CN108735549B - 电源开关模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电源开关模块，包括开关组件、电磁式继电器及开关电路。开关组件的第一端接地。开关组件的控制端接收驱动信号。开关电路的第一控制端与电磁式继电器的第一控制端耦接直流电源。开关电路的第二控制端与电磁式继电器的第二控制端耦接开关组件的第二端。开关电路的电源输入端与电磁式继电器的电源输入端相耦接并耦接电源开关模块的输入端。开关电路的电源输出端与电磁式继电器的电源输出端相耦接并耦接电源开关模块的输出端。开关电路可用以避免电磁式继电器于导通或关断时产生电弧现象。

Description

电源开关模块
技术领域
本发明涉及一种电源装置，尤其涉及一种可防止继电器产生电弧的电源开关模块。
背景技术
在现代生活中，电器的使用已经相当地普及，而人们对于电器的需求也日益增加。许多家庭或办公场所为了增加电器的使用而添购电源延长线，更有些人会为了兼顾省电与用电安全而选择智能型电源延长线。智能型电源延长线通常具有开关模块。开关模块可以在用电过度或负载过大时自动关闭或接受控制而进行导通切换。
以目前的技术而言，开关模块基本上是由继电器所组成，其中又以电磁式继电器最为普遍。电磁式继电器一般是由铁芯、线圈、衔铁以及触点电极等零组件所组成。一般来说，只要在线圈的两端施加电压，线圈便会有电流流通而产生电磁力。此时衔铁便会在电磁力吸引的作用下克服弹簧的拉力而被铁芯所吸引，从而带动衔铁的动触点电极与静触点电极吸合。另一方面，当线圈断电后，电磁效应所产生的电磁力也随之消失，致使衔铁在弹簧的反作用力下而被释放至原来的位置，从而使上述的动触点电极与上述的静触点电极分离。通过上述的吸合以及释放动作，便可达到开关模块的导通以及关断的目的。
然而，在电磁式继电器的动触点电极与静触点电极释放以及吸合的瞬间，动触点电极与静触点电极之间的距离甚小而会造成极大的反电势，此时动触点电极与静触点电极之间便容易产生电弧(Arc)。电弧乃是一种气体放电现象，亦即电流通过某些绝缘介质(例如空气)时所产生的瞬间火花。当电磁式继电器的两触点电极间产生火花，便会在触点电极的表面积碳，导致两触点电极之间接触不良而降低开关模块的使用寿命。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种电源开关模块，可避免电源开关模块中的电磁式继电器产生电弧，以延长电源开关模块的使用寿命。
本发明的电源开关模块包括开关组件、电磁式继电器以及开关电路。开关组件的第一端耦接接地电源。开关组件的控制端用以接收驱动信号。电磁式继电器的第一控制端耦接直流电源。电磁式继电器的第二控制端耦接开关组件的第二端。电磁式继电器的电源输入端耦接电源开关模块的输入端。电磁式继电器的电源输出端耦接电源开关模块的输出端。电磁式继电器反应于开关组件的导通状态而导通电源输入端与电源输出端之间的传输路径。开关电路包括第一二极管、第二二极管、储能组件、可控电流源、光耦合器以及三端双向可控硅开关。第一二极管的阳极端耦接直流电源。第二二极管的阴极端耦接开关组件的第二端。储能组件耦接在第一二极管的阴极端与第二二极管的阳极端之间。可控电流源的第一端耦接第二二极管的阳极端。可控电流源的控制端耦接第一二极管的阴极端。光耦合器的第一控制端耦接第一二极管的阴极端。光耦合器的第二控制端耦接可控电流源的第二端。光耦合器的第一负载端耦接电源开关模块的输入端。光耦合器的第二负载端产生开关信号。三端双向可控硅开关的第一端耦接电源开关模块的输入端。三端双向可控硅开关的控制端接收开关信号。三端双向可控硅开关的第二端耦接电源开关模块的输出端。
在本发明的一实施例中，当开关组件反应于驱动信号而被导通时，直流电源对储能组件进行充电，且可控电流源基于直流电源而产生电流，致使光耦合器反应于此电流而导通第一负载端与第二负载端间的传输路径以产生开关信号，从而导通三端双向可控硅开关。
在本发明的一实施例中，当开关组件反应于驱动信号而被关断时，可控电流源基于储能组件所存储的电能而产生电流以使储能组件进行放电，且在储能组件放电达第一时间长度后断开第一负载端与第二负载端间的传输路径，从而关断三端双向可控硅开关。
在本发明的一实施例中，当开关组件反应于驱动信号而被关断时，电磁式继电器于第二时间长度后断开电源输入端与电源输出端之间的传输路径，其中上述的第一时间长度大于第二时间长度。
在本发明的一实施例中，电源开关模块的输入端用以接收交流电源，且三端双向可控硅开关于交流电源的交流电压于零交越点时被关断。
在本发明的一实施例中，上述的可控电流源包括第一电阻、稳压三极管、晶体管以及第二电阻。第一电阻的第一端耦接第一二极管的阴极端。稳压三极管的阳极端耦接第二二极管的阳极端。稳压三极管的阴极端耦第一电阻的第二端。晶体管的第一端耦接光耦合器的第二控制端。晶体管的控制端耦接第一电阻的第二端。晶体管的第二端耦接稳压三极管的参考输入端。第二电阻的第一端耦接晶体管的第二端，且第二电阻的第二端耦接第二二极管的阳极端。
在本发明的一实施例中，上述的电流为固定电流，且电流的大小由稳压三极管的参考电压值以及第二电阻的电阻值来决定。
在本发明的一实施例中，上述的储能组件为电容器，且上述的第一时间长度与直流电源的电压值、电容器的电容值、第二电阻的电阻值以及稳压三极管的参考电压值相关联。
在本发明的一实施例中，上述的开关电路还包括异常保护组件。异常保护组件耦接在三端双向可控硅开关的第二端与电源开关模块的输出端之间，其中异常保护组件及三端双向可控硅开关是与电磁式继电器并联连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一二极管及第二二极管的每一者为萧基二极管。
基于上述，在本发明的电源开关模块中，开关电路可防止电磁式继电器于导通的瞬间及关断的瞬间产生电弧，故可避免电磁式继电器的触点电极的表面积碳而造成触点电极之间接触不良，故可延长电源开关模块的使用寿命。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
下面的附图是本发明的说明书的一部分，显示了本发明的示例实施例，所附附图与说明书的描述一起说明本发明的原理。
图1是依照本发明一实施例所显示的电源开关模块的方块示意图；
图2是依照本发明一实施例所显示的开关电路的电路架构示意图；
图3是图1的电源开关模块及图2的开关电路的时序示意图。
附图标号说明：
100：电源开关模块
110：电磁式继电器
120：开关电路
121：储能组件
122：可控电流源
123：光耦合器
1231：光发射器
1232：光检测开关
124：三端双向可控硅开关
129：异常保护组件
130：开关组件
210：第一电阻
220：第二电阻
C1：电容值
CT11、CT21、N1：第一控制端
CT12、CT22、N2：第二控制端
D1：第一二极管
D2：第二二极管
DS：驱动信号
E1：第一端
E2：第二端
EC：控制端
E_ST、VAC、VAC’：波形
GND：接地电源
Ic：电流
L：线圈
M_IN：输入端
M_OUT：输出端
N3：第一负载端
N4：第二负载端
PAC：交流电源
PDC：直流电源
PI1、PI2：电源输入端
PO1、PO2：电源输出端
Q：晶体管
R1、R2：电阻值
R3：电阻
SS：开关信号
SW：触点电极开关
T1、T2、T2’、T3、T4、T4’、T4a：时间点
TD1：第一时间长度
TD2：第二时间长度
TDZ：稳压三极管
Vd：顺向偏压值
Vref：参考电压值
具体实施方式
为了使本发明的内容可以被更容易明了，以下特举实施例做为本发明确实能够据以实施的范例。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的组件/构件/步骤，代表相同或类似部件。
以下请参照图1，图1是依照本发明一实施例所显示的电源开关模块100的方块示意图。电源开关模块100可包括电磁式继电器110、开关电路120以及开关组件130。开关组件130的第一端耦接接地电源GND。开关组件130的控制端用以接收驱动信号DS。开关组件130可受控于驱动信号DS而被导通或被关断。在本发明的一实施例中，开关组件130可采用双载子接面晶体管或金氧半场效晶体管来实现，但不限于此。但为了便于说明，以下将以开关组件130为NPN型双载子接面晶体管为范例来进行说明。
电磁式继电器110可具有第一控制端CT11、第二控制端CT12、电源输入端PI1以及电源输出端PO1，但不限于此。电磁式继电器110的第一控制端CT11耦接直流电源PDC。电磁式继电器110的第二控制端CT12耦接开关组件130的第二端。电磁式继电器110的电源输入端PI1耦接电源开关模块100的输入端M_IN以接收交流电源PAC。电磁式继电器110的电源输出端PO1耦接电源开关模块100的输出端M_OUT。电磁式继电器110可反应于开关组件130的导通状态而导通电源输入端PI1与电源输出端PO1之间的传输路径。详细来说，电磁式继电器110可包括线圈L以及触点电极开关SW，其中线圈L耦接在第一控制端CT11与第二控制端CT12之间，而触点电极开关SW耦接在电源输入端PI1与电源输出端PO1之间。当开关组件130导通时，电磁式继电器110中的线圈L因电流流通而产生电磁效应，使得电磁式继电器110中的触点电极开关SW吸合，从而导通电源输入端PI1与电源输出端PO1之间的传输路径，以传送交流电源PAC至电源输出端PO1。
类似地，开关电路120可具有第一控制端CT21、第二控制端CT22、电源输入端PI2以及电源输出端PO2，但不限于此。开关电路120的第一控制端CT21与电磁式继电器110的第一控制端CT11相耦接并耦接直流电源PDC。开关电路120的第二控制端CT22与电磁式继电器110的第二控制端CT12相耦接并耦接开关组件130的第二端。开关电路120的电源输入端PI2与电磁式继电器110的电源输入端PI1相耦接并耦接电源开关模块100的输入端M_IN以接收交流电源PAC。开关电路120的电源输出端PO2与电磁式继电器110的电源输出端PO1相耦接并耦接电源开关模块100的输出端M_OUT。开关电路120可反应于开关组件130的导通状态而导通电源输入端PI2与电源输出端PO2之间的传输路径，以传送交流电源PAC至电源输出端PO2。可以理解的是，电源开关模块100具有两条输电通道，一条是通过电磁式继电器110进行电力传输，另一条则是通过开关电路120进行电力传输。特别的是，开关电路120可避免电磁式继电器110于导通的瞬间及关断的瞬间产生电弧，以延长电源开关模块100的使用寿命。
以下请合并参照图1及图2，图2是依照本发明一实施例所显示的开关电路120的电路架构示意图。开关电路120可包括第一二极管D1、第二二极管D2、储能组件121、可控电流源122、光耦合器(optical coupler)123以及三端双向可控硅开关(TRIAC)124，但本发明不限于此。第一二极管D1的阳极端可通过第一控制端CT21耦接直流电源PDC。第二二极管D2的阴极端可通过第二控制端CT22耦接开关组件130的第二端。储能组件121耦接在第一二极管D1的阴极端与第二二极管D2的阳极端之间。
可控电流源122的第一端E1耦接第二二极管D2的阳极端。可控电流源122的控制端EC耦接第一二极管D1的阴极端。光耦合器123的第一控制端(阳极控制端)N1耦接第一二极管D1的阴极端。光耦合器123的第二控制端(阴极控制端)N2耦接可控电流源122的第二端E2。光耦合器123的第一负载端N3通过开关电路120的电源输入端PI2耦接电源开关模块100的输入端M_IN。光耦合器123的第二负载端N4产生开关信号SS。一般而言，光耦合器123包括光发射器1231以及光检测开关1232。光发射器1231例如是发光二极管，而发光二极管的阳极与阴极分别对应于光耦合器123的第一控制端N1与第二控制端N2。光检测开关1232例如是光敏晶体管，其可反应于发光二极管的发光与否而导通或关断光耦合器123的第一负载端N3与第二负载端N4之间的传输路径。
三端双向可控硅开关124的第一端通过开关电路120的电源输入端PI2耦接电源开关模块100的输入端M_IN。三端双向可控硅开关124的控制端接收开关信号SS。三端双向可控硅开关124的第二端通过开关电路120的电源输出端PO2耦接电源开关模块100的输出端M_OUT。
在本发明的一实施例中，开关电路120还可包括耦接在光耦合器123的第二负载端N4与三端双向可控硅开关124的控制端之间的电阻R3。在本发明的另一实施例中，开关电路120还可包括耦接在三端双向可控硅开关124的第二端与开关电路120的电源输出端PO2之间的异常保护组件129，其中异常保护组件129可例如是保险丝，但不限于此。另外，根据图1及图2可知，异常保护组件129及三端双向可控硅开关124是与电磁式继电器110并联连接。以下将针对开关电路120的运作进行说明。
请合并参照图1至图3，图3是图1的电源开关模块100及图2的开关电路120的时序示意图，其中波形VAC表示输入端M_IN的交源电源PAC的交流电压波形，而波形VAC’表示输出端M_OUT的交流电压波形。除此之外，波形E_ST表示电磁式继电器110的触点电极开关SW的状态，其中逻辑低电平表示触点电极开关SW为非导通状态，而逻辑高电平表示触点电极开关SW为稳定导通状态。
于时间点T1时，驱动信号DS由逻辑低电平转换至逻辑高电平，致使开关组件130反应于驱动信号DS为逻辑高电平而被导通。此时，第一二极管D1及第二二极管D2为顺向偏压而被导通，故直流电源PDC可开始对储能组件121进行充电。另一方面，可控电流源122可基于直流电源PDC而产生电流Ic，其中电流Ic将流经光耦合器123中的光发射器1231而使光发射器1231发光，致使光耦合器123中的光检测开关1232反应于光发射器1231发光而被导通。如此一来，将导通第一负载端N3与第二负载端N4之间的传输路径并产生开关信号SS，从而导通三端双向可控硅开关124，以将输入端M_IN的交流电源PAC传送至输出端M_OUT，如时间点T2所示。
另一方面，当开关组件130于时间点T1反应于驱动信号DS而被导通时，电磁式继电器110必须经过开启延迟时间(Relay ON-delay time)之后才能进入跳转状态并完成导通。亦即于开启延迟时间中，电磁式继电器110处于启动状态，并在开启延迟时间结束后进入跳转状态。待导通跳转时间(Relay ON Contact Bouncing time)结束后，电磁式继电器110才进入稳定的导通状态。换句话说，待电磁式继电器110的导通跳转时间结束后，触点电极开关SW方为稳定的导通状态，如时间点T2’所示，波形E_ST表示触点电极开关SW为稳定导通状态。上述的开启延迟时间以及导通跳转时间的长短皆会因为采用不同的电磁式继电器而有所差异。
一般来说，光耦合器123以及三端双向可控硅开关124具有反应速度快的特点，因此开关电路120的导通延迟时间(即时间点T1与时间点T2之间的时间长度)小于电磁式继电器110开启延迟时间。因此，当电磁式继电器110自启动状态进入跳转状态时，电源开关模块100的输入端M_IN与输出端M_OUT之间的传输路径已为导通状态(因开关电路120的三端双向可控硅开关124已被导通)。如此一来，可避免电磁式继电器110的电源输入端PI1与电源输出端PO1之间的电位差过大而产生电弧(Arc)，故可延长电磁式继电器110的使用寿命。
接着，于时间点T3时，驱动信号DS由逻辑高电平转换至逻辑低电平，致使开关组件130反应于驱动信号DS为逻辑低电平而被关断。接着，电磁式继电器110在经过第二时间长度TD2(亦即关闭延迟时间，Relay OFF-delay time)之后才能使电磁式继电器110的触点电极开关SW不导通，如时间点T4’所示。换句话说，电磁式继电器110于时间点T4’才断开电源输入端PI1与电源输出端PO1之间的传输路径。上述的第二时间长度TD2(亦即电磁式继电器的关闭延迟时间)会因为采用不同的电磁式继电器而有所差异。
另一方面，当开关组件130于时间点T3反应于驱动信号DS而被关断时，第一二极管D1及第二二极管D2为逆向偏压而被截止，以避免储能组件121所存储的电能通过电磁式继电器110中的线圈L进行放电。而可控电流源122则可基于储能组件121所存储的电能而产生电流Ic，以使储能组件121通过光耦合器123以及可控电流源122进行放电，其中电流Ic将流经光耦合器123中的光发射器1231而使光发射器1231发光，故光耦合器123的第一负载端N3与第二负载端N4之间的传输路径仍为导通状态，使得三端双向可控硅开关124维持在导通状态。
