CN108807497A - 一种amoled显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED显示面板及其制备方法，该AMOLED显示面板中，包括衬底基板，衬底基板的一侧依次设有发光层和阴极层，阴极层背离衬底基板的一侧设有透明导电膜层，透明导电膜层与阴极层电连接，以使透明导电膜层与阴极层并联。上述AMOLED显示面板中，衬底基板上依次设置有发光层和阴极层，并且阴极层背离衬底基板的一侧设有与阴极层电连接的透明电极层，使得透明导电膜层与阴极层并联，即通过透明电极层与阴极层电连接扩大了电流的通道，降低了阴极电阻，从而使得远离集成电路一侧的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性。

Description

一种AMOLED显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种AMOLED显示面板及其制备方法。
背景技术
随着AMOLED近些年的需求不断增加，市场对其参数的要求也越来越高，而亮度就是其中的一项重要指标，它关系着良好的用户体验，所以客户往往不断对亮度均一性提出更高要求，但是由于压降的原因，使得屏幕在远离集成电路侧，亮度会出现下降，进而导致整个屏幕的亮度均一性变差。
发明内容
本发明提供了一种AMOLED显示面板及其制备方法，该AMOLED显示面板中，通过在阴极层上设置与其电连接的透明导电膜层扩大了电流的通道，降低了阴极电阻，从而使得远离集成电路一侧的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种AMOLED显示面板，包括衬底基板，所述衬底基板的一侧依次设有发光层和阴极层，所述阴极层背离所述衬底基板的一侧设有透明导电膜层，所述透明导电膜层与所述阴极层电连接，以使所述透明导电膜层与所述阴极层并联。
上述AMOLED显示面板中，衬底基板上依次设置有发光层和阴极层，并且阴极层背离衬底基板的一侧设有与阴极层电连接的透明电极层，使得透明导电膜层与阴极层并联，即通过透明电极层与阴极层电连接扩大了电流的通道，降低了阴极电阻，从而使得远离集成电路一侧的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性；
另外，透明导电膜层具有高透过率，保证了发光层的出光率。
优选地，所述透明导电膜层与所述阴极层间设有偏光片，所述偏光片上形成有多个过孔，所述透明阴极层通过所述过孔与所述阴极层电连接，且所述过孔在所述衬底基板上的投影位于像素定义层在所述衬底基板上的投影内。
优选地，所述透明导电膜层背离所述衬底基板的一侧设有保护层。
优选地，所述透明导电膜层背离所述衬底基板的一侧依次设有偏光片和保护层。
优选地，所述透明导电膜层为ITO膜层。
优选地，所述阴极层由镁银合金制成。
本发明还提供了一种AMOLED显示面板的制备方法，包括：
在衬底基板上制备像素定义层，并通过刻蚀工艺形成像素定义层的图案；
制备发光层；
制备阴极层；
制备透明导电膜层，所述透明导电膜层与所述阴极层电连接。
优选地，在所述在阴极层上制备透明导电膜层之前，还包括：
在所述阴极层上制备偏光片层，并通过构图工艺形成多个过孔，每个所述过孔在所述衬底基板上的投影位于所述像素定义层在所述衬底基板上的投影。
优选地，还包括：
在所述透明导电膜层上制备保护层。
优选地，还包括：
在所述透明导电膜上制备偏光片；
制备保护膜。
附图说明
图1为本发明提供的AMOLED显示面板方式一的结构示意图；
图2为本发明提供的AMOLED显示面板方式二的结构示意图。
图标：1-衬底基板；2-发光层；3-阴极层；4-透明导电膜层；5-偏光片；6-保护层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明实施例提供的一种AMOLED显示面板，包括衬底基板1，衬底基板1的一侧依次设有发光层2和阴极层3，阴极层3背离衬底基板1的一侧设有透明导电膜层4，透明导电膜层与阴极层电连接，以使透明导电膜层与阴极层并联。
上述AMOLED显示面板中，衬底基板1上依次设置有发光层2和阴极层3，并且阴极层3背离衬底基板1的一侧设有与阴极层3电连接的透明电极层，使得透明导电膜层与阴极层并联，即通过透明电极层与阴极层3电连接扩大了电流的通道，降低了阴极电阻，从而使得远离集成电路一侧的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性；
另外，透明导电膜层4具有高透过率，保证了发光层2的出光率。
根据透明导电膜层4与阴极层3电连接，透明导电膜层4的设置位置方式有以下两种实施方式：
方式一：
如图1所示，衬底基板1上依次设置发光层2、阴极层3、透明导电膜层4、偏光片5和保护层6，其中，透明导电膜层4直接形成在阴极层3上与阴极层3电连接，以达到降低阴极层3电阻的效果。
方式二：
