CN108664073A - 一种探测电路 - Google Patents

一种探测电路 Download PDF

Info

Publication number
CN108664073A
CN108664073A CN201710210531.7A CN201710210531A CN108664073A CN 108664073 A CN108664073 A CN 108664073A CN 201710210531 A CN201710210531 A CN 201710210531A CN 108664073 A CN108664073 A CN 108664073A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pmos tube
voltage
circuit
current
mirror image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710210531.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108664073B (zh
Inventor
曾令刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp, Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201710210531.7A priority Critical patent/CN108664073B/zh
Publication of CN108664073A publication Critical patent/CN108664073A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108664073B publication Critical patent/CN108664073B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种探测电路，所述探测电路的输出信号用于控制供电电压，所述供电电压为待控制电路供电，包括：电流生成电路、第一电压生成电路、第二电压生成电路以及比较电路；其中：所述电流生成电路适于接入所述供电电压，转换所述供电电压为供电电流；所述第一电压生成电路适于根据所述供电电流生成第一电压信号；所述第二电压生成电路适于根据所述供电电流生成第二电压信号；所述比较电路适于比较所述第一电压信号和所述第二电压信号，生成所述输出信号。本发明中的技术方案中对供电电压的控制的精确度较高，功耗较低。

Description

一种探测电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种探测电路。
背景技术
在半导体工艺中，MOS管可以分为三种工艺角，分别是快(fast)、慢(slow)和标准(typical)。相应地，MOS管电路可以分为快NMOS快PMOS(FF工艺角)，慢NMOS慢PMOS(SS工艺角)，标准NMOS标准PMOS(TT工艺角)三种。
不同的工艺角类型的MOS管电路需要的最低供电电压不同，现有技术中对供电电压的控制的精确度较低，导致功耗较大。
发明内容
本发明解决的技术问题是提升对供电电压的控制的精确度，降低功耗。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种探测电路，所述探测电路的输出信号用于控制供电电压，所述供电电压为待控制电路供电，包括：电流生成电路、第一电压生成电路、第二电压生成电路以及比较电路；其中：所述电流生成电路适于接入所述供电电压，转换所述供电电压为供电电流；所述第一电压生成电路适于根据所述供电电流生成第一电压信号；所述第二电压生成电路适于根据所述供电电流生成第二电压信号；所述比较电路适于比较所述第一电压信号和所述第二电压信号，生成所述输出信号；其中，所述电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路包含的MOS管的工艺角类型与所述待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同。
可选的，所述第一电压生成电路包括第一镜像支路和第一电流通路，所述第一镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；所述第一镜像支路通过所述第一电流通路接地，所述第一镜像支路与所述第一电流通路的连接点的电压信号为所述第一电压信号；所述第一电流通路还连接至所述电流生成电路，所述电流生成电路通过所述第一电流通路接地。
可选的，所述第二电压生成电路包括第二镜像支路和第二电流通路，所述第二镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；所述第二镜像支路通过所述第二电流通路接地，所述第二镜像支路与所述第二电流通路的连接点作为所述第二电压信号。
可选的，所述第一电流通路包括第一阻抗，所述第一镜像支路经由所述第一阻抗接地；所述第二电流通路包括第二阻抗，所述第二镜像支路经由所述第二阻抗接地。
可选的，所述第一电流通路还包括第一NMOS管以及第二NMOS管；所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连接，共同连接至所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述电流生成电路的输出端；所述第二NMOS管的源极通过所述第一阻抗接地，所述第二NMOS管的漏极连接至所述第一镜像支路的输出端。
