CN108803233B - 一种掩模版的制备方法 - Google Patents
一种掩模版的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108803233B CN108803233B CN201811011755.6A CN201811011755A CN108803233B CN 108803233 B CN108803233 B CN 108803233B CN 201811011755 A CN201811011755 A CN 201811011755A CN 108803233 B CN108803233 B CN 108803233B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graph
- pattern
- type
- layer
- simulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Abstract
本发明提供了一种掩模版的制备方法，利用已有的光学临近修正模型对初始目标图形中的第二层图形进行修正之前，对初始目标图形中覆盖部分所述第二层图形的第一层图形按照图形的设计规则划分为第一类图形和第二类图形并针对所述第一类图形和所述第二类图形分别设定检查规格以减少利用仿真模拟软件对修正结果进行检查时误报错的次数，从而减少检查所需的时间，提高最终晶圆的出版效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩模版的制备方法。
背景技术
光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将设计图形通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图形结构复制到生产芯片的晶圆上。但是由于光学临近效应(Opticle Proximity Effect，OPE)，设计图形经过曝光之后复制到晶圆上的实际图形会产生偏差。为了避免出现此问题，通常对掩膜版进行光学临近修正(Optical Proximity Correction，OPC)。OPC的基本思想是：对集成电路设计的图形进行预先的修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的OPE效应。因此，使用经过OPC的图形做成的掩膜版，通过光刻以后，在晶片上就能得到最初想要的电路结构。
随着技术节点的不断降低，半导体器件的特征尺寸不断减小，OPE导致硅片上的光刻图形与掩模版上图形的偏差问题越来越严重，因此OPC在半导体制造中愈发显得重要。现有技术针对光学临近效应修正后的设计版图按照统一规格和标准来判定修正是否正确，但由于设计图形逐渐变得复杂，设计图形的种类多有不同，这种规格统一的检查方法使得不同种类的设计图形的检查变得复杂，更有可能会造成报错，从而会对工程技术人员判定和解决问题造成干扰，增加了光学临近效应校正的处理时间，导致通过OPC的晶圆的出版效率渐渐无法满足晶圆厂的产能需求，所以现阶段面临的一大挑战就是在尽可能满足工艺要求的情况下，减小对光学临近效应校正后的设计版图检查的时间以提高掩模版出版的效率，从而最终提高晶圆的出版效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩模版的制备方法，以解决现有技术中晶圆出版效率不高的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种掩模版的制备方法，所述方法包括：
步骤S01：提供初始目标图形，所述初始目标图形包括第一层图形和第二层图形，所述第一层图形包括多个结构图形，按照图形的设计规则将多个所述结构图形分为第一类图形和第二类图形；
步骤S02：利用光学临近修正模型对所述第二层图形进行修正；
步骤S03：在已有的仿真模拟软件上针对所述第一类图形设定第一检查规格，针对所述第二类图形设定第二检查规格，并利用所述仿真模拟软件对所述第一类图形、所述第二类图形以及修正后的所述第二层图形进行仿真以及按所述第一检查规格和第二检查规格分别执行检查步骤；
步骤S04：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若报错，则判断所述报错是否存在工艺风险，若无风险，则认定对所述第二图形进行修正后的初始目标图形为终极目标图形，若存在风险，则再次执行步骤S02和步骤S03，以得到终极目标图形；
步骤S05：按终极目标图形，制备掩模版。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述第一类图形和所述第二类图形分别覆盖部分所述第二层图形；对所述第一类图形进行仿真得到第一仿真图形，对所述第二类图形进行仿真得到第二仿真图形，对修正后的所述第二层图形进行仿真得到第三仿真图形，所述第一仿真图形和所述第二仿真图形分别覆盖部分所述第三仿真图形。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述第一检查规格包括：所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第一类图形的面积的比值；所述第二检查规格包括：所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第二仿真图形的面积的比值和所述第二类图形的面积与所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积的比值的乘积。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述方法还包括：在步骤S03之前，获得所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积根据所述初始目标图形的设计规格计算获得。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，在步骤S03中，所述检查步骤包括：
所述仿真模拟软件计算所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积、所述第二仿真图形的面积以及所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积；以及，
将所述仿真模拟软件计算的结果分别代入所述第一检查规格和所述第二检查规格中再次进行计算。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错包括：
若通过所述第一检查规格计算得出的值大于90％则不报错，小于或等于90％则报错；
