CN108638348A - 一种单晶硅片生产装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单晶硅片生产装置，它包括上料机构(1)、限位机构(2)、切割装置(3)和清洗装置(4)，上料机构(1)包括承载台(5)、水平油缸(6)和压板(7)，承载台(5)的顶部开设有半圆形凹槽(8)，水平油缸(6)平行于半圆形凹槽(8)且固定安装于承载台(5)的顶部，压板(7)固设于水平油缸(6)活塞杆上；限位机构(2)位于上料机构(1)的左侧，限位机构(2)包括平台(9)、导向套、顶杆和锁紧螺钉(12)，平台(9)与承载台(5)相对立设置，导向套(10)固设于平台(9)顶部，本发明的技术特点为：能够生产不同厚度单晶硅片、提高单晶硅片清洗质量、防止单晶硅片附着于切刀上、循环利用碱液。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅片生产的技术领域，特别是一种单晶硅片生产装置及方法。
背景技术
单晶硅作为一种重要的半导体材料，具有良好的电学性能和热稳定性，自被人们发现和利用后很快替代其它半导体材料。硅材料因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适用于制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，集成电路半导体器件大多数硅材料制成的。在制造性能良好的硅单晶方法中，直拉法生长硅单晶具有设备和工艺相对简单、容易实现自动控制。直拉单晶硅棒从单晶炉中拉制出来以后需要进行一系列的工序，前期包括截断和清洗等工序；中期还需要将单晶硅棒进行滚磨、切片、清洗、倒角、研磨和再清洗等工；后期将硅片进行制绒、扩散、结晶和烧结等工序后才能制造成半导体器件或用于光伏发电的太阳能电池片。
其中截断是指通过直线上下往复式切刀对单晶硅棒进行切割，当切刀向上提升后，切成的单晶硅片随着切刀一同向上运动如图1所示，若切刀再次向下切单晶硅片，将导致附着在切刀上的单晶硅片碰撞到单晶硅棒上，单晶硅片如图1中打有剖面线的矩形框，进一步导致单晶硅片挤压变形。为了解决这一问题，工人关闭驱动切刀运动的机构，随后将附着于切刀上的单晶硅片手动拿下，这种操作方式，不仅增大了工人的劳动强度，同时每切一片都要停机，极大降低单晶硅片的生产效率。
此外在前期的清洗过程中，工人将单晶硅片倾倒于清洗槽中，通过清洗槽内的弱碱液洗掉单晶硅片表面上的油污和杂质，然而油污和杂质紧紧的附着于单晶硅片上，需要浸泡很长时间才能彻底清洗掉油污和杂质，存在清洗周期长，清洗效率低的缺陷，为后期的清洗带来了困难。
中国专利申请号为201710897669.9中公开了一种单晶硅切片生产用清洗装置，包括底座，所述底座的顶端外壁四角均焊接有L形结构的支撑架，所述支撑架的底端卡接有吸盘，所述底座的顶端外壁通过螺丝固定有箱体，且箱体的顶端为开口结构，所述箱体的顶部套接有封盖，所述封盖的顶部外壁焊接有安装箱，所述安装箱的底部内壁卡接有蓄电池，所述封盖的底部内壁通过螺丝固定有第二液压油缸，所述第二液压油缸的底端焊接有连接板，且连接板的底端通过螺丝固定有电机。本发明结构简单，整个设计使得单晶硅片的表面附着的一些粘接剂、有机物和硅粉可以快速被清理干净，使得物理和化学清洗方法同时进行，加快清洗的速度，提高工作效率。该专利虽然能够清除掉单晶硅片上的杂质，但是毛刷在清扫过程中，无疑会刮伤单晶硅片的表面，从而极大降低了单晶硅片的表面质量。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种结构紧凑、能够生产不同厚度单晶硅片、提高单晶硅片清洗质量、防止单晶硅片附着于切刀上、循环利用碱液的单晶硅片生产装置及方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种单晶硅片生产装置，它包括上料机构、限位机构、切割装置和清洗装置，所述上料机构包括承载台、水平油缸和压板，所述承载台的顶部开设有半圆形凹槽，水平油缸平行于半圆形凹槽且固定安装于承载台的顶部，压板固设于水平油缸活塞杆上；
