CN116865712A - 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 - Google Patents

一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116865712A
CN116865712A CN202310896932.8A CN202310896932A CN116865712A CN 116865712 A CN116865712 A CN 116865712A CN 202310896932 A CN202310896932 A CN 202310896932A CN 116865712 A CN116865712 A CN 116865712A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
groove
sacrificial layer
resonance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310896932.8A
Other languages
English (en)
Inventor
缪建民
杨应田
张瑞珍
王志宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sv Senstech Wuxi Co ltd
Original Assignee
Maigan Microelectronics Shanghai Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maigan Microelectronics Shanghai Co ltd filed Critical Maigan Microelectronics Shanghai Co ltd
Priority to CN202310896932.8A priority Critical patent/CN116865712A/zh
Publication of CN116865712A publication Critical patent/CN116865712A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括：第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔。或者第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，本发明可以改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。

Description

一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
技术领域
本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。
背景技术
随着5G通信技术的快速发展，射频滤波器的应用与需求不断升级，射频滤波器的工作频率越来越高，带宽越来越宽，插入损耗越来越低，对射频滤波器整体的性能要求越来越高。为了满足高频下滤波器性能需求，薄膜体声波谐振器(FBAR)是当下研究的主流。图1是传统的薄膜体声波谐振器的结构示意图，薄膜体声波谐振器通过底电极30和压电层40连接衬底10，支撑整个谐振区域。FBAR谐振器为顶电极50-压电层40-底电极30三明治结构，但是这种设计存在局限，现有技术的FBAR普遍存在横向寄生杂波，并产生泄露，影响薄膜体声波谐振器的性能。
发明内容
本发明提供了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，可以有效改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。
根据本发明的一方面，提供了一种薄膜体声波谐振器，包括：
依次层叠设置的衬底、第一支撑层、底电极、压电层和顶电极；
谐振器包括谐振区和环绕谐振区的第一边缘区和第二边缘区，第二边缘区环绕第一边缘区；顶电极设置于谐振区，压电层和底电极设置于第一边缘区和谐振区；第一支撑层设置于第一边缘区和第二边缘区；
第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，在第二边缘区指向谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置；衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔，谐振区、第一边缘区和除第一支撑部之外的第二边缘区在衬底的垂直投影位于空腔内，第一凹陷部和第二凹陷部邻近衬底的表面与衬底远离底电极的第二表面之间的距离小于第一凸出部和第二凸出部邻近衬底的表面与衬底的第二表面之间的距离，底电极与第二凸出部远离衬底的表面接触；
或者，衬底邻近第一支撑层的第一表面为平面，第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，第三凸出部和第四凸出部邻近衬底的表面与衬底的第一表面的距离大于第二悬浮部的其他区域邻近衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，底电极与第四凸出部远离衬底的表面接触，第一支撑层的第二悬浮部与衬底的第一表面不接触。
根据本发明的另一方面，提供了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：
提供一衬底；谐振器包括谐振区和环绕谐振区的第一边缘区和第二边缘区，第二边缘区环绕第一边缘区；
在衬底上形成空腔；
在空腔中设置第一牺牲层，并在第一牺牲层上形成第一凹槽和第二凹槽；其中，第一凹槽和第二凹槽位于第二边缘区，且第一凹槽设置于第二凹槽远离谐振区的一侧，第一凹槽和第二凹槽的深度小于第一牺牲层的厚度；
在第一牺牲层上形成第一支撑层；第一支撑层设置于第一边缘区和第二边缘区；其中，第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一凹陷部位于第一凹槽内，第二凹陷部位于第二凹槽内，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，在第二边缘区指向谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置；在第一支撑层形成第二牺牲层；其中，第二牺牲层覆盖第一支撑层未覆盖的第一牺牲层；
在第二牺牲层上依次形成底电极、压电层和顶电极；顶电极设置于谐振区，压电层和底电极设置于第一边缘区和谐振区，且底电极与第二凸出部远离衬底的表面接触；第一凹陷部和第二凹陷部邻近衬底的表面与衬底远离底电极的第二表面之间的距离小于第一凸出部和第二凸出部邻近衬底的表面与衬底的第二表面之间的距离；
去除第一牺牲层和第二牺牲层。
根据本发明的另一方面，提供了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：
提供一衬底；谐振器包括谐振区和环绕谐振区的第一边缘区和第二边缘区，第二边缘区环绕第一边缘区；
在衬底的第一表面上设置第三牺牲层，并在第三牺牲层上形成第三凹槽、第四凹槽和第五凹槽；其中，第三凹槽、第四凹槽和第五凹槽位于第二边缘区，且第三凹槽和第五凹槽设置于第四凹槽远离谐振区的一侧，第五凹槽在衬底上的垂直投影覆盖第三凹槽在衬底的垂直投影，第三凹槽贯穿第三牺牲层，第四凹槽和第五凹槽的深度小于牺牲层的厚度；
在第三牺牲层表面形成第一支撑层；第一支撑层设置于第一边缘区和第二边缘区；其中，第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部位于第三凹槽内，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，第三凸出部位于第五凹槽和第四凹槽之间，第三凸出部和第四凸出部邻近衬底的表面与衬底的第一表面的距离大于第二悬浮部的其他区域邻近衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，第一支撑层的第二悬浮部与衬底的第一表面不接触；
在第一支撑层形成第四牺牲层；其中，第四牺牲层覆盖第一支撑层未覆盖的第三牺牲层；
在第四牺牲层上依次形成底电极、压电层和顶电极；顶电极设置于谐振区，压电层和底电极设置于第一边缘区和谐振区，底电极与第四凸出部远离衬底的表面接触；
去除第三牺牲层和第四牺牲层。
本发明实施例技术方案提供的薄膜体声波谐振器通过在第二边缘区设置第一支撑层，对第一支撑层设置第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层设置的第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，或者对第一支撑层设置第二支撑部、第三凸出部和第四凸出部，第二支撑部、第三凸出部和第四凸出部也可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，有效减少传统薄膜体声波谐振器振动能量向衬底泄露的问题，极大的提高了谐振器的Q值。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是传统的薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图2是本发明实施例一提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图4是传统的薄膜体声波谐振器的振动位移图；
图5是图2中的薄膜体声波谐振器的振动位移图；
图6是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图7是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图8是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图9是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图10是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图11是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图12是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图；
图13是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的空腔结构示意图；
图14是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图；
图15是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图；
图16是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图；
图17是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图；
图18是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图；
图19是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图；
图20是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的牺牲层结构示意图；
图21是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图；
图22是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图；
图23是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图；
图24是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例一
本发明实施例提供了一种薄膜体声波谐振器，图2是本发明实施例一提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图2，薄膜体声波谐振器包括：依次层叠设置的衬底10、第一支撑层20、底电极30、压电层40和顶电极50。
谐振器包括谐振区60和环绕谐振区60的第一边缘区70和第二边缘区80，第二边缘区80环绕第一边缘区70；顶电极50设置于谐振区60，压电层40和底电极30设置于第一边缘区70和谐振区60；第一支撑层20至少设置于第一边缘区70和第二边缘区80。
第一支撑层20位于第二边缘区80的部分包括第一支撑部21和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部24、第一凸出部22和第二凹陷部25，第一支撑层20位于第一边缘区70的部分包括第二凸出部23，第一支撑部21与衬底10接触，第一凹陷部24、第一凸出部22、第二凹陷部25和第二凸出部23与衬底不接触，在第二边缘区80指向谐振区60的方向上，第一支撑部21、第一凹陷部24、第一凸出部22和第二凹陷部25依次设置；衬底10邻近第一支撑层20的第一表面具有空腔，谐振区60、第一边缘区70和除第一支撑部21之外的第二边缘区80在衬底10的垂直投影位于空腔内，第一凹陷部24和第二凹陷部25邻近衬底10的表面与衬底10远离底电极30的第二表面之间的距离小于第一凸出部22和第二凸出部23邻近衬底10的表面与衬底10的第二表面之间的距离，底电极30与第二凸出部23远离衬底10的表面接触。
或者，图3是本发明实施例一提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图3，衬底10邻近第一支撑层20的第一表面为平面，第一支撑层20位于第二边缘区80的部分包括第二支撑部26，第二支撑部26与衬底10接触，第一支撑层20还包括位于第二支撑部26和第一边缘区70之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部27，第一边缘区70包括第四凸出部28，第三凸出部27和第四凸出部28邻近衬底10的表面与衬底10的第一表面的距离大于第二悬浮部的其他区域邻近衬底10的表面与衬底10的第一表面之间的距离，底电极30与第四凸出部28远离衬底10的表面接触，第一支撑层20的第二悬浮部与衬底10的第一表面不接触。
具体的，图3中的薄膜体声波谐振器通过采用新工艺形成空腔，这样可以有效的避免传统空腔边缘形成应力集中区，导致器件整体结构的稳定性变差，大大提高了器件的可靠性。
其中，衬底10的材料可以是玻璃，氧化铝(Al2O3)或高阻硅，可以防止底电极30的电泄露或者干扰；底电极30和顶电极50的材料可以为金属材料，示例性的可以为钼；第一支撑层20可以使得顶电极50-压电层40-底电极30三明治结构形成的谐振区60与衬底10隔离，形成悬浮结构。
薄膜体声波谐振器的工作原理为当谐振器的底电极30和顶电极50施加交变电压时，此时压电层40会产生逆压电效应，在这个过程中，压电层40会随着交变电场的变化而产生收缩、膨胀形变，这种周期性的形变形成了周期性的振动，而周期性的振动则会激励出体声波，当激励的体声波频率与底电极30、压电层40和顶电极50的总厚度决定的谐振区60的共振频率相同时会形成谐振。图4是传统的薄膜体声波谐振器的振动位移图，参考图4，横坐标为位置，纵坐标为位移大小，图4表示谐振器在不同位置时的振动位移的大小，示例性的，将谐振器最左侧的位置是设置为0μm，横坐标为50μm表示为距离谐振器最左侧50μm的位置，在谐振频率为2.4GHz时，可以看出传统的薄膜体声波谐振器在黑色圆圈的衬底处明显的能量泄露，使衬底产生明显的振动位移。图5是图2中的一种薄膜体声波谐振器的振动位移图，参考图5，可以看出采用本发明实施例中薄膜体声波谐振器在黑色圆圈的衬底处没有看到明显的能量泄露，相比传统薄膜体声波谐振器结构，说明本发明实施例中薄膜体声波谐振器的结构可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，有效减少了横向波能量的泄露，对提高谐振器Q值有显著的帮助。Q值是评价谐振器性能的重要指标，传统的FBAR谐振器受到横向寄生杂波对谐振器电学特性的干扰，导致FBAR谐振器Q值降低，对高频率FBAR谐振器的品质造成非常大的影响。
本发明实施例技术方案提供的薄膜体声波谐振器通过在第二边缘区80设置第一支撑层20，对第一支撑层20设置第一凹陷部24、第一凸出部22和第二凹陷部25，第一支撑层20设置的第一凹陷部24、第一凸出部22和第二凹陷部25可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，或者对第一支撑层20设置第二支撑部26、第三凸出部27和第四凸出部28，第二支撑部26、第三凸出部27和第四凸出部28也可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，有效减少传统薄膜体声波谐振器振动能量向衬底10泄露的问题，极大的提高了谐振器的Q值。
可选的，参考图2，第一凹陷部24和第二凹陷部25邻近衬底10的表面与衬底10的第二表面之间的距离相同，第一凸出部22、第二凸出部23和第一支撑部21邻近衬底10的表面与衬底10第二表面之间的距离相同；参考图3，第三凸出部27和第四凸出部28与衬底10的第一表面之间的距离相同。
其中，第一凹陷部24和第二凹陷部25邻近衬底的表面与衬底10的第二表面之间的距离均为S1，第二凸出部23和第一支撑部21邻近衬底的表面与衬底10第二表面之间的距离均为S2，第三凸出部27和第四凸出部28与衬底10的第一表面之间的距离均为S3；在第一支撑层20的形成工艺中，需要在衬底10上设置第一牺牲层，通过在第一牺牲层上刻蚀相同深度的第一凹槽和第二凹槽，第一凹陷部24和第二凹陷部25形成于第一凹槽和第二凹槽内。
第一凹陷部24和第二凹陷部25邻近衬底10的表面与衬底10的第二表面之间的距离，第一凸出部22、第二凸出部23和第一支撑部21邻近衬底10的表面与衬底10第二表面之间的距离均由第一牺牲层的尺寸决定，第一凹陷部24和第二凹陷部25与衬底10的第二表面之间的距离相同，第一凸出部22、第二凸出部23和第一支撑部21与衬底10第二表面之间的距离相同；第三凸出部27和第四凸出部28与衬底10的第一表面之间的距离相同，使得第一牺牲层的制备工艺较为简单。
可选的，图6是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图6，第一支撑层20还设置于部分谐振区60；第二凸出部23延伸至谐振区；图7是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图7，第四凸出部28延伸至谐振区60。
其中，第一支撑层20可以设置在第一边缘区70、第二边缘区80以及谐振区60内不超过3μm的区域，第二凸出部23和第四凸出部28设置在第一边缘区70、第二边缘区80以及谐振区60内不超过3μm的区域，这样设置可以在不影响薄膜体声波谐振器性能的条件下，增加第一支撑层与底电极的接触面积，增强支撑性能。
可选的，图8是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图8，第一凹陷部24与衬底10之间还包括第二支撑层91；图9是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图9，第一支撑层20还包括位于第二支撑部26远离谐振区60一侧的第三支撑部，第三支撑部与衬底10之间设置有第三支撑层92。
具体的，参考图8，可以在空腔中设置第一牺牲层，并在第一牺牲层上形成第一支撑层20、底电极30、压电层40和顶电极50，然后再去除第一牺牲层，由于器件的横向尺寸足够大，通过刻蚀时间的控制，可以不去除第一凹陷部24与衬底10之间的第一牺牲层，该部分第一牺牲层即为第二支撑层91。
参考图9，可以在衬底10的第一表面上设置第三牺牲层，并在第三牺牲层上形成第一支撑层20、底电极30、压电层40和顶电极50，然后再去除第三牺牲层，可以不去除第三支撑部与衬底10之间的第三牺牲层，该部分第三牺牲层即为第三支撑层92，可以增加支撑强度。
可选的，参考图8，第一支撑层20的厚度为0.2-0.8μm；第一凸出部22和第二凸出部23邻近衬底10的表面与空腔的底面的距离为2-3μm；第一凹陷部24和第二凹陷部25的深度为0.6-1.5μm；参考图9，第三凸出部27和第四凸出部28邻近衬底10的表面与衬底10的第一表面之间的距离为2-3μm；第三凸出部27的深度为0.6-1.5μm。
其中，参考图8，第一凸出部22和第二凸出部23与空腔的底面的距离均为S4，S4为2-3μm。第一凹陷部24和第二凹陷部25的深度均为S5，S5为0.6-1.5μm。沿谐振区60指向第二边缘区80的方向第一凹陷部24和第二凹陷部25的宽度为S6，S4、S5和S6均由第一牺牲层的尺寸决定。在衬底10上可以设置第一牺牲层，在第一牺牲层上形成第一支撑层20，第一牺牲层的厚度与S4相同为2-3μm，在第一牺牲层上刻蚀第一凹槽和第二凹槽，第一凹陷部24和第二凹陷部25分别形成于第一凹槽和第二凹槽内，第一凹槽和第二凹槽的深度与第一凹陷部24和第二凹陷部25的深度S5相同为0.6-1.5μm，第一凹槽和第二凹槽的宽度为10-15μm。第一支撑层采用上述尺寸，保证第一支撑层位于第二边缘区的部分可以较好的反射横向声波，并且制备工艺较为简单。
参考图9，第三凸出部27和第四凸出部28与衬底10的第一表面之间的距离为S3、第三凸出部27的深度为S7、第三凸出部27和第四凸出部28相邻的边之间的距离为S8以及沿谐振区60指向第二边缘区80的方向，第二支撑部26的宽度为S9，S3、S7、S8和S9均由第三牺牲层的尺寸决定。在衬底10上可以设置第三牺牲层，在第三牺牲层上形成第一支撑层20，可以在第三牺牲层上形成第三凹槽、第四凹槽和第五凹槽，第三凸出部27和第四凸出部28与衬底10的第一表面之间的距离相同为2-3μm；第四凹槽和第五凹槽的深度与第三凸出部27的深度相同为0.6-1.5μm；第四凹槽的宽度为5-10μm，；沿谐振区60指向第二边缘区80的方向，第三凹槽的宽度为5-10μm，第二支撑部26的宽度小于第三凹槽的宽度。设置第一支撑层采用上述尺寸，保证第一支撑层位于第二边缘区的部分可以较好的反射横向声波，并且制备工艺较为简单。
可选的，图10是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图10，第一凸出部22设置有第一释放孔291，第一释放孔291贯穿第一支撑层20；图9是本发明实施例一提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，参考图9，第三凸出部27设置有第二释放孔292，第二释放孔292贯穿第一支撑层20；第一释放孔291和第二释放孔292的孔径为10μm。
其中，由于在谐振器结构形成过程中，需要衬底10的第一表面上设置牺牲层，并在牺牲层上形成第一支撑层20、底电极30、压电层40和顶电极50，通过刻蚀第一支撑层20形成的第一释放孔291，或者通过刻蚀第三凸出部27形成的第二释放孔292，可以去除牺牲层，在去除牺牲层后，衬底10和第一支撑层20之间可以形成空腔。
可选的，压电层的材料包括AlN、AlScN、LiNbO3和LiTaO3的多晶或单晶材料，以及铁电单晶材料中的至少一种；第一支撑层的材料为多晶硅或者氮化硅。
其中，AlN、AlScN、LiNbO3和LiTaO3的多晶或单晶材料，压电性能较好，工艺较为成熟，而为了改善传统压电层材料的机电耦合系数无法满足较大带宽的要求，压电层也可以采用高压电系数的铁电单晶，示例性的，可以采用掺杂铟(In)的复合钙钛矿结构的固溶体(PMN-PT单晶)。第一支撑层的材料为多晶硅或者氮化硅，可以将薄膜体声波谐振器结构支撑于衬底之上，可利用第一支撑层或底电极进行电信号传输。
实施例二
本发明实施例在上述实施例的基础上提供了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，图12是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图，参考图12，该方法包括：
步骤110、提供一衬底；谐振器包括谐振区和环绕谐振区的第一边缘区和第二边缘区，第二边缘区环绕第一边缘区。
其中，衬底材料可以是玻璃，氧化铝(Al2O3)或高阻硅。
步骤120、在衬底上形成空腔。
其中，图13是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的空腔结构示意图；参考图13，可以通过刻蚀工艺对衬底10进行图形刻蚀，形成2-3μm深的空腔11。
步骤130、在空腔中设置第一牺牲层，并在第一牺牲层上形成第一凹槽和第二凹槽；其中，第一凹槽和第二凹槽位于第二边缘区，且第一凹槽设置于第二凹槽远离谐振区的一侧，第一凹槽和第二凹槽的深度小于第一牺牲层的厚度。
其中，图14是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图，参考图14，在空腔中进行沉积工艺形成第一牺牲层12，示例性的，可以进行二氧化硅沉积，之后在整个晶圆表面进行化学机械抛光(CMP)研磨，只保留空腔内的第一牺牲层12，且空腔内第一牺牲层12的上表面与衬底10的上表面平齐；图15是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图，参考图15，对空腔里的第一牺牲层12进行图形刻蚀，形成第一凹槽13和第二凹槽14。
步骤140、在第一牺牲层上形成第一支撑层；第一支撑层设置于第一边缘区和第二边缘区；其中，第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一凹陷部位于第一凹槽内，第二凹陷部位于第二凹槽内，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，在第二边缘区指向谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置。其中，图16是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图，参考图16，在第一牺牲层12表面沉积支撑层，示例性的，支撑层20可以是多晶硅；对第一牺牲层12表面沉积支撑层进行图形刻蚀，将谐振区的部分或全部支撑层刻蚀掉，形成第一支撑层20。
步骤150、在第一支撑层形成第二牺牲层；其中，第二牺牲层覆盖第一支撑层未覆盖的第一牺牲层。
其中，图17是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图，参考图17，在第一支撑层20上沉积第二牺牲层15，沉积第二牺牲层15的厚度与第一支撑层20的厚度一致，对第二牺牲层15进行图形刻蚀，刻蚀掉第一支撑层20上覆盖的第二牺牲层15，再对第二牺牲层15进行CMP磨平，使第二牺牲层15上表面与第一支撑层20上表面平齐。
步骤160、在第二牺牲层上依次形成底电极、压电层和顶电极；顶电极设置于谐振区，压电层和底电极设置于第一边缘区和谐振区，且底电极与第二凸出部远离衬底的表面接触；第一凹陷部和第二凹陷部邻近衬底的表面与衬底远离底电极的第二表面之间的距离小于第一凸出部和第二凸出部邻近衬底的表面与衬底的第二表面之间的距离。
其中，图18是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备工艺示意图，参考图18，在谐振区和第一边缘区形成第一电极层；将位于第二边缘区一侧的第一电极层去除，形成底电极30；在底电极30表面形成压电层40；在压电层40表面形成第二电极层；去除第一边缘区的第二电极层，形成顶电极50。
步骤170、去除第一牺牲层和第二牺牲层。
其中，参考图10、图12-图18，可以通过第一释放孔291去除第一牺牲层12和第二牺牲层15。从第一释放孔291倒入可以腐蚀第一牺牲层12和第二牺牲层15的溶液，使得第一牺牲层12和第二牺牲层15被去除形成空腔11，而位于第一凹陷部与衬底10之间的第一牺牲层12被保留形成第二支撑层91，用来增强整体结构的稳定性。
本发明实施例在上述实施例的基础上还提供了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，图19是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图，参考图19，该方法包括：
步骤210、提供一衬底；谐振器包括谐振区和环绕谐振区的第一边缘区和第二边缘区，第二边缘区环绕第一边缘区。
其中，步骤210的实施方式和有益效果与步骤110相同。
步骤220、在衬底的第一表面上设置第三牺牲层，并在第三牺牲层上形成第三凹槽、第四凹槽和第五凹槽；其中，第三凹槽、第四凹槽和第五凹槽位于第二边缘区，且第三凹槽和第五凹槽设置于第四凹槽远离谐振区的一侧，第五凹槽在衬底上的垂直投影覆盖第三凹槽在衬底的垂直投影，第三凹槽贯穿第三牺牲层，第四凹槽和第五凹槽的深度小于牺牲层的厚度。
其中，图20是本发明实施例二提供的一种薄膜体声波谐振器的牺牲层结构示意图，参考图20，在衬底10上沉积第三牺牲层16，示例性的，第三牺牲层16可以是二氧化硅牺牲层，并且对第三牺牲层16进行刻蚀图形刻蚀，形成第三凹槽17；图21是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图，参考图21，对第三牺牲层16进行二次图形刻蚀，形成第四凹槽18以及第五凹槽19。
步骤230、在第三牺牲层表面形成第一支撑层；第一支撑层设置于第一边缘区和第二边缘区；其中，第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部位于第三凹槽内，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，第三凸出部位于第五凹槽和第四凹槽之间，第三凸出部和第四凸出部邻近衬底的表面与衬底的第一表面的距离大于第二悬浮部的其他区域邻近衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，第一支撑层的第二悬浮部与衬底的第一表面不接触。
其中，图22是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图，参考图22，可以通过沉积工艺在第三牺牲层16表面形成支撑层，示例性的，可以进行多晶硅沉积形成支撑层，对支撑层进行图形刻蚀，刻蚀掉谐振区内的支撑层，形成第一支撑层20。
步骤240、在第一支撑层形成第四牺牲层；其中，第四牺牲层覆盖第一支撑层未覆盖的第三牺牲层。
其中，图23是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图，参考图23，在第一支撑层上沉积第四牺牲层161，沉积第四牺牲层161的厚度与第一支撑层20的厚度一致，对第四牺牲层161进行图形刻蚀，刻蚀掉第一支撑层20上覆盖的第四牺牲层161，在对第四牺牲层161进行CMP磨平，使第四牺牲层161上表面与第一支撑层20上表面平齐。
步骤250、在第四牺牲层上依次形成底电极、压电层和顶电极；顶电极设置于谐振区，压电层和底电极设置于第一边缘区和谐振区，底电极与第四凸出部远离衬底的表面接触。
其中，图24是本发明实施例二提供的又一种薄膜体声波谐振器的制备方法流程图，参考图24，在谐振区和第一边缘区形成第一电极层；将位于第二边缘区一侧的第一电极层去除，形成底电极30；在底电极30表面形成压电层40；在压电层40表面形成第二电极层；去除第一边缘区的第二电极层，形成顶电极50。
步骤260、去除第三牺牲层和第四牺牲层。
其中，参考图11、图20-图24，可以通过第二释放孔292去除第三牺牲层16和第四牺牲层161。从第二释放孔292倒入可以腐蚀第三牺牲层16和第四牺牲层161的溶液，使得第三牺牲层16和第四牺牲层161被去除形成空腔，而位于第一支撑层20中的第三支撑部与衬底10之间第三牺牲层16被保留形成第三支撑层92，用来增强整体结构的稳定性。
可选的，参考图20和与图21，在衬底10的第一表面上设置第三牺牲层16，包括：在衬底10上沉积第三牺牲层16；对第三牺牲层16进行刻蚀，形成第三凹槽17，其中，第三凹槽17的深度等于第三牺牲层16的厚度；对第三牺牲层16进行二次刻蚀，形成第四凹槽18和第五凹槽19，其中，第四凹槽18和第五凹槽19的深度小于第三牺牲层16的厚度，第四凹槽18和第五凹槽19的深度相同；第五凹槽19在衬底10的垂直投影覆盖第三凹槽17在衬底10的垂直投影，且沿第二边缘区指向谐振区的方向，第五凹槽19的宽度大于第三凹槽16的宽度。
其中，通过在第三牺牲层16上刻蚀第三凹槽17、第四凹槽18和第五凹槽19有助于后续第一支撑层20形成第二支撑部26、第三凸出部27和第四凸出部28，可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，可以有效的减少传统薄膜体声波谐振器振动能量向衬底10泄露的问题，极大的提高了谐振器的Q值。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
依次层叠设置的衬底、第一支撑层、底电极、压电层和顶电极；
所述谐振器包括谐振区和环绕所述谐振区的第一边缘区和第二边缘区，所述第二边缘区环绕所述第一边缘区；所述顶电极设置于所述谐振区，所述压电层和所述底电极设置于所述第一边缘区和所述谐振区；所述第一支撑层设置于所述第一边缘区和所述第二边缘区；
所述第一支撑层位于所述第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，所述第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，所述第一支撑层位于所述第一边缘区的部分包括第二凸出部，所述第一支撑部与所述衬底接触，所述第一凹陷部、所述第一凸出部、所述第二凹陷部和所述第二凸出部与所述衬底不接触，在所述第二边缘区指向所述谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置；所述衬底邻近所述第一支撑层的第一表面具有空腔，所述谐振区、所述第一边缘区和除第一支撑部之外的所述第二边缘区在所述衬底的垂直投影位于所述空腔内，所述第一凹陷部和所述第二凹陷部邻近所述衬底的表面与所述衬底远离所述底电极的第二表面之间的距离小于所述第一凸出部和所述第二凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第二表面之间的距离，所述底电极与所述第二凸出部远离所述衬底的表面接触；
或者，所述衬底邻近所述第一支撑层的第一表面为平面，所述第一支撑层位于所述第二边缘区的部分包括第二支撑部，所述第二支撑部与所述衬底接触，所述第一支撑层还包括位于所述第二支撑部和所述第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，所述第一边缘区包括第四凸出部，所述第三凸出部和所述第四凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第一表面的距离大于所述第二悬浮部的其他区域邻近所述衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，所述底电极与所述第四凸出部远离所述衬底的表面接触，所述第一支撑层的第二悬浮部与所述衬底的第一表面不接触。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
所述第一凹陷部和所述第二凹陷部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第二表面之间的距离相同，所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第一支撑部邻近所述衬底的表面与所述衬底第二表面之间的距离相同；
所述第三凸出部和所述第四凸出部与所述衬底的第一表面之间的距离相同。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
所述第一支撑层还设置于部分所述谐振区；
所述第二凸出部延伸至所述谐振区；
所述第四凸出部延伸至所述谐振区。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
所述第一凹陷部与衬底之间还包括第二支撑层；
所述第一支撑层还包括位于所述第二支撑部远离所述谐振区一侧的第三支撑部，所述第三支撑部与所述衬底之间设置有第三支撑层。
5.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，
所述第一支撑层的厚度为0.2-0.8μm；
所述第一凸出部和所述第二凸出部邻近所述衬底的表面与所述空腔的底面的距离为2-3μm；所述第一凹陷部和所述第二凹陷部的深度为0.6-1.5μm；沿所述谐振区指向所述第二边缘区的方向；
所述第三凸出部和所述第四凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第一表面之间的距离为2-3μm；所述第三凸出部的深度为0.6-1.5μm。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：
第一凸出部设置有第一释放孔，所述第一释放孔贯穿所述第一支撑层；
所述第三凸出部设置有第二释放孔，所述第二释放孔贯穿所述第一支撑层；
所述第一释放孔和所述第二释放孔的孔径为10μm。
7.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括AlN、AlScN、LiNbO3和LiTaO3的多晶或单晶材料，以及铁电单晶材料中的至少一种；
所述第一支撑层的材料为多晶硅或者氮化硅。
8.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；所述谐振器包括谐振区和环绕所述谐振区的第一边缘区和第二边缘区，所述第二边缘区环绕所述第一边缘区；
在所述衬底上形成空腔；
在所述空腔中设置第一牺牲层，并在所述第一牺牲层上形成第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述第二边缘区，且所述第一凹槽设置于所述第二凹槽远离所述谐振区的一侧，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度小于所述第一牺牲层的厚度；
在所述第一牺牲层上形成第一支撑层；所述第一支撑层设置于所述第一边缘区和所述第二边缘区；其中，所述第一支撑层位于所述第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，所述第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，所述第一支撑层位于所述第一边缘区的部分包括第二凸出部，所述第一凹陷部位于所述第一凹槽内，所述第二凹陷部位于所述第二凹槽内，所述第一支撑部与所述衬底接触，所述第一凹陷部、所述第一凸出部、所述第二凹陷部和所述第二凸出部与所述衬底不接触，在所述第二边缘区指向所述谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置；
在所述第一支撑层形成第二牺牲层；其中，所述第二牺牲层覆盖所述第一支撑层未覆盖的所述第一牺牲层；
在所述第二牺牲层上依次形成底电极、压电层和顶电极；所述顶电极设置于所述谐振区，所述压电层和所述底电极设置于所述第一边缘区和所述谐振区，且所述底电极与所述第二凸出部远离所述衬底的表面接触；所述第一凹陷部和所述第二凹陷部邻近所述衬底的表面与所述衬底远离所述底电极的第二表面之间的距离小于所述第一凸出部和所述第二凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第二表面之间的距离；
去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。
9.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；所述谐振器包括谐振区和环绕所述谐振区的第一边缘区和第二边缘区，所述第二边缘区环绕所述第一边缘区；
在所述衬底的第一表面上设置第三牺牲层，并在所述第三牺牲层上形成第三凹槽、第四凹槽和第五凹槽；其中，所述第三凹槽、所述第四凹槽和所述第五凹槽位于所述第二边缘区，且所述第三凹槽和所述第五凹槽设置于所述第四凹槽远离所述谐振区的一侧，所述第五凹槽在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第三凹槽在所述衬底的垂直投影，所述第三凹槽贯穿所述第三牺牲层，所述第四凹槽和所述第五凹槽的深度小于所述牺牲层的厚度；
在所述第三牺牲层表面形成第一支撑层；所述第一支撑层设置于所述第一边缘区和所述第二边缘区；其中，所述第一支撑层位于所述第二边缘区的部分包括第二支撑部，所述第二支撑部位于所述第三凹槽内，所述第二支撑部与所述衬底接触，所述第一支撑层还包括位于所述第二支撑部和所述第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，所述第一边缘区包括第四凸出部，所述第三凸出部位于所述第五凹槽和所述第四凹槽之间，所述第三凸出部和所述第四凸出部邻近所述衬底的表面与所述衬底的第一表面的距离大于所述第二悬浮部的其他区域邻近所述衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，所述第一支撑层的第二悬浮部与所述衬底的第一表面不接触；
在所述第一支撑层形成第四牺牲层；其中，所述第四牺牲层覆盖所述第一支撑层未覆盖的所述第三牺牲层；
在所述第四牺牲层上依次形成底电极、压电层和顶电极；所述顶电极设置于所述谐振区，所述压电层和所述底电极设置于所述第一边缘区和所述谐振区，所述底电极与所述第四凸出部远离所述衬底的表面接触；
去除所述第三牺牲层和所述第四牺牲层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底的第一表面上设置第三牺牲层，包括：
在所述衬底上沉积第三牺牲层；
对所述第三牺牲层进行刻蚀，形成第三凹槽，其中，所述第三凹槽的深度等于所述第三牺牲层的厚度；
对所述第三牺牲层进行二次刻蚀，形成第四凹槽和第五凹槽，其中，所述第四凹槽和所述第五凹槽的深度小于所述第三牺牲层的厚度，所述第四凹槽和所述第五凹槽的深度相同；所述第五凹槽在所述衬底的垂直投影覆盖所述第三凹槽在所述衬底的垂直投影，且沿所述第二边缘区指向所述谐振区的方向，所述第五凹槽的宽度大于所述第三凹槽的宽度。
CN202310896932.8A 2023-07-20 2023-07-20 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 Pending CN116865712A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310896932.8A CN116865712A (zh) 2023-07-20 2023-07-20 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310896932.8A CN116865712A (zh) 2023-07-20 2023-07-20 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116865712A true CN116865712A (zh) 2023-10-10

Family

ID=88233965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310896932.8A Pending CN116865712A (zh) 2023-07-20 2023-07-20 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116865712A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110113026B (zh) 一种二维兰姆波谐振器
KR100799391B1 (ko) 박막 음향공진기 및 그 제조방법
US9479139B2 (en) Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer
JP4113637B2 (ja) 音響共振器とその製作方法
US9197185B2 (en) Resonator device including electrodes with buried temperature compensating layers
CN111294010B (zh) 一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺
KR100758093B1 (ko) 박막 압전 공진기, 필터 및 전압 제어 발진기
CN101026368A (zh) 膜体声谐振器及其制造方法
JP7138988B2 (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
CN112311347B (zh) 一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子q值的结构
JP2003505906A (ja) 共振子構造およびその共振子構造を備えるフィルタ
WO2022012334A1 (zh) 压电层双侧设置质量负载的体声波谐振器、滤波器及电子设备
JP7194476B2 (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
CN116633310B (zh) 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
US10771032B2 (en) Method for manufacturing piezoelectric thin-film element
KR102694397B1 (ko) 벌크 음향 공진기 및 그의 제조 방법, 필터 및 전자 디바이스
JP2022507223A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
KR20200052928A (ko) 압전 공진기 및 압전 공진기의 제조방법
JP4028468B2 (ja) 薄膜圧電共振器
KR20040091407A (ko) 기판으로부터 부양된 에어갭을 갖는 박막 벌크 음향공진기 및 그 제조방법
CN220798237U (zh) 一种薄膜体声波谐振器
CN116896346A (zh) 一种体声波谐振器、形成方法、滤波器、通信设备及终端
CN116865712A (zh) 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN115412047A (zh) 一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器以及电子设备
JP7199758B2 (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20240507

Address after: 214135 China Sensor Network International Innovation Park F2, 200 Linghu Avenue, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province

Applicant after: SV SENSTECH (WUXI) CO.,LTD.

Country or region after: China

Address before: 2 / F, building 3, 439 Chunxiao Road, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai, 201203

Applicant before: Maigan Microelectronics (Shanghai) Co.,Ltd.

Country or region before: China

TA01 Transfer of patent application right