CN108788944B - 一种导光膜的裁切抛光工艺 - Google Patents

一种导光膜的裁切抛光工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种导光膜的裁切抛光工艺,包括：来料检测和测量目检筛选出符合规格的原膜,并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,所述设定翘曲规格为0～5mm；整平及裁切撕除设定宽幅的原膜表面的保护膜,并露出十字标靶；利用整平机对设定宽幅的原膜烘烤整平；通过CCD定位装置抓取十字标靶,并由裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片；抛光测量单片导光膜片的表面粗糙度；依据测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；对单片导光膜进行除尘及堆叠；对堆叠的导光膜进行整平抛光；检测及清洁使用三次元测量仪对导光膜进行测量,并将进行二次除尘导光膜进行双模覆膜包装。

Description

一种导光膜的裁切抛光工艺
技术领域
本发明涉光学膜加工技术领域,特别涉及一种导光膜的裁切抛光工艺。
背景技术
在高精度模切行业中,目前应用到手机行业的导光膜,具有超薄、发光均匀、色彩多变特点,同时,导光膜还具有高折射率和不同疏密网点的微结构,导光膜具有超薄厚度但不影响手感。
但是,在手机中使用时对导光膜的要求是较为严苛的,因而导致导光膜的加工工艺极其复杂,因此,使用一般的裁切机及裁切工艺难以达到精密裁切、网点对位准确的要求,且在导光膜裁切后对导光膜四面进行抛光微结构加工难度大,导光膜的翘曲值难以控制，再者，现有的模切机及裁切抛光工艺裁切精度有限,无法达到客户之品质要求。
目前,在相关技术领域中,尚缺少较佳的导光膜裁切抛光工艺。
发明内容
本发明的解决的技术问题是针对上述现有技术中的存在的缺陷,提供一种导光膜的裁切抛光工艺,采用该裁切抛光工艺制备的导光膜精度高,边缘光滑,翘曲度低。
为解决上述技术问题,本发明采取的技术方案如下:一种导光膜的裁切抛光工艺,包括如下步骤:
步骤A.来料检测和测量
目检筛选出符合规格的原膜,并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,所述设定翘曲规格为0～5mm；
步骤B.整平及裁切
ⅰ.撕除设定宽幅的原膜表面的保护膜,并露出已成型在原膜上的十字标靶；
ⅱ.利用整平机对设定宽幅的原膜进行烘烤整平,且使在烘烤整平后的原膜翘曲值为0～3mm,烘烤整平时,整平机温度设定为35～50℃,烘烤时间为0.5～1h；
ⅲ.通过裁切机的CCD定位装置抓取原膜上的十字标靶,并由裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片,且每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.1～0.2mm的微整抛光区；
步骤C.抛光
a.利用粗度测量仪测量单片导光膜片的表面粗糙度；
b.将单片导光膜片放在抛光机的定位治具上,并依据粗度测量仪测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；所述工作参数包括抛光刀具转速、进刀量及抛光速度；
c.利用自动滚轴清洁机对完成抛光的单片导光膜进行除尘,并将除尘的单片导光膜进行堆叠；
d.使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光；
步骤D.检测及清洁
使用三次元测量仪对完成抛光的导光膜进行测量,并将使用自动滚轴清洁机进行二次除尘且完成测量的导光膜进行双模覆膜包装,所述测量包括测量导光膜的尺寸、厚度及微孔结构的尺寸。
作为对上技术方案的进一步阐述，
在上述技术方案中,在步骤i之后,所述裁切抛光工艺还包括：
若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值≤3mm,则进行步骤ⅲ；
若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值＞3mm,则进行步骤ⅱ。
在上述技术方案中,在步骤C的使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光之后，所述裁切抛光工艺还包括：
利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量,
若测量的粗糙度Ra≤0.55,则进行步骤D,
若测量的粗糙度度Ra＞0.55,则进行步骤C。
在上述技术方案中,所述目检筛选出符合规格的原膜包括:目检筛选出无点或无线的原膜。
在上述技术方案中,所述的利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜还包括：
裁取尺寸为10mm×10mm的样本原膜；
使用厚度规测量并获取样本原膜的翘曲值；
将获取的样本原膜的翘曲值与翘曲规格表比对，匹配筛选出翘曲值符合设定翘曲规格的原膜。
在上述技术方案中,步骤B中，所述设定宽幅为800mm～1000mm；烘烤整平时,整平机温度设定为40℃,烘烤时间为0.5h；对位裁切后，每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.2mm的微整抛光区。
在上述技术方案中,所述裁切机为26″光学膜片油压对位裁切机。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:一是，本发明的裁切抛光工艺在裁切机上增加了高精度十字标靶探点,对导光膜进行定点对位裁切，并对模切后的导光膜周边边缘进行微整，使其边缘更加圆滑，同时对与导光膜适配的元器件圆形孔位抛光,且不会对光发射率造成衰减，保证亮度的情况下，导光膜的其他性能亦不会有影响；二是，本发明的裁切抛光工艺在裁切前采用整平机整平，防止原膜翘曲；三是，摒弃传统的单峰刀裁切，使用较好的双峰刀进行冲切，冲切端面更加平滑；四是,后段采用堆叠抛光对导光膜四周端面及圆形内孔位微结构进行加工；五是,对抛光完成后的导光膜清洁完毕后进行覆膜包装防尘，避免极小尘埃粒子吸附。
附图说明
图1为本发明实施例的裁切抛光工艺的流程图；
图2是采用本发明实施例的裁切抛光工艺进行导光模加工的生产线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
参考附图1-2，一种导光膜的裁切抛光工艺,分如下步骤完成：来料检测和测量(S01)→整平及裁切(SO2)→抛光(S03)→检测及清洁(S04)；需要说明的是，导光膜的原材料(原膜)已成型有用于标记定位的十字标靶；其本实施例所使用的裁切机26″光学膜片油压对位裁切机,且其集成的CCD定位装置并采用双峰刀进行裁切；
导光膜的裁切抛光工艺具体包括如下
步骤S01.来料检测和测量
目检筛选出符合规格的原膜,并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,所述设定翘曲规格为0～5mm；需要说明的是,在步骤S01中，所述的目检筛选出符合规格的原膜包括:目检筛选出无点或无线的原膜，也就是在来料检测时，只要目检检测到原膜隔膜上具有点或线则判定为不能用于制备导光膜的原膜；。
步骤S02.整平及裁切
步骤S2-1.撕除设定宽幅的原膜表面的保护膜,并露出已成型在原膜上的十字标靶；
在步骤S2-1之后,还包括依据步骤S01筛选出的原膜的翘曲值判别是否进行烘烤整平,该判别过程包括：
步骤S2-11,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值≤3mm,则进行步骤S2-3；
步骤S2-12,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值＞3mm,则进行步骤S2-2,也即进行烘烤整平；而在实际中,测量的原膜的翘曲值不大于5mm,到原膜的翘曲值大于5mm时，在来料检测阶段则直接判退了。
步骤S2-2.利用整平机对设定宽幅的原膜进行烘烤整平,在本实施例中,设定宽幅为800mm～1000mm；且使在烘烤整平后的原膜翘曲值为0～3mm,烘烤整平时,整平机温度设定为35～50℃,烘烤时间为0.5～1h；
步骤S2-3.通过裁切机的CCD定位装置抓取原膜上的十字标靶,并由裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片,且每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.1～0.2mm的微整抛光区；
步骤S03.抛光
步骤S3-1.利用粗度测量仪测量单片导光膜片的表面粗糙度；
步骤S3-2.将单片导光膜片放在抛光机的定位治具上,并依据粗度测量仪测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；所述工作参数包括抛光刀具转速、进刀量及抛光速度；
步骤S3-3.利用自动滚轴清洁机对完成抛光的单片导光膜进行除尘,并将除尘的单片导光膜进行堆叠；
步骤S3-4.使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光；
在本实施例中，在步骤S3-4所述的使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光之后，还包括：利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量,且
若测量的粗糙度Ra≤0.55,则进行步骤S04,
若测量的粗糙度度Ra＞0.55,则进行步骤S03,也即进行再次抛光；
当然,需要说明的是,利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量时，选用的是多点测量,通过验证多点的粗糙度而匹配评判导光膜的粗糙度；
实际中,一组测试数据参考如下表格：
Figure BDA0001735647680000051
步骤S04.检测及清洁
使用三次元测量仪对完成抛光的导光膜进行测量,并将使用自动滚轴清洁机进行二次除尘且完成测量的导光膜进行双模覆膜包装,所述测量包括测量导光膜的尺寸、厚度及微孔结构的尺寸。需要说明的是,在实际中,导光膜上制有与元器件配合的微孔结构(圆孔),因此在抛光和检测导光膜过程中,也需要对该微孔结构进行抛光及微孔孔径尺寸进行测量；
在实际中,在抛光后还会对导光膜的两侧尺寸的差异值进行确认,具体参考如下表格：
Figure BDA0001735647680000052
作为可优选的实施例,所述的利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜还可以通过裁取样本，通过测样本的翘曲值而匹配测量原膜的翘曲值，进而匹配进行筛选，具的测量过程为：
裁取尺寸为10mm×10mm的样本原膜；
使用厚度规测量并获取样本原膜的翘曲值；
将获取的样本原膜的翘曲值与翘曲规格表比对，匹配筛选出翘曲值符合设定翘曲规格的原膜。
实施例2
一种导光膜的裁切抛光工艺具体包括如下
步骤S01.来料检测和测量
目检筛选出符合规格的原膜,并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,所述设定翘曲规格为0～5mm；需要说明的是,在步骤S01中，所述的目检筛选出符合规格的原膜包括:目检筛选出无点或无线的原膜,也就是在来料检测时,只要目检检测到原膜隔膜上具有点或线则判定为不能用于制备导光膜的原膜；。
步骤S02.整平及裁切
步骤S2-1.撕除设定宽幅的原膜表面的保护膜,并露出已成型在原膜上的十字标靶；
在步骤S2-1之后,还包括依据步骤S01筛选出的原膜的翘曲值判别是否进行烘烤整平,该判别过程包括：
步骤S2-11,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值≤3mm,则进行步骤S2-3；
步骤S2-12,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值＞3mm,则进行步骤S2-2,也即进行烘烤整平；而在实际中,测量的原膜的翘曲值不大于5mm,到原膜的翘曲值大于5mm时，在来料检测阶段则直接判退了。
步骤S2-2.利用整平机对设定宽幅的原膜进行烘烤整平,在本实施例中,设定宽幅为800mm；且使在烘烤整平后的原膜翘曲值为0～3mm,烘烤整平时,整平机温度设定为40℃,烘烤时间为0.5h；
步骤S2-3.通过裁切机的CCD定位装置抓取原膜上的十字标靶,并由裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片,且每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.2mm的微整抛光区；
步骤S03.抛光
步骤S3-1.利用粗度测量仪测量单片导光膜片的表面粗糙度；
步骤S3-2.将单片导光膜片放在抛光机的定位治具上,并依据粗度测量仪测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；所述工作参数包括抛光刀具转速、进刀量及抛光速度；
步骤S3-3.利用自动滚轴清洁机对完成抛光的单片导光膜进行除尘,并将除尘的单片导光膜进行堆叠；
步骤S3-4.使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光；
在本实施例中，在步骤S3-4所述的使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光之后，还包括：利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量,且
若测量的粗糙度Ra≤0.55,则进行步骤S04,
若测量的粗糙度度Ra＞0.55,则进行步骤S03,也即进行再次抛光；
当然,需要说明的是,利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量时，选用的是多点测量,通过验证多点的粗糙度而匹配评判导光膜的粗糙度；
步骤S04.检测及清洁
使用三次元测量仪对完成抛光的导光膜进行测量,并将使用自动滚轴清洁机进行二次除尘且完成测量的导光膜进行双模覆膜包装,所述测量包括测量导光膜的尺寸、厚度及微孔结构的尺寸。需要说明的是,在实际中,导光膜上制有与元器件配合的微孔结构(圆孔),因此在抛光和检测导光膜过程中,也需要对该微孔结构进行抛光及微孔孔径尺寸进行测量。