可选的，所述电流生成电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一镜像支路包括第三PMOS管和第四PMOS管；所述第一PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极接入所述供电电压，所述第一PMOS管的漏极连接至所述第二PMOS管的源极；所述第二PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极作为所述电流生成电路的输出端，所述第二PMOS管的漏极电流为所述供电电流；所述第三PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极作为所述第一镜像支路的输出端，所述第一镜像支路的输出端电压作为所述第一电压信号；所述第四PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极连接至所述第一PMOS管的源极。
可选的，所述第二镜像支路包括第五PMOS管和第六PMOS管；所述第五PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极连接至所述第六PMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极通过所述第二阻抗接地，所述第五PMOS管的漏极信号作为所述第二电压信号；所述第六PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极连接至所述第四PMOS管的源极。
可选的，所述比较电路包括比较器和整形电路，所述比较器比较所述第一电压信号和所述第二电压信号；所述整形电路的输入端连接至所述比较器的输出端，所述整形电路对所述比较器的输出信号整形，生成所述输出信号。
可选的，所述整形电路包括：反相器。
可选的，所述电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路中的MOS管工作在亚阈值区。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明实施例通过电流生成电路转换所述供电电压为供电电流，通过第一电压生成电路和第二电压生成电路分别生成第一电压信号和第二电压信号，通过比较电路比较第一电压信号和第二电压信号，生成输出信号，根据输出信号控制供电电压。由于电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路中包含的MOS管的工艺角类型与待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同，故第一电压信号和第二电压信号中均可以体现待控制电路的工艺角类型，进而根据比较第一电压信号和第二电压信号得到的输出信号对供电电压进行控制，可以实现对不同工艺角类型的待控制电路进行差异化供电。由此，通过输出信号对供电电压进行控制，可以使得对应不同工艺角类型的供电电压的数值不同，进而可以提升对供电电压控制的精确度，进一步可以减小电路的功耗。
附图说明
图1是现有技术中一种供电电路的结构示意图；
图2是本发明实施例中一种探测电路的结构示意图；
图3是本发明实施例中一种探测电路的输入输出关系曲线的示意图；
图4示出了本发明实施例中一种探测电路对应TT工艺角类型的温度偏移；
图5示出了本发明实施例中一种探测电路对应SS工艺角类型的温度偏移；
图6示出了本发明实施例中一种探测电路对应FF工艺角类型的温度偏移。
具体实施方式
如前所述，不同的工艺角类型的MOS管电路需要的最低供电电压不同，现有技术中对供电电压的控制的精确度较低，功耗较大。
经发明人研究发现，在现有技术中，对电路进行供电时，并未考虑MOS管电路因工艺角类型不同而不同的最低供电电压，对不同工艺角类型的MOS管电路均采用相同的最低供电电压进行供电。
图1是现有技术中一种供电电路的结构示意图，该供电电路主要包括比较器、电阻R11和电阻R12，该供电电路接入供电电压VS，比较器的一端接入电阻R11和电阻R12对供电电压VS进行分压后的数值，另一端接入带隙基准源BG。通过电阻R11和电阻R12可以调整比较器的输出，通过比较器的输出控制供电电压的数值。可以看出，该供电电路并未对待供电电路的工艺角类型进行区分，
SS工艺角类型的MOS管电路通常需要较高的供电电压，而FF工艺角类型的MOS管电路通常需要较低的供电电压。若对不同工艺角类型的MOS管电路均采用相同的最低供电电压进行供电，会造成FF工艺角类型的MOS管电路的供电电压余量较大，导致功耗较大。
为了对MOS管电路工艺角类型进行区分，并进行更精确的供电控制，本发明实施例提供一种探测电路，在本发明实施例中，通过电流生成电路转换所述供电电压为供电电流，通过第一电压生成电路和第二电压生成电路分别生成第一电压信号和第二电压信号，通过比较电路比较第一电压信号和第二电压信号，生成输出信号，根据输出信号控制供电电压。
由于电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路中包含的MOS管的工艺角类型与待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同，故第一电压信号和第二电压信号中均可以体现待控制电路的工艺角类型，进而根据比较第一电压信号和第二电压信号得到的输出信号对供电电压进行控制，可以实现对不同工艺角类型的待控制电路进行差异化供电。由此，通过输出信号对供电电压进行控制，可以使得对应不同工艺角类型的供电电压的数值不同，进而可以提升对供电电压控制的精确度，进一步可以减小电路的功耗。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2是本发明实施例中一种探测电路的结构示意图，其中：所述探测电路的输出信号Vout用于控制供电电压VCC，所述供电电压VCC为待控制电路供电。
