CN108711556A - 去气腔室以及去气方法 - Google Patents

Abstract

一种去气腔室以及去气方法。去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；加热装置包括加热盘，加热盘中设有加热元件，且从加热盘的中心到加热盘的边缘的方向上，加热元件的排布密度逐渐增加；冷却装置与加热盘间隔一定距离相对设置；移动支撑装置构造为带动晶圆在加热盘和冷却装置之间移动，以分别对晶圆进行加热和冷却。

Description

去气腔室以及去气方法

技术领域

本公开的实施例涉及一种去气腔室以及去气方法。

背景技术

在晶圆的加工过程中，通常需要对晶圆进行加热和冷却。例如，在去气工艺中，首先将晶圆加热到一定温度以去除水蒸气和其他挥发性物质，然后再将晶圆冷却到室温以方便进行后续工艺。

发明内容

根据本公开的实施例，提供一种去气腔室。所述去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；所述加热装置包括加热盘，所述加热盘中设有加热元件，且从所述加热盘的中心到所述加热盘的边缘的方向上，所述加热元件的排布密度逐渐增加；所述冷却装置与所述加热盘间隔一定距离相对设置；所述移动支撑装置构造为带动晶圆在所述加热盘和所述冷却装置之间移动，以分别对所述晶圆进行加热和冷却。

例如，所述去气腔室还包括遮蔽件；所述去气腔室具有加热状态和冷却状态；在所述加热状态下，所述遮蔽件从所述加热盘与所述晶圆之间移开，以使所述晶圆暴露于所述加热盘；并且在所述冷却状态下，所述遮蔽件移动到所述加热盘与所述晶圆之间，以遮挡所述晶圆。

例如，所述去气腔室还包括与所述腔室连通的保护罩；在所述加热状态下，所述遮蔽件置于所述保护罩中。

例如，所述去气腔室还包括：旋转连杆，与所述遮蔽件的靠近所述保护罩的一端固定连接；以及旋转电机，驱动所述旋转连杆旋转；所述旋转电机驱动所述旋转连杆旋转，所述旋转连杆带动所述遮蔽件运动。

例如，所述遮蔽件构造为在折叠状态和伸展状态之间转换；在所述折叠状态下，所述遮蔽件不位于所述加热盘和所述晶圆之间；并且在所述伸展状态下，所述遮蔽件位于所述加热盘和所述晶圆之间。

例如，所述冷却装置包括冷却盘，所述冷却盘构造为对所述晶圆进行冷却。

例如，所述加热盘固定在所述腔室的顶壁上，所述冷却盘固定在所述腔室的底壁上。

例如，至少在所述腔室的靠近所述加热装置的部分壁处设置有另一冷却元件。

根据本公开的实施例，还提供一种去气方法，在如上所述的去气腔室内进行。所述方法包括：采用所述移动支撑装置将所述晶圆移动到相比于所述冷却装置更靠近所述加热盘的位置，并对所述晶圆进行加热；以及采用所述移动支撑装置将所述晶圆移动到相比于所述加热盘更靠近所述冷却装置的位置，并对所述晶圆进行冷却。

例如，所述去气腔室包括遮蔽件；并且所述方法进一步包括：在对所述晶圆进行加热的过程中，将所述遮蔽件从所述加热盘与所述晶圆之间移开，以使所述晶圆暴露于所述加热盘；在对所述晶圆进行冷却的过程中，将所述遮蔽件移动到所述加热盘与所述晶圆之间，以遮挡所述晶圆。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1示出了根据一种技术的去气腔室；

图2示出了根据一种技术的加热腔室；

图3(a)示出了根据本公开实施例的去气腔室；

图3(b)示出了设置在根据本公开实施例的去气腔室中的加热装置的加热盘的截面示意图；

图4(a)和图4(b)分别示出了根据本公开实施例的去气腔室，其中图4(a)为加热状态下的示意图，图4(b)为冷却状态下的示意图；

图5(a)和图5(b)分别示出了根据本公开实施例的去气腔室，其中图5(a)为加热状态下的示意图，图5(b)为冷却状态下的示意图；以及

图6示出了根据本公开实施例的去气腔室的腔室壁。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

图1示出了根据一种技术的去气腔室。腔室101具有透明介质窗103，在腔室101外部且靠近透明介质窗10的位置处设置有加热光源102，在腔室101内部设置有冷却装置104，晶圆105放置在冷却装置104上。加热光源102隔着透明介质窗103对晶圆105进行加热；在加热完成之后开启冷却装置104以对晶圆105进行冷却。图1所示的去气腔室存在以下问题：光源102的能量分布通常不均匀，从而导致对晶圆105的加热不均匀，并且将光源102的能量分布调整均匀是很困难的；在加热的过程中晶圆105的表面温度需要通过事先实验间接测得，因此在晶圆105表面温度随腔室101内部条件变化而变化时不容易被发现；在加热过程中晶圆105会挥发出物质，挥发出的物质会沉积在透明介质窗103上并阻挡热量传递，降低了加热效率；透明介质窗103会由于加热光源102的照6射而温度升高，因此在冷却过程中透明介质窗103会向晶圆105辐射热量，导致冷却效率降低。

图2示出了一种加热腔室。加热装置202设置在腔室201内以对晶圆203进行加热。图2所示的加热腔室只能对晶圆进行加热，需要将晶圆203转移到其他设备才能进行冷却，生产效率低下。

根据本公开的实施例，提供一种去气腔室。该去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；加热装置包括加热盘，加热盘中设有加热元件，且从加热盘的中心到加热盘的边缘的方向上，加热元件的排布密度逐渐增加；冷却装置与加热盘间隔一定距离相对设置；移动支撑装置构造为带动晶圆在加热盘和冷却装置之间移动，以分别对晶圆进行加热和冷却。根据本公开的实施例，加热装置和冷却装置都位于去气腔室内，移动支撑装置带动晶圆在冷却装置和加热装置的加热盘之间移动，从而可以在同一腔室内完成加热工艺和冷却工艺二者，提高了生产效率，克服了图2所示的加热腔室只能进行加热从而导致生产效率低下的问题。另外，根据本公开的实施例，加热装置设置在腔室内部，在加热过程中加热装置和晶圆之间不具有其他部件(例如，图1所示的介质窗103)，因此加热装置可以近距离对晶圆进行加热并且来自加热装置的热量可以直接辐射向晶圆，从而与图1所示的设备相比根据本公开实施例的去气腔室可以提高加热均匀性，并且根据本公开实施例的去气腔室还可以避免图1所示的设备中由于介质窗103的存在而带来的其他一系列问题，例如挥发出的物质沉积在透明介质窗103上而阻挡热量传递、介质窗103温度升高等等。进一步地，根据本公开的实施例，加热装置包括加热盘，加热盘中设有加热元件，且从加热盘的中心到加热盘的边缘的方向上，加热元件的排布密度逐渐增加；在此情形下，一方面，加热盘作为盘状结构可以实现较大范围的面加热，另一方面，由于加热盘的边缘可能比中心散热快，因此通过对加热元件的排布密度进行如上设置可以补偿加热盘边缘的热散失；从而，进一步提高了加热过程中的温度均匀性。

下面，将结合附图对根据本公开实施例的去气腔室进行详细的说明。

图3(a)示出了根据本公开实施例的去气腔室；图3(b)示出了设置在根据本公开实施例的去气腔室中的加热装置的加热盘的截面示意图。如图3(a)所示，根据本公开实施例的去气腔室10的内部设有加热装置20、冷却装置30和移动支撑装置80，加热装置20包括加热盘20’，冷却装置30与加热盘20’间隔一定距离相对设置，移动支撑装置80构造为带动晶圆50在加热盘20’和冷却装置30之间移动，以分别对晶圆50进行加热和冷却。进一步地，如图3(b)所示，加热盘20’中设有加热元件21，且从加热盘20’的中心O-O’到加热盘20’的边缘的方向上，加热元件21的排布密度逐渐增加。

加热装置20和冷却装置30都位于去气腔室10内部，移动支撑装置80带动晶圆50在冷却装置30和加热装置30的加热盘20’之间移动，从而可以在同一腔室10内完成加热工艺和冷却工艺二者，提高了生产效率。另外，加热装置20设置在腔室10内部，在加热过程中加热盘20’和晶圆50之间不具有其他部件(例如，图1所示的介质窗103)，因此加热盘20’可以近距离对晶圆50进行加热并且来自加热盘20’的热量可以直接辐射向晶圆50，从而可以提高加热均匀性。进一步地，加热装置20包括加热盘20’，加热盘20’中设有加热元件21，且从加热盘20’的中心到加热盘20’的边缘的方向上，加热元件21的排布密度逐渐增加；在此情形下，一方面，加热盘20’作为盘状结构可以实现较大范围的面加热，另一方面，通过对加热元件21的排布密度进行如上设置可以补偿加热盘20’边缘的热散失；因此，进一步提高了加热过程中的温度均匀性。

需要说明的是，本公开的实施例对腔室10的具体形状不进行任何限制，只要腔室10可以容纳加热装置10和冷却装置20即可。

需要说明的是，在图3(a)和图3(b)中，加热元件21的截面形状和数量均是示例性的，本公开实施例不局限于此，可以根据实际需要选择加热元件21的截面形状和数量。

例如，如图3(a)所示，对于加热盘20’而言，至少其面向晶圆50的表面为平面，从而加热盘20’可以成为均匀性优良的面加热源。例如，加热盘20’的面向晶圆50的表面的面积大于或等于晶圆50的表面面积，以确保加热效率和加热均匀性。例如，为了方便加工，加热盘20’的面向晶圆50的表面以及加热盘20’的远离晶圆50的表面均为平面。

例如，如图3(a)所示，冷却装置30包括冷却盘30’，并且冷却盘30’构造为对晶圆50进行冷却。例如，对于冷却盘30’而言，至少其面向晶圆50的表面为平面，从而冷却盘30’可以成为均匀性优良的面冷却源。例如，冷却盘30’的面向晶圆50的表面的面积大于或等于晶圆50的表面面积，以确保冷却效率和冷却均匀性。例如，为了方便加工，冷却盘30’的面向晶圆50的表面以及冷却盘30’的远离晶圆50的表面均为平面。

例如，如图3(a)所示，加热盘20’固定在去气腔室10的顶壁上并且冷却盘30’固定在去气腔室10的底壁上，也就是，冷却盘30’位于加热盘20’的下方或者正下方；这样一来，可以方便后续描述的遮蔽件40的设置，以进一步提高去气腔室10的性能。然而，本公开的实施例不限于此，可以根据需要对冷却盘30’和加热盘20’之间的位置关系进行其他设置。

例如，如图3(a)所示，加热盘20’通过第一连接件61而固定在去气腔室10的顶壁上，冷却盘30’通过第二连接件62而固定在去气腔室10的底壁上。本公开的实施例对第一连接件61和第二连接件62的结构不进行任何限制，只要第一连接件61能够稳定地将加热盘20’固定到去气腔室10的顶壁且第二连接件62能够稳定地将冷却盘30’固定到去气腔室10的底壁即可。

例如，如图3(a)和3(b)所示，加热元件21设置在加热盘20’内部，以利于实现均匀性优良的面加热源。

例如，晶圆50为任何需要进行去气处理的晶圆，例如为硅晶圆，本公开实施例对此不进行限制。例如，晶圆50包括衬底以及形成在衬底上的膜层或图案。例如，晶圆50仅包括衬底，衬底上不具有其他膜层或图案。例如，在将晶圆50放置入腔室10时，晶圆50的形成有膜层或图案的表面或者后续需要形成膜层或图案的表面朝上，即朝向加热装置20。

例如，移动支撑装置80构造为带动晶圆50向上和/或向下运动。例如，移动支撑装置80是可伸缩的，从而通过调节移动支撑装置80的伸缩状态来带动晶圆50在加热盘20’和冷却装置30之间移动。本公开实施例对移动支撑装置80的具体结构不进行限制，只要其可带动动晶圆50在加热盘20’和冷却装置30之间移动即可。

例如，在加热工艺完成之后加热装置20会残留有热量，由于加热装置20和冷却装置30均位于去气腔室10内，因此残留的热量仍然会辐射向晶圆50，从而影响冷却装置30冷却晶圆50的冷却效率。例如，需要对多批次的晶圆50进行加热和冷却处理，在此情形下，需要加热装置20一直开启以降低频繁开关对加热装置20造成的损耗，从而加热装置20会持续向晶圆50辐射热量，影响了冷却装置30冷却晶圆50的冷却效率。为了克服该问题，根据本公开实施例的去气腔室10例如包括遮蔽件40。例如，屏蔽件40构造为阻挡或减少在冷却工艺中加热装置20辐射向晶圆50的热量。

图4(a)和图4(b)以及图5(a)和图5(b)分别示出了根据本公开实施例的去气腔室，其中图4(a)和图5(a)示出了加热状态下遮蔽件40的位置，图4(b)和图5(b)示出了冷却状态下遮蔽件40的位置，图4(a)和图4(b)所示的遮蔽件在结构上不同于图5(a)和图5(b)所示的遮蔽件。

例如，根据本公开实施例的去气腔室10具有加热状态和冷却状态，在加热状态下晶圆50被加热，在冷却状态下晶圆50被冷却。例如，在加热状态下，遮蔽件40从加热盘20’与晶圆50之间移开，以使晶圆50暴露于加热盘20’，如图4(a)所示和图5(a)所示；在冷却状态下，遮蔽件40移动到加热盘20’与晶圆50之间，以遮挡晶圆50，如图4(b)和图5(b)所示。

如图4(a)和图5(a)所示，在加热状态下，遮蔽件40从加热盘20’与晶圆50之间移开以使晶圆50暴露于加热盘20’，从而可以方便地将晶圆50移动到靠近加热盘20’的位置并且遮蔽件40不会遮挡加热盘20’辐射向晶圆50的热量。

例如，移动支撑装置80将晶圆50运送到预定的位置以使得在加热状态下晶圆50和加热盘20’直接接触。

例如，移动支撑装置80将晶圆50运送到预定的位置以使得在加热状态下晶圆50与加热装置20彼此靠近而不直接接触。例如，在加热状态下，晶圆50与加热盘20’之间的距离约为0.05mm-0.15mm，进一步地例如约为0.1mm。这样一来，晶圆50既可以距离加热盘20’足够近而被充分加热，又可以不妨碍晶圆50中的水蒸气或其他挥发性物质的挥发，并且在晶圆50的表面形成有图案的情形下可以防止这些图案与加热盘20’直接接触而受到破坏。

例如，如图4(a)和图5(a)所示，在加热状态下，晶圆50与加热盘20’之间不具有任何部件，来自加热盘20’的热量可以直接辐射向晶圆50。

例如，如图4(b)和图5(b)所示，在冷却状态下，遮蔽件40移动到加热盘20’与晶圆50之间，以遮挡晶圆50，从而防止在冷却工艺中加热装置20向晶圆50辐射热量。

例如，在冷却状态下，遮蔽件40在加热盘20’上的正投影完全覆盖加热盘20’，这样一来遮蔽件40可以完全遮挡加热盘20’，以有效地防止在冷却工艺中加热装置20向晶圆50辐射热量。

例如，移动支撑装置80将晶圆50运送到预定的位置以使得在冷却状态下晶圆50被放置在冷却装置30的冷却盘30’上而与冷却盘30’直接接触。这样，可以提高冷却效率和冷却均匀性。

例如，遮蔽件40可以由能减少热量传播的材料形成。通常采用不锈钢来制造各种生产设备，诸如根据本公开实施例的去气腔室。例如，遮蔽件40也由不锈钢形成，以简化材料选择和材料储备工序，从而简化制造工艺。

例如，遮蔽件40可以由隔热材料形成，例如热反射材料、热绝缘材料等。热反射材料例如为表面镀有高反射率金属层的板材。热绝缘材料例如为热绝缘树脂。热绝缘树脂例如为酚醛树脂、聚氨酯树脂等。

例如，如图4(a)和4(b)所示，遮蔽件40是刚性的，去气腔室10包括与其连通的保护罩41。例如，在加热状态下，遮蔽件40置于保护罩41中。这样一来，在加热状态下，遮蔽件41不会妨碍晶圆50的移动且不会遮挡加热盘20’辐射的热量。例如，保护罩41与腔室10一体形成。例如，保护罩41与腔室10分开形成，并通过螺栓等连接件连接在一起。

例如，如图4(a)和4(b)所示，根据本公开实施例的去气腔室10还包括：旋转连杆42，与遮蔽件40的靠近保护罩41的一端固定连接；以及旋转电机43，驱动旋转连杆42旋转。旋转电机43驱动旋转连杆42旋转，旋转连杆42带动遮蔽件40运动，以使遮蔽件40移入保护罩41或从保护罩41移出而到达期望的位置。

需要说明的是，使遮蔽件40发生移动的机构并不限于如上所述的旋转连杆42和驱动电机43，任何使遮蔽件40在加热状态下从加热盘20’与晶圆50之间移开且在冷却状态下移动到加热盘20’与晶圆50之间的驱动机构都属于本公开实施例的保护范围。

例如，如图5(a)和5(b)所示，遮蔽件40构造为在折叠状态和伸展状态之间转换；在折叠状态下，遮蔽件40不位于加热盘20’和晶圆50之间；并且在伸展状态下，遮蔽件40位于加热盘20’和晶圆50之间。这样一来，在加热状态下，遮蔽件40折叠以从加热盘20’与晶圆50之间移开；并且在冷却状态下，遮蔽件40展开以到达加热盘20’与晶圆50之间。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，加热装置20还包括与加热元件21连接的线路22。例如，加热元件21包括电阻加热元件(例如，电热丝)，在此情形下，与加热元件21连接的线路22为向电阻加热元件传输电流的电线。例如，加热元件21包括液体加热元件，在此情形下，与加热元件21连接的线路22为向液体加热元件传输高温液体的输液管。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，第一连接件61是空心的，与加热元件21连接的线路22穿过第一连接件61而被引导到腔室10之外。在此情形下，第一连接件61兼具固定加热盘20’和引导线路22的作用，可以简化腔室10的结构。另外，第一连接件61可以将腔室10的内部环境与外部的大气环境隔离开。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，加热装置20还包括测温元件23和与测温元件23连接的引线24。例如，测温元件23为热电偶。加热装置20包括测温元件23，从而可以实时地对加热盘20’的温度进行监测，以利于实时且准确地控制加热温度。需要说明的是，图中仅在加热盘20’的中心位置设置了一个测温元件23；然而，本公开实施例不限于此，可以针对加热盘20’的不同位置设置多个测温元件23，并根据多个测温元件23的监测结果对加热盘20’的不同位置分别进行相应的温度调整，实现均匀加热。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，与测温元件23连接的引线24穿过第一连接件61而被引导到腔室10之外，以简化腔室10的结构。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，冷却盘30’中设置有冷却元件31，且冷却装置30还包括与冷却元件31连接的线路32。例如，冷却元件31包括液体冷却元件(例如，水冷元件、液氮冷却元件等)，在此情形下，与冷却元件31连接的线路32为向液体冷却元件传输冷却水或液氮等的输液管。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，第二连接件62是空心的，与冷却元件31连接的线路32穿过第二连接件62而被引导到腔室10之外。在此情形下，第二连接件62兼具固定冷却盘30’和引导线路32的作用，可以简化腔室10的结构。另外，第二连接件62可以将腔室10的内部环境与外部的大气环境隔离开。

为了方便腔室10的加工，通常需要将腔室10的壁分成多个部分，该多个部分被分开制造，然而再通过连接件连接在一起。图6示出了根据本公开实施例的去气腔室10的腔室壁，其中在图6中为了方便省略了腔室的内部结构。例如，如图6所示，腔室10被分隔成上下两个部分12和13，与该两个部分12和13对应的腔室壁被分开制造，然后再通过诸如螺丝等的连接件连接在一起。

例如，在将腔室10的多个部分通过连接件连接在一起的过程中，需要配合连接件使用大量的密封胶圈，以使腔室10成为气密腔室。另外，在将腔室10与其他部件(例如，如上所述的保护罩10以及如下所述的真空系统90、真空测量仪91、进气系统92等)进行连接时也需要配合连接件使用大量的密封胶圈。然而，密封胶圈在受热的情形下容易变形，影响密封效果。因此，在根据本公开的实施例中，例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，至少在腔室10的靠近加热装置20的部分壁处设置有另一冷却元件70，以避免腔室壁由于加热装置20的热辐射而温度升高，从而避免密封胶圈受热变形。例如，该另一冷却元件70不同于且独立于冷却装置30。例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，在腔室10的顶壁处设置了冷却元件70。例如，可以在整个腔室壁上均设置冷却元件70，以更好地避免腔室壁由于加热装置20的热辐射而温度升高。例如，如图6所示，在腔室10的上壁、下壁和侧壁上均设置了冷却元件70。例如，冷却元件70包括液体冷却元件(例如，水冷元件、液氮冷却元件等)。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，移动支撑装置80包括支撑件81，该支撑件81用于支撑晶圆50并且构造为可穿过冷却盘30’。例如，在加热状态下，支撑件81穿过冷却盘30’并上升，将晶圆50运送到靠近加热盘20’的位置。例如，在冷却状态下，支撑件81下降，将晶圆50运送到靠近冷却盘30’的位置或者将晶圆50放置到冷却盘30’上。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，移动支撑装置80还包括：升降连杆83，与支撑件81固定连接；以及升降电机84，驱动升降连杆83升高或降落。升降电机84驱动升降连杆83上升或下降，升降连杆83带动支撑件81上升或下降，从而支撑件81可以将晶圆50运送到所需的工艺位置。例如，支撑装置还包括板状的支撑件托盘82，支撑件81固定在支撑件托盘82的上表面，升降连杆83连接到支撑件托盘82的下表面。通过采用板状的支撑件托盘82，可以使支撑件81的运动更稳定并且可以方便地设置多个支撑件81。

例如，如图4(a)和4(b)以及图5(a)和5(b)所示，腔室10具有阀门11，在阀门11关闭之后腔室10为气密腔室。打开阀门11，晶圆50移入腔室10或从腔室10移出晶圆50。关闭阀门11，对晶圆50进行加热和冷却。

例如，根据需要，根据本公开实施例的去气腔室还可以包括与腔室10连接的真空系统90、真空测量仪91、进气系统92等，在此不再赘述。

根据本公开的实施例，还提供一种去气方法，该方法在如上所述的根据本公开实施例的去气腔室10内进行。例如，根据本公开实施例的去气方法包括：采用移动支撑装置80将晶圆50移动到相比于冷却装置30更靠近加热盘20’的位置，并对晶圆50进行加热；以及采用移动支撑装置80将晶圆50移动到相比于加热盘20’更靠近冷却装置30的位置，并对晶圆50进行冷却。

在根据本公开实施例的去气方法中，采用移动支撑装置80带动晶圆50在腔室10内的冷却装置30和加热盘20’之间移动，从而可以在同一腔室10内完成加热工艺和冷却工艺二者，提高了生产效率。另外，加热盘20’可以近距离对晶圆50进行加热并且来自加热盘20’的热量可以直接辐射向晶圆50，从而可以提高加热均匀性。

例如，所述去气方法进一步包括：在对晶圆50进行加热的过程中，将遮蔽件40从加热盘20’与晶圆50之间移开，以使晶圆50暴露于加热盘20’；在对晶圆50进行冷却的过程中，将遮蔽件40移动到加热盘20’与晶圆50之间，以遮挡晶圆50。这样一来，可以保证加热效率和冷却效率二者。

例如，根据本公开实施例的去气方法的一个示例如下。打开阀门11，晶圆50移入腔室10并放置在支撑件81上，遮蔽件40移入保护罩41内或者被折叠；关闭阀门11，采用真空系统90将腔室10抽到真空状态；进气系统92向腔室10通入惰性气体(例如，N2、Ar等)，支撑件81将晶圆50运送到靠近加热盘20’的位置，开启加热装置20并对晶圆50进行加热，在加热的过程中可以通过测温元件23监测加热盘20’的温度并根据监测结果实时调整加热盘20’的温度；加热完毕之后，真空系统90将腔室10内的惰性气体排出，进气系统92向腔室10重新通入惰性气体(例如，N2、Ar等)，支撑件81下降以将晶圆50放置到冷却盘30’上，遮蔽件40被移动到加热盘20’和晶圆50之间，开启冷却装置30并对晶圆50进行冷却；在冷却完毕之后，将晶圆50移出腔室。需要说明的是，根据本公开实施例的去气方法不局限于上述示例。

有以下几点需要说明：(1)在本公开实施例的附图中，只涉及到与本公开实施例相关的结构，其他结构可参考通常设计；(2)为了清晰起见，在用于描述本公开实施例的附图中，各部件并非按照实际比例绘制；(3)在不冲突的情况下，本公开实施例中的特征可以相互组合。

以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (10)

1.一种去气腔室，其中，

所述去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；

所述加热装置包括加热盘，所述加热盘中设有加热元件，且从所述加热盘的中心到所述加热盘的边缘的方向上，所述加热元件的排布密度逐渐增加；

所述冷却装置与所述加热盘间隔一定距离相对设置；

所述移动支撑装置构造为带动晶圆在所述加热盘和所述冷却装置之间移动，以分别对所述晶圆进行加热和冷却。

2.根据权利要求1所述的去气腔室，还包括遮蔽件，其中，

所述去气腔室具有加热状态和冷却状态；

在所述加热状态下，所述遮蔽件从所述加热盘与所述晶圆之间移开，以使所述晶圆暴露于所述加热盘；并且

在所述冷却状态下，所述遮蔽件移动到所述加热盘与所述晶圆之间，以遮挡所述晶圆。

3.根据权利要求2所述的去气腔室，还包括与所述腔室连通的保护罩，其中，在所述加热状态下，所述遮蔽件置于所述保护罩中。

4.根据权利要求3所述的去气腔室，还包括：

旋转连杆，与所述遮蔽件的靠近所述保护罩的一端固定连接；以及

旋转电机，驱动所述旋转连杆旋转，

其中，所述旋转电机驱动所述旋转连杆旋转，所述旋转连杆带动所述遮蔽件运动。

5.根据权利要求2所述的去气腔室，其中，

所述遮蔽件构造为在折叠状态和伸展状态之间转换；

在所述折叠状态下，所述遮蔽件不位于所述加热盘和所述晶圆之间；并且

在所述伸展状态下，所述遮蔽件位于所述加热盘和所述晶圆之间。

6.根据权利要求1所述的去气腔室，其中，

所述冷却装置包括冷却盘，所述冷却盘构造为对所述晶圆进行冷却。

7.根据权利要求6所述的去气腔室，其中，所述加热盘固定在所述腔室的顶壁上，所述冷却盘固定在所述腔室的底壁上。

8.根据权利要求1至7任一项所述的去气腔室，其中，

至少在所述腔室的靠近所述加热装置的部分壁处设置有另一冷却元件。

9.一种去气方法，在根据权利要求1所述的去气腔室内进行，其中，所述方法包括：

采用所述移动支撑装置将所述晶圆移动到相比于所述冷却装置更靠近所述加热盘的位置，并对所述晶圆进行加热；以及

采用所述移动支撑装置将所述晶圆移动到相比于所述加热盘更靠近所述冷却装置的位置，并对所述晶圆进行冷却。

10.根据权利要求9所述的去气方法，其中，

所述去气腔室包括遮蔽件；并且

所述方法进一步包括：在对所述晶圆进行加热的过程中，将所述遮蔽件从所述加热盘与所述晶圆之间移开，以使所述晶圆暴露于所述加热盘；在对所述晶圆进行冷却的过程中，将所述遮蔽件移动到所述加热盘与所述晶圆之间，以遮挡所述晶圆。