CN108645793B - 样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法 - Google Patents

样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开一种样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法。所述样品分析组件包括：载台，设有用于放置样品的承载区；检测机构，设于承载区的上方，用于获取样品的膜内异物的位置；扎针机构，设置于载台上，所述扎针机构包括针，所述针用于扎出样品的膜内异物。基于此，本申请能够有利于对膜内异物进行成分分析。

Description

样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法
技术领域
本申请涉及成分分析与机械领域，具体涉及一种样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法。
背景技术
显示器的显示面板包括多层膜结构，例如，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低温多晶硅)基板上设有用于电信号传输的走线、TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)、有机层等。显示面板在制造过程中会产生大量的微观异常，最多的就是膜上异物(即位于膜上的异物)和膜内异物(即位于膜内的异物)。现有技术通常使用FTIR(FourierTransform infrared spectroscopy,傅立叶变化红外线光谱分析仪)来分析异物的成分，并以此解决微观异常现象。但FTIR只能分析膜上异物的成分，而对显示领域中最常出现的膜内异物却很难进行成分分析。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法，能够有利于对膜内异物进行成分分析。
本申请一实施例的样品处理组件，包括：
载台，所述载台上设有用于放置样品的承载区；
检测机构，设置于所述承载区的上方；
扎针机构，设置于所述载台上，所述扎针机构包括朝向所述承载区延伸的针。
本申请一实施例的样品分析装置，包括FTIR及上述样品处理组件。
本申请一实施例的样品分析方法，包括：
提供一样品分析组件，所述样品分析组件包括载台、检测机构及扎针机构，所述载台上设有承载区，所述检测机构设于所述承载区的上方，所述扎针机构设于所述载台上且包括朝向所述承载区延伸的针；
将样品放置于所述载台的承载区；
所述检测机构获取所述样品的膜内异物的位置；
将所述针移动至所述膜内异物的位置，并扎出所述膜内异物；
FTIR对所述膜内异物进行成分分析。
有益效果：本申请的样品处理组件包括载台、检测机构和扎针机构，将待分析样品放置于载台的承载区，检测机构获取样品的膜内异物的位置，扎针机构的针扎出该膜内异物，使得该膜内异物暴露出来，从而能够有利于对膜内异物进行成分分析。
附图说明
图1是本申请一实施例的样品处理组件的结构示意图；
图2是本申请一实施例的样品分析方法的流程示意图。
具体实施方式
本申请的主要目的是：提供至少具有载台、检测机构和扎针机构的样品处理组件，该载台用于放置待分析的样品，检测机构获取样品的膜内异物的位置，扎针机构的针将该膜内异物扎出，使得该膜内异物暴露出来，以此能够有利于对膜内异物进行成分分析。
本申请的样品处理组件可以作为样品分析装置的一部分，例如，对于采用FTIR进行成分分析的场景，该样品分析装置还包括FTIR，通过FTIR对暴露出来的膜内异物进行成分分析。
本申请可以适用于不同类型的样品，例如对于基于LTPS技术的OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示面板，本申请可以扎出LTPS基板上的走线、TFT、有机层等中的膜内异物，以及OLED器件中红色、绿色及蓝色色阻等中的膜内异物。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。并且，本申请全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例的技术方案，并非用于限制本申请的保护范围。
图1是本申请一实施例的样品处理组件的结构示意图。如图1所示，所述样品处理组件10包括载台11、检测机构12及扎针机构13，其中，载台11的表面上设有用于放置待分析样品20的承载区111，检测机构12设置于该承载区111的上方，扎针机构13设置于载台11上，该扎针机构13设有朝向承载区111延伸的针131，所述针131用于扎出样品20的膜内异物。
载台11的上表面为平面，承载区111可以设置于其中间区域。载台11可以在该承载区111设置有定位机构，该定位机构用以将待分析的样品20固定在载台11上，具体地，所述定位机构可以包括磁铁112和铁片113，磁铁112可以内嵌于载台11上，且磁铁112的上表面与载台11的上表面平齐，所述铁片113的上表面可以设置有双面胶，所述样品20通过双面胶粘贴于该铁片113的上表面，将铁片113放置于磁铁112上，即可将待分析的样品20固定在承载区111。
请继续参阅图1，所述载台11上还可以设有导轨114，所述导轨114设于承载区111的外围，具体地，导轨114包括第一部件1141、第二部件1142以及第三部件1143，该第一部件1141与第三部件1143位于承载区111的两侧且两者平行设置，第二部件1142的两端分别与第一部件1141和第三部件1143垂直连接。于此，沿垂直于载台11的视线方向，所述导轨114可视为呈一侧开口的矩形设置。当然，沿垂直于载台11的视线方向，本申请也可以设置导轨114在所述载台11的表面上呈四周闭合的矩形设置，或者呈三角形、圆形设置。
所述检测机构12用于获取样品20的膜内异物的位置，其观测清晰度是确保检测结果准确度的核心要素，于此，本申请对检测机构12的观测清晰度要求极高，可以选取照明CCD(Charge-coupled Device,电荷耦合元件，又称CCD相机)来执行观测。该照明CCD 12可以通过支撑架121和连接杆122设置于承载区111的上方。具体地，支撑架121包括水平部和竖直部，其竖直部垂直固定于载台11的一侧，例如图中未设置导轨114的一侧，其水平部与竖直部垂直连接且朝向承载区111一侧延伸，连接杆122垂直固定与所述水平部的外端且向下延伸，照明CCD 12固定于连接杆122的下端，其镜头位于承载区111的正上方。
在其他实施例中，相对于载台11，检测机构12可以并非是固定的，而是可以移动的，例如，所述连接杆122可以为伸缩杆，通过伸缩杆调节照明CCD 12与承载区111之间的距离。
扎针机构13设置于导轨114上且可沿导轨114移动，以此改变在载台11上的位置。扎针机构13的主体部可设有滑槽，导轨114卡置于滑槽内，以此实现扎针机构13和导轨114的可移动连接。针131设置于扎针机构13朝向承载区111的一侧并朝向承载区111延伸，该针131可以包括相连接且夹角为钝角的水平延伸部和倾斜部，水平延伸部平行于承载区111，倾斜部朝向承载区111倾斜。如图1所示，所述扎针机构13还可以设置有调节旋钮132，该调节旋钮132可以分为延伸长度调节旋钮和俯仰角度调节旋钮，延伸长度调节旋钮用于调节针131朝向承载区111的长度，俯仰角度调节旋钮用于调节针131的俯仰角度。
利用样品处理组件10执行成分分析的原理及过程如下：
将待分析的样品20通过双面胶粘贴于铁片113的上表面，将铁片113放置于磁铁112上，以此将样品20固定在载台11的承载区111。然后，检测机构12检测样品20的膜内异物，以显示面板为例，膜内异物所在的位置会出现黑点或者气泡等异常现象，通过照明CCD12拍摄异常现象即可确定膜内异物的位置。接着，沿所述导轨114移动所述扎针机构13直至所述针131位于所述膜内异物的上方，再通过调节旋钮132调节针131，例如使得调节针131的俯仰角度变小，使得针131扎入样品20内部，直至针131扎出所述膜内异物。最后，FTIR可以对暴露出来的膜内异物进行成分分析。
图2是本申请一实施例的样品分析方法的流程示意图。如图2所示，所述样品分析方法包括步骤S21～S25。
S21：提供一样品分析组件，所述样品分析组件包括载台、检测机构及扎针机构，载台上设有承载区，检测机构设于承载区的上方，扎针机构设于载台上且包括朝向承载区延伸的针。
S22：将样品放置于载台的承载区。
S23：检测机构获取样品的膜内异物的位置。
S24：将针移动至膜内异物的位置，并扎出膜内异物。
S25：FTIR对膜内异物进行成分分析。
本实施例的样品分析方法可以采用具有上述样品分析组件10的样品分析装置，因此具有与其相同的有益效果。
基于此，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种样品分析方法，其特征在于，所述样品分析方法包括：
提供一样品分析组件，所述样品分析组件包括载台、检测机构及扎针机构，所述载台上设有承载区，所述检测机构设于所述承载区的上方，所述扎针机构设于所述载台上且包括朝向所述承载区延伸的针；
将样品放置于所述载台的承载区；
所述检测机构获取所述样品的膜内异物的位置；
将所述针移动至所述膜内异物的位置，并扎出所述膜内异物，以使得所述膜内异物暴露于所述样品；其中，所述膜内异物为LTPS基板上的走线中的膜内异物，或OLED器件中红色色阻或绿色色阻或蓝色色阻中的膜内异物；
FTIR对所述膜内异物进行成分分析；
所述载台上设有位于所述承载区外围的导轨，所述扎针机构设于所述导轨上，所述将所述针移动至所述膜内异物的位置的步骤，包括：沿所述导轨移动所述扎针机构直至所述针位于所述膜内异物上方；
所述扎针机构还包括与所述针连接的调节旋钮，所述扎出所述膜内异物的步骤，包括：所述调节旋钮调节所述针的俯仰角度以使针扎入所述样品。
2.根据权利要求1所述的样品分析方法，其特征在于，所述导轨在所述载台的表面上呈三角形、圆形或矩形设置。
3.根据权利要求1所述的样品分析方法，其特征在于，所述载台在所述承载区设有磁铁和铁片，所述铁片的上表面设置有双面胶。
4.根据权利要求3所述的样品分析方法，其特征在于，所述磁铁的上表面与所述载台的表面平齐。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111458307A (zh) * 2019-06-19 2020-07-28 深圳市三利谱光电科技股份有限公司 一种偏光片的异物鉴定方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271036A (ja) * 1998-03-23 1999-10-05 Advanced Display Inc マイクロサンプリング装置
CN103698907A (zh) * 2013-09-18 2014-04-02 北京京东方光电科技有限公司 一种提取液晶面板中异物的方法
CN104266859A (zh) * 2014-10-20 2015-01-07 三星高新电机（天津）有限公司 摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法
CN206258377U (zh) * 2016-11-29 2017-06-16 昆山之奇美材料科技有限公司 一种膜材异物缺陷的红外自动检测装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10221270A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Nikon Corp 異物検査装置
US20040257561A1 (en) * 2000-11-24 2004-12-23 Takao Nakagawa Apparatus and method for sampling
US20040113648A1 (en) * 2002-12-13 2004-06-17 Wen-Jyh Hung Method of exposing desired layers in a multi-layer semiconductor using focused ion beams for physical failure
CN1854714A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 力晶半导体股份有限公司 一种利用微区覆膜进行缺陷分析的方法
JP5191312B2 (ja) * 2008-08-25 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 プローブの研磨方法、プローブ研磨用プログラム及びプローブ装置
CN202928966U (zh) * 2012-11-19 2013-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种检测阵列基板制程中残留有机物的检测装置
CN104438226B (zh) * 2014-12-02 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板清洁系统
CN104834140B (zh) * 2015-05-26 2019-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种检测tft阵列基板的缺陷的方法
KR101682520B1 (ko) * 2015-07-02 2016-12-06 참엔지니어링(주) 검사장치 및 피처리물 검사방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271036A (ja) * 1998-03-23 1999-10-05 Advanced Display Inc マイクロサンプリング装置
CN103698907A (zh) * 2013-09-18 2014-04-02 北京京东方光电科技有限公司 一种提取液晶面板中异物的方法
CN104266859A (zh) * 2014-10-20 2015-01-07 三星高新电机（天津）有限公司 摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法
CN206258377U (zh) * 2016-11-29 2017-06-16 昆山之奇美材料科技有限公司 一种膜材异物缺陷的红外自动检测装置

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