CN108630563B - 晶圆识别码的监测方法以及监测结构 - Google Patents
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Abstract
一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，监测方法包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。本发明能够监测生成的晶圆识别码是否发生偏移以及获取晶圆识别码发生偏移的量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构。
背景技术
随着信息化的不断发展以及晶圆的广泛应用，用户或者客户对晶圆的生产制造、销售、使用过程的追踪要求越来越高，也希望对晶圆的追踪越来越精准。不但要求能够追踪到生产的每一个批次的晶圆，还要求能够追踪到单个晶圆，因此，晶圆追踪功能由批次转换到更为精细的单个晶圆的需求也是势在必行。
为满足上述需求，晶圆识别码(Wafer ID)被标记于每一片晶圆上，作为晶圆的身份标识，可以用于辨别每一批晶圆甚至每一批晶圆中的各个晶圆。晶圆识别码可以先于半导体器件形成在晶圆的外围区域，也可以在形成半导体器件之后形成在晶圆的外围区域。
但是，在晶圆上形成晶圆识别码的工艺过程中经常会出现晶圆识别码偏移的问题，导致难以识别晶圆，从而影响后续的生产工艺。目前，Inline以及OQA(OutgoingQuality Assurance)目检只能检视出晶圆识别码的完整性和可见性，难以识别晶圆识别码的位置偏移。
为此，亟需提供一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，获取晶圆识别码的位置情况。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种晶圆条形码的监测方法以及监测结构，以便实时监测晶圆条形码是否有发生偏移以及发生的偏移量，获取生成的晶圆识别码的位置情况。
为解决上述问题，本发明提供一种晶圆识别码的监测方法，包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。
可选的，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线重合时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线未重合时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。
可选的，所述监测方法还包括：当监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线不重合时，获取所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线之间的偏移量，所述偏移量即为生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。
可选的，采用显微镜观测的方式，监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合。
可选的，所述监测区包括：以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区；生成所述监测识别码的方法包括：在所述第一监测区生成第一监测识别码；在所述第二监测区生成第二监测识别码，所述第二监测识别码与所述第一监测识别码相对于所述监测识别码的中心线相对称。
可选的，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，所述第一监测区的中心线与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的中心线与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括轴对称的两组第一图形；所述第二监测识别码包括轴对称的两组第二图形；判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界对齐，且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界对齐时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界未对齐，且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界未对齐时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。
可选的，所述监测方法还包括：通过监测所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界之间的偏移量，或者，通过监测所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界之间的偏移量，获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。
可选的，所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量的方法包括：定义与所述缺口左边界对齐的一列第一子图形为第一对准图形，获取所述第一对准图形与两组第一图形的对称轴之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量；或者，定义与所述缺口右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形，获取所述第二对准图形与所述两组第二图形的对称轴之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量。
可选的，相邻列第一子图形之间的距离相等，两组第一图形之间的距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍；相邻列第二子图形之间的距离相等，两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。
可选的，所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。