所述限位机构位于上料机构的左侧，限位机构包括平台、导向套、顶杆和锁紧螺钉，平台与承载台相对立设置，导向套固设于平台顶部，顶杆滑动安装于导向套内，顶杆与半圆形凹槽的轴线同轴设置，锁紧螺钉螺纹连接于导向套的顶部，锁紧螺钉贯穿导向套且抵压于顶杆上；
所述切割装置包括空压机、设置于承载台上方的龙门架、设置于龙门架底部的垂向油缸，垂向油缸的活塞杆上固设有切刀，切刀位于承载台和顶杆的右端部之间，龙门架的底部还设置有支架，支架上设置有出气管，出气管位于切刀的右侧，出气管与空压机的出口端经管道连接；
所述清洗装置位于切刀的下方，清洗装置包括槽体、前油缸、后油缸、过滤器和设置于槽体内的过滤网，所述过滤网的两端向上延伸于槽体的顶部且延伸端经螺钉固定于槽体上，所述槽体的前后侧分别设置有前油缸和后油缸，前油缸和后油缸的活塞杆均铰接于槽体的外壁上，所述过滤器的入口端连接有软管，软管的另一端与过滤网和槽体底部形成的腔体连通，所述槽体的侧壁上开设有进气孔。
所述压板垂直于半圆形凹槽设置。
所述空压机设置于龙门架的顶部。
所述平台的底部固设有立柱A。
所述承载台的底部固设有立柱B。
所述槽体位于立柱A和立柱B之间。
所述出气管平行于半圆形凹槽设置。
该生产装置还包括控制器，所述控制器与前油缸、后油缸、空压机、垂向油缸和水平油缸连接。
所述生产装置生产单晶硅片的方法，它包括以下步骤：
S1、单晶硅片厚度的调整，工人先将单晶硅棒放置于半圆形凹槽内，然后工人向左推动单晶硅棒，使单晶硅棒的左端部抵靠于顶杆的右端部，随后工人拧松锁紧螺钉，然后工人向右推动顶杆，顶杆推动单晶硅棒沿着半圆形凹槽向右移动，当单晶硅棒左端面与切刀刀刃之间的水平间距等于所需单晶硅片的厚度时，拧紧锁紧螺钉，顶杆被锁死，最后工人在控制器上控制水平油缸活塞杆缩回，压板向在单晶硅棒的右端面上，从而将单晶硅棒锁紧在顶杆和压板之间，最终实现了单晶硅片厚度的调整；
S2、单晶硅片的切制，先打开空压机，空压机产出的高压气体经管道进入出气管中，高压气体向左喷出，同时控制垂向油缸活塞杆向下伸出，切刀向下运动，切刀穿过单晶硅棒后切制出单晶硅片，切成的单晶硅片附着于切刀上，当控制垂向油缸向上升起时，从出气管吹出的高压气体将该单晶硅片从切刀上吹下，掉落的单晶硅片在重力作用下落入槽体中；当切刀复位后，控制水平油缸活塞杆继续缩回，压板推动单晶硅棒向左移动，从而完成单晶硅棒第二次工装规定，重复切刀的切割步骤即可切割出第二个单晶硅片，如此循环操作即可将单晶硅棒全部切完；
S3、单晶硅片的清洗，切制的单晶硅片沉积于过滤网的底部，此时工人经控制器控制前油缸和后油缸的活塞杆做往复交替的伸出或缩回，从而使槽体做前后往复的晃动，使单晶硅片在过滤网上前后做摆动，槽体内盛装的碱液往复的冲击单晶硅片表面，加快冲刷掉附着于单晶硅片上的杂质和油污的去除，从而实现了单晶硅片的清洗，而从单晶硅片上掉落的杂质穿过过滤网进入槽体底部；清洗过程中，向进气孔中通入高压气体，高压气体加快碱液的流动，以增大碱液与单晶硅片的接触面积，提高清洗效率；
S4、清洗结束后，控制后油缸活塞杆伸出，同时控制前油缸活塞杆缩回，此时槽体处于倾斜状态，带有油污和杂质的碱液从软管排出进入过滤器，过滤器过滤掉油污和杂质，洁净的碱液又可以继续排入到槽体内，继续使用。
本发明具有以下优点：
(1)本发明的上料机构包括承载台、水平油缸和压板，所述承载台的顶部开设有半圆形凹槽，水平油缸平行于半圆形凹槽且固定安装于承载台的顶部，压板固设于水平油缸活塞杆上；限位机构位于上料机构的左侧，限位机构包括平台、导向套、顶杆和锁紧螺钉，平台与承载台相对立设置，导向套固设于平台顶部，顶杆滑动安装于导向套内，顶杆与半圆形凹槽的轴线同轴设置，锁紧螺钉螺纹连接于导向套的顶部，锁紧螺钉贯穿导向套且抵压于顶杆上，切割前，将单晶硅棒放置于半圆形凹槽内，然后向左推动单晶硅棒，使单晶硅棒的左端部抵靠于顶杆的右端部，随后拧松锁紧螺钉，然后工人向右推动顶杆，顶杆推动单晶硅棒沿着半圆形凹槽向右移动，当单晶硅棒左端面与切刀刀刃之间的水平间距等于所需单晶硅片的厚度时，拧紧锁紧螺钉，顶杆被锁死，最后工人在控制器上控制水平油缸活塞杆缩回，压板向在单晶硅棒的右端面上，从而将单晶硅棒锁紧在顶杆和压板之间，最终实现了单晶硅片厚度的调整，因此通过上料机构、限位机构的配合能够切割出不同的厚度的单晶硅片。
(2)本发明的清洗装置包括槽体、前油缸、后油缸、过滤器和设置于槽体内的过滤网，所述过滤网的两端向上延伸于槽体的顶部且延伸端经螺钉固定于槽体上，所述槽体的前后侧分别设置有前油缸和后油缸，前油缸和后油缸的活塞杆均铰接于槽体的外壁上，所述过滤器的入口端连接有软管，软管的另一端与过滤网和槽体底部形成的腔体连通，所述槽体的侧壁上开设有进气孔，经控制器控制前油缸和后油缸的活塞杆做往复交替的伸出或缩回，从而使槽体做前后往复的晃动，使单晶硅片在过滤网上前后做摆动，槽体内盛装的碱液往复的冲击单晶硅片表面，加快冲刷掉附着于单晶硅片上的杂质和油污的去除，从而实现了单晶硅片的清洗，而从单晶硅片上掉落的杂质穿过过滤网进入槽体底部；清洗过程中，向进气孔中通入高压气体，高压气体加快碱液的流动，以增大碱液与单晶硅片的接触面积，提高清洗效率，进一步的提高了单晶硅片清洗质量。
(3)当清洗结束后，控制后油缸活塞杆伸出，同时控制前油缸活塞杆缩回，此时槽体处于倾斜状态，带有油污和杂质的碱液从软管排出进入过滤器，过滤器过滤掉油污和杂质，洁净的碱液又可以继续排入到槽体内，继续使用，降低了购买碱液的成本。
(4)本发明的切割装置包括空压机、设置于承载台上方的龙门架、设置于龙门架底部的垂向油缸，空压机设置于龙门架的顶部，垂向油缸的活塞杆上固设有切刀，切刀位于承载台和顶杆的右端部之间，龙门架的底部还设置有支架，支架上设置有出气管，出气管平行于半圆形凹槽设置，出气管位于切刀的右侧，出气管与空压机的出口端经管道连接，控制垂向油缸活塞杆向下伸出，切刀向下运动，切刀穿过单晶硅棒后切制出单晶硅片，切成的单晶硅片附着于切刀上，当控制垂向油缸向上升起时，从出气管吹出的高压气体将该单晶硅片从切刀上吹下，掉落的单晶硅片在重力作用下落入槽体中，因此通过出气管流出的高压气体即可将附着于切刀上的单晶硅片吹下，无需工人用手从切刀上拿取，提高了操作的安全性，且无需停机拿取，保证了切片的连续性，极大提高了单晶硅片的生产效率。
附图说明
图1为单晶硅片附着于切刀端面上的结构示意图；
图2为本发明的结构示意图；
图3为图2的主视图；
图4为本发明的上料机构和切割装置的安装示意图；
图5为本发明的限位机构的结构示意图；
图6为本发明的清洗装置的结构示意图；
图7为图6中对槽体的主剖视图；
图中，1-上料机构，2-限位机构，3-切割装置，4-清洗装置，5-承载台，6-水平油缸，7-压板，8-半圆形凹槽，9-平台，10-导向套，11-顶杆，12-锁紧螺钉，13-空压机，14-龙门架，15-垂向油缸，16-切刀，17-支架，18-出气管，19-槽体，20-前油缸，21-后油缸，22-过滤器，23-过滤网，24-软管，25-进气孔，26-立柱A，27-立柱B，28-单晶硅棒。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的描述，本发明的保护范围不局限于以下所述：
如图2～7所示，一种单晶硅片生产装置，它包括上料机构1、限位机构2、切割装置3和清洗装置4，所述上料机构1包括承载台5、水平油缸6和压板7，所述承载台5的顶部开设有半圆形凹槽8，水平油缸6平行于半圆形凹槽8且固定安装于承载台5的顶部，压板7固设于水平油缸6活塞杆上，压板7垂直于半圆形凹槽8设置。
所述限位机构2位于上料机构1的左侧，限位机构2包括平台9、导向套10、顶杆11和锁紧螺钉12，平台9与承载台5相对立设置，导向套10固设于平台9顶部，顶杆11滑动安装于导向套10内，顶杆11与半圆形凹槽8的轴线同轴设置，锁紧螺钉12螺纹连接于导向套10的顶部，锁紧螺钉12贯穿导向套10且抵压于顶杆11上；当拧松锁紧螺钉12后，可向左或向右滑动顶杆11，以调整顶杆与单晶硅棒左端的间距。
所述切割装置3包括空压机13、设置于承载台5上方的龙门架14、设置于龙门架14底部的垂向油缸15，空压机13设置于龙门架14的顶部，垂向油缸15的活塞杆上固设有切刀16，切刀16位于承载台5和顶杆11的右端部之间，龙门架14的底部还设置有支架17，支架17上设置有出气管18，出气管18平行于半圆形凹槽8设置，出气管18位于切刀16的右侧，出气管18与空压机13的出口端经管道连接。所述的半圆形凹槽8能够限制位于其内的单晶硅棒晃动或偏出。
所述清洗装置4位于切刀16的下方，清洗装置4包括槽体19、前油缸20、后油缸21、过滤器22和设置于槽体19内的过滤网23，所述过滤网23的两端向上延伸于槽体19的顶部且延伸端经螺钉固定于槽体19上，所述槽体19的前后侧分别设置有前油缸20和后油缸21，前油缸20和后油缸21的活塞杆均铰接于槽体19的外壁上，所述过滤器22的入口端连接有软管24，软管24的另一端与过滤网23和槽体19底部形成的腔体连通，所述槽体19的侧壁上开设有进气孔25。
所述平台9的底部固设有立柱A26。承载台5的底部固设有立柱B27。所述槽体19位于立柱A26和立柱B27之间。
该生产装置还包括控制器，所述控制器与前油缸20、后油缸21、空压机13、垂向油缸15和水平油缸6连接，工人可通过控制器来控制前油缸20、后油缸21、垂向油缸15和水平油缸6活塞杆的伸出或缩回，方便了工人的操作，具有自动化程度高的特点。
所述生产装置生产单晶硅片的方法，它包括以下步骤：
S1、单晶硅片厚度的调整，工人先将单晶硅棒28放置于半圆形凹槽8内，然后工人向左推动单晶硅棒28，使单晶硅棒28的左端部抵靠于顶杆11的右端部，随后工人拧松锁紧螺钉12，然后工人向右推动顶杆11，顶杆11推动单晶硅棒28沿着半圆形凹槽8向右移动，当单晶硅棒28左端面与切刀16刀刃之间的水平间距等于所需单晶硅片的厚度时，拧紧锁紧螺钉12，顶杆11被锁死，最后工人在控制器上控制水平油缸6活塞杆缩回，压板7向在单晶硅棒28的右端面上，从而将单晶硅棒28锁紧在顶杆11和压板7之间，最终实现了单晶硅片厚度的调整；因此通过上料机构1、限位机构2的配合能够切割出不同的厚度的单晶硅片，
S2、单晶硅片的切制，先打开空压机13，空压机13产出的高压气体经管道进入出气管18中，高压气体向左喷出，同时控制垂向油缸15活塞杆向下伸出，切刀16向下运动，切刀16穿过单晶硅棒28后切制出单晶硅片，切成的单晶硅片附着于切刀16上，当控制垂向油缸15向上升起时，从出气管18吹出的高压气体将该单晶硅片从切刀16上吹下，掉落的单晶硅片在重力作用下落入槽体19中，因此通过出气管18流出的高压气体即可将附着于切刀16上的单晶硅片吹下，无需工人用手从切刀上拿取，提高了操作的安全性，且无需停机拿取，保证了切片的连续性，极大提高了单晶硅片的生产效率；当切刀16复位后，控制水平油缸6活塞杆继续缩回，压板7推动单晶硅棒28向左移动，从而完成单晶硅棒第二次工装规定，重复切刀的切割步骤即可切割出第二个单晶硅片，如此循环操作即可将单晶硅棒全部切完；
S3、单晶硅片的清洗，切制的单晶硅片沉积于过滤网23的底部，此时工人经控制器控制前油缸20和后油缸21的活塞杆做往复交替的伸出或缩回，从而使槽体19做前后往复的晃动，使单晶硅片在过滤网23上前后做摆动，槽体19内盛装的碱液往复的冲击单晶硅片表面，加快冲刷掉附着于单晶硅片上的杂质和油污的去除，从而实现了单晶硅片的清洗，而从单晶硅片上掉落的杂质穿过过滤网23进入槽体19底部；清洗过程中，向进气孔25中通入高压气体，高压气体加快碱液的流动，以增大碱液与单晶硅片的接触面积，提高清洗效率，进一步的提高了单晶硅片清洗质量；
S4、清洗结束后，控制后油缸21活塞杆伸出，同时控制前油缸20活塞杆缩回，此时槽体19处于倾斜状态，带有油污和杂质的碱液从软管排出进入过滤器22，过滤器22过滤掉油污和杂质，洁净的碱液又可以继续排入到槽体内，继续使用，降低了购买碱液的成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作出任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明的技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种单晶硅片生产装置，其特征在于：它包括上料机构(1)、限位机构(2)、切割装置(3)和清洗装置(4)，所述上料机构(1)包括承载台(5)、水平油缸(6)和压板(7)，所述承载台(5)的顶部开设有半圆形凹槽(8)，水平油缸(6)平行于半圆形凹槽(8)且固定安装于承载台(5)的顶部，压板(7)固设于水平油缸(6)活塞杆上；
所述限位机构(2)位于上料机构(1)的左侧，限位机构(2)包括平台(9)、导向套(10)、顶杆(11)和锁紧螺钉(12)，平台(9)与承载台(5)相对立设置，导向套(10)固设于平台(9)顶部，顶杆(11)滑动安装于导向套(10)内，顶杆(11)与半圆形凹槽(8)的轴线同轴设置，锁紧螺钉(12)螺纹连接于导向套(10)的顶部，锁紧螺钉(12)贯穿导向套(10)且抵压于顶杆(11)上；
所述切割装置(3)包括空压机(13)、设置于承载台(5)上方的龙门架(14)、设置于龙门架(14)底部的垂向油缸(15)，垂向油缸(15)的活塞杆上固设有切刀(16)，切刀(16)位于承载台(5)和顶杆(11)的右端部之间，龙门架(14)的底部还设置有支架(17)，支架(17)上设置有出气管(18)，出气管(18)位于切刀(16)的右侧，出气管(18)与空压机(13)的出口端经管道连接；
所述清洗装置(4)位于切刀(16)的下方，清洗装置(4)包括槽体(19)、前油缸(20)、后油缸(21)、过滤器(22)和设置于槽体(19)内的过滤网(23)，所述过滤网(23)的两端向上延伸于槽体(19)的顶部且延伸端经螺钉固定于槽体(19)上，所述槽体(19)的前后侧分别设置有前油缸(20)和后油缸(21)，前油缸(20)和后油缸(21)的活塞杆均铰接于槽体(19)的外壁上，所述过滤器(22)的入口端连接有软管(24)，软管(24)的另一端与过滤网(23)和槽体(19)底部形成的腔体连通，所述槽体(19)的侧壁上开设有进气孔(25)。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：所述压板(7)垂直于半圆形凹槽(8)设置。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：所述空压机(13)设置于龙门架(14)的顶部。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：所述平台(9)的底部固设有立柱A(26)。