当储能组件121放电达第一时间长度TD1后，如时间点T4所示，可控电流源122反应于储能组件121的电量不足而被禁能(亦即电流Ic为零)，致使光耦合器123中的光发射器1231无电流流通而不再发光，因此光耦合器123的第一负载端N3与第二负载端N4间的传输路径被断开。接着，如时间点T4a所示，三端双向可控硅开关124将在交流电源PAC的交流电压于零交越点(zero crossing point)时被关断。
值得一提的是，为了避免电磁式继电器110的触点电极开关SW被关断的瞬间产生电弧(导因于触点电极开关SW两端的电位差过大)，第一时间长度TD1须大于第二时间长度TD2，以使三端双向可控硅开关124在电磁式继电器110的触点电极开关SW被断开之后才被关断。由于电磁式继电器110的触点电极开关SW于时间点T4’(早于时间点T4a)被关断，且三端双向可控硅开关124于时间点T4a被关断，故电源开关模块100于时间点T4a之后将停止传送交流电源PAC至输出端M_OUT。
以下将针对如何设计第一时间长度TD1进行说明。如图2所示，可控电流源122可包括第一电阻210(其电阻值为R1)、稳压三极管TDZ、晶体管Q以及第二电阻220(其电阻值为R2)。第一电阻210的第一端耦接第一二极管D1的阴极端。稳压三极管TDZ的阴极端耦第一电阻210的第二端。稳压三极管TDZ的阳极端耦接第二二极管D2的阳极端。晶体管Q的第一端耦接光耦合器123的第二控制端N2。晶体管Q的控制端耦接第一电阻210的第二端。晶体管Q的第二端耦接稳压三极管TDZ的参考输入端。第二电阻220的第一端耦接晶体管Q的第二端。第二电阻220的第二端耦接第二二极管D2的阳极端。
在本发明的一实施例中，晶体管Q可采用双载子接面晶体管或金氧半场效晶体管来实现，但不限于此。为了便于说明，以下将以晶体管Q为NPN型双载子接面晶体管为范例来进行说明。在本发明的一实施例中，稳压三极管TDZ可采用编号为TL431的稳压集成电路来实现，但不限于此。在本发明的一实施例中，储能组件121可采用电容器(其电容值为C1)来实现。
当开关组件130被导通时，第一二极管D1及第二二极管D2为顺向偏压而被导通，且直流电源PDC对储能组件121进行充电，因此储能组件121的电压为(VCC－2×Vd)，其中VCC表示直流电源PDC的电压值，而Vd表示第一二极管D1以及第二二极管D2的顺向偏压值。此外，晶体管Q可被导通而产生电流Ic。详细来说，基于稳压三极管TDZ的特性，稳压三极管TDZ的参考输入端(即晶体管Q的射极)的电位会被稳定在稳压三极管TDZ内建的参考电压值Vref。另外，假设晶体管Q的基极与射极间的电压降可忽略不计的前提下，晶体管Q基极的电位可被稳定在参考电压值Vref。可以理解的是，可控电流源122所产生的电流Ic实质上为一固定电流，且在忽略第二二极管D2的顺向偏压值Vd的前提之下，电流Ic的大小可由稳压三极管TDZ的参考电压值Vref以及第二电阻220的电阻值R2来决定，如下列式(1)所示。
Ic＝Vref÷R2式(1)
当开关组件130被关断时，第一二极管D1及第二二极管D2为逆向偏压而被截止，储能组件121将通过光耦合器123以及可控电流源122进行放电。随着储能组件121持续地放电，储能组件121的电压将持续地降低。当储能组件121的电压降低至参考电压值Vref(即储能组件121放电达第一时间长度TD1)时，晶体管Q将被关断并停止产生电流Ic。
可以理解的是，第一时间长度TD1与直流电源PDC的电压值VCC、电容器的电容值C1、第二电阻220的电阻值R2以及稳压三极管TDZ的参考电压值Vref相关联。因此，设计者可通过改变直流电源PDC的电压值VCC、电容器的电容值C1或第二电阻220的电阻值R2来调整第一时间长度TD1；或者是，设计者可选用具有不同参考电压值Vref的稳压三极管TDZ而达到调整第一时间长度TD1的目的。另外，在本发明的一实施例中，第一二极管D1以及第二二极管D2的每一者可为萧基二极管。由于萧基二极管导通时的顺向偏压值Vd较一般的二极管低，如此一来，式(1)的顺向偏压值Vd则可忽略不计。
综上所述，在本发明的电源开关模块中，开关电路可防止电磁式继电器于导通的瞬间及关断的瞬间产生电弧，故可避免电磁式继电器的触点电极的表面积碳而造成触点电极之间接触不良，故可延长电源开关模块的使用寿命。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种包括电磁式继电器的电源开关模块，所述电磁式继电器的电源输入端耦接所述电源开关模块的输入端，且所述电磁式继电器的电源输出端耦接所述电源开关模块的输出端，所述电源开关模块的特征在于，还包括：
开关组件，所述开关组件的第一端耦接接地电源，且所述开关组件的控制端用以接收驱动信号，其中所述电磁式继电器的第一控制端耦接直流电源，所述电磁式继电器的第二控制端耦接所述开关组件的第二端，且所述电磁式继电器反应于所述开关组件的导通状态而导通所述电源输入端与所述电源输出端之间的传输路径；以及
开关电路，包括：
第一二极管，所述第一二极管的阳极端耦接所述直流电源；
第二二极管，所述第二二极管的阴极端耦接所述开关组件的所述第二端；
储能组件，耦接在所述第一二极管的阴极端与所述第二二极管的阳极端之间；
可控电流源，所述可控电流源的第一端耦接所述第二二极管的所述阳极端，且所述可控电流源的控制端耦接所述第一二极管的所述阴极端；
光耦合器，所述光耦合器的第一控制端耦接所述第一二极管的所述阴极端，所述光耦合器的第二控制端耦接所述可控电流源的第二端，所述光耦合器的第一负载端耦接所述电源开关模块的所述输入端，且所述光耦合器的第二负载端产生开关信号；以及
三端双向可控硅开关，所述三端双向可控硅开关的第一端耦接所述电源开关模块的所述输入端，所述三端双向可控硅开关的控制端接收所述开关信号，且所述三端双向可控硅开关的第二端耦接所述电源开关模块的所述输出端。
2.根据权利要求1所述的电源开关模块，其特征在于，当所述开关组件反应于所述驱动信号而被导通时，所述直流电源对所述储能组件进行充电，且所述可控电流源基于所述直流电源而产生电流，致使所述光耦合器反应于所述电流而导通所述第一负载端与所述第二负载端间的传输路径以产生所述开关信号，从而导通所述三端双向可控硅开关。
3.根据权利要求2所述的电源开关模块，其特征在于，当所述开关组件反应于所述驱动信号而被关断时，所述可控电流源基于所述储能组件所存储的电能而产生所述电流以使所述储能组件进行放电，且在所述储能组件放电达第一时间长度后断开所述第一负载端与所述第二负载端间的所述传输路径，从而关断所述三端双向可控硅开关。
4.根据权利要求3所述的电源开关模块，其特征在于，当所述开关组件反应于所述驱动信号而被关断时，所述电磁式继电器于第二时间长度后断开所述电源输入端与所述电源输出端之间的所述传输路径，其中所述第一时间长度大于所述第二时间长度。
5.根据权利要求3所述的电源开关模块，其特征在于，所述电源开关模块的所述输入端用以接收交流电源，且所述三端双向可控硅开关于所述交流电源的交流电压于零交越点时被关断。
6.根据权利要求3所述的电源开关模块，其特征在于，所述可控电流源包括：
第一电阻，所述第一电阻的第一端耦接所述第一二极管的所述阴极端；
稳压三极管，所述稳压三极管的阳极端耦接所述第二二极管的所述阳极端，所述稳压三极管的阴极端耦所述第一电阻的第二端；
晶体管，所述晶体管的第一端耦接所述光耦合器的所述第二控制端，所述晶体管的控制端耦接所述第一电阻的所述第二端，且所述晶体管的第二端耦接所述稳压三极管的参考输入端；以及
第二电阻，所述第二电阻的第一端耦接所述晶体管的所述第二端，且所述第二电阻的第二端耦接所述第二二极管的所述阳极端。
7.根据权利要求6所述的电源开关模块，其特征在于，所述电流为固定电流，且所述电流的大小由所述稳压三极管的参考电压值以及所述第二电阻的电阻值来决定。
8.根据权利要求6所述的电源开关模块，其特征在于，所述储能组件为电容器，且所述第一时间长度与所述直流电源的电压值、所述电容器的电容值、所述第二电阻的电阻值以及所述稳压三极管的参考电压值相关联。
9.根据权利要求1所述的电源开关模块，其特征在于，所述开关电路还包括：
异常保护组件，耦接在所述三端双向可控硅开关的所述第二端与所述电源开关模块的所述输出端之间，
其中所述异常保护组件及所述三端双向可控硅开关是与所述电磁式继电器并联连接。
10.根据权利要求1所述的电源开关模块，其特征在于，所述第一二极管及所述第二二极管的每一个为萧基二极管。
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