可选的，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，且所述第一监测区的左边界与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的右边界与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括一组第一图形；所述第二监测识别码包括一组第二图形；判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：当所述第一图形的左边界与所述缺口的左边界对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口的右边界对齐时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；当所述第一图形的左边界与所述缺口的左边界未对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口的右边界未对齐时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。
可选的，所述监测方法还包括：通过监测所述第一图形的左边界与所述缺口的左边界之间的偏移量，或者，通过监测所述第二图形的右边界与所述缺口的右边界之间的偏移量，获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。
可选的，所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量的方法包括：定义与所述缺口左边界对齐的一列第一子图形为第一对准图形，获取所述第一对准图形与所述第一图形左边界之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量；或者，定义与所述缺口右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形，获取所述第二对准图形与所述第二图形右边界之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量。
可选的，相邻列所述第一子图形之间的距离相等；相邻列所述第二子图形之间的距离相等。
可选的，所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。本发明还提供一种监测结构，包括：具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；位于所述晶圆识别码区的晶圆上的晶圆识别码；位于所述监测区的晶圆上的监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合。
可选的，所述监测区包括：以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区；所述监测识别码包括：位于所述第一监测区的晶圆上的第一监测识别码；位于所述第二监测区的晶圆上的第二监测识别码，所述第二监测识别码与所述第一监测识别码相对于所述监测识别码的中心线相对称。
可选的，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，所述第一监测区的中心线与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的中心线与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括轴对称的两组第一图形；所述第二监测识别码包括轴对称的两组第二图形；所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；其中，相邻列第一子图形之间的距离相等，两组第一图形之间的距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍；相邻列第二子图形之间的距离相等，两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。
可选的，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，且所述第一监测区的左边界与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的右边界与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括一组第一图形；所述第二监测识别码包括一组第二图形；所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；其中，所述相邻列第一子图形之间的距离相等；所述相邻列第二子图形之间的距离相等。
可选的，所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明提供的晶圆识别码的监测方法的技术方案中，晶圆边缘的缺口与晶圆识别码区之间具有监测区，且晶圆识别码区的中心线、监测区的中心线以及缺口的中心线相重合；在晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合。在理想情况下，即在生成的晶圆识别码未发生偏移情况下，所述晶圆识别码的中心线与所述晶圆识别码区的中心线相重合，由于所述晶圆识别码的中心线与所述监测识别码的中心线相重合，因此在理想情况下所述监测识别码的中心线与所述缺口的中心线相重合。因此，通过监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，可以判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移以及获取晶圆识别码发生偏移的量。
可选方案中，采用显微镜观测的方式，监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，可以实时有效的监测生成的晶圆识别码的位置情况。
可选方案中，所述监测区包括以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区，且第一监测区的中心线与缺口的左边界对齐，第二监测区的中心线与缺口的右边界对齐；相应的第一监测区上生成第一监测识别码，第二监测区上生成第二监测识别码；通过监测第一监测识别码的中心线是否与缺口的左边界对齐，或者监测第二监测识别码的中心线是否与缺口的右边界对齐，判断生成的晶圆识别码是否发生偏移。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的监测结构的俯视结构示意图；
图2为图1中外围区域的局部放大结构示意图；
图3为本发明另一实施例提供的监测结构的局部放大结构示意图；
图4示出了本发明一实施例生成的晶圆识别码发生偏移时的监测结构的局部放大结构示意图；