若通过所述第二检查规格计算得出的值大于90％则不报错，小于或等于90％则报错。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述方法还包括：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若不报错，则认定对所述第二层图形进行修正后的初始目标图形为所述终级目标图形。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述第一层图形为制作介质层的图形，所述结构图形为制作接触孔的图形，所述第二层图形为制作金属层的图形。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述第一类图形为正方形的接触孔图形，所述第二类图形为长方形的接触孔图形。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述仿真模拟软件为图形处理软件。
可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述光学临近修正模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立。
在本发明提供的掩模版的制备方法中，利用已有的光学临近修正模型对初始目标图形中的第二层图形进行修正之前，对初始目标图形中覆盖部分所述第二层图形的第一层图形按照图形的设计规则划分为第一类图形和第二类图形并针对所述第一类图形和所述第二类图形分别设定检查规格以减少利用仿真模拟软件对修正结果进行检查时误报错的次数，从而减少检查所需的时间，提高最终晶圆的出版效率。
附图说明
图1是本发明实施例的掩模版的制备方法的流程图；
图2a和图2b分别为本发明实施例中正方形和长方形的接触孔图形在金属层上的覆盖情形示意图；
图3为利用已有的OPC检查方法以及本发明实施例中的OPC检查方法对量产品进行检查后误报错数目对比图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的掩模版的制备方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
如图1所示，本发明实施例提供一种掩模版的制备方法。
首先，执行步骤S01，提供初始目标图形，所述初始目标图形包括第一层图形和第二层图形，所述第一层图形包括多个结构图形，按照图形的设计规则将多个所述结构图形分为第一类图形和第二类图形。
其中，位于同一基板中的所述第一层图形与所述第二层图形在位置上是相互接触的关系，也就是说，多个所述结构图形均覆盖部分所述第二层图形，即所述第一类图形和所述第二类图形分别覆盖部分所述第二层图形。
另外，在本步骤中，可通过所述初始目标图形的设计规格计算获取所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积，以留做后续检查规格的建立。
然后，执行步骤S02，利用光学临近修正(OPC)模型对所述第二层图形进进行修正。其中，所述OPC模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立。
接着，执行步骤S03，对OPC的结果进行检查：在已有的仿真模拟软件上针对所述第一类图形设定第一检查规格，针对所述第二类图形设定第二检查规格，并利用所述仿真模拟软件对所述第一类图形、所述第二类图形以及修正后的所述第二层图形进行仿真以及按所述第一检查规格和第二检查规格分别执行检查步骤。
同样地，在本步骤中，对所述第一类图形进行仿真得到的第一仿真图形以及对所述第二类图形进行仿真得到的第二仿真图形也分别覆盖部分对修正的所述第二层图形进行仿真得到的第三仿真图形。
具体地，所述第一检查规格包括：所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第一类图形的面积的比值；所述第二检查规格包括：所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第二仿真图形的面积的比值和所述第二类图形的面积与所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积的比值的乘积。
进一步具体地，所述检查步骤包括：所述仿真模拟软件计算所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积、所述第二仿真图形的面积以及所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积；以及，将所述仿真模拟软件计算的结果分别代入所述第一检查规格和所述第二检查规格中再次进行计算。
可选地，所述仿真模拟软件为图形处理软件(Calibre WorkBench)。
再接着，执行步骤S04：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若报错，则判断所述报错是否存在工艺风险，若无风险，则认定对所述第二图形进行修正后的初始目标图形为终极目标图形，若存在风险，则再次执行步骤S02和步骤S03，以得到终极目标图形；若不报错，则认定对所述第二层图形进行修正后的初始目标图形为所述终级目标图形。
其中，所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错包括：若通过所述第一检查规格计算得出的值大于90％则不报错，小于或等于90％则报错；若通过所述第二检查规格计算得出的值大于90％则不报错，小于或等于90％则报错。
最后，执行步骤S05：按终极目标图形，制备掩模版。
以上所述方法适用于掩模版图形中的任意某层的多个结构图形分别覆盖部分另一层的情形。例如，不同金属层或者金属层与衬垫层的导通可通过金属插塞实现，金属插塞的形成包括：在金属层与金属层之间或者金属层与衬垫层之间的介质层形成接触孔，在接触孔内填入金属。故可选地，所述第一层图形为制作介质层的图形，所述结构图形为制作接触孔的图形，所述第二层图形为制作金属层的图形。进一步地，所述第一类图形为正方形的接触孔图形，所述第二类图形为长方形的接触孔图形。由于介质层跟金属层相互接触，故所述正方形的接触孔图形和所述长方形的接触孔图形分别覆盖部分所述金属层图形，而且对所述正方形的接触孔图形进行仿真得到第一仿真图形以及对所述所述长方形的接触孔图形进行仿真得到第二仿真图形后，所述第一仿真图形和所述第二仿真图形也分别覆盖部分对所述金属层图形进行仿真得到的第三仿真图形。正方形的接触孔图形在金属层上的覆盖情形可参见图2a，长方形的接触孔图形在金属层上的覆盖情形可参见图2b。
下面将通过接触孔图形和金属层图形来对本发明实施例的有益效果进行阐述。
原有的OPC检查方法对所述正方形的接触孔图形和所述长方形的接触孔图形使用相同的检查规格，而本发明实施例中的OPC检查方法对所述正方形的接触孔图形和所述长方形的接触孔图形分别设定检查规格，分别采用原有的OPC检查方法和本发明实施例中的OPC检查方法对10套经过OPC修正后的量产品进行检查，如图3所示，a代表经原有的OPC检查方法检查后误报错的数量以及所占的比例，b代表经本发明实施例中的OPC检查方法检查后误报错的数量以及所占的比例，从图中可以看出，相对原有的OPC检查方法而言，通过本发明实施例中的OPC检查方法检查后误报错数量平均减小了70％左右。需要说明的是，这里所述本发明实施例中的OPC检查方法对应本发明实施例中的步骤S03。
综上所述，在本发明提供的掩模版的制备方法中，利用已有的光学临近修正模型对初始目标图形中的第二层图形进行修正之前，对初始目标图形中覆盖部分所述第二层图形的第一层图形按照图形的设计规则划分为第一类图形和第二类图形并针对所述第一类图形和所述第二类图形分别设定检查规格以减少利用仿真模拟软件对修正结果进行检查时误报错的次数，从而减少检查所需的时间，提高最终晶圆的出版效率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩模版的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S01：提供初始目标图形，所述初始目标图形包括第一层图形和第二层图形，所述第一层图形包括多个结构图形，按照图形的设计规则将多个所述结构图形分为第一类图形和第二类图形；
步骤S02：利用光学临近修正模型对所述第二层图形进行修正；
步骤S03：在已有的仿真模拟软件上针对所述第一类图形设定第一检查规格，针对所述第二类图形设定第二检查规格，并利用所述仿真模拟软件对所述第一类图形、所述第二类图形以及修正后的所述第二层图形进行仿真以及按所述第一检查规格和第二检查规格分别执行检查步骤；
步骤S04：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若报错，则判断所述报错是否存在工艺风险，若无风险，则认定对所述第二类图形进行修正后的初始目标图形为终极目标图形，若存在风险，则再次执行步骤S02和步骤S03，以得到终极目标图形；
步骤S05：按终极目标图形，制备掩模版；
其中，所述第一类图形和所述第二类图形分别覆盖部分所述第二层图形；对所述第一类图形进行仿真得到第一仿真图形，对所述第二类图形进行仿真得到第二仿真图形，对修正后的所述第二层图形进行仿真得到第三仿真图形，所述第一仿真图形和所述第二仿真图形分别覆盖部分所述第三仿真图形；所述第一检查规格包括：所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第一类图形的面积的比值；所述第二检查规格包括：所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第二仿真图形的面积的比值和所述第二类图形的面积与所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积的比值的乘积。
2.如权利要求1所述的掩模板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在步骤S03之前，获得所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积。
3.如权利要求1所述的掩模板的制备方法，其特征在于，所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积根据所述初始目标图形的设计规格计算获得。
4.如权利要求1所述的掩模板的制备方法，其特征在于，在步骤S03中，所述检查步骤包括：
所述仿真模拟软件计算所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积、所述第二仿真图形的面积以及所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积；以及，
将所述仿真模拟软件计算的结果分别代入所述第一检查规格和所述第二检查规格中再次进行计算。
5.如权利要求4所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错包括：
若通过所述第一检查规格计算得出的值大于90％则不报错，小于或等于90％则报错；
若通过所述第二检查规格计算得出的值大于90％则不报错，小于或等于90％则报错。
6.如权利要求1所述的掩模板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若不报错，则认定对所述第二层图形进行修正后的初始目标图形为所述终级目标图形。
7.如权利要求1所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述第一层图形为制作介质层的图形，所述结构图形为制作接触孔的图形，所述第二层图形为制作金属层的图形。
8.如权利要求1所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述第一类图形为正方形的接触孔图形，所述第二类图形为长方形的接触孔图形。
9.如权利要求1所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述仿真模拟软件为图形处理软件。
10.如权利要求1所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述光学临近修正模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811011755.6A CN108803233B (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 一种掩模版的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811011755.6A CN108803233B (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 一种掩模版的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108803233A CN108803233A (zh) | 2018-11-13 |
| CN108803233B true CN108803233B (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=64081510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811011755.6A Active CN108803233B (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 一种掩模版的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108803233B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113376954B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-03-22 | 上海积塔半导体有限公司 | Opc检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103472672A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 校正光学邻近校正模型的方法 |
| CN105825036A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-08-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种版图设计规则的优化方法及系统 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010250286A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-11-04 | Toshiba Corp | フォトマスク、半導体装置、荷電ビーム描画装置 |
| CN103309149B (zh) * | 2013-06-08 | 2016-03-23 | 上海华力微电子有限公司 | 光学临近效应修正方法 |
-
2018
- 2018-08-31 CN CN201811011755.6A patent/CN108803233B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103472672A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 校正光学邻近校正模型的方法 |
| CN105825036A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-08-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种版图设计规则的优化方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108803233A (zh) | 2018-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100826655B1 (ko) | 광 근접 효과 보정 방법 | |
| US7139996B2 (en) | Mask pattern correction apparatus and mask pattern correction method and mask preparation method and method of production of a semiconductor device | |
| US20150169820A1 (en) | Weak points auto-correction process for opc tape-out | |
| JP2008176303A (ja) | マスク生成方法、マスク形成方法、パターン形成方法および半導体装置 | |
| CN109426083B (zh) | 光刻工艺的优化方法及其优化系统和光刻方法 | |
| CN108803233B (zh) | 一种掩模版的制备方法 | |
| US6420077B1 (en) | Contact hole model-based optical proximity correction method | |
| WO2022110902A1 (zh) | 光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质 | |
| KR101074106B1 (ko) | 포토마스크의 디자인방법 및 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조하는 방법 | |
| CN110361926B (zh) | 光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法 | |
| CN116520646A (zh) | 改善套刻精度的方法 | |
| CN110221514B (zh) | 光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法 | |
| CN112415864B (zh) | 一种确定opc最小分割长度的方法 | |
| US20030186141A1 (en) | Multi-exposure lithography method and system providing increased overlay accuracy | |
| CN108681205B (zh) | 栅极区域的opc验证方法 | |
| US20080044739A1 (en) | Correction Of Resist Critical Dimension Variations In Lithography Processes | |
| TWI514492B (zh) | 驗證晶圓之電性測試是否存在偏移誤差的方法 | |
| US8288063B2 (en) | Defense system in advanced process control | |
| US7294440B2 (en) | Method to selectively correct critical dimension errors in the semiconductor industry | |
| JP2005250360A (ja) | マスクパターンの検証装置および検証方法 | |
| JP2012164811A (ja) | 半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法 | |
| CN112987488B (zh) | Opc修正方法 | |
| KR20070101905A (ko) | 광 근접 보정 검증 방법 | |
| KR20090052659A (ko) | 반도체 소자의 설계 방법 | |
| CN106154736B (zh) | 提升图案精密度的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |