CN108695192A - 位置侦测与芯片分离装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种位置侦测与芯片分离装置。位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构。半导体结构包括一基底层以及多个设置在基底层上的发光芯片。位置侦测与芯片分离装置包括一位置侦测模块以及一芯片分离模块。位置侦测模块包括一发射组件以及一接收组件。芯片分离模块对应于位置侦测模块。位置侦测模块通过发射组件与接收组件的相互配合，以提供位于基底层与发光芯片之间的一接触接口的一位置信息。借此，芯片分离模块根据位置信息而投射一投射光源至基底层与发光芯片之间的接触接口，以使得发光芯片通过投射光源的照射而易于脱离基底层。

Description

位置侦测与芯片分离装置
技术领域
本发明涉及一种位置侦测与芯片分离装置，特别是涉及一种应用于加工一半导体结构的位置侦测与芯片分离装置。
背景技术
目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光组件的显示设备具有较佳的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示设备，此全彩发光二极管显示设备可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，现有技术中的发光二极管芯片不易从蓝宝石基底上分离。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种位置侦测与芯片分离装置。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一位置侦测模块以及一芯片分离模块。所述位置侦测模块包括一发射组件以及一接收组件。所述芯片分离模块对应于所述位置侦测模块。其中，所述位置侦测模块通过所述发射组件与所述接收组件的相互配合，以提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息。其中，所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
更进一步地，所述发射组件为一用于产生一侦测信号的信号发射组件，且所述接收组件为一用于接收所述侦测信号的信号接收组件，其中，所述信号发射组件所产生的所述侦测信号通过所述半导体结构的反射而投向所述信号接收组件，以提供位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口的所述位置信息。
更进一步地，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。
更进一步地，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述位置侦测模块与所述芯片分离模块，其中，所述位置侦测模块为一光学式位置传感器以及一声波式位置传感器两者其中之一，且所述位置侦测模块与所述芯片分离模块设置在所述半导体结构的相同侧边或者相异侧边。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一发射组件以及一接收组件。所述发射组件用于产生一投射光源。所述接收组件邻近所述发射组件。其中，所述发射组件所产生的所述投射光源通过所述半导体结构的反射而投向所述接收组件，以提供位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的一接触接口的一位置信息。其中，所述发射组件所产生的所述投射光源根据所述位置信息而投射至位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
更进一步地，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一第一棱镜、一第二棱镜以及一信号放大器。所述第一棱镜邻近所述发射组件与所述接收组件。所述第二棱镜邻近所述第一棱镜。所述信号放大器邻近所述第一棱镜。其中，所述发射组件所产生的所述投射光源依序通过所述第一棱镜与所述第二棱镜而投向所述半导体结构，所述投射光源通过所述半导体结构的反射而形成一反射光源，且所述反射光源依序通过所述第二棱镜与所述第一棱镜而投向所述接收组件。其中，所述发射组件所产生的所述投射光源依序通过所述第一棱镜与所述信号放大器而投射至位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口。
更进一步地，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述发射组件与所述接收组件，其中，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一位置侦测模块以及一芯片分离模块。所述位置侦测模块接触所述半导体结构，以提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息。所述芯片分离模块对应于所述位置侦测模块。其中，所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
更进一步地，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。
更进一步地，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述位置侦测模块与所述芯片分离模块，其中，所述位置侦测模块为一接触式位置传感器，且所述位置侦测模块与所述芯片分离模块设置在所述半导体结构的相同侧边或者相异侧边。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种位置侦测与芯片分离装置，其能通过“所述位置侦测模块提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息”以及“所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口”的技术方案，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤时的示意图。
图2为本发明第一实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤与芯片分离步骤时的示意图。
图3为本发明第一实施例的其中一发光芯片从基底层分离后的示意图。
图4为本发明第一实施例的位置侦测与芯片分离装置的功能方块图。
图5为本发明第二实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤时的示意图。
图6为本发明第二实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤与芯片分离步骤时的示意图。
图7为本发明第二实施例的其中一发光芯片从基底层分离后的示意图。
图8为本发明第三实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤与芯片分离步骤时的示意图。
图9为本发明第四实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤与芯片分离步骤时的示意图。
图10为本发明第五实施例的位置侦测与芯片分离装置进行位置侦测步骤与芯片分离步骤时的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“位置侦测与芯片分离装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
第一实施例
请参阅图1至图4所示，本发明第一实施例提供一种位置侦测与芯片分离装置，并且位置侦测与芯片分离装置包括一位置侦测模块1以及一芯片分离模块2。另外，位置侦测与芯片分离装置能应用于加工一半导体结构S，并且半导体结构S包括一基底层S1以及多个设置在基底层S1上的发光芯片S2。举例来说，基底层S1可为一蓝宝石(sapphire)基底层、一硅(silicon)基底层或者任何材料的基底层。另外，多个发光芯片S2可以是处于切割前的状态而呈现彼此相连的外观，或是多个发光芯片S2可以是处于切割后的状态而呈现彼此分离的外观(如同本发明目前所使用的例子)。发光芯片S2可为氮化镓(GaN)发光二极管芯片或者是任何种类的半导体发光芯片，并且每一个发光芯片S2的上表面具有至少两个焊垫(未标号)。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
首先，配合图1与图2所示，位置侦测模块1包括一发射组件11以及一接收组件12，并且芯片分离模块2邻近或者对应于位置侦测模块1。更进一步来说，位置侦测模块1能通过发射组件11与接收组件12的相互配合，以提供位于基底层S1与发光芯片S2之间的一接触接口S100(或者一接触表面)的一位置信息(也就是说，使用位置侦测模块1来进行“位置侦测”步骤)。借此，配合图2与图3所示，芯片分离模块2就能根据位置信息而投射一投射光源P至基底层S1与发光芯片S2之间的接触接口S100，以使得发光芯片S2能通过投射光源P的照射而易于脱离基底层S1(也就是说，使用芯片分离模块2来进行“芯片分离”步骤)。也就是说，半导体结构S能通过投射光源P的照射，而使得发光芯片S2能够更容易脱离基底层S1。
举例来说，配合图1与图2所示，位置侦测模块1可为一光学式位置传感器以及一声波式位置传感器两者其中之一。更具体来说，发射组件11可为一用于产生一侦测信号L(例如光波信号或者声波信号)的信号发射组件110(例如信号发射器)，并且接收组件12可为一用于接收侦测信号L的信号接收组件120(例如信号接收器)。另外，信号发射组件110所产生的侦测信号L能通过半导体结构S的反射而投向信号接收组件120，借此以提供位于基底层S1与发光芯片S2两者之间的接触接口S100的位置信息。因此，配合图2与图3所示，芯片分离模块2就能根据信号接收组件120所得到的位置信息而投射一投射光源P至基底层S1与发光芯片S2之间的接触接口S100，以使得发光芯片S2能通过投射光源P对接触接口S100的照射而易于脱离基底层S1。
综上所言，本发明所提供的位置侦测与芯片分离装置可以预先通过发射组件11与接收组件12的相互配合，以提供位于基底层S1与发光芯片S2之间的一接触接口S100的一位置信息，然后再利用接收组件12所得到的位置信息，以让芯片分离模块2所提供的投射光源P能准确地投射至基底层S1与发光芯片S2之间的接触接口S100上。借此，发光芯片S2能通过投射光源P对接触接口S100的精准照射而易于脱离基底层S1。
值得一提的是，配合图1与图3所示，本发明的还进一步包括一控制模块3，并且控制模块3电性连接于位置侦测模块1与芯片分离模块2。另外，如图1至图3所示，位置侦测模块1与芯片分离模块2可以被设置在半导体结构S的相同侧边。
第二实施例
请参阅图5至图7所示，本发明第二实施例提供一种位置侦测与芯片分离装置，并且位置侦测与芯片分离装置包括一位置侦测模块1以及一芯片分离模块2。由图5与图1的比较、图6与图2的比较以及图7与图3的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的不同在于：在第二实施例中，半导体结构S的多个发光芯片S2会预先贴附在一承载基板C的一黏着层A上，并且发光芯片S2的至少两个焊垫(未标号)会接触黏着层A。因此，当多个发光芯片S2依序脱离基底层S1时，多个发光芯片S2还是会依据原来的排列方式而被贴附在承载基板C的黏着层A上，所以多个发光芯片S2还是能够呈现原来的排列方式而不会有分散或散落在各处的问题。举例来说，承载基板C与黏着层A都可以是透光材料，或者也可以是非透光材料。
第三实施例
请参阅图8所示，本发明第三实施例提供一种位置侦测与芯片分离装置，并且位置侦测与芯片分离装置包括一位置侦测模块1以及一芯片分离模块2。由图8与图3的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的不同在于：在第三实施例中，位置侦测模块1与芯片分离模块2设置在半导体结构S的相异侧边。举例来说，位置侦测模块1可设置在半导体结构S的上方处，而芯片分离模块2则可设置在半导体结构S的下方处。
值得一提的是，发光芯片S2也可以在同一个位置上分别进行“位置侦测”与“芯片分离”步骤。也就是说，芯片分离模块2可以设置在与位置侦测模块1相对应的另外一端(如图8的假想线所呈现的芯片分离模块2所示)，以使得发光芯片S2也可以在同一个位置上分别进行“位置侦测”与“芯片分离”步骤。
值得一提的是，第三实施例中的半导体结构S的多个发光芯片S2也可以预先贴附在如同图5所示的一承载基板C的一黏着层A上。
第四实施例
请参阅图9所示，本发明第四实施例提供一种位置侦测与芯片分离装置。由图9与图3的比较可知，本发明第四实施例与第一实施例最大的不同在于：第四实施例的位置侦测与芯片分离装置包括：一用于产生一投射光源P的发射组件11、一邻近发射组件11的接收组件12以及一电性连接于发射组件11与接收组件12的控制模块3。
更进一步来说，发射组件11所产生的投射光源P能通过半导体结构S的反射而投向接收组件12，以提供位于基底层S1与发光芯片S2两者之间的一接触接口S100的一位置信息。借此，发射组件11所产生的投射光源P就能根据位置信息而准确投射至位于基底层S1与发光芯片S2两者之间的接触接口S100，以使得发光芯片S2能通过投射光源P的照射而易于脱离基底层S1。
更进一步来说，位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一第一棱镜4、一第二棱镜5以及一信号放大器6。第一棱镜4邻近发射组件11与接收组件12，第二棱镜5邻近第一棱镜4，并且信号放大器6邻近第一棱镜4。另外，发射组件11所产生的投射光源P能依序通过第一棱镜4与第二棱镜5而投向半导体结构S。投射光源P能通过半导体结构S的反射而形成一反射光源R，并且反射光源R能依序通过第二棱镜5与第一棱镜4而投向接收组件12。也就是说，发射组件11所产生的投射光源P能通过半导体结构S的反射而投向接收组件12。借此，根据位置信息，发射组件11所产生的投射光源P就能依序通过第一棱镜4以及信号放大器6而准确投射至位于基底层S1与发光芯片S2两者之间的接触接口S100，以使得发光芯片S2能通过投射光源P的照射而易于脱离基底层S1。
值得一提的是，第四实施例中的半导体结构S的多个发光芯片S2也可以预先贴附在如同图5所示的一承载基板C的一黏着层A上。
第五实施例
请参阅图10所示，本发明第五实施例提供一种位置侦测与芯片分离装置，并且位置侦测与芯片分离装置包括一位置侦测模块1以及一芯片分离模块2。由图10与图3的比较可知，本发明第五实施例与第一实施例最大的不同在于：第五实施例的位置侦测与芯片分离装置包括一位置侦测模块1、一芯片分离模块2以及一控制模块3，并且位置侦测模块1可为一接触式位置传感器。
更进一步来说，位置侦测模块1接触半导体结构S，以提供位于基底层S1与发光芯片S2之间的一接触接口S100的一位置信息。举例来说，当基底层S1有翘曲(warpage)时，可以通过位置侦测模块1与半导体结构S的基底层S1的接触，以得知位于具有固定厚度的基底层S1与具有固定厚度的发光芯片S2之间的接触接口S100的位置。另外，芯片分离模块2对应且邻近于位置侦测模块1，并且控制模块3电性连接于位置侦测模块1与芯片分离模块2。
借此，芯片分离模块2能根据位置信息而投射一投射光源P至基底层S1与发光芯片S2之间的接触接口S100，以使得发光芯片S2通过投射光源P的照射而易于脱离基底层S1。
值得一提的是，位置侦测模块1与芯片分离模块2不限于设置在半导体结构S的相同侧边(如图10所示)，而是也能够设置在半导体结构S的相异侧边。
值得一提的是，第五实施例中的半导体结构S的多个发光芯片S2也可以预先贴附在如同图5所示的一承载基板C的一黏着层A上。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种位置侦测与芯片分离装置，其能通过“位置侦测模块1提供位于基底层S1与发光芯片S2之间的一接触接口S100的一位置信息”以及“芯片分离模块2根据位置信息而投射一投射光源P至基底层S1与发光芯片S2之间的接触接口S100”的技术方案，以使得发光芯片S2通过投射光源P的照射而易于脱离基底层S1。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置包括：
一位置侦测模块，所述位置侦测模块包括一发射组件以及一接收组件；以及
一芯片分离模块，所述芯片分离模块对应于所述位置侦测模块；
其中，所述位置侦测模块通过所述发射组件与所述接收组件的相互配合，以提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息；
其中，所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
2.根据权利要求1所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述发射组件为一用于产生一侦测信号的信号发射组件，且所述接收组件为一用于接收所述侦测信号的信号接收组件，其中，所述信号发射组件所产生的所述侦测信号通过所述半导体结构的反射而投向所述信号接收组件，以提供位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口的所述位置信息。
3.根据权利要求1所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。
4.根据权利要求1所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述位置侦测模块与所述芯片分离模块，其中，所述位置侦测模块为一光学式位置传感器以及一声波式位置传感器两者其中之一，且所述位置侦测模块与所述芯片分离模块设置在所述半导体结构的相同侧边或者相异侧边。
5.一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置包括：
一发射组件，所述发射组件用于产生一投射光源；以及
一接收组件，所述接收组件邻近所述发射组件；
其中，所述发射组件所产生的所述投射光源通过所述半导体结构的反射而投向所述接收组件，以提供位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的一接触接口的一位置信息；
其中，所述发射组件所产生的所述投射光源根据所述位置信息而投射至位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
6.根据权利要求5所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：
一第一棱镜，所述第一棱镜邻近所述发射组件与所述接收组件；
一第二棱镜，所述第二棱镜邻近所述第一棱镜；以及
一信号放大器，所述信号放大器邻近所述第一棱镜；
其中，所述发射组件所产生的所述投射光源依序通过所述第一棱镜与所述第二棱镜而投向所述半导体结构，所述投射光源通过所述半导体结构的反射而形成一反射光源，且所述反射光源依序通过所述第二棱镜与所述第一棱镜而投向所述接收组件；
其中，所述发射组件所产生的所述投射光源依序通过所述第一棱镜与所述信号放大器而投射至位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口。
7.根据权利要求5所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述发射组件与所述接收组件，其中，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。
8.一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置包括：
一位置侦测模块，所述位置侦测模块接触所述半导体结构，以提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息；以及
一芯片分离模块，所述芯片分离模块对应于所述位置侦测模块；
其中，所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
9.根据权利要求8所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。
10.根据权利要求8所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述位置侦测模块与所述芯片分离模块，其中，所述位置侦测模块为一接触式位置传感器，且所述位置侦测模块与所述芯片分离模块设置在所述半导体结构的相同侧边或者相异侧边。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI632666B (zh) * 2017-12-11 2018-08-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
TWI690980B (zh) * 2018-12-07 2020-04-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉方法及晶片移轉設備

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1703770A (zh) * 2002-12-03 2005-11-30 浜松光子学株式会社 半导体基板的切断方法
CN101359188A (zh) * 2007-08-02 2009-02-04 优志旺电机株式会社 带状工件的曝光装置及带状工件的曝光装置的聚焦调整方法
CN103597589A (zh) * 2011-04-11 2014-02-19 北达科他州立大学研究基金会 分立元件的选择性激光辅助的转移
US20140142740A1 (en) * 2011-06-15 2014-05-22 Uladimir Prakapenka Apparatus and method for positioning an electronic component and/or a carrier relative to a discharging device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2472209A1 (fr) * 1979-12-18 1981-06-26 Thomson Csf Systeme optique d'alignement automatique de deux motifs comportant des reperes s'alignement du type reseaux, notamment en photo-repetition directe sur silicium
KR950002171B1 (ko) * 1990-03-12 1995-03-14 후지쓰 가부시끼가이샤 얼라인먼트마크및반도체장치
GB2250496B (en) * 1990-12-04 1994-07-27 Nitto Kogyo Kk Automatic chip separating and feeding apparatus
US20080258165A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Goldeneye, Inc. Light emitting diode chip
TW201143947A (en) * 2009-12-07 2011-12-16 J P Sercel Associates Inc Laser machining and scribing systems and methods
TWI467798B (zh) * 2009-12-28 2015-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體晶片之製備方法
US9773941B2 (en) * 2013-10-29 2017-09-26 Koninklijke Philips N.V. Separating a wafer of light emitting devices
GB2544335A (en) * 2015-11-13 2017-05-17 Oculus Vr Llc A method and apparatus for use in the manufacture of a display element
US10403537B2 (en) * 2017-03-10 2019-09-03 Facebook Technologies, Llc Inorganic light emitting diode (ILED) assembly via direct bonding

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1703770A (zh) * 2002-12-03 2005-11-30 浜松光子学株式会社 半导体基板的切断方法
CN101359188A (zh) * 2007-08-02 2009-02-04 优志旺电机株式会社 带状工件的曝光装置及带状工件的曝光装置的聚焦调整方法
CN103597589A (zh) * 2011-04-11 2014-02-19 北达科他州立大学研究基金会 分立元件的选择性激光辅助的转移
US20140142740A1 (en) * 2011-06-15 2014-05-22 Uladimir Prakapenka Apparatus and method for positioning an electronic component and/or a carrier relative to a discharging device

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