图5示出了本发明另一实施例生成的晶圆识别码发生偏移时的监测结构的局部放大结构示意图。
具体实施方式
根据背景技术可知，亟需提供一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，获取晶圆识别码的位置情况。
为解决上述问题，本发明提供一种监测结构，通过所述监测结构，能够监测生成的晶圆识别码是否发生偏移以及发生偏移的量。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1及图2为本发明一实施例提供的监测结构的结构示意图。
参考图1及图2，图1为本发明一实施例提供的监测结构的俯视结构示意图，图2为图1中外围区域的局部放大结构示意图，所述监测结构包括：
具有外围区域I的晶圆100，所述晶圆100外围区域I的边缘具有缺口(notch)101，且所述外围区域I还包括晶圆识别码区102以及监测区103，其中，所述监测区103位于所述缺口101与所述晶圆识别码区102之间，所述晶圆识别码区102的中心线X1、所述监测区103的中心线D2以及所述缺口101的中心线D1相重合；
位于所述晶圆识别区102的晶圆100上的晶圆识别码12；
位于所述监测区103的晶圆100上的监测识别码13，且所述监测识别码13的中心线与所述晶圆识别码12的中心线相重合。
以下将结合附图对本发明实施例提供的监测结构进行详细说明。
在晶圆制造过程中，所述缺口101对所述晶圆起到定位的作用。所述缺口101具有相对的左边界以及右边界。
本实施例中，所述缺口101的左边界、右边界以及所述缺口101的中心线D1相互平行，且所述缺口101的左边界与右边界相对于所述缺口101的中心线D1相对称。
所述晶圆识别区102用于设置晶圆识别码12，所述监测区103用于设置监测识别码13。且所述监测识别码13的中心线与所述晶圆识别码12的中心向相重合。
本实施例中，以DYYYYY-YY-YY表示晶圆识别码12。
理想情况下，当生成的晶圆识别码12未发生偏移时，所述晶圆识别码12的中心线与所述晶圆识别码区102的中心线X1相重合，也就是说，所述监测识别码13的中心线与所述晶圆识别码区102的中心线X1重合。
且由于所述晶圆识别码区102的中心线X1、所述监测区103的中心线D2与所述缺口101的中心线D1相重合，因此，当生成的晶圆识别码12未发生偏移时，所述监测识别码13的中心线应与所述缺口101的中心线D1相重合；当生成的晶圆识别码12发生偏移时，所述监测识别码13的中心线相对于所述缺口101的中心线D1发生偏移。
因此，通过监测所述监测识别码13的中心线与所述缺口101的中心线D1是否发生偏移，即可监测到生成的晶圆识别区12是否发生偏移；并且，通过监测所述监测识别码13的中心线与所述缺口101的中心线D1之间的偏移量，即可监测到生成的晶圆识别码12发生偏移的量。
并且，由于所述缺口101的中心线D1与所述缺口101的左边界以及右边界相关，因此，通过监测所述监测识别码13与所述缺口101的左边界以及右边界之间的位置关系，即可监测生产的晶圆识别码12是否发生偏移以及发生偏移的量。
所述监测区103包括：以所述监测区103的中心线D2为分割线的第一监测区以及第二监测区；所述监测识别码13包括：位于所述第一监测区的晶圆100上的第一监测识别码113；位于所述第二监测区的晶圆100上的第二监测识别码123，所述第二监测识别码123与所述第一监测识别码113相对于所述监测识别码13的中心线相对称。
本实施例中，所述缺口101具有相对的左边界以及右边界；其中，所述第一监测识别码113包括轴对称的两组第一图形；所述第二监测识别码123包括轴对称的两组第二图形。在理想情况下，生成的晶圆识别码12未发生偏移时，所述两组第一图形的对称轴与所述缺口101的左边界对齐，所述两组第二图形的对称轴与所述缺口101的右边界对齐。
本实施例中，所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形，所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形。
此外，相邻列第一子图形之间的距离相等，且两组第一图形之间距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍；相邻列第二子图形之间的距离相等，且两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。
也就是说，所述两组第一图形的对称轴与紧挨所述对称轴的第一子图形之间的距离等于相邻列第一子图形之间的距离，所述两组第二图形的对称轴与紧挨所述对称轴的第二子图形之间的距离等于相邻列第二子图形之间的距离。
当生成的晶圆识别码12发生偏移时，由于监测识别码13的中心线与所述晶圆识别码12的中心线重合，因此生成的监测识别码13也发生偏移。通过监测哪一列第一子图形与所述缺口101的左边界对齐，或者通过监测哪一列第二子图形与所述缺口101的右边界对齐，即可获知生成的晶圆识别码12偏移的量。
具体地，与所述缺口101的左边界对齐的该列第一子图形与所述两组第一图形的对称轴之间的距离，即为生成的晶圆识别码12偏移的量；或者，与所述缺口101的右边界对齐的该列第二子图形与所述两组第二图形的对称轴之间的距离，即为生成的晶圆识别码12偏移的量。
所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形，例如，所述第一子图形由依次按列排布的一点、两点、三点……N点组成。所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形，例如，所述第二子图形由依次按列排布的一点、两点、三点……N点组成。
需要说明的是，相邻列第一子图形之间的距离不宜过小，也不宜过大。若相邻列第一子图形之间的距离过小，相邻列第一子图形的生成难度过高；若相邻列第一子图形之间的距离过大，则监测晶圆识别码12偏移的量的精度低。为此，本实施例中，相邻列第一子图形之间的距离在0.5mm～1.5mm范围内。
同样的，本实施例中，相邻列第二子图形之间的距离在0.5mm～1.5mm范围内。
图3为本发明另一实施例提供的监测结构的局部放大结构示意图。参考图3，本发明另一实施例提供监测结构包括：
具有外围区域I的晶圆200，所述晶圆200外围区域200的边缘具有缺口201，且所述外围区域I还包括晶圆识别区202以及监测区203，其中，所述监测区203位于所述缺口201与所述晶圆识别区202之间，所述晶圆识别码区202的中心线X1、所述监测区203的中心线D2以及所述缺口201的中心线D1相重合；
位于所述晶圆识别码区202的晶圆200上的晶圆识别码22；
