CN104266859A - 摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法 - Google Patents

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李朝玲
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Abstract

本发明涉及一种摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法。所述摄像头内微米级异物提取装置包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针，所述钨针的尖端曲率半径为90～110nm。本发明摄像头内微米级异物提取装置由于采用钨针，不但能利用物理吸附原理有效吸附待分析的异物，而且由于钨针的钨元素与异物成分不同因而可以实现将EDS分析时的基底信息完全扣除，更能有效得到真实异物成分结果，其可以方便、快速、准确地测定摄像头内异物成分，推测出异物源，指导工程改善，保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用需要，进而保证所生产的制品的品质。

Description

摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法
技术领域
本发明属于微米级异物提取技术领域，具体涉及一种摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法。
背景技术
目前，随着制造技术的日臻完善以及市场需求，摄像头的更新速度不断加快，像素越来越高，制品向着精密化方向发展。因此，摄像头中异物控制要求也越来越严格，微米级异物对摄像头品质的影响已经成为主流。
由于EDS成分分析时电子束存在一定的击穿深度，而异物尺寸较小，因此分析结果中会包含大量的基底(如传感器Sensor，红外滤光片IR-Fliter)等信息，或者用毛细管拉制的玻璃针，成分与异物成分存在较多重合元素，不能准确判定异物成分从而推测其来源，成为指导工程改善的一大壁垒。目前，还没有分析微米级异物成分的方法。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷而提供一种摄像头内微米级异物提取装置以及提取分析方法。
为实现本发明的目的所采用的技术方案是：
一种摄像头内微米级异物提取装置，包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针，所述钨针的尖端曲率半径为90～110nm。
作为技术上的改进，所述钨针的尖端曲率半径为100nm。
优选的，所述钨针的纯度为99.99％，
本发明的目的还在于提供一种摄像头内微米级异物提取分析方法，采用所述摄像头内微米级异物提取装置进行，具体包括以下步骤：
在金相显微镜下，利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对摄像头内微米级异物进行提取；
将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上进行喷金处理；
将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中；
利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析，将结果中W元素扣除，得到真实的异物成分。
本发明摄像头内微米级异物提取装置由于采用钨针，不但能利用物理吸附原理有效吸附待分析的异物，而且由于钨针的钨元素与异物成分不同，因而能有效将提取吸附分析过程中混杂其中的钨元素与异物中的成分区别开来，因而可以实现将EDS分析时的基底信息完全扣除，更能有效得到真实异物成分结果，其可以方便、快速、准确地测定摄像头内异物成分，推测出异物源，指导工程改善，保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用需要，进而保证所生产的制品的品质。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的一种摄像头内微米级异物提取装置的结构示意图；
图2A为待提取异物在摄像头传感器(Sensor)上的电子图像；
图2B为将异物提取到钨针上的电子图像；
图3为将吸附有异物的钨针置于SEM中进行EDS分析的电子图像。
具体实施方式
下面，结合实例对本发明的实质性特点和优势作进一步的说明，但本发明并不局限于所列的实施例。
请参阅图1，一种摄像头内微米级异物提取装置，包括提取装置20以及固定于所述提取装置上的钨针10，所述钨针的尖端曲率半径为90～110nm。
所述的提取装置20为市购器件，对此不再进行详细说明。
作为技术上的改进，所述钨针的尖端曲率半径为100nm。
优选的，所述钨针可以采用电化学腐蚀原理制备，要求纯度达到99.99％，具体可以利用电化学腐蚀纯度为99.99％的钨丝方法制备，制备完成后固定在提取装置20上，并保证其稳定，以便在异物提取过程中不发生晃动。由于钨针半径和提取装置20的安装孔的内径存在一定差异，两者之间用双面胶固定，保证钨针在提取装置20中的稳定性。
本发明的目的还在于提供一种摄像头内微米级异物提取分析方法，采用所述摄像头内微米级异物提取装置进行，具体包括以下步骤：
在金相显微镜下，利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对摄像头内微米级异物进行，使异物吸附在钨针表面；
将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上，并保持吸附异物的方向垂直向上后进行喷金处理；
将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中，找到异物；
利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析，将结果中W元素扣除，得到真实的异物成分，并推测异物成分来源。
通过图2A-B所示，在金相显微镜下对摄像头传感器(Sensor)上的异物进行提取，并在利用X-射线能谱仪(EDS)对异物进行成分分析，分析结果如下：
经分析，实例中异物成分为传感器碎片(Sensor Chipping)，为传感器(Sensor)原资材不良所致，可以通知传感器(Sensor)生产商对其进行改善，以保证摄像头成品质量。
从以上的技术方案可以看出，与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的测量装置结构简单架设便利，钨针尖部较细，能成功提取微米级异物，本发明的成分测定方法，可以将EDS分析时的基底信息完全扣除，更能有效得到真实异物成分结果，其可以方便、快速、准确地测定摄像头内异物成分，推测出异物源，指导工程改善，保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用需要，进而保证所生产的制品的品质。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种摄像头内微米级异物提取装置，其特征在于，包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针，所述钨针的尖端曲率半径为90～110nm。 
2.根据权利要求1所述微米级异物提取装置，其特征在于，所述钨针的尖端曲率半径为100nm。 
3.根据权利要求1或2所述摄像头内微米级异物提取装置，其特征在于，所述钨针的纯度为99.99％。
4.一种摄像头内微米级异物提取分析方法，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述摄像头内微米级异物提取装置进行，具体包括以下步骤： 
在金相显微镜下，利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对微米级异物进行提取； 
将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上进行喷金处理； 
将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中； 
利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析，将结果中W元素扣除，得到真实的异物成分。 
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108645793A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102721832A (zh) * 2012-06-25 2012-10-10 天津大学 一种金属钨纳米探针的制备方法及其应用
CN102954974A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 鞍钢股份有限公司 一种中厚板探伤缺陷的原位检验方法
CN103592323A (zh) * 2013-11-15 2014-02-19 株洲硬质合金集团有限公司 硬质合金粘结相中钨的固溶度的分析检测方法
CN103630674A (zh) * 2013-12-18 2014-03-12 天津市纺织纤维检验所 磁性功能纤维的定性分析、交织物的定量分析方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102954974A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 鞍钢股份有限公司 一种中厚板探伤缺陷的原位检验方法
CN102721832A (zh) * 2012-06-25 2012-10-10 天津大学 一种金属钨纳米探针的制备方法及其应用
CN103592323A (zh) * 2013-11-15 2014-02-19 株洲硬质合金集团有限公司 硬质合金粘结相中钨的固溶度的分析检测方法
CN103630674A (zh) * 2013-12-18 2014-03-12 天津市纺织纤维检验所 磁性功能纤维的定性分析、交织物的定量分析方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周学之: "《中国刑事科学技术大全》", 31 December 2002 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108645793A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法
CN108645793B (zh) * 2018-05-11 2021-10-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法

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