CN108715440A - 一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法 - Google Patents

一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108715440A
CN108715440A CN201810523294.4A CN201810523294A CN108715440A CN 108715440 A CN108715440 A CN 108715440A CN 201810523294 A CN201810523294 A CN 201810523294A CN 108715440 A CN108715440 A CN 108715440A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
preparation
powder
sulphur
stannous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810523294.4A
Other languages
English (en)
Inventor
黎永涛
高伟
牟中飞
李京波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201810523294.4A priority Critical patent/CN108715440A/zh
Publication of CN108715440A publication Critical patent/CN108715440A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本申请属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法。本发明所提供的制备方法包括：a)将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混匀，得到混合粉末；将混合粉末置于第一衬底的一端，然后将第二衬底水平放置于第一衬底上，混合粉末夹在第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系；b)将反应体系置于石英载体上，然后将石英载体防止在石英管的加热部，封闭石英管；c)将石英管靠近混合粉体的一端通入惰性气体，同时在石英管的另一端抽真空使其维持在预置真空度内；然后，加热石英管的加热部，自然冷却，即得。由其制得的硫硒化亚锡二维半导体材料在保留单一材料优良的光电特性的同时，还具有单一材料所不具有的能带调控优点。

Description

一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法。
背景技术
自石墨烯的发现以来，基于二维半导体材料的研究已成为材料科学与凝聚态物理学领域最热点的科研前沿之一。
二维半导体材料的制备是对其进行后续物性表征与光电特性研究的重要前提与基础，寻找一种对二维半导体材料规模化可控制备的方法极其重要。二维半导体硫化亚锡拥有近红外波段的带隙宽度，其直接带隙和间接带隙分别为1.56eV和1.50eV,此能带宽度正是太阳能电池光伏材料最理想的带宽大小，因此二维硫化亚锡是制备太阳能光伏电池、超灵敏光电器件的理想材料；同时，与其拥有类似元素组成的二维半导体硒化亚锡也具有同样的作为光伏电池和光电器件的理想核心材料的优势。
硫化亚锡和硒化亚锡为常规的二维半导体材料，硫化亚锡半导体和硒化亚锡半导体在光电子器件、光伏发电等方面的性能优异，然而其作为单一材料，其能带宽度已为一固定值，无法对其进行能带调控，由其制备的光电器件难以对不同波长的光响应进行控制，限制了这两种材料的应用范围。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法，其具体技术方案如下：
一种硫硒化亚锡二维半导体材料的制备方法，包括：
a)将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末均匀混合，得到混合粉末；将所述混合粉末置于第一衬底的一端，然后将第二衬底反转水平放置于所述第一衬底上方，所述混合粉末夹在所述第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系；
b)将所述反应体系置于石英载体上，然后将所述石英载体放置在石英管的加热部，封闭石英管；
c)将所述石英管靠近所述混合粉体的一端通入惰性气体，同时在石英管的另一端抽真空使其维持在预置真空度内；然后，加热所述石英管的加热部，自然冷却，即得。
优选地，步骤a)所述硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混合摩尔比为(0.1～1):(0.1～1)。
优选地，步骤a)所述第一衬底和第二衬底的材料相同，为氧化硅、硅片、氧化硅-硅片复合材料、云母材料或蓝宝石材料。
优选地，步骤a)所述第一衬底和第二衬底的厚度为10nm～350nm。
优选地，步骤a)所述第一衬底和第二衬底之间的缝隙宽度为200um～700um。
优选地，步骤c)所述惰性气体为氮气或氩气，其流量为2sccm～4sccm；
所述真空度为6torr～14torr。
优选地，步骤c)所述加热的温度为750℃～850℃？，加热时间为3min～10min。
优选地，所述硫硒化亚锡二维半导体材料附着于所述第二衬底与所述第一衬底相对的一侧。
本发明还提供了一种由上述制备方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料，其为四边形二维单晶材料；
其厚度为8nm～100nm；表面积为100um2～10000um2。
本发明还提供了一种由前述制备方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料和/或上述硫硒化亚锡二维半导体材料制得的硫硒化亚锡光电器件。
与现有技术相比，本发明所提供的制备方法简便优化，利于推广应用；由该方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料在保留单一材料优良的光电特性的同时，还具有单一材料所不具有的能带调控的优点，可以通过本专利中的制备方法精确地控制合金中硫原子与硒原子的数量比，从而得到可调控带隙宽度的硫硒化亚锡二维半导体材料，表面积大、单晶纯度高、缺陷少和光电性能优异。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为实施例1的硫硒化亚锡二维半导体材料的合成过程示意图；
图2为实施例1构建的反应体系的放大图；
图3为由实施例1所得硫硒化亚硒样品制得的场效应晶体管微电子器件电学转移特性曲线图，图中右上角所示为制得的场效应晶体管器件图；
图4为由实施例1所得硫硒化亚硒样品制得的场效应晶体管微电子器件电学输出特性曲线图；
图5为由实施例1所得硫硒化亚硒样品制得的光电器件源漏电流大小受不同波长的光线照射的光电响应特性图。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例的硫硒化亚锡二维半导体材料的制备，包括以下步骤：
1、构建反应体系
1)按1:1的摩尔比，将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末均匀混合，得到的混合粉末作为晶体生长所需的生长固态源，待用；
2)取0.05mg混合粉末置于1cm×1cm规格的方形的第一衬底上的一端，该混合粉末的投影面积约为0.2cm×0.5cm；
3)将1cm×1cm规格的方形的第二衬底反转水平放置在第一衬底的正上方，将上述混合粉末夹在第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系。
其中，第一衬底和第二衬底相同，均为氧化硅-硅片复合衬底，氧化硅层厚300nm，硅片层厚1mm；第一衬底和第二衬底之间的缝隙为600μm。
2、硫硒化亚锡二维半导体材料的合成
1)将反应体系置于石英载体上，然后将石英载体放置在石英管的中间位置，封闭石英管；其中，石英载体选为石英舟；
2)将石英管置于管式炉的加热工位上，在石英管靠近混合粉体的一端通入氮气(流量为3sccm)，同时在石英管的另一端抽真空使石英管内维持10torr的真空度；
3)开启管式炉，使炉腔的温度在15min内从室温上升到设定的退火温度，待温度稳定后把石英管的中间位置从管式炉冷区推入到管式炉的中央加热区，并保温一定时间，得到在第二衬底表面上形成的超薄的硫硒化亚锡单晶；其合成过程如图1所示，反应体系放大图如图2所示；4)待硫化亚锡生长完成后，立即把石英管的中间位置从加热区移回冷区，待样品自然冷却后方可取出。
其中，退火温度为800℃，保温时间为5min。
通过本实施例方法得到的硫硒化亚锡二维半导体材料内的硫原子与硒原子数量比例为1：1，硫硒化亚锡单晶平均表面积为4000um2，平均厚度为10nm；硫硒化亚锡二维半导体材料二维单晶在第二衬底上的分布密度约为1000个/cm2。
实施例2
本实施例的硫硒化亚锡二维半导体材料的制备与实施例1的区别在于：
硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混合摩尔比为0.25:0.75；
第一衬底和第二衬底的材料为云母材料。
第一衬底和第二衬底的厚度为1mm；
第一衬底和第二衬底之间的缝隙宽度为500um；
惰性气体为氮气，其流量为4sccm；
本实施例制得的硫硒化亚锡二维半导体材料内的硫原子与硒原子数量比为0.25：0.75，表面积为4000um2，平均厚度为10nm，硫硒化亚锡二维半导体材料二维单晶在第二衬底上的分布密度约为1000个/cm2。
其余地方与实施例1基本相同，此处不再一一赘述。
实施例3
本实施例的硫硒化亚锡二维半导体材料的制备与实施例1的区别在于：
硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混合摩尔比为0.75:0.25；
第一衬底和第二衬底的材料为蓝宝石材料。
第一衬底和第二衬底的厚度为2mm；
第一衬底和第二衬底之间的缝隙宽度为600um；
惰性气体为氩气，其流量为2sccm；
本实施例制得的硫硒化亚锡二维半导体材料内的硫原子与硒原子数量比为0.25：0.75，表面积为4000um2，平均厚度为10nm，硫硒化亚锡二维半导体材料二维单晶在第二衬底上的分布密度约为1000个/cm2。
其余地方与实施例1基本相同，此处不再一一赘述。
实施例4
取实施例1的硫硒化亚锡二维半导体材料，通过常规紫外光刻法制成光敏场效应晶体管；检测该光敏场效应晶体管的空穴主导传输性质，其检测结果如图3至图5所示。其空穴迁移率达4.34cm2/(Vs)，在532nm光照下光开关比为3.43，内量子效率高达392％。
图3为由实施例1所得硫硒化亚硒样品制得的场效应晶体管微电子器件电学转移特性曲线图，由图3可反映出该器件的源漏电流随栅电压的减小而单调增加，得出所制备得到的硫硒化亚锡样品为P型半导体材料。
图4为由实施例1所得硫硒化亚硒样品制得的场效应晶体管微电子器件电学输出特性曲线图，由图4可反映出由本方法获得的硫硒化亚锡样品进而制得的晶体管的导通及关闭电流可直接由场效应进行调控，可用作大电流开关比的晶体管器件。
图5为由实施例1所得硫硒化亚硒样品制得的光电器件源漏电流大小受不同波长的光线照射的光电响应特性图，由图5可反映出该器件具有较高的光开关比及内量子效率，表现出作为光敏器件的良好应用前景。
对比例1
本对比例以现有的硫化亚锡的制备为例，其包括以下步骤：
1、构建反应体系
1)取0.5mg硫化亚锡粉末平铺于石英舟上；
2)将1cm×1cm规格的方形的衬底置于1)中粉末正上方0.5cm处；
2、硫化亚锡的合成
1)将石英舟放置在石英管的中间位置，封闭石英管；
2)将石英管置于管式炉的加热工作上，对石英管抽真空使石英管内维持10torr的真空度；
3)开启管式炉，使炉腔的温度在15min内从室温上升到700℃的退火温度，待温度稳定后把石英管的中间位置从管式炉冷区推入到管式炉的中央加热区，并保温5min，得到在衬底表面上形成的硫化亚锡单晶；
4)待硫化亚锡生长完成后，立即把石英管的中间位置从加热区移回冷区，待样品自然冷却后方可取出。
与对比例相比，本发明所提供的硫硒化亚锡二维半导体材料的制备方法具有下述优点：
1、本发明可通过在制备过程中对硫化亚锡及硒化亚锡原料的配比控制以获得具体不同硫硒原子比的硫硒化亚锡合金；
2、本发明首次提出利用两片衬底层叠产生微缝空间的方法以制备二维材料，相较于本对比例中的传统方法，本发明的制备方法可有效节省制备原料，所获得样品表面积更大且厚度更薄。

Claims (10)

1.一种硫硒化亚锡二维半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：
a)将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末均匀混合，得到混合粉末；将所述混合粉末置于第一衬底的一端，然后将第二衬底反转水平放置于所述第一衬底上方，所述混合粉末夹在所述第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系；
b)将所述反应体系置于石英载体上，然后将所述石英载体放置在石英管的加热部，封闭石英管；
c)将所述石英管靠近所述混合粉体的一端通入惰性气体，同时在石英管的另一端抽真空使其维持在预置真空度内；然后，加热所述石英管的加热部，自然冷却，即得。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混合摩尔比为(0.1～1):(0.1～1)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述第一衬底和第二衬底的材料相同，为氧化硅、硅片、氧化硅-硅片复合材料、云母材料或蓝宝石材料。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述第一衬底和第二衬底的厚度为10nm～350nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述第一衬底和第二衬底之间的缝隙宽度为200um～700um。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)所述惰性气体为氮气或氩气，其流量为2sccm～4sccm；
所述真空度为6torr～14torr。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)所述加热的温度为750℃～850℃，加热时间为3min～10min。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫硒化亚锡二维半导体材料附着于所述第二衬底与所述第一衬底相对的一侧。
9.权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料，其特征在于，为四边形二维单晶材料；
其厚度为8nm～100nm；表面积为100um2～10000um2。
10.由权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料和/或权利要求9的硫硒化亚锡二维半导体材料制得的硫硒化亚锡光电器件。
CN201810523294.4A 2018-05-28 2018-05-28 一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法 Pending CN108715440A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810523294.4A CN108715440A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810523294.4A CN108715440A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108715440A true CN108715440A (zh) 2018-10-30

Family

ID=63911466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810523294.4A Pending CN108715440A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108715440A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111908433A (zh) * 2020-07-16 2020-11-10 深圳大学 一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法
CN113964230A (zh) * 2021-09-17 2022-01-21 华南师范大学 一种硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结光电二极管及其制备方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102849692A (zh) * 2012-09-29 2013-01-02 浙江东晶光电科技有限公司 一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法
CN103938176A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 国家纳米科学中心 一种二维半导体合金、其制备方法及用途
US20140332814A1 (en) * 2013-05-08 2014-11-13 The University Of Houston System Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors sns2 and sns at designed locations
CN104538288A (zh) * 2014-12-09 2015-04-22 哈尔滨工业大学 一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法
US20150373736A1 (en) * 2013-01-18 2015-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and device for transmitting channel state information reference signal, hybrid spatial division multiplexing, and space division multiple access in wireless communication system using two-dimensional planar array antenna

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102849692A (zh) * 2012-09-29 2013-01-02 浙江东晶光电科技有限公司 一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法
US20150373736A1 (en) * 2013-01-18 2015-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and device for transmitting channel state information reference signal, hybrid spatial division multiplexing, and space division multiple access in wireless communication system using two-dimensional planar array antenna
US20140332814A1 (en) * 2013-05-08 2014-11-13 The University Of Houston System Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors sns2 and sns at designed locations
CN103938176A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 国家纳米科学中心 一种二维半导体合金、其制备方法及用途
CN104538288A (zh) * 2014-12-09 2015-04-22 哈尔滨工业大学 一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WEI GAO ET AL.: "Narrow-gap physical vapour deposition synthesis of ultrathin SnS1−xSex(0≤x≤1)two-dimensional alloys with unique polarized Raman spectra and high(opto)electronic properties", 《NANOSCALE》 *
张健: "SnS、SnSe、SnS_xSe_(1-x)低维纳米结构的制备及高压物性研究", 《中国博士学位论文全文数据库·工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111908433A (zh) * 2020-07-16 2020-11-10 深圳大学 一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法
CN111908433B (zh) * 2020-07-16 2022-06-14 深圳大学 一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法
CN113964230A (zh) * 2021-09-17 2022-01-21 华南师范大学 一种硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结光电二极管及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ma et al. Heterostructured WS2/CH3NH3PbI3 photoconductors with suppressed dark current and enhanced photodetectivity
Yu et al. Chalcogenide perovskite BaZrS3 thin-film electronic and optoelectronic devices by low temperature processing
Masudy-Panah et al. Reduction of Cu-rich interfacial layer and improvement of bulk CuO property through two-step sputtering for p-CuO/n-Si heterojunction solar cell
Kazmerski et al. CuInS2 thin‐film homojunction solar cells
Archer et al. GaInP∕ GaAs dual junction solar cells on Ge∕ Si epitaxial templates
Teplin et al. A new approach to thin film crystal silicon on glass: Biaxially-textured silicon on foreign template layers
CN108715440A (zh) 一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法
CN108002445A (zh) 硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料
Lee et al. Highly efficient flexible CuIn0. 7Ga0. 3Se2 solar cells with a thick Na/Mo layer deposited directly on stainless steel
Chen et al. Control and improvement of p-type conductivity in indium and nitrogen codoped ZnO thin films
Mahawela et al. Transparent high-performance CDSE thin-film solar cells
Slaoui et al. Polycrystalline silicon solar cells on mullite substrates
Rau et al. Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass
Wang et al. Van der Waals heterostructures with tunable tunneling behavior enabled by MoO3 surface functionalization
Zhang et al. Synthesis of CdZnS buffer layer and its impact on Cu2ZnSn (S, Se) 4 thin film solar cells
Fix et al. Preparation of β-CuGaO2 thin films by ion-exchange of β-NaGaO2 film fabricated by a solgel method
Lei et al. Modulation of atomic-layer-deposited Al2O3 film passivation of silicon surface by rapid thermal processing
He et al. Aqueous solution-deposited aluminum-gallium-oxide alloy gate dielectrics for low voltage fully oxide thin film transistors
Yu et al. Low-Temperature Fabrication of High Quality Gate Insulator in Metal–Oxide–Semiconductor Capacitor Using Laser Annealing
CN111430244B (zh) 氮化镓二硫化钼混合尺度pn结的制备方法
CN111430228B (zh) 一种超高介电常数介质薄膜的制备方法
Keshmiri et al. Enhancement of drift mobility of zinc oxide transparent-conducting films by a hydrogenation process
Altosaar et al. Monograin layer solar cells
JPH0697070A (ja) 多結晶シリコン膜の製造方法
Luo et al. Modulating photoelectric performance of graphene/gallium arsenide nanowire photodetectors by applying gate voltage

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181030