位于所述监测区203的晶圆200上的监测识别码23，且所述监测识别码23的中心线与所述晶圆识别码22的中心线相重合。
以下将结合附图对本实施例提供的监测结构进行详细说明。
所述监测区203包括：以所述监测区203的中心线D2为分割线的第一监测区以及第二监测区；其中，所述监测识别码23包括：位于所述第一监测区的晶圆200上的第一监测识别码213；位于所述第二监测区的晶圆200上的第二监测识别码223，所述第二监测识别码223与所述第一监测识别码213相对于所述监测识别码23的中心线相对称。
与前一实施例不同的是，本实施例中，所述缺口201具有相对的左边界以及右边界，且所述第一监测区的左边界与所述缺口201的左边界对齐，所述第二监测区的右边界与所述缺口201的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码213包括一组第一图形；所述第二监测识别码223包括一组第二图形。
在理想情况下，生成的晶圆识别码22未发生偏移时，所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界对齐，所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界对齐。
本实施例中，所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形。此外，相邻列第一子图形之间的距离相等，相邻列第二子图形之间的距离相等。
当生成的晶圆识别码22发生偏移时，由于监测识别码23的中心线与所述晶圆识别码22的中心线重合，因此生成的监测识别码23也发生偏移。通过监测哪一列第一子图形与所述缺口201的左边界对齐，或者通过监测哪一列第二子图形与所述缺口201的左边界对齐，即可获知生成的晶圆识别码22偏移的量。
具体地，与所述缺口201的左边界对齐的该列第一子图形与所述第一图形的左边界之间的距离，即为生成的晶圆识别码22偏移的量；或者，与所述缺口201的右边界对齐的该列第二子图形与所述第二图形的右边界之间的距离，即为生成的晶圆识别码22偏移的量。
所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形，例如，所述第一子图形由依次按列排布的一点、两点、三点……N点组成；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形，例如，所述第二子图形由依次按列排布的一点、两点、三点……N点组成。
本实施例中，相邻列第一子图形之间的距离在0.5mm～1.5mm范围内，相邻列第二子图形之间的距离在0.5mm～1.5mm范围内。
本发明还提供一种晶圆识别码的监测方法，包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，获取监测结果；依据所述监测结果，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。
以下将结合附图对本发明实施例提供的监测方法进行详细说明。
结合参考图1及图2，提供具有外围区域I的晶圆100，所述晶圆100外围区域I的边缘具有缺口101，且所述外围区域I还包括晶圆识别码区102以及监测区103，其中，所述监测区103位于所述缺口101与所述晶圆识别码区102之间，所述晶圆识别码区102的中心线X1、所述监测区103的中心线D2以及所述缺口101的中心线D1相重合。
有关所述外围区域I、晶圆100、缺口101、晶圆识别码区102以及监测区103的说明可参考前述实施例，在此不再赘述。
参考图2，在所述晶圆识别码区102的晶圆100上生成晶圆识别码12；在所述监测区103的晶圆100上生成监测识别码13，且所述监测识别码13的中心线与所述晶圆识别码12的中心线相重合。
所述晶圆识别码12用于标示晶圆100信息。理想情况下，生成的所述晶圆识别码12未发生偏移，则所述晶圆识别码12的中心线与所述晶圆识别码区102的中心线X1相重合。
参考图4，图4示出了本发明一实施例提供的生成的晶圆识别码12发生偏移时的监测结构局部放大示意图，当生成的所述晶圆识别码12发生偏移时，生成的晶圆识别码12与所述晶圆识别码区102之间发生偏移，使得生成的晶圆识别码12的中心线与所述晶圆识别码区102的中心线X1之间不再重合。
由于所述监测识别码13的中心线与所述晶圆识别码12的中心线相重合，因此在理想情况下，所述监测识别码13的中心线与所述晶圆识别区102的中心线X1、所述监测区103的中心线D2以及所述缺口101的中心线D1相重合。
当生成的晶圆识别码12发生偏移时，生成的监测识别码13也发生偏移，使得所述监测识别码13的中心线与所述缺口101的中心线D1之间不再重合。
本实施例中，在同一道工艺步骤中，生成所述晶圆识别码12以及监测识别码13。
本实施例中，所述监测区103包括：以所述监测区103的中心线D2为分割线的第一监测区以及第二监测区；生成所述监测识别码13的方法包括：在所述第一监测区生成第一监测识别码113；在所述第二监测区生成第二监测识别码123，所述第二监测识别码123与所述第一监测识别码113相对于所述监测识别码13的中心线相对称。
理想情况下，即在生成的晶圆识别码12未发生偏移时，所述第一监测识别码113的中心线与所述第一监测区的中心线x1相重合，所述第二监测识别码123的中心线与所述第二监测区的中心线x2相重合。
所述缺口101具有相对的左边界以及右边界，所述第一监测区的中心线x1与所述缺口101的左边界对齐，所述第二监测区的中心线x2与所述缺口101的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码113包括轴对称的两组第一图形；所述第二监测识别码123包括轴对称的两组第二图形。
因此，在理想情况下，所述第一监测识别码113的中心线与所述缺口101的左边界对齐，所述第二监测识别码123的中心线与所述缺口101的右边界对齐。也就是说，在理想情况下，所述两组第一图形的对称轴与所述缺口101的左边界对齐，所述两组第二图形的对称轴与所述缺口101的右边界对齐。
所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形。由于各列第一子图形各不相同，因此可以区分出缺口101的左边界与哪一列第一子图形对齐；同样的，由于各列第二子图形各不相同，因此可以区分出缺口101的右边界与哪一列第二子图形对齐。
相邻列第一子图形之间的距离相等，两组第一图形之间的距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍；相邻列第二子图形之间的距离相等，两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。其好处在于：由于所述第一子图形以及第二子图形为规律排列的，使得后续仅需要知晓与缺口101左边界对齐的第一子图形即可获知晶圆识别码12发生偏移的量，或者，仅需知晓与缺口101右边界对齐的第二子图形即可获知晶圆识别码12发生偏移的量，无需进行量测。
所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。本实施例中，以所述第一子图形由1点、2点、3点组成为例，以所述第二子图形由1点、2点、3点组成为例。
接着，监测所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码13的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码12是否发生偏移。
判断生成的晶圆识别码12是否发生偏移的方法包括：当所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码13的中心线重合时，判断生成的所述晶圆识别码12未发生偏移；当所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码13的中心线未重合时，判断生成的所述晶圆识别码12发生偏移。
本实施例中，具体地，通过监测所述两组第一图形的对称轴与所述缺口101的左边界是否对齐，或者通过监测所述两组第二图形的对称轴与所述缺口101的右边界是否对齐，以监测所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码13的中心线是否重合。
判断生成的所述晶圆识别码13是否发生偏移的方法包括：当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口101的左边界对齐，且所述两组第二图形的对准轴与所述缺口101的右边界对齐时，判断生成的所述晶圆识别码12未发生偏移；当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的101的左边界未对齐，且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口101的右边界未对齐时，判断生成的所述晶圆识别码12发生偏移。
所述监测方法还包括：当监测所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码13的中心线不重合时，获取所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码区13的中心线之间的偏移量，所述偏移量即为生成的所述晶圆识别码12发生偏移的量。
本实施例中，具体地，所述监测方法包括：通过监测所述两组第一图形的对称轴与所述缺口101的左边界之间的偏移量，或者，通过监测所述两组第二图形的对称轴与所述缺口101的右边界之间的偏移量，获取生成的所述晶圆识别码12发生偏移的量。
由于所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形，所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形，获取生成的所述晶圆识别码12发生偏移的量的方法包括：
定义与所述缺口101左边界对齐的一列第一子图形为第一对准图形，获取所述第一对准图形与两组第一图形的对称轴之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码12发生偏移的量；或者，定义与所述缺口101右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形，获取所述第二对准图形与所述两组第二图形的对称轴之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码12发生偏移的量。
由于所述第一监测识别码113包括两组第一图形，且所述两组第一图形的对称轴与所述缺口101的左边界对齐，所述第二监测识别码123包括两组第二图形，且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口101的右边界对齐，因此，无论生成的晶圆识别码12是向左偏移还是向右偏移，均可以通过上述的第一对准图形或者第二对准图形，获取所述晶圆识别码12发生偏移的量。
参考图4，处于所述两组第一图形的对称轴左侧的2点与所述缺口101的左边界对齐，因此处于所述两组第一图形的对准轴左侧的2点为第一对准图形；说明生成的晶圆识别码12向右偏移，并且所述晶圆识别码12向右偏移的量等于所述两组第一图形的对称轴左侧的2点与所述两组第一图形的对称轴之间的距离；所述第一对准图形与所述两组第一图形的对称轴之间的距离为相邻列第一子图形之间距离的2倍，因此，即可获知所述晶圆识别码12发生偏移的量。
或者，参考图4，处于所述两组第二图形的对称轴右侧的2点与所述缺口101的右边界对齐，因此处于所述两组第二图形的对称轴右侧的2点为第二对准图形；说明生成的晶圆识别码12向右偏移，并且所述晶圆识别码12向右偏移的量等于所述两组第二图形的对称轴右侧的2点与所述两组第二图形的对称轴之间的距离；所述第二对准图形与所述两组第二图形的对准轴之间的距离为相邻列第二子图形之间的2倍，因此，即可获知所述晶圆识别码12发生偏移的量。
本实施例中，采用显微镜观测的方式，监测所述缺口101的中心线D1与所述监测识别码13的中心线是否重合。具体地，采用显微镜观测的方式，监测所述缺口101的左边界与所述两组第一图形的对称轴是否重合，监测所述缺口101的右边界与所述两组第二图形的对称轴是否重合。
本实施例中，可以借助光学显微镜(OM，optical microscope)机台在线实时监测生成的晶圆识别码12是否发生偏移，且还可以获知晶圆识别码12的偏移量，从而及时的调整晶圆识别码12的生成工艺。
并且，本实施例中，由于两组第一图形以及两组第二图形的图形位置以及间距为规律排布的，因此通过获取与所述缺口101左边界对齐的第一子图形，或者获取与所述缺口101右边界对齐的第二子图形，即可获知生成的晶圆识别码12是否偏移以及偏移量。
本发明另一实施例还提供一种晶圆识别码的监测方法，以下将结合附图对本实施例提供的晶圆识别码的监测方法进行详细说明。
参考图3，提供具有外围区域的晶圆200，所述晶圆200外围区域的边缘具有缺口201，且所述外围区域还包括晶圆识别码区202以及监测区203，其中，所述监测区203位于所述缺口201与所述晶圆识别码区202之间，所述晶圆识别码区202的中心线X1、所述监测区203的中心线D2以及所述缺口201的中心线D1相重合；在所述晶圆识别码区202的晶圆200上生成晶圆识别码22；在所述监测区203的晶圆200上生成监测识别码23，且所述监测识别码23的中心线与所述晶圆识别码22的中心线相重合。
所述监测区203包括：以所述监测区203的中心线D2为分割线的第一监测区以及第二监测区。
所述缺口201具有相对的左边界以及右边界。
与前一实施例不同的是，所述第一监测区的左边界与所述缺口201的左边界对齐，所述第二监测区的右边界与所述缺口201的右边界对齐。
生成所述监测识别码23的方法包括：在所述第一监测区生成第一监测识别码213，在所述第二监测区生成第二监测识别码223，所述第二监测识别码223与所述第一监测识别码213相对于所述监测识别码的中心线相对称。
理想情况下，即在生成的晶圆识别码22未发生偏移时，所述第一监测识别码213的左边界与所述第一监测区的左边界对齐，即所述第一监测识别码213的左边界与所述缺口201的左边界对齐；所述第二监测识别码223的右边界与所述第二监测区的右边界对齐，即所述第二监测识别码223的右边界与所述缺口201的右边界对齐。
参考图5，图5示出了本发明另一实施例生成的晶圆识别码22发生偏移时的监测结构的局部放大结构示意图，当生成的晶圆识别码22发生偏移时，所述晶圆识别码22与所述晶圆识别码区202之间发生偏移，使得生成的晶圆识别码22的中心线与所述晶圆识别码202的中心线X1之间不再重合。具体地，所述第一监测识别码213的左边界与所述缺口201的左边界未对齐，所述第二监测识别码223的右边界与所述缺口202的右边界未对齐。
其中，所述第一监测识别码213包括一组第一图形，所述第二监测识别码223包括一组第二图形。因此，在理想情况下，所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界对齐。
所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形。由于各列第一子图形各不相同，因此可以区分出缺口201的左边界与哪一列第一子图形对齐；同样的，由于各列第二子图形各不相同，因此可以区分出缺口201的右边界与哪一列第二子图形对齐。
本实施例中，相邻列所述第一子图形之间的距离相等，且相邻列所述第二子图形之间的距离相同。其好处在于：由于所述第一子图形以及第二子图形为规律排列的，使得后续仅需知晓与缺口202左边界对齐的第一子图形即可获知所述晶圆识别码22发生偏移的量，或者，仅需知晓与缺口201右边界对齐的第二子图形即可获知所述晶圆识别码22发生偏移的量，无需进行量测。
所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。本实施例中，以所述第一子图形由1点、2点、3点组成为例，以所述第二子图形由1点、2点、3点组成为例。
接着，监测所述缺口202的中心线D1与所述监测识别码23的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码22是否发生偏移。
本实施例中，具体地，通过监测所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界是否对齐，或者，通过监测所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界是否对齐，以监测所述缺口201的中心线D2与所述监测识别码的中心线是否重合。
判断生成的所述晶圆识别码23是否发生偏移的方法包括：当所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界对齐时，判断生成的所述晶圆识别码22未发生偏移；当所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界未对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界未对齐时，判断生成的所述晶圆识别码22发生偏移。
所述监测方法还包括：通过监测所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界之间的偏移量，或者，通过监测所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界之间的偏移量，获取生成的所述晶圆识别码22发生偏移的量。
由于所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形，所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形，获取生成的所述晶圆识别码22发生偏移的量的方法包括：
定义与所述缺口201左边界对齐的一列第一子推行为第一对准图形，获取所述第一对准图形与所述第一图形左边界之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码22发生偏移的量；或者，定义与所述缺口202右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形，获取所述第二对准图形与所述第二图形右边界之间的juice，所述距离为所述晶圆识别码22发生偏移的量。
由于所述第一监测识别码213包括一组第一图形，且所述第一图形的左边界与所述缺口201的左边界对齐，所述第二监测识别码223包括一组第二图形，且所述第二图形的右边界与所述缺口201的右边界对齐，因此，当生成的晶圆识别码22向左偏移时，通过找准第一对准图形获取所述晶圆识别码22发生偏移的量；当生成的晶圆识别码22向右偏移时，通过找准第二对准图形获取所述晶圆识别码22发生偏移的量。
参考图5，在理想情况下，即在生成的晶圆识别码22未发生偏移时，所述第一图形中的3点应与所述缺口201的左边界对齐，所述第二图形中的3点应与所述缺口201的右边界对齐。如图5所示，生成晶圆识别码22后，所述第一图形中的2点与所述缺口201的左边界对齐，因此所述第一图形中的2点为第一对准图形，说明生成的晶圆识别码22向左偏移，并且所述晶圆识别码22向左偏移的量等于所述第一图形中的2点与3点之间的距离。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (20)
1.一种晶圆识别码的监测方法，其特征在于，包括：
提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；
在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；
在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合，所述监测识别码包括第一监测识别码和第二监测识别码，所述第一监测识别码与所述第二监测识别码相对于所述监测识别码的中心线对称；
监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。
2.如权利要求1所述的监测方法，其特征在于，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线重合时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线未重合时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。
3.如权利要求1或2所述的监测方法，其特征在于，所述监测方法还包括：当监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线不重合时，获取所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线之间的偏移量，所述偏移量即为生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。
4.如权利要求1所述的监测方法，其特征在于，采用显微镜观测的方式，监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合。
5.如权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述监测区包括：以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区；
生成所述监测识别码的方法包括：在所述第一监测区生成第一监测识别码；在所述第二监测区生成第二监测识别码。
6.如权利要求5所述的监测方法，其特征在于，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，所述第一监测区的中心线与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的中心线与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括轴对称的两组第一图形；所述第二监测识别码包括轴对称的两组第二图形；
判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：
当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界对齐，且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界对齐时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；
当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界未对齐，且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界未对齐时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。
7.如权利要求6所述的监测方法，其特征在于，所述监测方法还包括：通过监测所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界之间的偏移量，或者，通过监测所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界之间的偏移量，获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。
8.如权利要求7所述的监测方法，其特征在于，所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；
获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量的方法包括：
定义与所述缺口左边界对齐的一列第一子图形为第一对准图形，获取所述第一对准图形与两组第一图形的对称轴之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量；
或者，定义与所述缺口右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形，获取所述第二对准图形与所述两组第二图形的对称轴之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量。
9.如权利要求8所述的监测方法，其特征在于，相邻列第一子图形之间的距离相等，两组第一图形之间的距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍；相邻列第二子图形之间的距离相等，两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。
10.如权利要求8所述的监测方法，其特征在于，所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。
11.如权利要求5所述的监测方法，其特征在于，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，且所述第一监测区的左边界与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的右边界与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括一组第一图形；所述第二监测识别码包括一组第二图形；
判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：
当所述第一图形的左边界与所述缺口的左边界对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口的右边界对齐时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；
当所述第一图形的左边界与所述缺口的左边界未对齐，且所述第二图形的右边界与所述缺口的右边界未对齐时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。
12.如权利要求11所述的监测方法，其特征在于，所述监测方法还包括：通过监测所述第一图形的左边界与所述缺口的左边界之间的偏移量，或者，通过监测所述第二图形的右边界与所述缺口的右边界之间的偏移量，获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。