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：所述承载台(5)的底部固设有立柱B(27)。
6.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：所述槽体(19)位于立柱A(26)和立柱B(27)之间。
7.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：所述出气管(18)平行于半圆形凹槽(8)设置。
8.根据权利要求1所述的一种单晶硅片生产装置，其特征在于：该生产装置还包括控制器，所述控制器与前油缸(20)、后油缸(21)、空压机(13)、垂向油缸(15)和水平油缸(6)连接。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述生产装置生产单晶硅片的方法，其特征在于：它包括以下步骤：
S1、单晶硅片厚度的调整，工人先将单晶硅棒(28)放置于半圆形凹槽(8)内，然后工人向左推动单晶硅棒(28)，使单晶硅棒(28)的左端部抵靠于顶杆(11)的右端部，随后工人拧松锁紧螺钉(12)，然后工人向右推动顶杆(11)，顶杆(11)推动单晶硅棒(28)沿着半圆形凹槽(8)向右移动，当单晶硅棒(28)左端面与切刀(16)刀刃之间的水平间距等于所需单晶硅片的厚度时，拧紧锁紧螺钉(12)，顶杆(11)被锁死，最后工人在控制器上控制水平油缸(6)活塞杆缩回，压板(7)向在单晶硅棒(28)的右端面上，从而将单晶硅棒(28)锁紧在顶杆(11)和压板(7)之间，最终实现了单晶硅片厚度的调整；
S2、单晶硅片的切制，先打开空压机(13)，空压机(13)产出的高压气体经管道进入出气管(18)中，高压气体向左喷出，同时控制垂向油缸(15)活塞杆向下伸出，切刀(16)向下运动，切刀(16)穿过单晶硅棒(28)后切制出单晶硅片，切成的单晶硅片附着于切刀(16)上，当控制垂向油缸(15)向上升起时，从出气管(18)吹出的高压气体将该单晶硅片从切刀(16)上吹下，掉落的单晶硅片在重力作用下落入槽体(19)中；当切刀(16)复位后，控制水平油缸(6)活塞杆继续缩回，压板(7)推动单晶硅棒(28)向左移动，从而完成单晶硅棒第二次工装规定，重复切刀的切割步骤即可切割出第二个单晶硅片，如此循环操作即可将单晶硅棒全部切完；
S3、单晶硅片的清洗，切制的单晶硅片沉积于过滤网(23)的底部，此时工人经控制器控制前油缸(20)和后油缸(21)的活塞杆做往复交替的伸出或缩回，从而使槽体(19)做前后往复的晃动，使单晶硅片在过滤网(23)上前后做摆动，槽体(19)内盛装的碱液往复的冲击单晶硅片表面，加快冲刷掉附着于单晶硅片上的杂质和油污的去除，从而实现了单晶硅片的清洗，而从单晶硅片上掉落的杂质穿过过滤网(23)进入槽体(19)底部；清洗过程中，向进气孔(25)中通入高压气体，高压气体加快碱液的流动，以增大碱液与单晶硅片的接触面积，提高清洗效率；
S4、清洗结束后，控制后油缸(21)活塞杆伸出，同时控制前油缸(20)活塞杆缩回，此时槽体(19)处于倾斜状态，带有油污和杂质的碱液从软管排出进入过滤器(22)，过滤器(22)过滤掉油污和杂质，洁净的碱液又可以继续排入到槽体内，继续使用。
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