实施例3
一种导光膜的裁切抛光工艺具体包括如下
步骤S01.来料检测和测量
目检筛选出符合规格的原膜,并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,所述设定翘曲规格为0～5mm；需要说明的是,在步骤S01中，所述的目检筛选出符合规格的原膜包括:目检筛选出无点或无线的原膜,也就是在来料检测时,只要目检检测到原膜隔膜上具有点或线则判定为不能用于制备导光膜的原膜；。
步骤S02.整平及裁切
步骤S2-1.撕除设定宽幅的原膜表面的保护膜,并露出已成型在原膜上的十字标靶；
在步骤S2-1之后,还包括依据步骤S01筛选出的原膜的翘曲值判别是否进行烘烤整平,该判别过程包括：
步骤S2-11,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值≤3mm,则进行步骤S2-3；
步骤S2-12,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值＞3mm,则进行步骤S2-2,也即进行烘烤整平；而在实际中,测量的原膜的翘曲值不大于5mm,到原膜的翘曲值大于5mm时，在来料检测阶段则直接判退了。
步骤S2-2.利用整平机对设定宽幅的原膜进行烘烤整平,在本实施例中,设定宽幅为1000mm；且使在烘烤整平后的原膜翘曲值为0～3mm,烘烤整平时,整平机温度设定为35℃,烘烤时间为1h；
步骤S2-3.通过裁切机的CCD定位装置抓取原膜上的十字标靶,并由裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片,且每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.1mm的微整抛光区；
步骤S03.抛光
步骤S3-1.利用粗度测量仪测量单片导光膜片的表面粗糙度；
步骤S3-2.将单片导光膜片放在抛光机的定位治具上,并依据粗度测量仪测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；所述工作参数包括抛光刀具转速、进刀量及抛光速度；
步骤S3-3.利用自动滚轴清洁机对完成抛光的单片导光膜进行除尘,并将除尘的单片导光膜进行堆叠；
步骤S3-4.使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光；
在本实施例中，在步骤S3-4所述的使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光之后，还包括：利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量,且
若测量的粗糙度Ra≤0.55,则进行步骤S04,
若测量的粗糙度度Ra＞0.55,则进行步骤S03,也即进行再次抛光；
当然,需要说明的是,利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量时，选用的是多点测量,通过验证多点的粗糙度而匹配评判导光膜的粗糙度；
步骤S04.检测及清洁
使用三次元测量仪对完成抛光的导光膜进行测量,并将使用自动滚轴清洁机进行二次除尘且完成测量的导光膜进行双模覆膜包装,所述测量包括测量导光膜的尺寸、厚度及微孔结构的尺寸。需要说明的是,在实际中,导光膜上制有与元器件配合的微孔结构(圆孔),因此在抛光和检测导光膜过程中,也需要对该微孔结构进行抛光及微孔孔径尺寸进行测量。
实施例4
一种导光膜的裁切抛光工艺具体包括如下
步骤S01.来料检测和测量
目检筛选出符合规格的原膜,并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,所述设定翘曲规格为0～5mm；需要说明的是,在步骤S01中，所述的目检筛选出符合规格的原膜包括:目检筛选出无点或无线的原膜,也就是在来料检测时,只要目检检测到原膜隔膜上具有点或线则判定为不能用于制备导光膜的原膜；。
步骤S02.整平及裁切
步骤S2-1.撕除设定宽幅的原膜表面的保护膜,并露出已成型在原膜上的十字标靶；
在步骤S2-1之后,还包括依据步骤S01筛选出的原膜的翘曲值判别是否进行烘烤整平,该判别过程包括：
步骤S2-11,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值≤3mm,则进行步骤S2-3；
步骤S2-12,若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值＞3mm,则进行步骤S2-2,也即进行烘烤整平；而在实际中,测量的原膜的翘曲值不大于5mm,到原膜的翘曲值大于5mm时，在来料检测阶段则直接判退了。
