CN108701647A - 用于钴镀覆的增强镀覆浴及添加剂化学品 - Google Patents

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Abstract

本公开内容的实施方式可包括电镀特征的数种方法，这些特征形成于半导体器件上，诸如沟槽或通孔，该沟槽或介层窗是通过使用钴镀覆浴以单镶嵌或双镶嵌工艺形成。该钴电镀浴可含有“添加剂包”或“添加剂系统”，该“添加剂包”或“添加剂系统”包括某些比例的多种添加剂的组合，而助于高深宽比亚微米特征的金属填充。本公开内容的实施方式提供新的钴镀覆浴方法及化学品，这些方法与化学品包括烷基修饰咪唑、咪唑啉、及咪唑啉啶抑制剂化合物。

Description

用于钴镀覆的增强镀覆浴及添加剂化学品
背景
技术领域
本公开内容的实施方式一般地涉及集成电路的制造与钴金属镀(cobaltmetallization)，例如，使用单镶嵌或双镶嵌工艺的集成电路的制造与钴金属镀。
背景技术
诸如微型的电子装置、机电装置、或光学装置之类的微电子装置一般是在工件或基板上和/或基板中制造，例如硅晶片。在典型制造工艺中，例如在半导体材料晶片上，首先使用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、无电镀覆(electroless plating)工艺、或其他适合的方法将导电种晶层施加至基板表面上。形成种晶层后，在含金属离子的电处理溶液的存在情况下，通过于种晶层与一或多个电极之间施加适当的电势使金属层镀覆至基板上。之后，于后续程序中清洁和/或退火基板，以形成装置、接触件、或导电线。一些基板可具有阻挡层，种晶层形成于该阻挡层上。
目前，多数微电子装置制作在以铜(Cu)镀覆的基板上。尽管铜具有高导电率，但铜一般需要诸如氮化钽(TiN)之类的阻挡层，以防止铜扩散进入基板或基板上的介电材料内。这些类型的阻挡层具有相对低的导电率。通过使用已知技术，利用酸性铜电镀溶液使基板上特征填有电镀的铜。这些电镀溶液经常使用添加剂以增进超保形(super-conformal)的填充工艺(特征的填充主要是从底部往上，而不是从侧面往内)，以产生无空隙的填充。随着特征尺寸缩小时，用传统铜镀覆工艺达成无空隙的填充变得更为困难。此外，随着特征变得更小，由于必须有最小阻挡层厚度用以防止铜扩散，所以无论特征尺寸为何，用于铜的阻挡层占据较小特征的相对更大的体积。
例如，若必须要有3纳米的最小阻挡层厚度以防止铜扩散，则对具有60纳米的临界尺寸且深宽比4:1的特征而言，阻挡层占据大体上11％的截面面积。然而，对具有20纳米的临界尺寸且深宽比2:1的特征而言，阻挡层维持3纳米厚，但现在该阻挡层占据33％的截面面积。在此情况中，阻挡层(具低导电率)的体积按比例更高，所以互连件、通孔(via)、或其他特征的电阻按比例更高。随着特征渐渐变小，铜对阻挡层的比例增加增加到电阻变得无法接受的程度。
一种用于克服此技术挑战而提出的方法是用不需要阻挡层的金属取代铜，例如钴(Co)。尽管钴具有比铜高的电阻(6μOhm-cm对2μOhm-cm)，但钴可不需要防止进入硅或介电质的扩散的阻挡层。化学气相沉积(CVD)是通过施加钴而填充大型及小型特征的有用技术，但仍有一些限制。尽管此方法对于小特征(例如，7至10纳米，诸如互连件层级的特征或接触件层级的特征)有效，但CVD无法良好地适合用于填充大于约10纳米的特征。
因此，需要用钴超保形及无缺陷地填充窄特征的新技术，诸如含有新的且改良的镀覆浴添加剂的改良钴电镀浴。
发明内容
本公开内容的实施方式一般地涉及使用例如单镶嵌及双镶嵌工艺的集成电路的制造及钴金属镀。本公开内容的实施方式包括用于在基板上电镀钴层的添加剂系统，该添加剂系统含有至少一种抑制剂化合物。该抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基。该咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基具有烷基。该烷基结合至芳香环或脂肪环，和/或其中该烷基结合至在环原子外部(external)或环原子的环外(exo)的原子。本公开内容的添加剂系统可具有选自以下基团的烷基：芳香烷基、脂肪烷基、氧化的碳基、醚基、乙氧基、丙氧基、乙二醇基、二乙二醇基、丙二醇基、二丙二醇基、一级、二级、或三级胺基、硫醚基、及巯基。
前述的烷基可以是寡聚式(oligomeric)或聚合式(polymeric)，且可具有至少两个重复单元。前述烷基可以是线型、环状、支链型、树枝状、或前述的组合。该烷基可以是聚乙二醇基，其中该聚乙二醇基的分子量在约100克/摩尔至约30000克/摩尔之间，或该烷基可以是聚丙二醇。此外，该烷基可具有选自N、P、O、和/或S的异质原子中的至少一种。该添加剂系统具有至少4的pH值，诸如介于4至9之间的pH值，诸如约7的pH值。
本公开内容的实施方式可使用与钴金属离子配合(complexed)的抑制剂，或者是与钴金属表面配合的抑制剂。该钴金属离子配合物是抑制剂分子与钴离子的反应产物，且该钴金属配合物是抑制剂分子与钴表面的反应产物。
本公开内容中也描述一种形成钴电镀浴的方法。该方法包括：将第一量的钴离子源配发至第一容器中；将第一量的至少一种抑制剂化合物配发至该第一容器中；其中该抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且该咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基醚(alkyl ether)基。该方法进一步包括：将该电镀浴的pH值调整至约4至约9之间。本文也描述一种方法，其中pH值至少为5。
也描述于基板上形成钴层的另一方法。该方法包括：将具有导电层的基板浸泡于钴镀覆浴中，该导电层设置在该基板上，其中该钴镀覆浴含有第一量的钴离子及第一量的至少一种抑制剂化合物。该抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且该咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基醚基。该方法进一步包括：相对于阳极偏压该导电层，而在该导电层的表面上形成钴层，该阳极电连通(electrical communication)该钴镀覆浴与该导电层。该方法也包括，该钴镀覆浴的pH值至少为4，例如介于4至9之间。
附图说明
以上简要概述的本公开内容的上述详述特征能够被具体理解的方式、以及实施方式的更特定描述，可以通过参照实施方式获得，一些实施方式绘示于附图中。然而，应当注意，附图所说明的仅绘示本公开内容的典型实施方式，因此不应被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等同有效的实施方式。
图1A至图1C是根据本公开内容的一个实施方式的钴镀覆体系的截面图。
图2A至图2C是现有技术的钴镀覆方案的截面图。
图3以图表说明根据本公开内容的实施方式的pH值对钴镀覆浴中钴离子的还原电势的影响。
为了便于理解，尽可能地使用了相同的附图标号标示图式中共通的相同元件。考虑到，一个实施方式中公开的元件在没有进一步地描述下可有利地运用于其他实施方式。除非有另外注明，不应将本文有关的图式理解成按比例绘制。此外，为了清晰地显示及说明，经常将这些图式简化和省略某些细节或部件。这些图式及讨论用作解释下文所讨论的原则，其中类似的标记指定类似的元件。
具体实施方式
本公开内容的实施方式涉及半导体器件中的特征的钴电镀与金属镀的方法，这些特征例如单镶嵌或双镶嵌工艺形成的沟槽或通孔。镶嵌工艺电镀浴含有“添加剂包(additive package)”或“添加剂系统”，其中一定比例的添加剂的组合助于高深宽比亚微米特征的金属填充，优选为上述金属填充有低缺陷密度及较佳晶粒结构。
添加剂包中的添加剂的某些混合物可促进以已知为超填充的现象进行的高深宽比互连件结构(诸如沟槽及通孔)的从底部向上的填充。超填充期间，金属沉积的速率在特征底部加速，而在特征侧壁处及顶部入口处的镀覆速率受到抑制或降低。以此方式，沟槽可被金属填满而不会预先被开口顶部处的镀覆金属封锁(sealed off)或夹断(pinchedoff)，而可避免空隙缺陷。
大体而言，有各种类型的添加剂，这些添加剂包括但不限于：抑制剂、平整剂、与加速剂(或增亮剂)。有各式各样的抑制剂与平整剂，诸如：聚醚，诸如非离子性界面活性剂的聚丙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、或PEG/PPG的共聚物；和/或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。抑制剂可与二价金属离子(诸如Co2+)配合或配位，因此将金属离子承载物(cargo)输送至基板的阴极性质的沟道及通孔区域以进行金属超填充沉积。取决于化学结构，相对于无添加剂时镀覆金属的电势(例如，标准电势)，抑制剂可通过增加镀覆金属所用的电势，而控制金属沉积速率。抑制剂也可含有异质原子，诸如氧、硫、氮、及磷(O、S、N、P)，上述异质原子可贡献孤对电子给金属中的空d轨域(d-orbitals)，诸如金属表面及金属原子所见的空d轨域。这些化合物也可具有π键，该π键贡献电子密度给金属表面和/或离子，从而可呈现抑制侵蚀的性质，且可抑制或减慢金属沉积速率。
加速剂及抑制剂可为小分子，其尺寸决定它们迁移及扩散进入发生超填充的高深比特征(例如，沟槽)内或所述高深比特征附近。为了抑制、减缓、和/或调和基板的凸起或平坦的特征或区域上的金属沉积，可使用较大的抑制剂和/或平整剂分子，这些分子不能容易地扩散进入限制性小开口或高深宽比特征，从而控制这些区域中的钴沉积。考虑到超填充中的抑制剂和/或金属/抑制剂配合物的关键作用，针对镶嵌或接触构造中的钴的“超保形超填充”调整此类添加剂的尺寸、分子量、化学功能性、化学基团、及其他方面会是一项优势。更具体而言，本公开内容的一些实施方式中，新的镀覆浴添加剂(诸如新的抑制剂添加剂)经修饰而使得化合物实现高深宽比特征(作为集成电路之导电通路)的高品质、无空隙的钴填充。本公开内容描述具烷基醚及其他分子取代物的空间上经调整(尺寸调整)的新的抑制剂分子，这些分子控制特征转角及开口处的金属沉积速率，以及平坦区域上方及之上的区域(或者特征外或环绕特征的“场(field)”)的金属沉积速率。这些新的抑制剂实现高深宽比特征的加速填充，且可涉及与钴离子及浴中其他添加剂的协同交互(synergisticinteraction)作用。
图1A至图1C图示钴镀覆工艺，其中添加剂包产生超填充的无空隙特征100，诸如沟槽或通孔。如图1B至图1C所示，特征100从底部大量填充，而非从侧面往内填充，从而提供无接缝的镀覆特征。此实例中，添加剂包可包括一或多个烷基取代抑制剂。应注意，使用包含本文所述的新的抑制剂的新添加剂包从底部往上的填充经配置以使得新的抑制剂太大无法抑制填充工艺于特征底部106执行，而是调和、调节、和/或控制开口处及基板101的场105上的钴沉积。新的化学品也防止现有技术中所见的使用常规沉积工艺以材料220填充(图2A至图2C)特征200中所见的接缝及其他空隙缺陷201。图2A至图2C中所示的填充工艺也可通过如下方式执行：镀覆保形膜之后接着进行退火步骤或另一层超保形膜。
本公开内容的其他实施方式中，当抑制剂一起混合时，可观察到协同效应，诸如特征底部中的填充工艺的加速。例如，当在镀覆浴(诸如钴镀覆浴)中一起混合诸如2-巯基苯并咪唑(MBZ)、3-巯基丙烷磺酸(MPS)、及(O-乙基二硫代碳酸)-S-(3-磺丙基)酯钠盐(OPX)的抑制剂时，基本上含有此抑制剂组合的添加剂包可引起超填充工艺在特征100内发生，该特征100形成于基板101的表面上。此现象可基于给定的pH值及电化学电势依依单个成分的选择而变化。
本文所述的镀覆浴添加剂系统可用于将钴镀覆至具小特征的基板上，该小特征例如为60nm、40nm、30nm或更小(诸如小于20nm)的特征。该基板可设置有种晶层，该种晶层经由无电沉积、原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)、或化学气相沉积(CVD)形成。用在种晶层110中的材料可包括钴(Co)、铜(Cu)、锰(Mn)、掺杂的铜、钌(Ru)、及其他材料。可经由物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、或使用其他已知的沉积技术施加基板上的阻挡层(若有的话)。
一个实施方式中，半导体基板或制品中的沟槽的后蚀刻开口可小于20nm，且深宽比为约2至6。特征100可涂布有1纳米至2纳米厚的TaN或TiN及1纳米至6纳米的CVD钴种晶(例如，图1A所示的种晶层110)，例如约2.5纳米至约6纳米厚的CVD钴层。另一实施方式中，因为相较于铜，钴在氧化硅及其他常用的介电质中有低扩散系数，所以如图1A至图1C所绘示，特征100可仅涂布有钴种晶层(例如种晶层110)。
基板101上填充特征100的方法可进一步包括使基板接触含有钴离子的钴电镀镀覆溶液(镀覆浴)以及将钴镀覆在基板101上，使得特征100填充有含钴层120。该钴溶液/钴离子源可以水溶性盐类的形式引入该浴中，该水溶性盐类诸如为氨基磺酸钴(cobaltsulfamate)和/或氯化钴中的甘氨酸钴配合物；或者，前述钴源可以适当量且以固体或液体形式直接添加到水性浴中。一个实施方式中，浴中钴离子的浓度可介于约每升0.1克(g/L)至约15g/L之间。一个实施方式中，该浴含有介于约每升0.001摩尔(摩尔/升)至约0.25摩尔/升之间的钴离子。
另一实施方式中，该镀覆浴也含有诸如抑制剂、平整剂、及加速剂的添加剂，上述添加剂可于添加钴源之后或之前添加至水性溶液或浴中。这些添加剂的每一者的浓度可介于约10百万分率(ppm)至约1000ppm之间。该浴的pH值可介于约4至约9之间，诸如约5至约7之间。此时，可通过添加任何适合的酸或碱来调整该pH值，使得该pH值至少为5。一个实施方式中，添加至浴中的氨基磺酸钴pH值可为约6，并且可不需要通过添加pH值调整成分被进一步调整。一个实施方式中，钴镀覆浴含有加速剂、平整剂、抑制剂、硼酸、及来自氨基磺酸钴的钴离子，钴离子浓度为从约0.001摩尔/升至约1摩尔/升之间，诸如介于约0.001摩尔/升至约0.25摩尔/升之间。该浴的pH值可为约6，因此可不需要通过添加pH值调整成分被进一步调整。用在此类浴中的抑制剂可为咪唑、咪唑啉、和/或咪唑啉啶化合物和/或前述物质的烷基化衍生物。使钴镀覆浴的pH值至少为5是有优势的。不受理论所限制，但据信pH值至少为5的钴镀覆浴将镀覆期间浴中质子(H+)的还原而放出氢气最小化。如图3所示，0.25摩尔浓度的Co2+镀覆浴中还原质子所需的电势或电动势(E)随着pH值增加而减少。可通过解出给定pH值的能斯特方程式而产生所示的直线图。
替代的实施方式中，钴溶液/钴离子源可由包括磺酸钴或氯化钴的水溶性盐类形成。然而，据信含有这些类型的钴离子源的钴镀覆溶液太复杂而无法用在生产中且可能提供不良的钴镀覆工艺结果。这些类型溶液的使用一般也将涉及一或多种缓冲成分，这些缓冲成分可能过于复杂及昂贵而难以在整个浴的使用期镀覆多个半导体基板的工艺期间进行管理。
本公开内容的实施方式中，镀覆浴含有实现高深宽比特征中无缺陷超填充钴的至少一种抑制剂化合物。这些新化合物包括烷基修饰的咪唑、咪唑啉、及咪唑啉啶，或是含有咪唑基、咪唑啉基、和/或咪唑啉啶基的分子，及上述物质的混合物或组合。代表咪唑、咪唑啉、及咪唑啉啶的化学结构如结构A至结构C所示，这些结构可包括且代表其他电子共振形式或异构物(例如，B中的双键位置)，因此不限制本公开内容的任何具发明性情形。
如所示，结构A至结构C具有R基团(在此编号以供说明)，这些R基团可以是任何碳的芳香族或脂肪族基团和/或异质原子，这些异质原子包括但不限于H、N、P、O、及S。这些R基团可以是单一原子或线型、支链型、或环状基团。本公开内容的一些实施方式中，适合的用于烷基修饰的咪唑、和/或咪唑啉啶分子或咪唑基包括但不限于：D)2-巯基苯并咪唑、E)2-巯基咪唑、及F)伸乙硫脲(2-imidazolidinethione)，如所示。
我们注意到，分子D至分子F，以及任何适合的咪唑、咪唑啉、和/或咪唑啉啶可充当合成建构单元或是新的烷基化变型的前驱物，诸如G至I，具有某种R基团。咪唑、咪唑啉、和/或咪唑啉啶可由本领域技术人员利用任何适合的合成方法进行修饰，以生产空间上受阻的烷基化变型，或者预先烷基化的前驱物可转换成烷基化咪唑、咪唑啉、和/或咪唑啉啶。
如所示，分子G至分子I可含有至少一个R基团，该R基团可于芳香环或脂肪环上的任何位置处结合，或在一个实施方式中，该R基团可在该环的环外或悬挂(pendant)至该环，且可结合至原子C、N、和/或S。该R基团可以是进一步含有芳香基、烷基、醚基、乙氧基、丙氧基、乙二醇基、二乙二醇基、丙二醇基、二丙二醇基、一级、二级、或三级胺基、硫醚基、及巯基的基团，且该R基团可含有异质原子，该异质原子包括但不限于：N、P、O、及S。该R基团可以是线型、环状、支链型、树枝状、或前述的组合。该R基团可以是寡聚式或聚合式，且可含有咪唑基、咪唑啉基、和/或咪唑啉啶基，使得该分子可为至少二聚体(dimer)。聚合物基团可以是随机共聚物基团或嵌段共聚物基团。该R基团也可包括末端基团，诸如氢原子、氢氧化物基(hydroxide group)、烷氧基、醚基、乙氧基、丙氧基、乙二醇基、二乙二醇基、丙二醇基、二丙二醇基、一级、二级、或三级胺基、硫醚基、及巯基。一个实施方式中，该R基团可由烷基链-(CH2)x-A表示(其中A是末端基团)或由含烷氧基的基团表示，例如-(O-CH2)x-A(其中A是末端基团)。本公开内容中，对x没有限制。
本公开内容的另一实施方式中，R基团可由-(CH2)k-B-(CH2)z-表示，其中B是包括但不限于以下形式的基团或原子：-O-、-CHOH(羟化甲酰，methenyl hydroxide)、羰基、-NR’-(胺，R’是H或-CH3)、乙二醇、丙二醇、硫、氧化硫、砜、或-CSH基。另一实施方式中，B基团也可以是诸如-(NR2-CR3R4-CR5R6)X-的基团，其中X可以是1至4例如1或2，且其中R2、R3、R4、R5、及R6可以是H或-CH3，或者上述的组合。另一实施方式中，B基团也可以是诸如-(O-CR7R8-CR9R10-O)X-的基团，其中X可以是1至4，例如1或2，且其中R7、R8、R9、及R10可以是H或-CH3。对于所描述的实施方式，以-(CH2)k-B-(CH2)z-表示的R基团而言，K及Z可相同，且取值为从1至30的整数。
一个实施方式中，如结构J所示，抑制剂化合物是聚乙二醇(PEG)修饰的巯基苯并咪唑；其中“n”是整数且PEG片段的分子量可从介于约250克/摩尔至约30000克/摩尔。结构J可称为6-PEG-(2-巯基苯并咪唑)。应注意，PEG基团可于任何环位置(诸如芳香性或脂肪性)结合至分子，或可结合至诸如N或S的异质原子。
如先前所提及，本公开内容中所描述的分子J及其他分子可通过添加烷基(诸如具某分子量的烷基醚基)在空间上经调整，使得进入特征中的抑制剂的扩散得以减慢或减少。以此方式，可存在抑制剂与加速剂添加剂之间的互补竞争，诸如对基板或制品场上更强的抑制及钴镀覆至特征中的加速。进一步实施方式中，在钴镀覆浴和/或添加剂系统使用中可用的PEG修饰抑制剂分子包括：6-PEG-(2-巯基苯并咪唑)及其共聚物、6-PEG-(2-巯基咪唑)、6-PEG-(2-巯基咪唑)及其共聚物、6-PEG-(2-咪唑啉啶)，及6-PEG-(2-咪唑啉啶)及其共聚物。
总体而言，本公开内容中的一些优势包括具烷基醚及其他分子取代物的、空间上经调整(尺寸调整)的新的抑制剂分子，这些分子控制特征转角及开口处的金属沉积速率，以及平坦区域上方及之上(或者特征外或环绕特征的“场”)的金属沉积速率。这些新的抑制剂实现高深宽比特征的加速填充，且可涉及与钴离子及浴中其他添加剂的协同交互作用，而减少拥有成本。
因此，已描述及显示新颖的方法。当然，在不背离本公开内容的精神与范围的情况下可做出各种变型及替代。因此，除了受限于随后的权利要求及其等效形式之外，本公开内容不应受到限制。
当介绍本公开内容的元件及其示例性方面或实施方式时，冠词“一”、“该”、及“所述”意在表示有一或多个所述元件。
“包括”、“包含”、及“具有”的用语意在为包括性的，且可表示存在除了所列元件之外的额外元件。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但不背离本公开内容的基本范围的情况下可设计本公开内容的其他与进一步的实施方式，本公开内容的范围由随附的权利要求书来确定。

Claims (15)

1.一种在基板上形成钴层的方法，包括下述步骤：
将基板浸泡在钴镀覆浴中，所述基板具有导电层，所述导电层设置在所述基板上，其中所述钴镀覆浴包括：
第一量的钴离子；和
第一量的至少一种抑制剂化合物，所述抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且其中所述咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基；和
相对阳极偏压所述导电层，而在所述导电层的表面上形成钴层，所述阳极电连通所述钴镀覆浴与所述导电层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述烷基是芳香族烷基、脂肪族烷基、氧化的碳基、醚基、乙氧基、丙氧基、乙二醇基、二乙二醇基、丙二醇基、二丙二醇基、一级胺基、二级胺基、三级胺基、硫醚基、巯基，或上述基团的组合。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述烷基是寡聚式(oligomeric)或聚合式(polymeric)的烷基。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述烷基是聚乙二醇基。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述聚乙二醇基的分子量在约100克/摩尔至约30000克/摩尔之间。
6.如权利要求3所述的方法，其中所述烷基是聚丙二醇。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述钴镀覆浴具有在约5至约7之间的pH值。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述钴镀覆浴包括氨基磺酸钴(cobalt sulfamate)或含甘氨酸钴配合物的溶液，其中所述钴镀覆浴中的所述钴离子的浓度介于约0.001摩尔/升至0.25摩尔/升之间。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述钴镀覆浴包括氨基磺酸钴溶液。
10.一种形成钴电镀浴的方法，包括下述步骤：
将第一量的钴离子源配发至第一容器中；
将第一量的至少一种抑制剂化合物配发至所述第一容器中，其中所述至少一种抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且所述咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基醚(alkyl ether)基，及；
将所述钴电镀浴调整至约4至约9之间的pH值。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述钴离子源是氨基磺酸钴。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述钴电镀浴进一步包括第一量的硼酸。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述烷基醚基是聚丙二醇。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述烷基醚基是聚乙二醇基。
15.如权利要求14所述之方法，其中所述聚乙二醇基的分子量在约100克/摩尔至约30000克/摩尔之间。
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