CN108604627A - 陶瓷板、该陶瓷板的制造方法以及光半导体装置 - Google Patents

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Abstract

陶瓷板具有平板形状，其中，在该陶瓷板上设有自周端面向内侧去除而成的缺口部，划分出缺口部的端面相对于陶瓷板的厚度方向倾斜。

Description

陶瓷板、该陶瓷板的制造方法以及光半导体装置
技术领域
本发明涉及陶瓷板、该陶瓷板的制造方法以及光半导体装置，详细而言，涉及陶瓷板、该陶瓷板的制造方法以及具有该陶瓷板的光半导体装置。
背景技术
以往，公知的是，将包含陶瓷材料的发光转换元件连同辐射发射半导体芯片一起使用于光电子学部件。
发光转换元件形成为例如具有切下部的L字板形状(例如，参照专利文献1。)。在专利文献1中，提出一种光电子学部件，在该光电子学部件中，使发光转换元件的下表面接合于辐射发射半导体芯片的上表面，利用焊线将在辐射发射半导体芯片的自切下部暴露的角区域设置的焊盘连接起来。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2014－502368号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，近年来，要求提高在光电子学部件中利用焊线将焊盘连接起来的安装性。
本发明的目的在于，提供一种安装性优异的陶瓷板、该陶瓷板的制造方法以及光半导体装置。
用于解决问题的方案
本发明的技术方案[1]包括一种陶瓷板，其具有平板形状，其中，在该陶瓷板上设有自周端面向内侧去除而成的缺口部，划分出所述缺口部的端面相对于所述陶瓷板的厚度方向倾斜。
本发明技术方案[2]包括技术方案[1]所述的陶瓷板，其中，对于所述端面的倾斜角度，所述端面与所述陶瓷板的上表面所成的角度和所述端面与所述陶瓷板的下表面所成的角度中的一者的角度相对于假想面为30度以上且89度以下。
本发明技术方案[3]包括技术方案[1]或[2]所述的陶瓷板，其中，所述端面在俯视时具有弯曲形状。
本发明技术方案[4]包括一种光半导体装置，其中，该光半导体装置包括光半导体元件和配置于光半导体元件的一侧面的技术方案[1]～技术方案[3]中任一项所述的陶瓷板。
本发明技术方案[5]包括技术方案[4]所述的光半导体装置，其中，所述陶瓷板以所述光半导体元件的一侧面与所述端面所成的角度成为锐角的方式配置于所述光半导体元件的一侧面。
本发明技术方案[6]包含技术方案[4]所述的光半导体装置，其中，所述陶瓷板以所述光半导体元件的一侧面与所述端面所成的角度成为钝角的方式配置于所述光半导体元件的一侧面。
本发明技术方案[7]包括一种陶瓷板的制造方法，其中，该陶瓷板的制造方法依次包括以下工序：准备陶瓷片的工序；在所述陶瓷片上形成通孔，使划分出所述通孔的端面暴露的工序；以及切断所述陶瓷片而形成包含所述端面的多个陶瓷板的工序，所述端面相对于所述陶瓷片的厚度方向倾斜。
本发明技术方案[8]包括技术方案[7]所述的陶瓷板的制造方法，其中，切断所述陶瓷片时暴露的侧面相对于所述陶瓷片的厚度方向倾斜。
发明的效果
采用本发明的陶瓷板，利用焊线将设于光半导体元件的焊盘连接起来的安装性优异。
采用本发明的陶瓷板的制造方法，能够制造焊线的安装性优异的陶瓷板。
采用本发明的光半导体装置，由于使用本发明的陶瓷板，因此成品率良好。
附图说明
图1A～图1D是表示本发明的陶瓷板的制造方法的一实施方式的工序图的立体图，其中，图1A表示准备荧光体生片的工序，图1B表示对荧光体生片进行烧制而形成荧光体陶瓷片的工序，图1C表示在荧光体陶瓷片上形成通孔的工序，图1D表示利用切割刀切断荧光体陶瓷片而得到多个荧光体陶瓷板的工序。
图2表示图1C的荧光体陶瓷片的通孔处的侧剖视图。
图3A～图3C表示本发明的陶瓷板的一实施方式，图3A是立体图，图3B是俯视图，图3C表示图3B的A－A剖视图。
图4A～图4C是本发明的第1实施方式的光半导体装置的制造工序图的剖视图，其中，图4A表示准备带元件的基板的工序，图4B表示在光半导体元件之上配置荧光体陶瓷板的工序，图4C表示进行引线接合而得到光半导体装置的工序。
图5表示图4C的光半导体装置的立体图。
图6A～图6C是本发明的第2实施方式的光半导体装置的制造工序图的剖视图，其中，图6A表示准备带光半导体元件的基板的工序，图6B表示进行引线接合的工序，图6C表示在光半导体元件之上配置荧光体陶瓷板而得到光半导体装置的工序。
图7表示图1C所示的荧光体陶瓷片的通孔的另一实施方式的剖视图。
图8A～图8C表示图1C所示的荧光体陶瓷片的变形例，图8A是立体图，图8B是俯视图，图8C表示图8B的A－A剖视图。
图9A～图9B表示使用图8A所示的荧光体陶瓷片的本发明的光半导体装置的变形例的剖视图，图9A是第1实施方式的光半导体装置的变形例，图9B表示第2实施方式的光半导体装置的变形例。
图10表示以往的光半导体装置的剖视图。
具体实施方式
(荧光体陶瓷板)
作为本发明的陶瓷板的一实施方式来说明荧光体陶瓷板。
1.荧光体陶瓷板的制造方法
首先，使用图1A～图3C来说明本发明的一实施方式的荧光体陶瓷板1(以下还简称作荧光体板1。)的制造方法的一实施方式。
在图2中，纸面上下方向是上下方向(第1方向、即厚度方向)，纸面上侧是上侧(第1方向的一侧)，纸面下侧是下侧(第1方向的另一侧)。纸面左右方向是前后方向(与第1方向正交的第2方向)，纸面左侧是前侧(第2方向的一侧)，纸面右侧是后侧(第2方向的另一侧)。纸厚方向是左右方向(与第1方向和第2方向正交的第3方向)，纸面近前侧是右侧(第3方向的一侧)，纸面进深侧是左侧(第3方向的另一侧)。对于图2以外的附图，也以图2的方向为基准。
如图1A～图1C所示，荧光体板1的制造方法依次包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备作为陶瓷片的一实施方式的荧光体陶瓷片4；通孔形成工序，在该通孔形成工序中，在荧光体陶瓷片4上形成通孔2，使划分出通孔2的端面3暴露；以及切断工序，在该切断工序中，切断荧光体陶瓷片4而形成包含端面3的多个荧光体板1。以下，详细说明各工序。
(准备工序)
在准备工序中，准备荧光体陶瓷片4。具体而言，准备荧光体生片9，接着，对荧光体生片9进行烧制。
首先，如图1A所示，准备荧光体生片9。
作为准备荧光体生片9的方法，可列举出例如浆料(泥浆)成形，例如冷等静压压缩成形(CIP)、热等静压压缩成形(HIP)等压缩成形，例如注射成形等。从荧光体生片9的厚度精度的观点考虑，优选列举出浆料成形、压缩成形，更优选列举出浆料成形。
在浆料成形中，首先，制备例如含有荧光体组合物和分散介质的浆料，该荧光体组合物含有荧光体材料、有机颗粒、以及粘结剂。
荧光体材料是荧光体的原材料，其能够根据荧光体而相应地适当选择。
荧光体具有波长转换功能，可列举出例如能够将蓝色光转换为黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换为红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出例如(Ba，Sr，Ca)2SiO4；Eu、(Sr，Ba)2SiO4：Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体，例如(Y，Gd，Ba，Ca，Lu)3(Al，Si，Ge，B，P，Ga)5O12：Ce(YAG(钇·铝·石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(铽·铝·石榴石)：Ce)等具有石榴石型结晶构造的石榴石型荧光体，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。作为红色荧光体，可列举出例如CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，更优选列举出YAG：Ce(Y3Al5O12：Ce)。
并且，作为荧光体材料，可列举出例如构成荧光体的金属单体、金属单体的金属氧化物、金属氮化物等。具体而言，在形成YAG：Ce作为荧光体的情况下，作为荧光体材料，可列举出例如氧化钇等含钇化合物、氧化铝等含铝化合物、氧化铈等含铈化合物等金属氧化物。荧光体材料形成为例如颗粒状(或粉末状)。
荧光体材料的纯度例如为99.0质量％以上，优选为99.9质量％以上。
有机颗粒是为了在荧光体陶瓷片4上形成微细的空孔(未图示)而根据需要含有在荧光体组合物中的。作为形成有机颗粒的有机材料，其只要为能在烧制中(在后面叙述)完全热分解的材料即可，可列举出例如丙烯酸树脂(具体而言为聚甲基丙烯酸甲酯)、苯乙烯树脂、丙烯酸－乙烯系树脂、聚碳酸酯树脂、苯并胍胺树脂、聚烯烃树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等热塑性树脂，例如环氧树脂、有机硅树脂等热固性树脂。优选列举出热塑性树脂，更优选列举出丙烯酸树脂。有机颗粒的平均粒径并不特别限定，例如为3.4μm以上，优选为4.0μm以上，并且例如为25.0μm以下，优选为20.0μm以下，更优选为8.0μm以下。
关于有机颗粒的含有比例，相对于荧光体材料和有机颗粒的合计含有量例如为1.5体积％以上，优选为2.0体积％以上，并且例如为12.0体积％以下，优选为10.0体积％以下，更优选为8.0体积％以下。
作为粘结剂，可列举出例如丙烯酸系聚合物、丁醛系聚合物、乙烯系聚合物、聚氨酯系聚合物等树脂。另外，作为粘结剂，可列举出水溶性粘结剂。优选列举出丙烯酸系聚合物，更优选列举出水溶性丙烯酸系聚合物。对粘结剂的含有比例进行设定，使其相对于荧光体材料和粘结剂的合计100体积份为例如10体积份以上，优选为20体积份以上，更优选为30体积份以上，并且例如为60体积份以下，优选为50体积份以下，更优选为40体积份以下。
根据需要，荧光体组合物还能够含有例如分散剂、增塑剂、烧制助剂等添加剂。
分散介质只要能够使荧光体材料和有机颗粒分散即可，并不特别限定。作为分散介质，可列举出例如水、例如丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、甲苯、丙酸甲酯、甲基溶纤剂等有机系分散介质。优选列举出水。关于分散介质的含有比例，相对于浆料例如为1质量％以上且30质量％以下。
为了制备浆料，首先，以上述比例来调配上述成分，例如，利用球磨机等进行湿式混合。
另外，在制备浆料时，也可以对上述成分一并地进行湿式混合。另外，还能够是，对除了有机颗粒以外的成分进行湿式混合来制备预备浆料，接着，将有机颗粒湿式混合于该预备浆料，从而制备浆料。
接着，将浆料涂敷在剥离片10的表面上，之后，进行干燥。
剥离片10由挠性的材料形成。作为这样的材料，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)片等聚酯片、例如聚碳酸酯片、例如聚乙烯片、聚丙烯片等聚烯烃片、例如聚苯乙烯片、例如丙烯酸片、例如有机硅树脂片、氟树脂片等树脂片等。并且，还可列举出例如铜箔、不锈钢箔等金属箔。优选列举出树脂片，进一步优选列举出聚酯片。对于剥离片10的表面，为了提高剥离性，也可以根据需要而实施剥离处理。例如，从处理性、成本的观点考虑，对剥离片10的厚度进行适当设定，具体而言，设为10μm以上且200μm以下。
作为将浆料涂敷在剥离片10上的方法，能够使用刮片涂敷、凹版涂敷、喷注涂敷、铸涂、旋涂、辊涂等涂敷方法。
由此，使由浆料形成的涂膜形成在剥离片10的表面上。接着，将涂膜干燥。
干燥温度例如为20℃以上，优选为50℃以上，并且例如为200℃以下，优选为150℃以下。
干燥时间例如为1分钟以上，优选为2分钟以上，并且例如为24小时以下，优选为5小时以下。
由此，得到被剥离片10支承的状态下的荧光体生片9。
该荧光体生片9是烧制成荧光体陶瓷片4(参照图1B)之前的片，具有沿前后方向和左右方向延伸的板状。
之后，将剥离片10自荧光体生片9剥离。
之后，根据需要，还能够是，为了得到期望的厚度，利用热层压来层叠多个(多层)荧光体生片9而成为荧光体生片层叠体9。
荧光体生片9(或荧光体生片层叠体9)的厚度例如为10μm以上，优选为30μm以上，并且例如为500μm以下，优选为200μm以下。
接着，如图1B所示，对荧光体生片9进行烧制。
烧制温度例如为1300℃以上，优选为1500℃以上，并且例如为2000℃以下，优选为1800℃以下。
烧制时间例如为1小时以上，优选为2小时以上，并且例如为24小时以下，优选为8小时以下。
烧制中的升温速度例如为0.5℃/分钟以下且20℃/分钟以下。
还能够是，在上述烧制(正式烧制)之前，为了使粘结剂、分散剂等有机成分热分解并去除，使用电炉在例如空气中以600℃以上且1300℃以下的温度进行预加热以实施脱有机成分处理。
烧制后的荧光体陶瓷片4(参照图1B)相对于烧制前的荧光体生片9(图1B)收缩。例如，烧制后的荧光体陶瓷片4的厚度T1相对于烧制前的荧光体生片9的厚度例如为99％以下，优选为95％以下，更优选为90％以下，并且例如为60％以上。
具体而言，烧制后的荧光体陶瓷片4的厚度T1例如为0.03mm以上，优选为0.05mm以上，并且例如为1.0mm以下，优选为0.3mm以下。
另外，在荧光体陶瓷片4上形成有多个微细的空孔(未图示)。空孔的平均孔径例如为2.5μm以上，优选为3.0μm以上，更优选为3.5μm以上，并且例如为20.0μm以下，优选为16.0μm以下，更优选为10.0μm以下。
(通孔形成工序)
在通孔形成工序中，如图1C所示，在荧光体陶瓷片4上形成通孔2。
作为形成通孔2的方法，可列举出例如喷丸加工等。作为喷丸加工，可列举出例如直压式喷丸加工、虹吸式加工等。
在喷丸加工中，具体而言，通过在荧光体陶瓷片4配置抗蚀剂从而利用抗蚀剂覆盖除了设置通孔2的部位以外的部分，之后，将喷射材料向荧光体陶瓷片4喷射。
通过对喷丸加工所使用的喷射材料的种类、粒径、喷射速度、方式(直压式、虹吸式)等进行适当调整，从而能够适当调整通孔2的大小、端面3的倾斜角度(θ)等。
并且，通过在荧光体陶瓷片4上形成多个通孔2，从而在荧光体陶瓷片4上分别形成有多个端面3，该多个端面3分别划分出多个通孔2。也就是说，在通孔形成工序中，同时形成通孔2和端面3。
通孔2在前后方向和左右方向上相互隔开间隔地在荧光体陶瓷片4上排列配置有多个(前后2列、左右2列)。
通孔2沿厚度方向(上下方向)贯穿荧光体陶瓷片4。通孔2具有俯视大致矩形形状(具体而言为俯视大致正方形形状)。更具体而言，在通孔2的大致矩形形状中，全部(4个)角部(角)为圆角，即，全部的角部形成为圆弧状。如图2所示，通孔2具有一边维持俯视大致矩形形状一边朝向下侧去变窄的剖视大致锥形形状。
端面3划分出通孔2的内周面。如图2所示，在剖视时，端面3在荧光体陶瓷片4(进而在后述的荧光体板1)中相对于厚度方向(上下方向)倾斜。另外，端面3与荧光体陶瓷片4的下表面所成的倾斜角度θ为锐角，具体在后面进行叙述。
通孔2的尺寸根据后述的光半导体装置20的连接部27和引线29(参照图3C)的尺寸而相应地适当设定。具体而言，通孔2的长度(前后方向长度W1或左右方向长度W2)分别例如为0.1mm以上，优选为0.3mm以上，并且例如为5.0mm以下，优选为1.0mm以下。相邻的通孔2的间距(W3)、即自通孔2的一侧端起到相邻的通孔2的一侧端为止的间隔例如为0.1mm以上，优选为1mm以上，并且例如为20mm以下，优选为10mm以下。
(切断工序)
在切断工序中，如图1D所示，首先，使支承片5支承荧光体陶瓷片4。
作为支承片5，可列举出具有微粘合性的切割带，该切割带能够为了可靠地切断荧光体陶瓷片4而对支承片5进行支承，之后，能够将切断后的荧光体陶瓷片4(具体而言为荧光体板1)剥下。另外，支承片5的尺寸根据荧光体陶瓷片4的尺寸而相应地适当调节，例如，支承片5的前后方向长度和左右方向长度长于荧光体陶瓷片4的前后方向长度和左右方向长度。
接着，在该切断工序中，切断荧光体陶瓷片4而形成包含端面3的多个荧光体板1。
具体而言，利用切割刀6切断荧光体陶瓷片4。
作为切割刀，如图1D所示，例如为具有圆盘状且能够相对于其轴线进行旋转的切割锯(切割刀片)，可列举出例如具有沿着大致水平的刀刃的刀具(未图示)。作为切割刀6，优选列举出切割锯。
为了切断荧光体陶瓷片4，具体而言，使用例如具有切割锯的切割装置、具有刀具的裁切装置(未图示)。优选列举出切割装置。
并且，以使作为由上述切割刀6形成的第1切断线11通过多个通孔2的方式切断荧光体陶瓷片4，从而制造荧光体板1。具体而言，以划分出1个通孔2的端面3被分别分配于多个荧光体板1地分割1个端面3的方式切断荧光体陶瓷片4。详细而言，以划分出1个通孔2的端面3被分别分配于4个荧光体板1地将1个端面3分割成4份的方式切断荧光体陶瓷片4。
具体而言，以使第1切断线11通过多个通孔2的各自的中心的方式切断荧光体陶瓷片4。于是，1个端面3被分割成多个。
第1切断线11具有沿前后方向延伸且在左右方向上相互隔开间隔地配置的第1前后切断线12和沿左右方向延伸且在前后方向上相互隔开间隔地配置的第1左右切断线13。
第1前后切断线12和第1左右切断线13在多个通孔2的各自的中心以正交的方式交叉。
另外，实施沿着第1切断线11的荧光体陶瓷片4的切断且实施沿着第2切断线14的荧光体陶瓷片4的切断。
第2切断线14不通过通孔2，具体而言，第2切断线14通过相邻的通孔2之间。第2切断线14具有沿前后方向延伸且与第1前后切断线12相邻地并行的第2前后切断线16和沿左右方向延伸且与第1左右切断线13相邻地并行的第2左右切断线17。
第2前后切断线16和第1前后切断线12在左右方向上交替地以等间隔配置。第2左右切断线17和第1左右切断线13在前后方向上交替地以等间隔配置。
并且，通过沿着上述第1切断线11和第2切断线14切断荧光体陶瓷片4，从而得到支承于支承片5的上表面的状态的多个荧光体板1。接着，利用例如具有吸头的拾取装置(未图示)将多个荧光体板1分别自支承片5剥下。
由此，得到单片化的多个荧光体板1。
2.荧光体陶瓷板(荧光体板)
如图3A～图3C所示，荧光体板1具有平板形状，该平板形状具有平坦的上表面和平坦的下表面。另外，荧光体板1的周侧面具有自1个通孔2的端面3分割出来的端面3、与该端面3的两端部相连续且沿着相互正交的两个第1切断线11延伸的两个第1侧面18(两个面的侧面)、以及沿着相互正交的第2切断线14或荧光体陶瓷片4的周侧面延伸且与第1侧面18的两端部相连续的两个第2侧面19(两个面的侧面)。
如图3B所示，荧光体板1具有俯视大致矩形形状(具体而言为俯视大致正方形形状)。另外，荧光体板1具有通过将1个通孔2分割为4个部分而形成的缺口部7。
缺口部7以自荧光体板1的角部(角)的周端面朝向内侧去除呈俯视大致矩形形状(俯视大致正方形形状)地去除的方式形成。即，缺口部7呈俯视大致矩形形状地形成于荧光体板1的角部。
如图3C所示，划分出缺口部7的端面3在剖视时相对于荧光体板1的厚度方向(上下方向)倾斜。另外，如图3B所示，端面3的角部8在俯视时具有弯曲形状。具体而言，端面3具有在俯视时带预定宽度的大致L字形状，该俯视L字状的角部8以成为圆角的方式形成、即形成为圆弧状。
在剖视时，第1侧面18和第2侧面19沿着荧光体板1的厚度方向相对于荧光体板1的面方向(前后方向和左右方向)正交。
多个荧光体板1的各自的尺寸根据后述的光半导体元件28的尺寸而相应地适当设定。荧光体板1的前后方向长度L1和左右方向长度L2分别例如为0.1mm以上，优选为0.5mm以上，并且例如为10mm以下，优选为2.0mm以下。厚度与上述荧光体陶瓷片4的厚度T1相同。
端面3的角部8的曲率半径R例如为0.01mm以上，优选为0.05mm以上，并且例如为0.20mm以下，优选为0.15mm以下。
端面3的倾斜角度θ相对于荧光体板1的下表面例如为30度以上，优选为51度以上，并且例如为89度以下，优选为80度以下。通过使端面3的倾斜角度θ为上述范围，在安装光半导体装置20时，能够提高连接部27的可视性、引线接合作业性，另外，能够改进引线29的接触不良。并且，通过使端面3的倾斜角度θ为51度以上，能够减少在荧光体板1的周端缘产生的色调变化(blue edge：蓝边)的面积，因此发光性优异。
此外，在上述说明中，倾斜角度θ为荧光体板1的下表面与端面3所成的角度，但倾斜角度片能够被定义为荧光体板1的下表面与端面3所成的角度和荧光体板1的上表面与端面3所成的角度中的、角度较小的角度(为锐角的角度)。
缺口部7的上端的前后方向长度D1和左右方向长度D2(即，缺口部7为最长的情况下的前后方向长度和左右方向长度)分别例如为0.05mm以上，优选为0.10mm以上，并且例如为1.0mm以下，优选为0.5mm以下。
缺口部7的下端的前后方向长度D3和左右方向长度D4(即，缺口部7为最短的情况下的前后方向长度和左右方向长度)分别相对于上端的D1和D2例如为95％以下，优选为90％以下，并且例如为40％以上，优选为50％以上。具体而言，例如为0.03mm以上，优选为0.05mm以上，并且例如为1.0mm以下，优选为0.5mm以下。
荧光体板1并不是在接下来的图4C中说明的光半导体装置20。荧光体板1是光半导体装置20的一个部件、即用于制作光半导体装置20的部件，其不包括光半导体元件28。荧光体板1是作为部件单独流通的、能够在产业上使用的器件，但并不限定于此。
3.第1实施方式的光半导体装置和其制造方法
说明使用荧光体板1来制造本发明的第1实施方式的光半导体装置20的方法。
首先，如图4A所示，准备包括基板26和光半导体元件28的带元件的基板30。
基板26具有大致板形状，例如由绝缘材料形成。此外，在基板26的上表面形成有包含端子部25的导体图案。
光半导体元件28固定于基板26的上表面，并与端子部25隔开间隔地配置。光半导体元件28具有大致矩形板形状，并由光半导体材料形成。另外，在光半导体元件28的上表面(一侧面)的1个角部(角)形成有用于进行引线接合的连接部(端子)27。
带元件的基板30是通过准备基板26的工序和在基板26的上表面搭载光半导体元件28的工序来制造的。
接着，如图4B所示，将荧光体板1配置于光半导体元件28的上表面。
具体而言，将荧光体板1以光半导体元件28的上表面与端面3所成的角度成为锐角的方式配置于光半导体元件28的上表面。
另外，以使连接部27暴露的方式配置荧光体板1。即，荧光体板1以在沿厚度方向进行投影时缺口部7包含连接部27的方式配置。
并且，将荧光体板1配置为，在沿厚度方向进行投影时荧光体板1的除了缺口部7以外的部分包含光半导体元件28。即，荧光体板1的除了缺口部7以外的部分的周端缘位于比光半导体元件28的周端缘靠外侧的位置。
此时，通过在荧光体板1与光半导体元件28之间设置未图示的粘接剂，从而借助粘接剂将荧光体板1固定于光半导体元件28。
接着，如图4C所示，对光半导体元件28的连接部27和基板26的端子部25进引线接合。
具体而言，将引线29的一端部连接于连接部27，将引线29的另一端部连接于端子部25。
此时，将引线29配置为挠曲成朝向下方敞开的大致U字形状。另外，以使引线29的上端位于比光半导体元件28的上表面靠上侧的位置的方式配置引线29。
由此，得到第1实施方式的光半导体装置20。
第1实施方式的光半导体装置20包括具有端子部25的基板26、配置于基板26的上表面且具有连接部27的光半导体元件28、配置于光半导体元件28的上表面的荧光体板1、以及将连接部27和端子部25连接的引线29。
荧光体板1以光半导体元件28的上表面与端面3所成的角度成为锐角的方式配置于光半导体元件28的上表面。上述锐角的角度与端面3的倾斜角度θ相同。
接着，根据需要，如图4C的虚线所示，在光半导体装置20配置反光层31。
具体而言，以覆盖光半导体元件28的连接部27和周侧面、荧光体板1的周侧面、以及引线29且使荧光体板1的上表面暴露的方式配置反光层31。
作为配置反光层31的方法，可列举出例如将含有反光成分(例如氧化铝、氧化钛)和固化性树脂(例如有机硅树脂等热固性树脂)的液状的反射树脂组合物涂敷或浇罐在光半导体装置20的基板26上之后使反射树脂组合物固化的方法、将由半固化状态的反射树脂组合物形成的反光层31转印到光半导体装置20之后进行完全固化的方法等。
采用这样的第1实施方式的光半导体装置20的制造方法，利用引线29将光半导体元件28的连接部27和基板26的端子部25连接的安装性优异。
即，在以往的方法中，在要进行引线接合时，缺口部7的端面3如图10所示那样以相对于光半导体装置20的上表面和下表面垂直(即θ为90度)的方式形成。因此，例如，在图10中自后侧上方进行引线接合时，荧光体板1的角部的上端部40成为障碍，从而使连接部27的可视性、相对于连接部27的引线接合作业性降低。
另一方面，在第1实施方式的光半导体装置的制造方法中，在荧光体板1上设有自俯视大致矩形形状的角部向内侧去除而成的缺口部7，划分出缺口部7的端面3相对于上下方向倾斜。并且，将该荧光体板1以光半导体元件28的上表面与端面3所成的角度θ成为锐角的方式配置于光半导体元件28的上表面。因此，不存在荧光体板1的角部的上端部40。其结果，确保了自斜上方观察连接部27的可视性。另外，相对于连接部27进行的引线接合的作业性良好。
另外，荧光体板1的缺口部7的端面3的角部8在俯视时具有弯曲形状。因此，与端面3的角部8为俯视直角形状的情况相比，能够缓和相对于端面3的角部8的应力集中。其结果，能够抑制产生裂缝。
因而，通过该制造方法得到的第1实施方式的光半导体装置20的成品率良好。
4.第2实施方式的光半导体装置和其制造方法
说明使用荧光体板1来制造本发明的第2实施方式的光半导体装置20的方法。
首先，如图6A所示，准备包括基板26和光半导体元件28的带元件的基板30。该工序与第1实施方式的工序相同。
接着，如图6B所示，将光半导体元件28的连接部27和基板26的端子部25引线接合起来。引线接合的方法与第1实施方式的引线接合的方法相同。
接着，如图6C所示，将荧光体板1配置于光半导体元件28的上表面。
具体而言，将荧光体板1以光半导体元件28的上表面与端面3所成的角度(θ′)成为钝角的方式配置于光半导体元件28的上表面。
另外，荧光体板1以连接部27暴露的方式配置。即，荧光体板1以在沿厚度方向进行投影时缺口部7包含连接部27的方式配置。
并且，将荧光体板1配置为，在沿厚度方向进行投影时荧光体板1的除了缺口部7以外的部分包含光半导体元件28。即，荧光体板1的除了缺口部7以外的部分的周端缘位于比光半导体元件28的周端缘靠外侧的位置。
此时，通过在荧光体板1与光半导体元件28之间设置未图示的粘接剂，从而借助粘接剂将荧光体板1固定于光半导体元件28。
由此，得到第2实施方式的光半导体装置20。
第2实施方式的光半导体装置20包括具有端子部25的基板26、配置于基板26的上表面且具有连接部27的光半导体元件28、配置于光半导体元件28的上表面的荧光体板1、以及将连接部27和端子部25连接的引线29。
荧光体板1以光半导体元件28的上表面与端面3所成的角度(θ′)成为钝角的方式配置于光半导体元件28的上表面。上述钝角的角度θ′例如为91度以上，优选为100度以上，并且例如为150度以下，优选为129度以下。
荧光体板1配置为，在沿厚度方向进行投影时荧光体板1的除了缺口部7以外的部分包含光半导体元件28。即，荧光体板1的除了缺口部7以外的部分的周端缘位于比光半导体元件28的周端缘靠外侧的位置。
接着，根据需要，如图6C的虚线所示，在光半导体装置20配置反光层31。
采用这样的第2实施方式的光半导体装置的制造方法，利用引线将光半导体元件28的连接部27和基板26的端子部25连接的安装性优异。
即，在以往的方法中，在要进行引线接合时，缺口部7的端面3如图10所示那样以相对于光半导体装置20的上表面和下表面垂直(即θ为90度)的方式形成。因此，例如，在先进行了引线接合之后配置荧光体板1的情况下，若荧光体板1的位置偏移，则荧光体板1会接触于引线29的根部(即引线29的与端子部25接合的附近部分)，从而存在使引线29脱离端子部25这样的不良(接触不良)。
另一方面，在第2实施方式的光半导体装置的制造方法中，在荧光体板1上设有自俯视大致矩形形状的角部向内侧去除而成的缺口部7，划分出缺口部7的端面3相对于上下方向倾斜。并且，将该荧光体板1以光半导体元件28的上表面与端面3所成的角度θ′成为钝角的方式配置于光半导体元件28的上表面。因此，能够增大荧光体板1的下表面与连接部27之间的距离，从而能够抑制引线29的根部与荧光体板1相接触。其结果，能够抑制接触不良。
另外，荧光体板1的缺口部7的端面3的角部8在俯视时具有弯曲形状。因此，与端面3的角部8为俯视直角形状的情况相比，能够缓和相对于端面3的角部8的应力集中。其结果，能够抑制产生裂缝。
因而，通过该制造方法得到的第2实施方式的光半导体装置20的成品率良好。
5.变形例
在变形例中，对于与上述实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记并省略其详细的说明。
(1)通孔的形成方法
在上述实施方式中，利用喷丸加工形成了通孔2，但还能够是，利用例如激光加工来形成通孔2。
作为激光加工，优选列举出超短脉冲激光，更优选列举出微微秒激光、飞秒激光。
采用这样的激光加工，通过自上侧对荧光体陶瓷片照射激光，如图7所示，能够形成通孔2，该通孔2一边维持俯视大致矩形形状一边具有朝向上侧变窄的剖视大致锥形形状。
通过对在激光加工中使用的激光振荡器的输出、频率、脉冲宽度等进行适当调整，能够适当调整通孔的大小、倾斜角度等。
从生产率的观点考虑，优选列举出喷丸加工。
(2)荧光体板的形状
在上述实施方式中，如图1D所示，荧光体板1的俯视形状为大致正方形，但还能够是，例如，荧光体板的俯视形状为例如正方形以外的矩形形状(长方形)、例如五边形、六边形等多边形形状、例如圆弧状等，对此没有图示。
另外，在上述实施方式中，如图4C所示，在光半导体装置20中，荧光体板1配置为，在沿厚度方向进行投影时荧光体板1的除了缺口部7以外的部分包含光半导体元件28，但还能够是，例如，荧光体板1配置为，在沿厚度方向进行投影时荧光体板1的除了缺口部7以外的部分与光半导体元件28对齐(相同)，对此没有图示。即，还能够使荧光体板1的除了缺口部7以外的部分的周端缘与光半导体元件28的周端缘对齐。
(3)缺口部的数量和位置、形状
在上述实施方式中，如图3A所示，缺口部7仅形成于荧光体板1的单个角部(角)，但还能够是，例如，缺口部7形成于多个角部，但对此没有图示。另外，缺口部7的位置还能够形成于角部以外的位置、例如各边的前后方向中途或左右方向中途。
另外，在上述实施方式中，缺口部7的俯视形状为大致正方形，但还能够是，例如，缺口部7的俯视形状为例如正方形以外的矩形形状(长方形状等)、例如五边形、六边形等多边形形状、例如圆弧状等，对此没有图示。
(4)通孔的数量
在通孔形成工序中，通孔2的数量并不限定为4个，既可以为3个以下，也可以为4个以上。根据通孔2的数量而适当调整第2前后切断线和第2左右切断线的数量、位置。
(5)切断工序
在上述实施方式中，在切断工序中，如图1D所示，利用切割刀6切断了荧光体陶瓷片4，但还能够是，例如，如参照图8A～图8C那样，利用喷丸加工进行切断。即，能够利用喷丸加工来形成第1切断线11和第2切断线14。喷丸加工与在通孔2的形成过程中说明的方法相同。
在如此得到的图8A～图8C所示的荧光体板1中，第1侧面18和第2侧面19在剖视时相对于荧光体板1的厚度方向(上下方向)倾斜。第1侧面18和第2侧面19的倾斜角度与端面3的倾斜角度θ相同。
能够使用图8A～图8C所示的荧光体板1与图4A～图4C所示的制造方法或图6A～图6B所示的制造方法同样地制造图9A或图9B所示的光半导体装置20。
在图8A～图8C所示的荧光体板1中，由于能够利用喷丸加工这样的同一方式来实施通孔2的形成和荧光体陶瓷片4的切断，因此生产率良好。
在上述实施方式中，在切断工序中，如图1D所示，利用切割刀6切断了荧光体陶瓷片4，但还能够对荧光体陶瓷片4进行划线和断开，对此未图示。另外，还能够利用激光来切断荧光体陶瓷片4。
(其他实施方式)
在上述实施方式中，说明了作为本发明的陶瓷板的一实施方式的荧光体陶瓷板和具有该荧光体陶瓷板的光半导体装置，但作为本发明的陶瓷板的一实施方式可列举出不含有荧光体的光学用陶瓷板，对此没有图示。作为这样的光学用陶瓷板，可列举出例如光扩散层。在光扩散层中，取代荧光体材料，使用例如由氧化钛、氧化铝等无机颗粒形成的反光成分。
在该实施方式中，也表现出与上述实施方式相同的作用效果。
实施例
能够将在以下的记载中使用的调配比例(含有比例)、物理属性值、参数等具体的数值代替为在所述“具体实施方式”中记载的、与其相对应的调配比例(含有比例)、物理属性值、参数等所述的上限值(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。
实施例1
(准备工序)
制备了包括氧化钇颗粒(纯度99.99％、NIPPON YTTRIUM公司制造)11.34g、氧化铝颗粒(纯度99.99％、住友化学公司制造)8.577g、以及氧化铈颗粒0.087g的荧光体材料的粉末。
接着，将荧光体材料的粉末20g和水溶性粘结剂(“WB4101”、Polymer Inovations，Inc公司制造)以固体成分的体积比率成为62：38的方式混合，进一步加入蒸留水并放入到氧化铝制容器内，加入直径为3mm的氧化锆球，利用球磨机进行24小时的湿式混合，从而制备了预备浆料。
接着，将有机颗粒(聚甲基丙烯酸甲酯、平均粒径为3.5μm)以相对于荧光体材料和有机颗粒的合计含有量成为3.0体积％的方式添加到预备浆料中，进一步进行湿式混合，从而制备了浆料。
接着，利用刮刀法将浆料涂敷在由PET片构成的剥离片的表面上，在70℃的条件下干燥5分钟，得到了厚度为55μm的荧光体生片9(参照图1A)。
之后，将荧光体生片9自PET片剥离，接着，将荧光体生片9切断为20mm×20mm的尺寸。将切断后的荧光体生片9层叠两片，使用热压法对该两片荧光体生片9进行热层压，由此制作了厚度为110μm的荧光体生片层叠体9。
接着，利用电马弗炉，将荧光体生片层叠体9在大气条件下以2℃/分钟的升温速度加热(预加热)至1200℃，由此使水溶性粘结剂和有机颗粒热分解并去除。
之后，将荧光体生片层叠体9移至高温环境炉，在还原气氛下，以5℃/分钟的升温速度加热至1800℃，以该温度烧制5小时，由此制造了厚度为100μm的荧光体陶瓷片4(参照图1B)。
(通孔形成工序)
在荧光体陶瓷片4上形成了多个通孔2。
使用Pharos超短脉冲激光(微微秒激光、Light Conversion公司制造)，将照射光束的直径设定为4mmΦ，以600uJ进行了穿孔(参照图1C、图7)。
通孔2俯视为大致矩形形状，各边的长度(W1、W2)为0.40mm，角部8的曲率半径(R)为0.1mm，端面的倾斜角度(θ)为67度。另外，使通孔2的间距(W3)为2.1mm。
(切断工序)
之后，将荧光体陶瓷片4暂时固定于由切割带构成的支承片5。
接着，将固定有荧光体陶瓷片4的支承片5设置于具有切割锯的切割装置(Disco公司制造、“DFD6361”)，利用刀刃厚度为40μm的切割锯6以通过通孔的中心的方式进行切断而进行了单片化(参照图1D)。
得到的荧光体陶瓷板1的各边的长度(L1、L2)分别为1.0mm，缺口部7的各边的长度(D1、D2)分别为0.18mm。
实施例2
在通孔形成工序中，取代超短脉冲激光加工而实施了直压式喷丸加工，除此以外，与实施例1同样地制造了荧光体陶瓷板1(参照图2)。
即，在通孔形成工序中，在荧光体陶瓷片4上粘贴抗蚀剂薄膜，并为了形成预定的通孔2而进行了图案曝光。接着，使用直压式氧化铝喷丸加工装置(NICCHU公司、“商品名PAM102”)，实施了氧化铝颗粒的喷丸加工。
通孔2俯视为大致矩形形状，各边的长度(W1、W2)为0.40mm，角部8的曲率半径(R)为0.1mm，端面的倾斜角度(θ)为79度。
得到的荧光体陶瓷板1的各边的长度(L1、L2)分别为1.0mm，缺口部7的各边的长度(D1、D2)分别为0.18mm。
实施例3
在通孔形成工序中，取代超短脉冲激光加工而实施了虹吸式喷丸加工，除此以外，与实施例1同样地制造了荧光体陶瓷板1(参照图2)。
即，在通孔形成工序中，为了形成预定的通孔2，在荧光体陶瓷片4上粘贴抗蚀剂薄膜并进行了图案曝光。接着，使用虹吸式氧化铝喷丸加工装置(NICCHU公司、“商品名PAM102”)，实施了氧化铝颗粒的喷丸加工。
通孔2俯视为大致矩形形状，各边的长度(W1、W2)为0.40mm，角部8的曲率半径(R)为0.1mm，端面的倾斜角度(θ)为46度。
得到的荧光体陶瓷板1的各边的长度(L1、L2)分别为1.0mm，缺口部7的各边的长度(D1、D2)分别为0.18mm。
实施例4
不仅在通孔形成工序中实施了喷丸加工，在切断工序中也实施了喷丸加工，除此以外，与实施例2同样地制造了荧光体陶瓷板1。
通孔2俯视为大致矩形形状，各边的长度(W1、W2)为0.40mm，角部8的曲率半径(R)为0.1mm，端面、第1侧面18以及第2侧面19的倾斜角度(θ)为79度。
得到的荧光体陶瓷板1的各边的长度(L1、L2)分别为1.0mm，缺口部7的各边的长度(D1、D2)分别为0.18mm。
比较例1
在实施例1中，在准备工序后，将荧光体陶瓷片4暂时固定于由切割带构成的支承片5，利用刀刃厚度为40μm的切割锯以1.05mm的间距沿前后方向和左右方向进行切断，制作了一边为1.0mm的俯视呈大致正方形的荧光体陶瓷板1。
接着，使用90度的V字刀片(Disco公司制造、“B1E8系列”、刀刃厚度为100μm)来切断该荧光体陶瓷板的角，由此形成了缺口部。
在得到的荧光体陶瓷板1中，缺口部7的各边的长度(W1、W2)分别为0.18mm，缺口部7的角部8的角度为俯视直角形状(90度)，端面的倾斜角度(θ)为90度。
比较例2
代替使用90度的V字刀片(Disco公司制造、“B1E8系列”、刀刃厚度为100μm)，而使用梯形刀片(Disco公司制造、“B1N8系列”、刀刃厚度为100μm)来形成了缺口部，除此以外，与比较例1同样地制作了荧光体陶瓷板1。
在得到的荧光体陶瓷板1中，缺口部7的各边的长度(D1)分别为0.18mm，缺口部7的角部8的曲率半径(R)为0.1mm，端面的倾斜角度(θ)为90度。
(第1实施方式的光半导体装置的制造)
准备了带空腔的多层陶瓷基板(住友金属Electronics Devices公司制造、“型号207806”、外壳高度为0.6mmt、外壳材质氧化铝反射率75％)。另外，准备在上表面的1个角部(角)形成有连接部27的、一边的长度为40mil(1.0mm)的俯视呈正方形的单引线类型蓝色发光二极管芯片(光半导体元件、厚度为100μm)。利用Au－Sn焊料将二极管芯片28芯片贴装于多层陶瓷基板26，从而制作了带元件的基板30。
以使连接部27暴露且使荧光体陶瓷板1的端面3相对于二极管芯片的上表面成为锐角(θ)的方式将各实施例的荧光体陶瓷板1配置于蓝色发光二极管芯片28的上表面。
接着，通过利用Au线将连接部27和多层陶瓷基板26的端子部25引线接合起来，从而制造了第1实施方式的光半导体装置20。
(比较例的半导体装置的制造)
在上述(第1实施方式的光半导体装置的制造)中，取代各实施例的荧光体陶瓷板1而使用了各比较例的荧光体陶瓷板1，除此以外，同样地制造了比较例的光半导体装置20。
(可视性评价)
在上述光半导体装置的制造中，在将荧光体陶瓷板1配置于蓝色发光二极管芯片28的上表面之后，利用显微镜(基恩士公司制造、“数码显微镜VHX―2000”)，自垂直方向即90度和65度的角度观察了连接部27，并对连接部27的表面进行拍摄。计算出在65度的情况下观察到的面积相对于在90度的情况下观察到的连接部27的面积的比例(65度面积/90度面积)。将该面积的比例为98％以上的情况评价为〇，将该面积的比例小于98％的情况评价为×。将结果表示在表1中。
(发光性评价)
对于上述光半导体装置，使用含有有机硅树脂和氧化铝的液状的反射树脂组合物，以将整个引线29密封且使荧光体陶瓷板1的上表面暴露的方式形成了反光层31。
接着，测量了缺口部7的端面3中的被反光层31覆盖的部分的左右方向长度L(参照图4C)。对于长度L短于荧光体陶瓷板1的厚度T1的情况，由于在该情况下在周端缘产生的色调变化的面积较少，因此将该情况评价为〇，将长度L与荧光体陶瓷板1的厚度T1大致相等的情况评价为△，对于长度L长于荧光体陶瓷板1的厚度T1的情况，由于在该情况下在周端缘产生的色调变化的面积较多，因此将该情况评价为×。将结果表示在表1中。
(第2实施方式的光半导体装置的制造和引线接触性的评价)
与第1实施方式的光半导体装置20同样地制作了带元件的基板30。接着，利用Au线将连接部27和多层陶瓷基板26的端子部25引线接合起来。
接着，以使连接部27暴露且使荧光体陶瓷板1的端面相对于二极管芯片28的上表面成为钝角(θ′)的方式将各实施例的荧光体陶瓷板1配置于二极管芯片28的上表面。由此，制造了第2实施方式的光半导体装置20。
此外，在向二极管芯片28的上表面配置荧光体陶瓷板1时，使荧光体陶瓷板1配置为，自正常的对准位置朝向前后方向和左右方向中的任意一个方向即接近引线的方向偏移25μm。
此时，使用显微镜(基恩士公司制造、“数码显微镜VHX―2000”)观察了光半导体装置的端子部附近的引线。将荧光体陶瓷板未与引线接触的情况评价为〇，将荧光体陶瓷板与引线接触的情况评价为×。
另外，对于各比较例的荧光体陶瓷板1，也与上述同样地进行了实施和评价。将结果表示在表1中。
(裂缝评价)
在各实施例和各比较例中的切断工序中，通过利用高速模式来切断荧光体陶瓷片4，从而制作了荧光体陶瓷板1。
将在荧光体陶瓷板1上未产生裂缝的情况评价为〇，将在荧光体陶瓷板1上产生了裂缝的情况评价为×。将结果表示在表1中。
(表1)
此外，虽然作为本发明的例示的实施方式提供了所述发明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员能够明确的本发明的变形例包括在本发明的权利要求书的范围内。
产业上的可利用性
本发明的陶瓷板例如使用于光半导体装置的制造。
附图标记说明
1、荧光体陶瓷板；2、通孔；3、端面；4、荧光体陶瓷片；7、缺口部；18、第1侧面；19、第2侧面；20、光半导体装置；28、光半导体元件。

Claims (8)

1.一种陶瓷板，其具有平板形状，该陶瓷板的特征在于，
在该陶瓷板上设有自周端面向内侧去除而成的缺口部，
划分出所述缺口部的端面相对于所述陶瓷板的厚度方向倾斜。
2.根据权利要求1所述的陶瓷板，其特征在于，
对于所述端面的倾斜角度，所述端面与所述陶瓷板的上表面所成的角度和所述端面与所述陶瓷板的下表面所成的角度中的一者的角度为30度以上且89度以下。
3.根据权利要求1所述的陶瓷板，其特征在于，
所述端面在俯视时具有弯曲形状。
4.一种光半导体装置，其特征在于，
该光半导体装置包括光半导体元件和配置于光半导体元件的一侧面的权利要求1所述的陶瓷板。
5.根据权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，
所述陶瓷板以所述光半导体元件的一侧面与所述端面所成的角度成为锐角的方式配置于所述光半导体元件的一侧面。
6.根据权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，
所述陶瓷板以所述光半导体元件的一侧面与所述端面所成的角度成为钝角的方式配置于所述光半导体元件的一侧面。
7.一种陶瓷板的制造方法，其特征在于，
该陶瓷板的制造方法依次包括以下工序：
准备陶瓷片的工序；
在所述陶瓷片上形成通孔，使划分出所述通孔的端面暴露的工序；以及
切断所述陶瓷片而形成包含所述端面的多个陶瓷板的工序，
所述端面相对于所述陶瓷片的厚度方向倾斜。
8.根据权利要求7所述的陶瓷板的制造方法，其特征在于，
切断所述陶瓷片时暴露的侧面相对于所述陶瓷片的厚度方向倾斜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019046912A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 東芝ライテック株式会社 発光装置、車両用照明装置、および車両用灯具
US11387390B2 (en) * 2017-11-27 2022-07-12 Nichia Corporation Method for producing wavelength converting member, and wavelength converting member
JP7080625B2 (ja) * 2017-12-01 2022-06-06 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7060810B2 (ja) * 2019-11-19 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
WO2021235310A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25 東レ株式会社 Ｌｅｄ基板、積層体、およびｌｅｄ基板の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2357677B1 (en) * 2008-10-17 2016-03-30 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting module, method for producing light-emitting module, and lighting unit
CN102227827A (zh) * 2008-11-28 2011-10-26 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法以及灯具单元
JP5255421B2 (ja) * 2008-12-15 2013-08-07 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
DE102010050832A1 (de) * 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
KR102231580B1 (ko) * 2014-02-14 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 광변환기판 및 이를 포함하는 발광패키지, 차량용 램프

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