13.如权利要求12所述的监测方法，其特征在于，所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；
获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量的方法包括：
定义与所述缺口左边界对齐的一列第一子图形为第一对准图形，获取所述第一对准图形与所述第一图形左边界之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量；
或者，定义与所述缺口右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形，获取所述第二对准图形与所述第二图形右边界之间的距离，所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量。
14.如权利要求13所述的监测方法，其特征在于，相邻列所述第一子图形之间的距离相等；相邻列所述第二子图形之间的距离相等。
15.如权利要求13所述的监测方法，其特征在于，所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。
16.一种监测结构，其特征在于，包括：
具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；
位于所述晶圆识别码区的晶圆上的晶圆识别码；
位于所述监测区的晶圆上的监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合，所述监测识别码包括第一监测识别码和第二监测识别码，所述第一监测识别码与所述第二监测识别码相对于所述监测识别码的中心线对称。
17.如权利要求16所述的监测结构，其特征在于，所述监测区包括：以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区，所述第一监测识别码位于所述第一监测区的晶圆上，所述第二监测识别码位于所述第二监测区的晶圆上。
18.如权利要求17所述的监测结构，其特征在于，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，所述第一监测区的中心线与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的中心线与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括轴对称的两组第一图形；所述第二监测识别码包括轴对称的两组第二图形；所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；
其中，相邻列第一子图形之间的距离相等，两组第一图形之间的距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍；相邻列第二子图形之间的距离相等，两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。
19.如权利要求17所述的监测结构，其特征在于，所述缺口具有相对的左边界以及右边界，且所述第一监测区的左边界与所述缺口的左边界对齐，所述第二监测区的右边界与所述缺口的右边界对齐；其中，所述第一监测识别码包括一组第一图形；所述第二监测识别码包括一组第二图形；所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形；所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形；
其中，相邻列第一子图形之间的距离相等；相邻列第二子图形之间的距离相等。
20.如权利要求18或19所述的监测结构，其特征在于，所述若干列各不相同的第一子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形；所述若干列各不相同的第二子图形为：若干列数量递增或递减的点状图形。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008025919A2 (fr) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Microcomposants De Haute Sécurité Mhs | Procédé de marquage d'une plaque semi-conductrice pour son identification et plaque semi-conductrice marquée par ce procédé |
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| WO2016021778A1 (ko) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 웨이퍼 처리 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 |
| CN106019814A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及膜层的制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008025919A2 (fr) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Microcomposants De Haute Sécurité Mhs | Procédé de marquage d'une plaque semi-conductrice pour son identification et plaque semi-conductrice marquée par ce procédé |
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| WO2016021778A1 (ko) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 웨이퍼 처리 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 |
| CN106019814A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及膜层的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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