步骤S2-2.利用整平机对设定宽幅的原膜进行烘烤整平,在本实施例中,设定宽幅为900mm；且使在烘烤整平后的原膜翘曲值为0～3mm,烘烤整平时,整平机温度设定为50℃,烘烤时间为0.5h；
步骤S2-3.通过裁切机的CCD定位装置抓取原膜上的十字标靶,并由裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片,且每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.15mm的微整抛光区；
步骤S03.抛光
步骤S3-1.利用粗度测量仪测量单片导光膜片的表面粗糙度；
步骤S3-2.将单片导光膜片放在抛光机的定位治具上,并依据粗度测量仪测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；所述工作参数包括抛光刀具转速、进刀量及抛光速度；
步骤S3-3.利用自动滚轴清洁机对完成抛光的单片导光膜进行除尘,并将除尘的单片导光膜进行堆叠；
步骤S3-4.使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光；
在本实施例中，在步骤S3-4所述的使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光之后，还包括：利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量,且
若测量的粗糙度Ra≤0.55,则进行步骤S04,
若测量的粗糙度度Ra＞0.55,则进行步骤S03,也即进行再次抛光；
当然,需要说明的是,利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量时，选用的是多点测量,通过验证多点的粗糙度而匹配评判导光膜的粗糙度；
步骤S04.检测及清洁
使用三次元测量仪对完成抛光的导光膜进行测量,并将使用自动滚轴清洁机进行二次除尘且完成测量的导光膜进行双模覆膜包装,所述测量包括测量导光膜的尺寸、厚度及微孔结构的尺寸。需要说明的是,在实际中,导光膜上制有与元器件配合的微孔结构(圆孔),因此在抛光和检测导光膜过程中,也需要对该微孔结构进行抛光及微孔孔径尺寸进行测量。
以上并非对本发明的技术范围作任何限制,凡依据本发明技术实质对以上的实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明的技术方案的范围内。

Claims (1)

1.一种导光膜的裁切抛光工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤A.来料检测和测量: 目检筛选出无点或无线的原膜，并利用厚度规测量及筛选出其翘曲值符合设定翘曲规格的原膜,包括：
⑴、裁取尺寸为10mm×10mm的样本原膜；
⑵、使用厚度规测量并获取样本原膜的翘曲值；
⑶、将获取的样本原膜的翘曲值与翘曲规格表比对，匹配筛选出翘曲值为0～5mm的原膜；
步骤B.整平及裁切
ⅰ.撕除设定宽幅为800mm～1000mm的原膜表面的保护膜,并露出已成型在原膜上的十字标靶；
ⅱ.若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值≤3mm,则进行步骤ⅳ；
若利用厚度规测量及筛选出的原膜的翘曲值＞3mm,则进行步骤ⅲ;
ⅲ.利用整平机对设定宽幅的原膜进行烘烤整平,且使在烘烤整平后的原膜翘曲值为0～3mm,烘烤整平时,整平机温度设定为40℃,烘烤时间为0.5h；
ⅳ.通过裁切机的CCD定位装置抓取原膜上的十字标靶,并由26″光学膜片油压对位裁切机将原膜对位裁切为匹配尺寸的单片导光膜片,且每一片导光膜片的周边边缘形成宽度为0.2mm的微整抛光区；
步骤C.抛光
a.利用粗度测量仪测量单片导光膜片的表面粗糙度；
b.将单片导光膜片放在抛光机的定位治具上,并依据粗度测量仪测量的导光膜片的表面粗糙度匹配设定抛光机工作参数并对单片导光膜的微整抛光区进行抛光；所述工作参数包括抛光刀具转速、进刀量及抛光速度；
c.利用自动滚轴清洁机对完成抛光的单片导光膜进行除尘,并将除尘的单片导光膜进行堆叠；
d.使用抛光机对堆叠的导光膜进行整平抛光；
e.利用粗度测量仪对抛光后的导光膜进行粗糙度测量,
若测量的粗糙度Ra≤0.55,则进行步骤D,若测量的粗糙度度Ra＞0.55,则进行步骤C;
步骤D.检测及清洁: 使用三次元测量仪对完成抛光的导光膜进行测量,并将使用自动滚轴清洁机进行二次除尘且完成测量的导光膜进行双模覆膜包装,所述测量包括测量导光膜的尺寸、厚度及微孔结构的尺寸。
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