如图2所示，衬底基板1上依次设置发光层2、阴极层3、偏光片5、透明导电膜层4和保护膜层，偏光片5上形成有多个过孔，透明阴极层3通过过孔与阴极层3电连接，且过孔在衬底基板1上的投影位于像素定义层在衬底基板1上的投影内。
方式二中，偏光片5上形成多个过孔，透明导电膜层4通过过孔与阴极层3电连接，从而实现减小阴极层3电阻的效果，使得显示面板远离集成电路的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性；
另外，本实施例中，过孔在衬底基板1上的投影位于像素定义层在衬底基板1上的投影内，保证了发光层2正常出光。
上述方式一和方式二中均设有保护膜，保护膜可对透明导电膜或偏光片5起到防划伤的作用，以延长显示面板的寿命。
具体地，透明导电膜层4为ITO膜层。
上述透明导电膜层4选用ITO，ITO膜层具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性，在于阴极层3电连接的同时保证了光的透过率。
具体地，阴极层3由镁银合金制成。
本发明实施例还提供了一种AMOLED显示面板的制备方法，包括：
在衬底基板1上制备像素定义层，并通过刻蚀工艺形成像素定义层的图案；
制备发光层2；
制备阴极层3；
制备透明导电膜层4，透明导电膜层4与阴极层3电连接。
上述AMOLED显示面板的制备方法中，通过在阴极层3背离衬底基板1的一侧设置与阴极层3电连接的透明导电膜层4，扩大了电流的通道，降低了阴极电阻，从而使得远离集成电路一侧的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性。
具体地，在在阴极层3上制备透明导电膜层4之前，还包括：
在阴极层3上制备偏光片5层，并通过构图工艺形成多个过孔，每个过孔在衬底基板1上的投影位于像素定义层在衬底基板1上的投影。
上述偏光片5上形成多个过孔，透明导电膜层4通过过孔与阴极层3电连接，从而实现减小阴极层3电阻的效果，使得显示面板远离集成电路的压降减小，提高了显示面板亮度的均一性；
另外，本实施例中，过孔在衬底基板1上的投影位于像素定义层在衬底基板1上的投影内，保证了发光层2正常出光。
具体地，还包括：
在透明导电膜层4上制备保护层6。
上述透明导电膜层4上设有保护膜，保护膜可对透明导电膜起到防划伤的作用，以延长显示面板的寿命。
具体地，还包括：
在透明导电膜上制备偏光片5；
制备保护膜。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种AMOLED显示面板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板的一侧依次设有发光层和阴极层，所述阴极层背离所述衬底基板的一侧设有透明导电膜层，所述透明导电膜层与所述阴极层电连接，以使所述透明导电膜层与所述阴极层并联。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述透明导电膜层与所述阴极层间设有偏光片，所述偏光片上形成有多个过孔，所述透明阴极层通过所述过孔与所述阴极层电连接，且所述过孔在所述衬底基板上的投影位于像素定义层在所述衬底基板上的投影内。
3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述透明导电膜层背离所述衬底基板的一侧设有保护层。
4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述透明导电膜层背离所述衬底基板的一侧依次设有偏光片和保护层。
5.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述透明导电膜层为ITO膜层。
6.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述阴极层由镁银合金制成。
7.一种AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制备像素定义层，并通过刻蚀工艺形成像素定义层的图案；
制备发光层；
制备阴极层；
制备透明导电膜层，所述透明导电膜层与所述阴极层电连接。
8.根据权利要求7所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述在阴极层上制备透明导电膜层之前，还包括：
在所述阴极层上制备偏光片层，并通过构图工艺形成多个过孔，每个所述过孔在所述衬底基板上的投影位于所述像素定义层在所述衬底基板上的投影。
9.根据权利要求8所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述透明导电膜层上制备保护层。
10.根据权利要求7所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述透明导电膜上制备偏光片；
制备保护膜。
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