CN108754441A - 一种arc后部磁场调整机构 - Google Patents

一种arc后部磁场调整机构 Download PDF

Info

Publication number
CN108754441A
CN108754441A CN201810527994.0A CN201810527994A CN108754441A CN 108754441 A CN108754441 A CN 108754441A CN 201810527994 A CN201810527994 A CN 201810527994A CN 108754441 A CN108754441 A CN 108754441A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cooling flange
target
cooling
weldment
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810527994.0A
Other languages
English (en)
Inventor
刘晓华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian weitike nanotechnology Co., Ltd
Original Assignee
DALIAN VACUUM TECHNOLOGIES Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DALIAN VACUUM TECHNOLOGIES Inc filed Critical DALIAN VACUUM TECHNOLOGIES Inc
Priority to CN201810527994.0A priority Critical patent/CN108754441A/zh
Publication of CN108754441A publication Critical patent/CN108754441A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种ARC后部磁场调整机构,靶材座上部安装靶材,靶材座下方设有冷却法兰,冷却法兰外部对称焊接有冷却法兰焊接件,冷却法兰焊接件为中空结构,冷却法兰焊接件端部连接水嘴,冷却法兰焊接件、冷却法兰上部和靶座之间的中空结构构成冷却水路;冷却法兰下部安装螺母盖,贯穿螺母盖螺纹安装手柄,位于冷却法兰内部的手柄上端安装磁铁座,磁铁座上安装磁铁。本发明将后部磁铁安装在可调整的手柄机构上,以有效调整磁铁与靶材的距离来实现后部磁场始终给溅射离子提供足够的能量;在靶材后面加上冷却装置对靶材冷却,同时也能保证溅射的离子更加细小,杜绝大颗粒的产生,使膜层更加细腻、增强结合力,使弧源运行性能更加稳定、可靠。

Description

一种ARC后部磁场调整机构
技术领域
本发明涉及真空设备技术领域,尤其涉及真空镀膜设备。
背景技术
现有技术中,真空设备由于在镀膜过程中,其弧源靶材是消耗品,在使用中会逐渐消耗,致使靶材变薄,后面的固定磁铁强度渐渐不能提供给溅射离子以足够的能量,而对镀膜效率及结合力、附着力等因素产生不可逆的影响。
并且靶材温度升高会导致溅射的离子大颗粒的产生,难以保证膜层细腻和结合力,弧源运行性能不稳定。
发明内容
为了解决现有真空镀膜设备存在的上述问题,本发明提供了一种ARC后部磁场调整机构。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:一种ARC后部磁场调整机构,靶材座上部安装靶材,靶材座下方设有冷却法兰,冷却法兰外部对称焊接有冷却法兰焊接件,冷却法兰焊接件与靶材座固定连接,冷却法兰焊接件为中空结构,冷却法兰焊接件端部连接水嘴,冷却法兰焊接件、冷却法兰上部和靶座之间的中空结构构称冷却水路;冷却法兰下部安装螺母盖,贯穿螺母盖螺纹安装手柄,位于冷却法兰内部的手柄上端安装磁铁座,磁铁座上安装磁铁。
所述磁铁座通过椎端顶丝固定于手柄上。
所述磁铁座外部安装绝缘的定位套。
本发明的ARC后部磁场调整机构,将后部磁铁安装在可调整的手柄机构上,以有效调整磁铁与靶材的距离来实现后部磁场始终给溅射离子提供足够的能量;在靶材后面加上冷却装置对靶材冷却,同时也能保证溅射的离子更加细小,杜绝大颗粒的产生,使膜层更加细腻、增强结合力,使弧源运行性能更加稳定、可靠。
附图说明
图1是本发明ARC后部磁场调整机构结构图。
图中:1、靶材,2、靶材座,3、水嘴,4、冷却法兰,5、螺母盖,6、手柄,7、椎端顶丝,8、磁铁座,9、定位套,10、磁铁,11、O型密封圈,12、冷却法兰焊接件。
具体实施方式
本发明的ARC后部磁场调整机构结构如图1所示,靶材座2上部安装靶材1,靶材座2下方设有冷却法兰4,冷却法兰4外部对称焊接有冷却法兰焊接件12,冷却法兰焊接件12与靶材座2固定连接,冷却法兰焊接件12为中空结构,冷却法兰焊接件12端部连接水嘴3,冷却法兰焊接件12、冷却法兰4上部和靶座2之间的中空结构构成冷却水路;冷却法兰4下部安装螺母盖5,贯穿螺母盖5螺纹安装手柄6,位于冷却法兰4内部的手柄6上端安装磁铁座8,磁铁座8上安装磁铁10,磁铁座8通过椎端顶丝7固定于手柄6上,磁铁座8外部安装绝缘的定位套9用于支撑磁铁座8。
使用时,通过旋转手柄6,调整上部磁铁10与靶材1之间的距离,实现结构简单、安全、通用性好。冷却法兰焊接件12的一个水嘴3为进水水嘴,另一侧的水嘴3为出水水嘴,通过冷却法兰连接件12中空结构、冷却法兰4和靶材座2之间的空隙形成水路,实现靶材1的冷却。
该系统中靶材是消耗品,在使用过程中会逐渐消耗,致使靶材变薄,将后部磁铁安装在可调整的手柄机构上,以有效调整磁铁10与靶1材的距离来实现后部磁场始终给溅射离子提供足够的能量。该系统中靶材在溅射过程中会产生热量,由此在靶材后面加上冷却装置对靶材冷却,同时也能保证溅射的离子更加细小,杜绝大颗粒的产生,使膜层更加细腻、增强结合力,使弧源运行性能更加稳定、可靠。
本发明是通过实施例进行描述的,本领域技术人员知悉,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外,在本发明的教导下,可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本发明的精神和范围。因此,本发明不受此处所公开的具体实施例的限制,所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种ARC后部磁场调整机构,其特征在于:靶材座(2)上部安装靶材(1),靶材座(2)下方设有冷却法兰(4),冷却法兰(4)外部对称焊接有冷却法兰焊接件(12),冷却法兰焊接件(12)与靶材座(2)固定连接,冷却法兰焊接件(12)为中空结构,冷却法兰焊接件(12)端部连接水嘴(3),冷却法兰焊接件(12)、冷却法兰(4)上部和靶座(2)之间的中空结构构成冷却水路;冷却法兰(4)下部安装螺母盖(5),贯穿螺母盖(5)螺纹安装手柄(6),位于冷却法兰(4)内部的手柄(6)上端安装磁铁座(8),磁铁座(8)上安装磁铁(10)。
2.根据权利要求1所述的一种ARC后部磁场调整机构,其特征在于:所述磁铁座(8)通过椎端顶丝(7)固定于手柄(6)上。
3.根据权利要求1所述的一种ARC后部磁场调整机构,其特征在于:所述磁铁座(8)外部安装绝缘的定位套(9)。
CN201810527994.0A 2018-05-29 2018-05-29 一种arc后部磁场调整机构 Pending CN108754441A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810527994.0A CN108754441A (zh) 2018-05-29 2018-05-29 一种arc后部磁场调整机构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810527994.0A CN108754441A (zh) 2018-05-29 2018-05-29 一种arc后部磁场调整机构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108754441A true CN108754441A (zh) 2018-11-06