探测电路可以包括：电流生成电路21、第一电压生成电路22、第二电压生成电路23以及比较电路24。其中：
所述电流生成电路21适于接入所述供电电压，转换所述供电电压为供电电流，以供第一电压生成电路22和第二电压生成电路23生成第一电压信号和第二电压信号，供电电流为电流生成电路21的输出电流；
所述第一电压生成电路22适于根据所述供电电流生成第一电压信号；
所述第二电压生成电路23适于根据所述供电电流生成第二电压信号；
所述比较电路24适于比较所述第一电压信号和所述第二电压信号，生成所述输出信号；
所述电流生成电路21、第一电压生成电路22以及第二电压生成电路23包含的MOS管的工艺角类型与所述待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同。
第一电压生成电路22以及第二电压生成电路23中包含的MOS管的工艺角类型与所述待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同，故第一电压信号和第二电压信号均可以反应待控制电路的工艺角类型。
探测电路和待控制电路可以以相同的工艺在连通的衬底上实现，故做到带控制电路、第一电压生成电路22以及第二电压生成电路23的工艺角类型相同是较为简单的。
在已知第一电压生成电路22的电流和第二电压电路的电流的关系的情况下，通过比较器比较第一电压信号和第二电压信号，并结合第一电压生成电路22及第二电压生成电路23中包含的具体器件，可以计算出比较器翻转时刻的电压。比较器翻转时刻的电压中即可包含有与工艺角相关的MOS管开启电压等信息，进而可以根据比较器翻转时刻的输出电压对供电电压进行控制，实现对供电电压的精确控制。
为简化计算过程，可以将电流生成电路21配置为镜像电流源的V-I转换单元，将第一电压生成电路22和第二电压生成电路23配置为镜像电流源的两个I-V转换单元，以获得第一电压生成电路22和第二电压生成电路23之间的电流的比例关系。
在具体实现中，第一电压生成电路22可以包括第一镜像支路和第一电流通路25，所述第一镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；所述第一镜像支路可以通过所述第一电流通路25接地，所述第一镜像支路与所述第一电流通路25的连接点的电压信号可以作为所述第一电压信号；所述第一电流通路25还可以连接至所述电流生成电路21，所述电流生成电路21也可以通过所述第一电流通路25接地。
相应地，所述第二电压生成电路23可以包括第二镜像支路和第二电流通路26，所述第二镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；
所述第二镜像支路可以通过所述第二电流通路26接地，所述第二镜像支路与所述第二电流通路26的连接点可以作为所述第二电压信号。
具体地，所述第一电流通路25可以包括第一阻抗R21，所述第一镜像支路可以经由所述第一阻抗R21接地；所述第二电流通路26可以包括第二阻抗R22，所述第二镜像支路可以经由所述第二阻抗R22接地。
由于第一电流通路25中包括第一阻抗R21，第二电流通路26中包括第二阻抗R22，可以在后续计算比较器翻转时刻的电压时，将比较器翻转时刻的电压表示为与第一阻抗R21和第二阻抗R22的比例系数相关联的形式，通过第一阻抗R21和第二阻抗R22的比例系数调整较器翻转时刻的电压。以第一阻抗R21和第二阻抗R22的比例关系的形式进行表示，可以抵消阻抗本身的误差，使得计算结果更加精确可靠。
第一电流通路25还可以包括第一NMOS管NM1以及第二NMOS管NM0；其中：
所述第一NMOS管NM1的栅极与所述第二NMOS管NM0的栅极相连接，共同连接至所述第一NMOS管NM1的漏极，所述第一NMOS管NM1的源极接地，所述第一NMOS管NM1的漏极连接至所述电流生成电路21的输出端；
所述第二NMOS管NM0的源极通过所述第一阻抗接地，所述第二NMOS管NM0的漏极连接至所述第一镜像支路的输出端。
电流生成电路21可以包括第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2，所述第一镜像支路包括第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM0；其中：
所述第一PMOS管PM1的栅极连接至所述第四PMOS管PM0的栅极，所述第一PMOS管PM1的源极接入所述供电电压，所述第一PMOS管PM1的漏极连接至所述第二PMOS管PM2的源极；
所述第二PMOS管PM2的栅极连接至所述第三PMOS管PM3的栅极，所述第二PMOS管PM2的漏极作为所述电流生成电路21的输出端，所述第二PMOS管PM2的漏极电流为所述供电电流；
所述第三PMOS管PM3的栅极连接至所述第三PMOS管PM3的漏极，所述第三PMOS管PM3的源极连接至所述第四PMOS管PM0的漏极，所述第三PMOS管PM3的漏极作为所述第一镜像支路的输出端，所述第一镜像支路的输出端电压作为所述第一电压信号；
所述第四PMOS管PM0的栅极连接至所述第四PMOS管PM0的漏极，所述第四PMOS管PM0的源极连接至所述第一PMOS管PM1的源极。
所述第二镜像支路可以包括第五PMOS管PM5和第六PMOS管PM6；其中：
所述第五PMOS管PM5的栅极连接至所述第三PMOS管PM3的栅极，所述第五PMOS管PM5的源极连接至所述第六PMOS管PM6的漏极，所述第五PMOS管PM5的漏极通过所述第二阻抗接地，所述第五PMOS管PM5的漏极信号作为所述第二电压信号；
所述第六PMOS管PM6的栅极连接至所述第四PMOS管PM0的栅极，所述第六PMOS管PM6的源极连接至所述第四PMOS管PM0的源极。
根据MOS管的相关基础公式以及欧姆定律，第一NMOS管NM1的漏电流INM1，第二NMOS管NM0的漏电流IMN0可以分别表示为：
其中，为第一NMOS管NM1的宽长比，为第二NMOS管NM0的宽长比，IS0为NMOS管的反向电流，VTH为阈值电压，VGS1和VGS0分别为第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM0的栅源电压，VT为电压当量，T为热力学温度，单位是K，T＝t+273，t为摄氏温度；q是电子的电荷量；k为玻耳兹曼常数。
若设置电流生成电路21和第二电压生成电路23为1:1镜像电流源，通过公式1和公式2可以推出：
其中，ID为电流生成电路21的输出电流，同时也是第一电压生生电路22的电流。
根据第一电压生成电路22的电路结构以及基尔霍夫定律，第一电压信号Vsam可以表示为：
若设置第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM0的宽长比相同，则第一电压信号Vsam可以表示为：
若设置电流生成电路21和第二电压生成电路23为1:1镜像电流源，则根据公式3，第二电压信号Vchk可以表示为：
在比较器翻转时刻，第一电压信号Vsam与第二电压信号Vchk数值相等，根据公式5和公式6，可以得到，比较器翻转时刻的电压VIN-MIN为：
可以看出，在公式7中，翻转时刻的电压中包含2倍的PMOS管的阈值电压VTH-MIN。不同工艺的MOS管，阈值电压VTH-MIN不同，故本发明实施例中的检测电路可以实现对应不同的电路，得到不同的比较器翻转时刻的电压VIN-MIN，进而可以实现对不同工艺的MOS管电路，以不同的供电电压供电。
在对应于公式7的实施例中，第一NMOS管NM1的宽长比可以不同于第二NMOS管NM0的宽长比，进而可以通过调节第二阻抗和第一阻抗的比值，对较器翻转时刻的电压VIN-MIN进行微调，进一步可以直接利用较器翻转时刻的电压VIN-MIN的电压值作为供电电压的最小值，以完成对供电电压的控制。
例如，供电电压可以由大到小变化，当降低到VIN-MIN时，则控制供电电压停止变化，或者，供电电压可以由小到大变化，当升高至VIN-MIN时，则控制供电电压停止变化。
图3是对应于公式7的实施例的探测电路的输入输出曲线的示意图，可以看出，对应于不同的工艺角类型，对应于同样变化趋势的输入Vin，输出Vout有较为明显的区别(见图中对应FF corner、TT corner、SS corner的三条曲线)。
在公式7中，和的温度系数不同，分别为正温度系数和负温度系数，故可以抵消温度偏移，使得VIN-MIN的温度特性较好。
图4至图6分别示出了不同工艺角类型的电路的温度偏移情况，其中图4对应TT工艺角(TT corner)，图5对应SS工艺角(SS corner),图6对应FF工艺角(FF coner)。
在三个图中，虚线均表示第一电压信号Vsam，实线均表示第二电压信号Vchk。可以看出，在不同的温度temp下，第一电压信号Vsam和第二电压信号Vchk的温度变化趋势是相同的，误差最多不超过40mV。
可以理解的是，对应于公式7的实施例为优选的实施例，但本领域技术人员也可以采取其他的电路结构或选择其他参数的器件。
在具体实施中，所述比较电路可以包括比较器和整形电路，所述比较器比较所述第一电压信号和所述第二电压信号；所述整形电路的输入端连接至所述比较器的输出端，所述整形电路对所述比较器的输出信号整形，生成所述输出信号。其中，整形电路可以包括反相器。
本发明实施例中的所述电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路中的MOS管可以工作在亚阈值区。
本发明实施例通过电流生成电路转换所述供电电压为供电电流，通过第一电压生成电路和第二电压生成电路分别生成第一电压信号和第二电压信号，通过比较电路比较第一电压信号和第二电压信号，生成输出信号，根据输出信号控制供电电压。由于电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路中包含的MOS管的工艺角类型与待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同，故第一电压信号和第二电压信号中均可以体现待控制电路的工艺角类型，进而根据比较第一电压信号和第二电压信号得到的输出信号对供电电压进行控制，可以实现对不同工艺角类型的待控制电路进行差异化供电。由此，通过输出信号对供电电压进行控制，可以使得对应不同工艺角类型的供电电压的数值不同，进而可以提升对供电电压控制的精确度，进一步可以减小电路的功耗。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种探测电路，所述探测电路的输出信号用于控制供电电压，所述供电电压为待控制电路供电，其特征在于，包括：电流生成电路、第一电压生成电路、第二电压生成电路以及比较电路；其中：
所述电流生成电路适于接入所述供电电压，转换所述供电电压为供电电流；
所述第一电压生成电路适于根据所述供电电流生成第一电压信号；
所述第二电压生成电路适于根据所述供电电流生成第二电压信号；
所述比较电路适于比较所述第一电压信号和所述第二电压信号，生成所述输出信号；
其中，所述电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路包含的MOS管的工艺角类型与所述待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同。
2.根据权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述第一电压生成电路包括第一镜像支路和第一电流通路，所述第一镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；
所述第一镜像支路通过所述第一电流通路接地，所述第一镜像支路与所述第一电流通路的连接点的电压信号为所述第一电压信号；
所述第一电流通路还连接至所述电流生成电路，所述电流生成电路通过所述第一电流通路接地。
3.根据权利要求2所述的探测电路，其特征在于，所述第二电压生成电路包括第二镜像支路和第二电流通路，所述第二镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；
所述第二镜像支路通过所述第二电流通路接地，所述第二镜像支路与所述第二电流通路的连接点作为所述第二电压信号。
4.根据权利要求3所述的探测电路，其特征在于，所述第一电流通路包括第一阻抗，所述第一镜像支路经由所述第一阻抗接地；所述第二电流通路包括第二阻抗，所述第二镜像支路经由所述第二阻抗接地。
5.根据权利要求4所述的探测电路，其特征在于，所述第一电流通路还包括第一NMOS管以及第二NMOS管；
所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连接，共同连接至所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述电流生成电路的输出端；
所述第二NMOS管的源极通过所述第一阻抗接地，所述第二NMOS管的漏极连接至所述第一镜像支路的输出端。
6.根据权利要求5所述的探测电路，其特征在于，所述电流生成电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一镜像支路包括第三PMOS管和第四PMOS管；
所述第一PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极接入所述供电电压，所述第一PMOS管的漏极连接至所述第二PMOS管的源极；
所述第二PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极作为所述电流生成电路的输出端，所述第二PMOS管的漏极电流为所述供电电流；
所述第三PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极作为所述第一镜像支路的输出端，所述第一镜像支路的输出端电压作为所述第一电压信号；
所述第四PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极连接至所述第一PMOS管的源极。
7.根据权利要求6所述的探测电路，其特征在于，所述第二镜像支路包括第五PMOS管和第六PMOS管；
所述第五PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极连接至所述第六PMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极通过所述第二阻抗接地，所述第五PMOS管的漏极信号作为所述第二电压信号；
所述第六PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极连接至所述第四PMOS管的源极。
8.根据权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述比较电路包括比较器和整形电路，所述比较器比较所述第一电压信号和所述第二电压信号；所述整形电路的输入端连接至所述比较器的输出端，所述整形电路对所述比较器的输出信号整形，生成所述输出信号。
9.根据权利要求8所述的探测电路，其特征在于，所述整形电路包括：反相器。
10.根据权利要求1至7任一项所述的探测电路，其特征在于，所述电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路中的MOS管工作在亚阈值区。
CN201710210531.7A 2017-03-31 2017-03-31 一种探测电路 Active CN108664073B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710210531.7A CN108664073B (zh) 2017-03-31 2017-03-31 一种探测电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710210531.7A CN108664073B (zh) 2017-03-31 2017-03-31 一种探测电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108664073A true CN108664073A (zh) 2018-10-16
CN108664073B CN108664073B (zh) 2020-10-09

Family

ID=63784454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710210531.7A Active CN108664073B (zh) 2017-03-31 2017-03-31 一种探测电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108664073B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000231414A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Olympus Optical Co Ltd 電圧検知回路
JP2004317414A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電源検出回路
CN103050940A (zh) * 2012-12-14 2013-04-17 东南大学 一种基于亚阈值mos管的过温保护电路
CN103091548A (zh) * 2013-01-09 2013-05-08 电子科技大学 一种电源电压检测电路
CN103163927A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 电压调整电路
CN103424601A (zh) * 2013-08-21 2013-12-04 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种电压检测电路
CN103592990A (zh) * 2013-11-28 2014-02-19 中国科学院微电子研究所 一种线性稳压电源及其电压调整方法
CN105699735A (zh) * 2014-12-09 2016-06-22 精工半导体有限公司 电压检测电路

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000231414A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Olympus Optical Co Ltd 電圧検知回路
JP2004317414A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電源検出回路
CN103163927A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 电压调整电路
CN103050940A (zh) * 2012-12-14 2013-04-17 东南大学 一种基于亚阈值mos管的过温保护电路
CN103091548A (zh) * 2013-01-09 2013-05-08 电子科技大学 一种电源电压检测电路
CN103424601A (zh) * 2013-08-21 2013-12-04 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种电压检测电路
CN103592990A (zh) * 2013-11-28 2014-02-19 中国科学院微电子研究所 一种线性稳压电源及其电压调整方法
CN105699735A (zh) * 2014-12-09 2016-06-22 精工半导体有限公司 电压检测电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN108664073B (zh) 2020-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9785176B2 (en) Small-circuit-scale reference voltage generating circuit
CN110212902A (zh) 一种上电复位电路
ES2893674T3 (es) Circuito de tensión de referencia
WO2018076683A1 (zh) 一种温度检测电路和方法
CN105242734B (zh) 一种无外置电容的大功率ldo电路
CN104571242B (zh) 电压调节器
TWI448671B (zh) 溫度感測裝置
CN105468076B (zh) 全cmos基准电流源
CN107870259B (zh) 对工艺/温度和电源变化具有低灵敏度的hv电压比较器
CN108667440A (zh) 一种施密特触发器电路
CN108508958B (zh) 一种伪数字低压差线性稳压器及电源管理芯片
CN112737335B (zh) 一种升压转换电路的过零检测装置
TW201525647A (zh) 帶隙參考電壓產生電路
CN105867518A (zh) 一种有效抑制电源电压影响的电流镜
CN107690749B (zh) 振荡器、集成电路、计时芯片和电子设备
CN107508583A (zh) 基于电流型电容倍增的长延时电路
CN107272811B (zh) 一种低温度系数基准电压源电路
CN108664073A (zh) 一种探测电路
CN210201804U (zh) 一种上电复位电路
CN109617410B (zh) 一种新型浮动电压检测电路
CN109314489A (zh) 振荡电路及用户设备
CN210431350U (zh) 一种新型温度补偿振荡器
CN209231807U (zh) 一种带有前馈补偿网络的误差放大器
CN207037520U (zh) 一种低温度系数基准电压源电路
CN218273198U (zh) Cmos温度传感器电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant