CN108574473A - 共振器和用于提供共振器的方法 - Google Patents

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Abstract

描述了一种共振器，包括压电材料(10)，其中第一和第二电极(11、12)设置在压电材料(10)上。声超材料(14)至少部分地环绕共振器的有效区域(13)。

Description

共振器和用于提供共振器的方法
技术领域
本申请涉及共振器以及用于提供这种共振器的方法。
背景技术
滤波器被用于各种电子电路以过滤掉信号的特定频率分量，同时使其他频率分量通过。例如，在通信电路中，滤波器可用于阻挡用于通信且将被其他电路处理的频带或部分频带外的频率分量。
作为通信电路和设备中的高选择性带通滤波器，频繁使用表面声波(SAW)或体声波(BAW)。这种类型的传统滤波器使用由压电材料和电极组成的声共振器。在BAW共振器中，压电材料被夹置在两个电极(例如，顶部电极和底部电极)之间，并且声波通过电极之间的压电材料的块传播(例如，在垂直方向上，可以称为asz方向)。SAW共振器利用压电材料表面上的交错电极结构，并且声波沿着压电材料的表面传播(例如，在x-y平面内)。
声共振器中声波的泄露限制了共振器的质量因子，其被定义为存储在共振器中的能量与共振器循环期间的能量损失的比率。因此，声损失的最小化是声共振器技术和设计中的重要因素。在BAW共振器中，例如，声泄露可以具有垂直和横向分量。这些损失分量可以定位在电极之间的区域中，到达周围的衬底。因此，由这种共振器制成的滤波器经历这种基于泄露的损失机制。
此外，在共振器的一些实施方式中，共振器边缘处的共振器边界条件使得在BAW共振器中出现所谓的寄生波模波(spurious mode wave)，这导致使用BAW共振器实施的滤波器的对应滤波器曲线中的通带波纹。这种虚假模式波还会引起能量泄露。
当从共振器泄露能量时，泄露的声波还会影响相邻的共振器，并且以不期望的方式与它们交互。这会在共振器之间引起不可控的声耦合，并且会导致滤波器的性能下降。一般来说，从共振器泄露的声能量会影响位于共振器附近的其他声共振器设备。
发明内容
提供了在权利要求1中限定的共振器。此外，提供了在权利要求17中限定的用于提供共振器的方法。从属权利要求限定了其他实施例。
根据一个实施例，提供了一种共振器，包括：
压电材料；
第一电极，设置在压电材料的第一侧上；
第二电极，布置在压电材料的与第一侧相对的第二侧上，第一和第二电极在压电材料中限定有效(active)共振器区域，例如，从垂直于电极的方向看到两个电极重叠的区域，以及
声超材料，被提供给压电材料，声超材料至少部分地环绕有效共振器区域。
根据另一实施例，提供了一种方法，包括：
设置压电材料；
在压电材料的相对侧上设置第一和第二电极，第一和第二电极限定有效共振器区域，并且形成至少部分地环绕有效共振器区域的声超材料。
上述发明内容仅用于给出一些实施例的一些特征的简要概述，并且并不用于限制。
附图说明
图1A和图1B是根据实施例的共振器的截面图。
图2是示出可在一些实施例中使用的超材料的单位单元的示图。
图3是示出可在一些实施例中使用的超材料的单位单元的示图。
图4可在一些实施例中使用的超材料的声子带结构。
图5A是根据一个实施例的共振器的立体图。
图5B示出了图5A的放大局部图。
图5C示出了基本沿着图5B的线A-A’截取的截面图。
图6是示出根据一些实施例的共振器的替换实施方式的截面图。
图7是示出根据一些实施例的共振器的替换实施方式的截面图。
图8至图10示出了用于说明一些实施例的效果的仿真结果。
图11是示出根据一个实施例的方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述各个实施例。应注意，这些实施例仅用于说明的目的而不用于限制。例如，虽然实施例可以被描述为包括多个特征、元件或细节，但在其他实施例中，这些特征、元件或细节中的一些可以被省略和/或可以被备选特征、元件或细节替代。除了清楚描述的特征、元件或细节之外，还可以提供其他特征、元件或细节，例如在体声波(BAW)中通常使用的部件。
除非有相反指定，否则来自不同实施例的特征可以组合以形成又一些实施例。除非有相反指定，否则相对于一个实施例描述的各种变化或修改也可应用于其他实施例。
下面讨论的实施例涉及体声波(BAW)共振器，其可用于构建基于BAW的滤波器。为了形成BAW滤波器，通常在两个电极之间设置压电材料。两个电极之间电场的施加生成机械应力，其进一步作为声波通过结构的块体传播。当结构的声路径和厚度方向对应于压电材料内的声波长度的一半的整数倍时，建立共振条件。如果忽略电极的声效应，即对于理想的共振器来说(仅考虑压电层)，则保持这种共振条件。考虑电极的声效应，共振条件偏离这种理想情况。以这种方式，可以实施具有施加于电极的特定频率的信号的滤波器功能。
共振器的有效区域可以对应于两个电极之间的压电材料的区域。例如，共振器的有效区域可以是压电材料中由第一电极限定的区与由第二电极限定的区域重叠的区域。在实施例中，有效区域(其还可以包括外围区域中的一些边缘结构)被声超材料环绕，声超材料具有至少部分地对应于共振器的频率范围的声带隙，例如包括共振器的共振频率。这种声超材料可以实施为声子晶体，其可以包括两种或更多种材料的周期结构。在实施例中，一种材料是压电材料。在实施例中，超材料可以基于压电材料通过位于压电材料的块中和/或表面上的至少一种其他材料来修改。声超材料通常是被设计为控制、引导和操作声波的材料，因为这些可发生在气体、液体和固体中，本申请涉及固体中的声波，即体声波或表面声波。稍后将详细解释超材料的示例性结构。
例如，在共振器或滤波器的声有效区域中操作、控制和引导声波可以用于将声波耦合到共振器或滤波器的其他有效区域中，以创建滤波器响应的切口(notch)特性。为了说明的目的，将讨论共振器和滤波器外的泄露波的减少和消除。然而，本文在其他实施例中讨论的至少部分地环绕共振器的有效区域的超材料还可以如上所述控制、引导和操作声波。
上面提到的声子晶体通常使用大约为将被操作的声波的声波长的大约一半的尺寸的结构。其他声超材料可以使用更小的结构，例如大约比将被操作的声波的声波长小十倍的图案。
现在参照附图，图1A是根据一个实施例的共振器的示意性截面图。
图1A的实施例的共振器基于压电体材料10来构建，例如用于高频应用的薄膜。用于适当的压电材料的示例包括氮化铝(AlN)、铌酸锂(LiNbO3)、铌酸钾(KNbO3)、掺钪(Sc)氮化铝或者氮化铝钪(AlScN)。然而，还可以使用其他压电材料。
第一电极11和第二电极12设置在压电材料10的相对侧上。如图1A所示，第一和第二电极11、12不需要具有相同尺寸，尽管在一些实施例中是这种情况。例如，在图1A所示实施例中，第二电极12覆盖的面积大于第一电极11覆盖的面积。在其他实施例中，电极可以覆盖相同的面积，即具有相同尺寸，或者第一电极11可以比第二电极12覆盖更大的面积。压电材料10的位于第一和第二电极11、12之间的区域13形成有效共振器区域。如图1所示，有效共振器区域13的尺寸主要通过较小的电极(在图1A的情况下为第一电极11)来确定。更一般地，有效共振器区域被限定为两个电极和压电层的重叠区域。
第一和第二电极11、12可以由任何导电材料制成，例如包括一个或多个金属层或者重掺杂半导体层，如重掺杂多晶硅。
图1A所示的共振器结构可以用作带通滤波器的一部分，其中信号被施加给一个或多个电极11、12。根据与电极11、12之间的距离相对应的共振器的厚度，带通范围外的频率被图1所示的共振器衰减。可以使用利用共振器的任何传统滤波器实施方式。
为了避免或减少来自共振器的能量泄露，在图1A的实施例中，声超材料14被布置为至少部分地环绕有效区域13。虽然在图1A中声超材料14被示为直接设置为与有效区域13相邻，但在其他实施例中，超材料14可以布置为与有效区域13隔开，稍后将更加详细地进行解释。应该注意，图1A没有按比例绘制，例如，超材料14在垂直于电极11、12之间的距离的方向上的宽度16明显小于有效区域13的宽度17。例如，根据所使用的超材料，宽度16可以近似为带通范围中的声波的波长的1至10倍。
超材料14可以包括以周期方式布置的两种或更多种材料。在实施例中，两种或更多种材料中的一种材料是压电材料10的材料，使得超材料可以通过将至少一种材料引入压电材料10中来形成，这将在下面更加详细地解释。超材料14可以被设计为具有与上述带通范围相对应的声带隙，使得该范围内的频率不可以通过超材料14传播。在实施例中，超材料14可以是声子晶体。超材料14被定位在有效共振器区域13外。
应该注意，在一些实施例中，超材料14可以完全环绕有效共振器区域13。在其他实施例中，环绕可以是部分的，例如用于制造原因或者故意在超材料14中留下间隙来允许能量的可控泄露，例如为了提供与在图1A的共振器附近设置的其他共振器的一些声耦合。
图1B示出了图1A的实施例的变形，并且对应的元件具有相同的参考符号，将不再详细进行描述。与图1A相比，图1B的实施例包括区域15(其可以由压电材料10制成)，位于有效区域13和至少部分地环绕有效区域13的超材料14之间。
此外，在图1B的实施例中，沿着其外围的至少一部分，与电极11的剩余区域相比，第一电极11在其外围区域11’中被修改，即，电极11与外围区域11’隔开。例如，在外围区域11’中，电极11的厚度可以与剩余区域不同，即，大于或小于剩余区域，或者可以在外围区域11’中的电极11上设置附加材料。这种附加材料可以是导电的(例如，金属)或者不导电的(例如，氧化物)。数字13’表示有效区域13的位于外围区域11’下方的对应外围区域。外围区域13’仍然是有效区域13的一部分。然而，由于外围区域13’中电极11的修改，所以声特性(如色散关系和精确的共振条件)在外围区域13’中与在剩余的有效区域13中可以是不同的。以这种方式，外围区域13’可用于通过适当设计的色散行为来抑制寄生波模(spuriousmode)，同时超材料区域14通过防止横向声波从有效区域13传播到有效区域13和区域15外的压电材料10来限制共振器内的能量。
在其他实施例中，代替修改外围区域11’中的电极11或者除修改外围区域11’中的电极11之外，外围区域13’被修改。例如，可以在区域13’中设置沟槽，其任选地填充有不同于压电材料10的材料。
虽然在图1B中在其外围区域中修改第一电极11，但在其他实施例中，附加或备选地，第二电极12可以被修改。此外，与图1A相比的图1B所示的两种变形(即，一方面为区域15，另一方面为外围区域11’、13’)可以相互独立地实施。
虽然在图1中，超材料14在z方向上完全或几乎完全延伸经过压电材料，但在其他实施例中，超材料可以仅布置在压电材料10的表面处或接近压电材料10的表面处，例如与电极11、12相邻或隔开。这可用于防止表面波从共振器泄露以及可用于更容易地制造共振器。
在实施例中，超材料区域(如超材料14)可形成为2D或2.5D或3D结构。表面处或表面附近或者与另一材料的界面处或界面附近的2D结构单独将消除表面或界面波在与该结构相同层级处的传播。下文进一步讨论的图2和图3示出了2.5D结构，其有效地阻挡横向模式在压电材料的任何深度中的传播。如下面进一步解释的，这种2.5D布置例如可以通过延伸穿过压电材料的柱来形成。在其他实施例中，可以提供一般的3D超材料结构。3D超材料结构例如可以通过在压电材料中嵌入材料的小球或立方体或其他区域来实现，以针对更一般的方向创建带隙。
本发明的子集是通过这种2D超材料实现用于SAW共振器/滤波器的所谓栅格结构。与现有技术的栅格结构相比，这种超材料可以创建更宽的频率带隙，提供更宽的频率反射面。
通过在压电材料10中提供超材料14，共振器保持完全固体，例如不提供系缆(tether)或其他弹性部分，这在实施例中可以提供共振器的机械鲁棒性。在一些实施例中，使用超材料结构(如图1A或图1B中的区域14)允许保持压电材料或层(例如，共振器结构外的压电材料10)，这在一些实施例中在集成技术中的对应器件的处理中最小化表面拓扑。该特征例如可用于耦合共振器技术，例如，两个或更多个BAW共振器构建在彼此上方并且声耦合到一起。
应该注意，虽然在图1中示出了单个共振器，但也可以在压电材料10中设置多于一个的共振器。然后，超材料14还可以提供共振器的去耦，使得它们可以基本相互独立。此外，压电材料10可以与其他结构(例如，半导体电子结构)集成。例如，在氮化铝被用作压电材料的情况下，这可以与硅或III-V半导体结构和器件集成。例如，所述超材料环绕/嵌入的共振器可以与其他器件组合，如LNA(低噪声放大器)、PA(功率放大器)、射频(RF)开关、无源RF部件(如电感器、电容器、耦合器)、微机电系统(MEMS)器件等。类似地，可以提供如模拟和数字信号处理电路、功率管理电路、控制和接口电路等的其他电路装置，包括非RF电路。
接下来，参照图2至图4，将讨论在实施例中可用作超材料的声子晶体。图2示出了可在实施例中使用的声子晶体的单位单元20的平面图，其可由第一材料m1和第二材料m2制成。图2例如可以示出超材料14在图1的x-y平面中的示图。在一些实施例中可以是压电材料的材料m1还用于形成共振器，例如图1的压电材料10。第二材料m2例如可以是金属(如钨)或氧化物材料(如二氧化硅)。在一些实施例中，材料m2是与用于第一电极11和/或第二电极12相同的材料，由此减少了需要被处理的材料的总数。第二材料m2被设置在单位单元20的中心，其具有半径r。例如，在上述x-y平面的示图的情况下，第二材料m2可以设置为区域14内的压电材料10中的圆柱。这种柱例如可以通过沟槽蚀刻来制造，或者通过去除与柱相对应的压电材料10以形成沟槽、然后用第二材料m2填充沟槽来制造。为了形成超材料14，随后在共振器周围周期性地重复单位单元20，这将在下面进一步使用示例解释。
图3示出了可用于实施例的另一声子晶体的单位单元30。再次，图3的示图可以是图1中的x-y平面中的示图，并且第二材料m2可以在第一材料m1中设置为柱。第一材料m1可以对应于图1的压电材料10。在图3的情况下，设置具有不同尺寸的柱，在这种情况下如图3所示设置两个不同的半径r1、r2。再次，随后通过重复单位单元30以提供周期性结构，从而形成超材料14。
应该注意，虽然在图2和图3中将圆柱示为示例，但在其他实施例中，还可以使用其他形状。在实施例中，可以使用具有具体设计的截面积的圆柱对称形状。在所示示例中，截面是圆形的，并且柱(还被称为立柱)是圆柱。
在其他实施例中，可以将正方形或者圆形和正方形的混合形状用作截面积。另一示例是三角形的截面积。此外，虽然示出了由两种不同材料制成的声子晶体，但在其他实施例中，可以使用多于两种的材料。例如，在图3的情况下，具有半径r1的柱可以由与具有半径r2的柱不同的材料制成。此外，多于两个的不同半径也是可以的。因此，参照图2和图3解释的声子晶体结构仅用作非限制性示例。此外，在仅要求表面波的隔离的情况下，图2和图3示出的结构可以仅设置在压电材料10的表面上，例如通过沉积第二材料m2。
图4示出了使用图3的单位单元30的声子晶体的示例性声带结构。使用曲线41所示的常规晶体标号X、N、Γ，针对k空间中不同的方向示出带结构。图4具体示出了单位单元30的第一本征频率。可以看出，提供了声带隙40，其中在非横向方向上不存在声波的传播。可以设计单元单元30的尺寸(例如，宽度w、半径r1、r2)，使得声带隙40在期望范围中，例如对应于共振器的频率范围。此外，基于材料m1、m2的选择，可以得到声带隙40的调谐。
接下来，将参照图5A至图5C讨论根据实施例的共振器。图5A示出了共振器的立体图。图5B示出了图5A的放大部分示图，以及图5C示出了沿着图5B中的线A-A’截取的截面图。
在图5A至图5C的实施例中，第一电极50(也称为顶部电极)被设置在压电材料52的第一侧上。第二电极53(也称为底部电极)被设置在压电材料52的与第一侧相对的第二侧上。在图5A至图5C的示例中，底部电极53覆盖压电材料52的整个背侧，而第一电极50仅覆盖压电材料52的一部分，由此限定了有效共振器区域。关于材料，作为压电材料52以及用于第一和第二电极50、53的材料，可以使用已经参照图1讨论的材料。
此外，可以从图5B和图5C看出，声超材料51环绕压电材料52的有效共振器区域。作为示例，使用具有基于图3的单位单元30的结构的声子晶体作为超材料。如图5B和图5C所示，超材料在y方向上具有宽度w*。作为示例，图5B和图5C中的宽度w*对应于图3中的宽度W的两倍，或者换句话说，环绕第一电极50使用单位单元的两次重复。一般来说，可以使用任何数量的重复。在一些实施例中，使用至少两次重复。在一些实施例中，使用五次重复或更少，因为在许多实施方式中，使用更多重复不会根本改变通过提供超材料所得到的效果。可以看出，单位单元的重复在有效共振器区域周围形成二维矩阵，即，矩阵对于有效共振器区域而言具有“间隙”。与典型的共振器尺寸相比，实施例中的单位单元尺寸较小。当针对超材料区域51使用较少数量的重复时(还参见下面图8、图9和图10的讨论)，用于超材料的面积要求相对较小。应该注意，虽然图3的单位单元30被用于在图5A至图5C的实施例中构建超材料，但在其他实施例中，可以使用其他单位单元，例如参照图2讨论的单位单元20。
从图5C的截面图中可以看出，通过提供延伸穿过压电材料52的又一材料的柱来形成超材料51。又一材料可以与顶部电极50的材料相同或不同。在一些实施例中，使用相同材料减少了待处理的材料的总数，并且可以允许容易且成本有效地制造共振器。
在其他实施例中，代替如上解释的单位单元的周期性重复，可以使用所谓的对数周期结构，其中，类似于用于电磁波的对数周期天线的偶极子，在每个重复中改变单位单元的尺寸(例如，宽度w)。在这种对数周期结构中，利用距离增加嵌入结构的尺寸，以加宽所得到的带隙。
图6示出了图5的实施例的变形，图6的示图对应于图5C的截面图。在图6中，第一电极60(可以对应于图5的第一电极50)被设置在压电材料62(其可以对应于图5的压电材料52)上。超材料61被设置在有效共振器区域周围。在图6的情况下，超材料61具有宽度w**，并且包括超材料的三个单位单元。图6的超材料可以基于图3的单位单元30，具有针对具有半径r1的柱和具有半径r2的柱的两种不同材料。此外，两种不同的材料可以不同于第一电极60的材料。在其他实施例中，两种不同材料中的一种可以对应于第一电极60的材料。
图7示出了图5的实施例的又一变形，也示出了类似于图5C的示图的截面图。在图7中，第一电极70被放置在压电材料72上。第一电极70和压电材料72可以如参照图1或图5所述进行实施。在图7中，超材料71(其可以如参照图5或图6所解释的来实施)被设置为与顶部电极70隔开距离d。距离d例如可以在20和150μm之间，例如在50和120μm之间，例如约为70μm。这种隔开类似于在图1B中设置区域15。
接下来，将参照图8至图10描述根据实施例的共振器的一些仿真结果，以进一步示出在共振器周围设置超材料的效果。
对于仿真来说，使用具有与上文讨论的一种结构类似的结构的共振器，其中压电材料夹置在第一电极和第二电极之间。图8示出了针对具有不同共振器厚度(即，压电材料在图1的z方向上的厚度)的两种不同的共振器的相对于频率的导纳曲线，这本质上导致曲线随频率的偏移。具体地，在图8中，曲线80示出了针对相对较厚的共振器的相对于频率的导纳，并且曲线81示出了针对相对较薄共振器的导纳。可以看出，由峰值82、83、84、85示出的寄生波模至少部分地由于能量从共振器的泄露而发生。
图9示出了在有效共振器区域周围具有单位单元的两次重复(类似于图5所示)的声子晶体的图8的共振器。应该注意，除了添加声子晶体，不执行其他修改(即，不对材料的横向尺寸进行修改)。曲线90示出了用于相对较厚的共振器的行为(对应于图8的曲线80)，以及曲线91示出了用于相对较薄共振器的行为(对应于图8中的曲线81)。可以看出，仅仅保留92、93、94处的一些寄生波模，这与图8所示相比没那么明显。
图10示出了针对在有效共振器区域周围具有单位单元的三次重复(类似于图6所示)的声子晶体的又一仿真。再次地，不进行其他修改。此外，在这种情况下，仅保留一些小的寄生波模，但是与图9相比，结果是仅稍稍改善。因此，虽然在实施例中可以提供声子晶体结构的多层或重复，但在许多情况下，单位单元的两次重复或者至多三次重复是足够的，并且提供进一步的重复不必然改进结果，尽管可以提供进一步的重复。
图11是示出根据实施例的方法的流程图。虽然图11的方法被示为一系列动作或事件，但这些动作或事件的顺序不是限制性的。具体地，可以各种顺序执行得到共振器的各种处理步骤，现在将参照图11进行解释。应该注意，还可以同时提供各种动作和事件。
图11的方法可用于制造如参照图1至图10解释的共振器，并且为了说明，将参照图1至图10来描述方法。参照图1至图10描述的关于材料、布置的细节也可应用于图11的方法。
在110中，图11的方法包括提供压电材料，例如上述实施例的压电材料10、52、62或72。
在111中，该方法包括在压电材料的相对侧上提供电极(例如图1的电极11、12或者图5的电极50、53)，以形成共振器。
在112中，该方法包括在有效共振器区域周围形成声超材料，例如如上文解释的通过以周期性方式将材料结合到压电材料中。应该注意，在用于电极的材料与形成声超材料的一种材料相同的情况下，基本可以同时执行111和112，例如可以首先提供与将被形成在压电材料中的柱相对应的极点，然后在电材料上沉积用于电极的材料，以便将电极形成在用于形成声超材料的孔中。在其他实施例中，可以采用独立的处理。如上所讨论的，声超材料可以形成为具有重复单位单元的声子晶体。
上文讨论的共振器例如可用于针对通信设备(如移动网络通信设备)的滤波器结构，但不限于此。
根据上述许多变形和修改，明显地，上述实施例仅用于说明性的目的而不用于限制。

Claims (19)

1.一种共振器，包括：
压电材料；
第一电极，设置在所述压电材料的第一侧上，
第二电极，布置在所述压电材料的与所述第一侧相对的第二侧上，所述第一电极和所述第二电极在所述压电材料中限定有效共振器区域，以及
声超材料，至少部分地环绕所述有效共振器区域。
2.根据权利要求1所述的共振器，其中所述声超材料包括通过声子晶体单位单元的多次重复形成的声子晶体。
3.根据权利要求2所述的共振器，其中所述单位单元包括设置在第一材料中的第二材料的至少一个区域。
4.根据权利要求3所述的共振器，其中所述第二材料的所述至少一个区域包括设置在所述第一材料中的所述第二材料的柱。
5.根据权利要求3或4所述的共振器，其中所述第二材料的所述至少一个区域包括具有不同尺寸和/或形状的至少两个柱。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的共振器，其中所述声超材料包括嵌入在所述压电材料中的至少一种又一材料的结构。
7.根据权利要求6所述的共振器，其中所述至少一种又一材料包括在所述第一电极或所述第二电极中的至少一个电极中包括的材料。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的共振器，其中所述声超材料被设置为与所述有效共振器区域直接相邻。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的共振器，其中所述声超材料被设置为与所述有效共振器区域隔开。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的共振器，其中所述声超材料具有包括所述共振器的谐振频率的频率范围中的声带隙。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的共振器，其中所述声超材料完全环绕所述有效共振器区域。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的共振器，其中与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极的剩余区域相比，所述第一电极或所述第二电极中的至少一个电极的外围区域包括修改。
13.根据权利要求12所述的共振器，其中所述第一电极或所述第二电极中的至少一个电极的所述外围区域的所述修改包括设置在电极上的附加材料或厚度变化中的至少一个。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的共振器，其中与所述有效共振器区域的剩余区域相比，所述有效共振器区域的外围区域包括修改。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的共振器，其中所述有效共振器区域的所述外围区域的所述修改包括沟槽。
16.一种滤波器，包括如权利要求1至15中任一项所述的共振器。
17.一种方法，包括：
设置压电材料，
在所述压电材料的相对侧上设置第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极限定有效共振器区域，以及
形成至少部分地环绕所述有效共振器区域的声超材料。
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述声超材料包括：形成所述压电材料中的至少一种又一材料的周期性结构。
19.根据权利要求17或18所述的方法，其中所述方法适用于制造权利要求1至15中任一项所述的共振器。
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