦化层与像素电极层；其中，所述平坦化层覆盖所述衬底基板，所述像素电极层中的像素电极位于所述像素单元中的像素开口区，所述源漏极层中的源极和漏极分别位于所述像素单元中的非开口区；
同一所述像素单元中，所述像素电极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述源漏极层中的漏极电连接。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板具有面向所述色阻层的第一表面，所述第一表面具有所述凹陷结构；
所述衬底基板在所述凹陷结构所在区域的厚度小于所述衬底基板在其它区域的厚度。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：与所述阵列基板相对设置的对向基板，以及封装于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
11.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为OLED显示面板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9-11任一项所述的显示面板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021653A (zh) * 2019-04-23 2019-07-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012150323A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタの欠陥修正方法及びカラーフィルタ基板
JP2013025148A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法
CN203688950U (zh) * 2013-12-19 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN104375344A (zh) * 2014-11-21 2015-02-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其彩膜阵列基板
CN104965366A (zh) * 2015-07-15 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构
CN105954953A (zh) * 2016-07-13 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板和显示装置
CN106054473A (zh) * 2016-05-27 2016-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Coa基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法
CN106940504A (zh) * 2017-05-04 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及液晶显示面板、显示装置
CN107664891A (zh) * 2017-10-26 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
CN107728391A (zh) * 2017-10-19 2018-02-23 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012150323A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタの欠陥修正方法及びカラーフィルタ基板
JP2013025148A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法
CN203688950U (zh) * 2013-12-19 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN104375344A (zh) * 2014-11-21 2015-02-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其彩膜阵列基板
CN104965366A (zh) * 2015-07-15 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构
CN106054473A (zh) * 2016-05-27 2016-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Coa基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法
CN105954953A (zh) * 2016-07-13 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板和显示装置
CN106940504A (zh) * 2017-05-04 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及液晶显示面板、显示装置
CN107728391A (zh) * 2017-10-19 2018-02-23 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN107664891A (zh) * 2017-10-26 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021653A (zh) * 2019-04-23 2019-07-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
WO2020216225A1 (zh) * 2019-04-23 2020-10-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
US11569307B2 (en) 2019-04-23 2023-01-31 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

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