Family

ID=64003359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810527994.0A Pending CN108754441A (zh) 2018-05-29 2018-05-29 一种arc后部磁场调整机构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108754441A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021088658A1 (zh) * 2019-11-04 2021-05-14 北京北方华创微电子装备有限公司 物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949000A (zh) * 2010-09-17 2011-01-19 温州市佳能真空电镀设备科技有限公司 真空磁控溅射多弧离子复合镀膜机
CN201793722U (zh) * 2010-09-17 2011-04-13 温州市佳能真空电镀设备科技有限公司 真空多弧离子镀膜机
CN204097557U (zh) * 2014-08-19 2015-01-14 温州职业技术学院 一种离子镀动态磁控弧源装置
CN104404455A (zh) * 2014-12-05 2015-03-11 大连维钛克科技股份有限公司 一种真空离子镀膜设备的新型磁场结构
US20160358763A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-08 Kurt J. Lesker Company Hermetically Sealed Magnetic Keeper Cathode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101949000A (zh) * 2010-09-17 2011-01-19 温州市佳能真空电镀设备科技有限公司 真空磁控溅射多弧离子复合镀膜机
CN201793722U (zh) * 2010-09-17 2011-04-13 温州市佳能真空电镀设备科技有限公司 真空多弧离子镀膜机
CN204097557U (zh) * 2014-08-19 2015-01-14 温州职业技术学院 一种离子镀动态磁控弧源装置
CN104404455A (zh) * 2014-12-05 2015-03-11 大连维钛克科技股份有限公司 一种真空离子镀膜设备的新型磁场结构
US20160358763A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-08 Kurt J. Lesker Company Hermetically Sealed Magnetic Keeper Cathode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021088658A1 (zh) * 2019-11-04 2021-05-14 北京北方华创微电子装备有限公司 物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备
US11732346B2 (en) 2019-11-04 2023-08-22 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Physical vapor deposition chamber and physical vapor deposition apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3846970B2 (ja) イオン化スパッタリング装置
JP5655865B2 (ja) プラズマ装置
EP1067578A3 (en) Methods and apparatus for ionized metal plasma copper deposition with enhanced in-film particle performance
JP2007224419A (ja) 冷却したターゲットを用いたスパッタリング
JP2010103455A (ja) プラズマ処理装置
JP6233617B2 (ja) アークプラズマ成膜装置
WO2011111712A1 (ja) スパッタ装置
CN108754441A (zh) 一种arc后部磁场调整机构
CN102465260A (zh) 腔室组件及应用该腔室组件的半导体处理设备
TW201248676A (en) Modulatable focus ring and method for modulating plasma processor using the same
CN103469163A (zh) 一种真空镀膜机
CN101661861B (zh) 用于超高真空系统的中空阳极离子源
JP6468521B2 (ja) 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置
CN208308948U (zh) 一种arc后部磁场调整机构
US10636635B2 (en) Target, adapted to an indirect cooling device, having a cooling plate
JP2018101463A5 (zh)
JPH116049A (ja) 真空成膜装置
JP2017003337A (ja) 濡れ性試験装置
TWI622660B (zh) Cathode assembly
CN113073297B (zh) 旋转硅铝靶材再制造的装置及其制备方法
TW201514329A (zh) 磁控濺鍍槍裝置
CN208791742U (zh) 一种应用于立式硅片磁控溅射镀膜机的离子清洗电极
JP2009272127A (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP2011222222A (ja) ハイブリッドプラズマ発生装置
WO2023149321A1 (ja) スパッタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200930

Address after: 116600, No. seven, 13 street, Northeast Economic and Technological Development Zone, Liaoning, Dalian

Applicant after: Dalian weitike nanotechnology Co., Ltd

Address before: 116600 -A, B, 3-1 West Tieshan Road, Dalian economic and Technological Development Zone, Liaoning, China

Applicant before: DALIAN VACUUM TECHNOLOGIES Inc.

TA01 Transfer of patent application right
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination