JP2010147870A - Ｂａｗ共振装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側の全面にＰＺＴ層からなる犠牲層２０、下部電極３１、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を順次形成し、圧電層３２、下部電極３１、犠牲層２０を順次パターニングしてから、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび犠牲層２０の一部を露出させる複数のエッチングホール５を有する絶縁層４を形成し、その後、上部電極３３を形成する。次に、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、続いて、レジスト層６の開孔部７および絶縁層４の各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し犠牲層２０を選択的にエッチングすることにより空洞２を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振装置の製造方法に関するものである。

従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）型のＢＡＷ共振装置が各所で研究開発されている。

ここで、この種のＢＡＷ共振装置において、例えば、ＵＷＢ（Ultra Wide Band）用フィルタに応用する場合に、圧電層の材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能なＰＺＴ系材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）やＫＮＮなどを採用し、圧電層の結晶性を向上させるために下部電極と圧電層と上部電極との積層構造を有する共振子を支持する支持基板として単結晶ＭｇＯ基板や単結晶ＳＴＯ（：ＳｒＴｉＯ_３）基板を採用することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

ここにおいて、上記特許文献１には、例えば、図３（ｄ）に示すように、単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１’と、支持基板１’の一表面側に形成されＰｔ膜からなる下部電極３１’、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２’、Ｐｔ膜からなる上部電極３３’の積層構造を有する共振子３’とを備え、支持基板１’の上記一表面と共振子３’との間に空洞２’が形成されたＢＡＷ共振装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、上記特許文献１には、支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。

以下、図３（ｄ）に示した構成のＢＡＷ共振装置の製造方法について図３を参照しながら説明する。

まず、単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１’の上記一表面側の全面にＭｇＯ層からなる犠牲層２０’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して犠牲層２０’を所定形状にパターニングすることによって、図３（ａ）に示す構造を得る。

その後、支持基板１’の上記一表面側の全面にＰｔ膜からなる下部電極３１’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１’を所定形状にパターニングすることによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。ここで、下部電極３１’は、支持基板１’の上記一表面と犠牲層２０’の表面とに跨って残るようにパターニングする。

その後、支持基板１’の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、引き続いて、支持基板１’の上記一表面側の全面にＰｔ膜からなる上部電極３３’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３’を所定形状にパターニングすることによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。

その後、圧電層３２’に、厚み方向に貫通し犠牲層２０’を露出させるエッチングホール（図示せず）を形成してから、当該エッチングホールを通して燐酸溶液からなるエッチング液を導入し犠牲層２０’を選択的にエッチングすることで空洞２’を形成することによって、図３（ｄ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
特開２００３−１６３５６６号公報

しかしながら、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、ＭｇＯ層からなる犠牲層２０’を燐酸溶液からなるエッチング液によりエッチングする際に、エッチングレートが１〜５μｍ／ｍｉｎ程度と遅いので、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２’が上記エッチング液により侵食されて歩留まりが低下してしまう。

また、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２’を、支持基板１’と所定形状にパターニングされた下部電極３１’とに跨る形で形成するので、結晶性の良好な圧電層３２’を得るのが難しく、圧電層３２’の結晶性の改善による電気機械結合係数（ｋ_eff）および機械的品質係数（Ｑ値）の向上が望まれていた。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供することにある。

請求項１の発明は、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面と共振子の下部電極および絶縁層における共振子の周部との間に空洞が形成されるとともに、絶縁層に、空洞に連通する空洞形成用のエッチングホールが形成されてなるＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層形成工程の後で犠牲層上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、下部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電層および下部電極をそれぞれ第１の所定形状、第２の所定形状にパターニングする圧電層・下部電極パターニング工程と、当該圧電層・下部電極パターニング工程の後で犠牲層を第３の所定形状にパターニングする犠牲層パターニング工程と、犠牲層パターニング工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層の一部を露出させる開孔部および犠牲層の一部を露出させる前記エッチングホールを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層形成工程の後で上部電極を形成する上部電極形成工程と、上部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に上部電極および絶縁層を覆い且つエッチングホールに対応する部位に開孔部を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層形成工程の後でレジスト層の開孔部および絶縁層のエッチングホールを通してエッチング液を導入し犠牲層を選択的にエッチングすることにより空洞を形成する空洞形成工程とを備え、犠牲層形成工程では、犠牲層として圧電層と同じ材料からなる犠牲層を形成することを特徴とする。

この発明によれば、圧電層、下部電極および犠牲層それぞれのパターニングは支持基板の一表面側に圧電層を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層の形成時に下地に段差がなく、しかも、犠牲層の材料が圧電層と同じ材料であるので、圧電層の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上でき、また、犠牲層をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホールを、共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層に形成しているので、エッチングホールを形成することで圧電層が露出することもなく、その上、犠牲層として圧電層と同じ材料を採用しているので、犠牲層の材料がＭｇＯである場合に比べて犠牲層のエッチングレートを速くできてエッチング時間を短縮することができ、犠牲層をエッチングする際に圧電層が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記犠牲層の材料および前記圧電層の材料がＰＺＴ系材料であることを特徴とする。

この発明によれば、前記圧電層の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。

請求項１の発明では、圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるという効果がある。

本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、図１（ｇ）に示すように、支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成され下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する共振子３と、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４とを備え、支持基板１の上記一表面と共振子３の下部電極３１および絶縁層４における共振子３の周部との間に空洞２が形成されるとともに、絶縁層４に、空洞２に連通する空洞形成用の複数のエッチングホール５が形成されている。要するに、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へのバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしたＦＢＡＲを構成している。

上述の共振子３は、下部電極３１が支持基板１側に形成され、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に圧電層３２が形成され、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に上部電極３３が形成されている。

また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述の絶縁層４に、上部電極３３と圧電層３２との接触面積を規定する開孔部４ａが形成されており、圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が共振領域を構成している。

本実施形態のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の材料（圧電材料）として、ＰＺＴを採用しており、圧電層３２は、（００１）配向のＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。なお、ＰＺＴ薄膜は、単結晶膜もしくは単一配向膜であればよく、配向は（００１）配向に限らず、例えば、（１１１）配向でもよい。

また、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しているが、ＰＺＴ系材料であれば、ＰＺＴに限らず、不純物を添加したＰＺＴやＰＭＮ−ＰＺＴなどでもよく、圧電材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層３２の圧電材料としては、ＰＺＴ系材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３）や、ＫＮ（ＫＮｂＯ_３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ_３）、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものなどのＫＮＮ系材料を用いてもよく、ＰＺＴ系材料を用いる場合に比べて、環境負荷を軽減できるという利点がある。

また、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板を用いているが、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＳＴＯ基板を用いてもよい。

ところで、圧電層３２は、平面視における全領域が下部電極３１上に形成されており、圧電層３２の外周線は、下部電極３１の外周線よりも内側に位置しているが、圧電層３２の平面視のパターンを下部電極３１の平面視のパターンと同じとしてもよい。

また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１の金属材料としてＰｔを採用しているが、下部電極３１の材料はＰｔに限定するものではなく、後述の製造方法で説明する犠牲層２０（図１（ｆ）参照）をエッチングする際のエッチング液に対して耐性を有し、圧電層３２の圧電材料との格子整合性の良い材料であればよく、例えば、ＳＲＯ（：ＳｒＲｕＯ_３）やＩｒなどを採用してもよい。また、上部電極３３の金属材料としてＡｌを採用しているが、Ａｌに限らず、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｐｔなどを採用すれば、上部電極３３の金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、上部電極３３の機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。

また、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ_２を採用しているが、ＳｉＯ_２に限らず、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４を採用してもよい。また、絶縁層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ_２からなる第１の絶縁膜とＳｉ_３Ｎ_４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。

なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。

また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述のように、絶縁層４に、厚み方向に貫通し空洞２に連通する複数（本実施形態では、２つ）のエッチングホール５，５が形成されているが、これらのエッチングホール５，５は、平面視における共振子３の中心までの距離が略等しくなるような位置に形成することが望ましい。また、各エッチングホール５の開口形状は矩形状（ここでは、正方形状）となっているが、開口形状は特に限定するものではない。

以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図１を参照しながら説明する。

まず、上記一表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側の全面にＰＺＴ層からなる犠牲層２０をスパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などにより形成する犠牲層形成工程を行うことによって、図１（ａ）に示す構造を得る。

その後、支持基板１の上記一表面側の全面に例えばＰｔ膜からなる下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２をスパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などにより形成する圧電層形成工程を行うことによって、図１（ｂ）に示す構造を得る。なお、上述の犠牲層形成工程と下部電極形成工程と圧電層形成工程とで成膜方法としてスパッタ法を採用するようにすれば、犠牲層２０と下部電極３１と圧電層３２とを連続的に形成することが可能となる。また、下部電極形成工程では、下部電極３１としてＰｔ膜の代わりに、ＳＲＯ膜やＩｒ膜を形成してもよい。

上述の圧電層形成工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２を第１の所定形状にパターニングする第１のパターニング工程を行い、さらに、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１を第２の所定形状にパターニングする第２のパターニング工程を行い、その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して犠牲層２０を第３の所定形状にパターニングする第３のパターニング工程を行うことによって、図１（ｃ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、第１のパターニング工程と第２のパターニング工程とで、圧電層３２および下部電極３１をそれぞれ第１の所定形状、第２の所定形状にパターニングする圧電層・下部電極パターニング工程を構成し、第３のパターニング工程が、犠牲層を第３の所定形状にパターニングする犠牲層パターニング工程を構成している。ここで、圧電層３２の平面視のパターンを下部電極３１の平面視のパターンと同じに設定してある場合には、圧電層３２のパターニングと下部電極３１のパターニングとを同一のマスクを利用し一括して行うことができる。

上述の第３のパターニング工程の後、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび犠牲層２０の一部を露出させる各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図１（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁層形成工程では、支持基板１の上記一表面側の全面に例えばＳｉＯ_２からなる絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成してからフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層４に開孔部４ａおよび各エッチングホール５を同時に形成している。なお、絶縁層形成工程では、開孔部４ａおよび各エッチングホール５の形成予定領域にレジスト層を形成してから絶縁層４をスパッタ法などにより成膜してレジスト層および当該レジスト層上の絶縁層４を除去するリフトオフを行うことにより開孔部４ａおよび各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成するようにしてもよい。

上述の絶縁層形成工程の後、支持基板１の上記一表面側にＡｌ膜からなる上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図１（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、上部電極形成工程では、支持基板１の上記一表面側の全面に上部電極３３をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３を第４の所定形状にパターニングしている。なお、上部電極形成工程では、上部電極３３としてＡｌ膜に代えて、Ｍｏ膜、Ｗ膜、Ｉｒ膜、Ｃｒ膜、Ｒｕ膜、Ｐｔ膜などを形成してもよい。

上述の上部電極形成工程の後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を覆い且つ各エッチングホール５に対応する部位に開孔部７を有するレジスト層６を形成するレジスト層形成工程を行うことによって、図１（ｆ）に示す構造を得る。

その後、レジスト層６の開孔部７およびエッチングホール５を通してエッチング液を導入し犠牲層２０を選択的にエッチングすることにより空洞２を形成する空洞形成工程を行うことによって、図１（ｇ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。ここで、支持基板１として、上述のように単結晶ＭｇＯ基板を用い、犠牲層２０をＰＺＴ層により構成している場合には、例えば燐酸水溶液などを用いればよい。なお、燐酸水溶液によるＰＺＴのエッチングレートは、燐酸水溶液の濃度や温度にもよるが、ＭｇＯのエッチングレートの３倍以上とすることができる。

上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。なお、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２をＰＺＴ薄膜により構成し、犠牲層２０をＰＺＴ層により構成する例について説明したが、圧電層３２をＫＮＮにより構成する場合には、犠牲層２０をＫＮＮ層により構成すればよい。

以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、圧電層３２、下部電極３１および犠牲層２０それぞれのパターニングは支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層３２の形成時に下地が下部電極３１表面のみとなるから下地に段差がなく、しかも、犠牲層２０の材料が圧電層３２と同じ材料であるので、犠牲層２０と圧電層３２とが異種材料である場合に比べて、ＰＺＴ薄膜もしくはＫＮＮ薄膜からなる圧電層３２の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上できる。

また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、犠牲層２０をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホール５を、共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４に形成しているので、エッチングホール５を形成することで圧電層３２が露出することもなく、その上、犠牲層２０として圧電層３２と同じ材料を採用しているので、犠牲層２０の材料がＭｇＯである場合に比べて犠牲層２０のエッチングレートを速くできてエッチング時間を短縮することができ、犠牲層２０をエッチングする際にエッチング液が圧電層３２に到達して圧電層３２が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、空洞形成工程において、上部電極３３および絶縁層４における各エッチングホール５以外の部位がレジスト層７により覆われており、上部電極３３に犠牲層２０をエッチングするためのエッチング液が到達するのを防止できるので、上部電極３３の材料の選択肢が多くなるという利点もある。

また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法では、犠牲層２０の材料および圧電層３２の材料がＰＺＴ系材料であるので、圧電層３２の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。

上述のＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面側に共振子３が１個だけ形成されたものであるが、共振子３を支持基板１の上記一表面側に複数個形成して、図２に示すように、これら複数個の共振子３が例えばラダー型フィルタを構成するように接続すれば、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。

図２に示した構成のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組（図示例では、９組）備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が上部電極３３と連続して形成された金属配線３４を介して電気的に接続されている。また、各組の２個の共振子３に跨って形成された圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が各共振領域を構成している。なお、エッチングホール５の数やレイアウトは、共振子３の配置に応じて適宜設定すればよい。

実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。 同上のＢＡＷ共振装置の他の構成例を示す要部概略平面図である。 従来例を示すＢＡＷ共振装置の概略断面図である。

符号の説明

１ 支持基板
２ 空洞
３ 共振子
４ 絶縁層
４ａ 開孔部
５ エッチングホール
６ レジスト層
７ 開孔部
２０ 犠牲層
３１ 下部電極
３２ 圧電層
３３ 上部電極

Claims (2)

1. 単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面と共振子の下部電極および絶縁層における共振子の周部との間に空洞が形成されるとともに、絶縁層に、空洞に連通する空洞形成用のエッチングホールが形成されてなるＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層形成工程の後で犠牲層上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、下部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電層および下部電極をそれぞれ第１の所定形状、第２の所定形状にパターニングする圧電層・下部電極パターニング工程と、当該圧電層・下部電極パターニング工程の後で犠牲層を第３の所定形状にパターニングする犠牲層パターニング工程と、犠牲層パターニング工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層の一部を露出させる開孔部および犠牲層の一部を露出させる前記エッチングホールを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層形成工程の後で上部電極を形成する上部電極形成工程と、上部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に上部電極および絶縁層を覆い且つエッチングホールに対応する部位に開孔部を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層形成工程の後でレジスト層の開孔部および絶縁層のエッチングホールを通してエッチング液を導入し犠牲層を選択的にエッチングすることにより空洞を形成する空洞形成工程とを備え、犠牲層形成工程では、犠牲層として圧電層と同じ材料からなる犠牲層を形成することを特徴とするＢＡＷ共振装置の製造方法。
2. 前記犠牲層の材料および前記圧電層の材料がＰＺＴ系材料であることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。

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