CN108565337B - 以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法 - Google Patents
以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108565337B CN108565337B CN201810288366.1A CN201810288366A CN108565337B CN 108565337 B CN108565337 B CN 108565337B CN 201810288366 A CN201810288366 A CN 201810288366A CN 108565337 B CN108565337 B CN 108565337B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano
- layer
- material layer
- shielding layer
- resistance change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 89
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 77
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 16
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims description 16
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 8
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229940090044 injection Drugs 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 241001579016 Nanoa Species 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/257—Multistable switching devices, e.g. memristors having switching assisted by radiation or particle beam, e.g. optically controlled devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备单层或多层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行表面等离子定位处理及氧空位活化处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极。
Description
技术领域
本发明涉及本发明涉及阻变存储器技术领域。
背景技术
存储器在如今的信息时代无疑占据着非常重要的地位。随着半导体技术水平的不断进步，阻变存储器(Resistance random access memory，RRAM)得到越来越广泛的关注。RRAM具有制备工艺简单，密度高，集成度大、编程速度快，性能可靠稳定，能耗低，操作电压低等技术优势，而最关键的就是RRAM与CMOS工艺兼容，因此，RRAM已经成为下一代存储器最有力的竞争者之一。
阻变存储器的核心是一个金属/介质/金属(MIM)结构，依赖中间介质层的阻变效应实现存储功能。具有阻变效应的介质层在外加电场作用下会发生电阻状态(高阻态和低阻态)间的相互转换，从而形成“0”态和“1”态的二进制信息存储。已经确认有包括金属氧化物在内的许多材料都有显著的阻变性能。阻变存储器性能优劣的主要评价指标包括了开关阻值比、稳定性等等。开关阻值比低及稳定性差可导致存储器信息误读、误写以及数据可靠性的降低。因此，提高开关阻值比与改善稳定性已成为阻变研究的焦点。
根据阻变机理可知，氧空位作为以金属氧化物为代表的阻变材料中最常见的缺陷，同开关阻值比与稳定性均有密切关系。
在提高开关阻值比方面，优化阻变层制备工艺以提升品质减少氧空位缺陷，可以提高高阻态阻值，更重要的是降低低阻态阻值，即导电丝应更易形成与避免路径过长。导电丝的形成是以氧空位的聚集分布为基础，氧空位的断裂及聚集状态也正是金属氧化物阻变材料高低阻态之典型微观特征；在提高阻变稳定性方面，阻变存储器的稳定性来源于阻变层中导电丝的稳定，抑制导电丝的随机分布即可提高稳定度。而高聚集的氧空位定位分布正是均匀、稳定的导电丝形成基础。因此，提高阻变开关阻值比与改善稳定性都可以通过控制氧空位浓度及定位分布得到改善。
发明内容
本发明所要解决的主要技术问题是提供一种兼具较高开关阻值比和良好稳定性的阻变存储器制备方案，力求从工艺层面上改善阻变存储器的性能。
为了解决上述的技术问题，本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：
1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在第一阻变材料层的下方；
2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；
3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行经由表面等离子处理产生的离子流作用，形成沿阻变材料层厚度方向延伸的氧空位聚集作用；
在一较佳实施例中：在步骤3之后还包括步骤4、5：
4)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除所述纳米遮蔽层；
5)将去除纳米遮蔽层后的阻变材料层进行氮气气氛退火，以活化氧空位，形成沿第一阻变材料厚度方向延伸的第一导电丝；
在一较佳实施例中：在步骤5之后，还包括步骤6、7和8：
6)在阻变材料层的上表面再制备一层第二阻变材料层；
7)在第二阻变材料层的上表面制备一层第二纳米遮蔽层，所述第二纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的第二定位通道；
8)对第二纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的第二阻变材料层进行经由表面等离子处理产生的离子流作用，形成沿阻变材料层厚度方向延伸的氧空位聚集作用；
在一较佳实施例中：在步骤8之后还包括步骤9、10和11：
9)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除所述第二纳米遮蔽层；
10)将去第二除纳米遮蔽层后的第二阻变材料层进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在第二阻变材料层中形成以氧空位为基础的第二导电丝，所述第二导电丝沿着第二阻变材料层的厚度方向延伸，并且与第一导电丝保持连接；
11)在第二阻变材料层的上表面制备顶电极，并使导电丝连接阻变存储器的顶电极和底电极。
在一较佳实施例中：所述表面等离子处理种类包括但不局限于表面氩气等离子处理，所述等离子体产生方式包括但不局限于平板电容耦合射频等离子体装置。
在一较佳实施例中：所述纳米遮蔽层包括但不局限于经由阳极氧化生成的氧化铝纳米管阵列或经由液相沉积法生成的SiO2纳米球阵列；其中氧化铝纳米管即为所述定位通道，而2X2个SiO2纳米球之间包围形成的间隙构成所述定位通道。
在一较佳实施例中：所述经由阳极氧化生成的氧化铝纳米管阵列具体的制作步骤为：
①采用直流溅射工艺在阻变材料层的上表面沉积高纯度的金属铝层；
②将金属铝层在硫酸和草酸混合的电解液中使用直流电压进行电化学反应；
③将反应后的金属铝层浸入在鉻酸及磷酸的混合液中，移除表层的阳极氧化铝；
④进行第二阶段的阳极处理以形成规则的阳极氧化铝纳米管矩阵以形成所述纳米遮蔽层。
在一较佳实施例中：所述经由液相沉积法生成的SiO2纳米球阵列具体的制作步骤为：
采用H2SiF6的饱和SiO2凝胶同硼酸混合形成水溶液进行SiO2纳米球液相沉积，在50-60摄氏度的条件下，将阻变材料层浸入该溶液中，之后用去离子水冲洗，在阻变材料层的上表面得到SiO2纳米球矩阵以形成所述纳米遮蔽层。
在一较佳实施例中：所述的纳米遮蔽层和表面等离子处理的组合，可根据需要继续增加，即制备两层以上的纳米遮蔽层，形成两次以上的定位通道及相应两次以上的表面等离子处理的组合。
相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：
本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，在阻变材料层上制备一层具有纳米级尺寸间隙的纳米遮蔽层作为外部离子流的工艺遮蔽矩阵。在纳米遮蔽层的导引下，经由表面等离子处理产生的离子流作用将集中于纳米遮蔽层之中的纳米间隙，因而阻变材料层中氧空位浓度增加的区域也将集中于对应纳米间隙的区域，借助高度可控性的等离子处理作用改变阻变层中的氧空位浓度及分布，从而降低导电丝分布的随机性，改善阻变存储器均匀及稳定性。在一定程度上就实现了均匀及稳定的分布状态，阻变存储器的性能也将因而提高。
附图说明
图1-5为本发明优选实施例1中以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法的步骤流程图。
图6-13为本发明优选实施例2中以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法的步骤流程图。
图14-21为本发明优选实施例3中以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
实施例1
以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：
1)在硅衬底表面以直流溅射法制备Cr/Cu/Cr系列薄膜作为阻变存储器的底电极6；
2)在底电极6上继续用射频磁控溅射法制备一层100nm左右的TiO2薄膜作为阻变材料层1，如图1所示；
3)按如下步骤形成纳米遮蔽层2：
①采用直流溅射工艺在阻变材料层1上沉积形成一高纯度的金属铝层；
②将步骤①所述金属铝层在硫酸和草酸混合的电解液中使用直流电压进行电化学反应后，浸入在鉻酸及磷酸的混合液中，移除表层的阳极氧化铝；
③进行第二阶段的阳极处理以形成规则的阳极氧化铝纳米管矩阵以形成纳米遮蔽层。
在纳米遮蔽层2中，每个阳极氧化铝纳米管分别形成一个供由表面等离子体产生的离子流定向作用的定位通道5，如图2所示；
4)对纳米遮蔽层2进行功率为150w，时间为30min的表面氩气等离子处理，使得由表面等离子体产生的离子流定向作用3从所述定位通道5中注入阻变材料层1中，如图3所示；
5)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除纳米遮蔽层2，将去除纳米遮蔽层的阻变材料层1进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在阻变材料层1中形成以氧空位为基础的导电丝4，所述导电丝4沿着阻变材料层1的厚度方向延伸，如图4所示；
6)在阻变材料层1表面继续进行Cr/Cu/Cr系列薄膜制备作为阻变存储器的顶电极7，并使导电丝连接顶电极和底电极，整体流程完成，如图5所示。
经试验，该方法利用纳米遮蔽层对阻变层进行了金属离子定位注入，从而实现了阻变层中高浓度氧空位的受控分布，提高了以氧空位为基础的导电丝均匀性及稳定性，能够显著提高阻变存储器开关阻值比，并有效改善阻变存储器稳定性。
实施例2
实施例1是一层阻变材料层的方案，实施例2进一步提供了一种两层阻变材料层的方案，从而增加导电丝的长度。具体做法如下所述：
1)在硅衬底表面以直流溅射法制备Cr/Cu/Cr系列薄膜作为阻变存储器的底电极6；
2)在底电极6上继续用射频磁控溅射法制备一层100nm左右的TiO2薄膜作为阻变材料层1，如图6所示；
3)按如下步骤形成第一纳米遮蔽层2：
①采用直流溅射工艺在阻变材料层1上沉积形成一高纯度的金属铝层；
②将步骤①所述金属铝层在硫酸和草酸混合的电解液中使用直流电压进行电化学反应后，浸入在鉻酸及磷酸的混合液中，移除表层的阳极氧化铝；
③进行第二阶段的阳极处理以形成规则的阳极氧化铝纳米管矩阵以形成纳米遮蔽层。
在纳米遮蔽层2中，每个阳极氧化铝纳米管分别形成一个供由表面等离子体产生的离子流定向作用的定位通道5，如图7所示；
4)对第一纳米遮蔽层2进行功率为150w，时间为30min的表面氩气等离子处理，使得经由表面等离子体产生的离子流定向作用3从所述定位通道5中注入阻变材料层1中，如图8所示；
5)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除第一纳米遮蔽层，将去除纳米遮蔽层的阻变材料层1进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在阻变材料层1中形成以氧空位为基础的导电丝4，所述导电丝4沿着阻变材料层的厚度方向延伸。如图9所示；
6)在阻变材料层1上继续用射频磁控溅射法制备一层100nm左右的TiO2薄膜作为第二阻变材料层1，如图10所示；
7)按如下步骤形成第二纳米遮蔽层2：
①采用直流溅射工艺在阻变材料层1上沉积形成一高纯度的金属铝层；
②将步骤①所述金属铝层在硫酸和草酸混合的电解液中使用直流电压进行电化学反应后，浸入在鉻酸及磷酸的混合液中，移除表层的阳极氧化铝；
③进行第二阶段的阳极处理以形成规则的阳极氧化铝纳米管矩阵以形成纳米遮蔽层。
在纳米遮蔽层2中，每个阳极氧化铝纳米管分别形成一个供由表面等离子体产生的离子流定向作用的定位通道5，如图11所示；
8)对第二纳米遮蔽层进行对遮蔽层进行功率为150w，时间为30min的表面氩气等离子处理，使得经由表面等离子体产生的离子流定向作用3从所述第二定位通道5中注入第二阻变材料层1中，如图11所示；
9)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除纳米遮蔽层，将去除纳米遮蔽层的第二阻变材料层1进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在第二阻变材料层1中形成以氧空位为基础的导电丝4，所述导电丝4沿着阻变材料层的厚度方向延伸，并且第一及第二阻变层中的导电丝保持连接。如图12所示；
10)在第二阻变材料层1表面继续进行Cr/Cu/Cr系列薄膜制备作为阻变存储器的顶电极7，并使导电丝连接顶电极和底电极，整体流程完成，如图13所示。
实施例3
以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：
1)在硅衬底表面以直流溅射法制备Cr/Cu/Cr系列薄膜作为阻变存储器的底电极6；
2)在底电极6上继续用射频磁控溅射法制备一层100nm左右的TiO2薄膜作为阻变材料层1，如图14所示；
3)采用H2SiF6的饱和SiO2凝胶同硼酸混合形成水溶液进行SiO2纳米球液相沉积，在50-60摄氏度的条件下，将阻变材料层1浸入该溶液中，之后用去离子水冲洗，在阻变材料层的上表面得到SiO2纳米球矩阵以形成第一纳米遮蔽层2，每相邻的2x2个SiO2纳米球之间具有纳米间隙，该纳米间隙就形成了供由表面等离子体产生的离子流定向作用的定位通道5，如图15所示；
4)对纳米遮蔽层2进行功率为150w，时间为30min的表面氩气等离子处理，使得由表面等离子体产生的离子流定向作用3从所述定位通道5中注入第一阻变材料层1中，如图16所示；
5)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除纳米遮蔽层，将去除纳米遮蔽层的阻变材料层1进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在阻变材料层1中形成以氧空位为基础的导电丝4，所述导电丝4沿着阻变材料层的厚度方向延伸，如图17所示；
6)在阻变材料层1上继续用射频磁控溅射法制备一层100nm左右的TiO2薄膜作为第二阻变材料层1，如图18所示；
7)采用H2SiF6的饱和SiO2凝胶同硼酸混合形成水溶液进行SiO2纳米球液相沉积，在50-60摄氏度的条件下，将第二阻变材料层1浸入该溶液中，之后用去离子水冲洗，在第二阻变材料层的上表面得到SiO2纳米球矩阵以形成第二纳米遮蔽层2，每相邻的2x2个SiO2纳米球2之间具有纳米间隙，该纳米间隙就形成了供离子注入的第二定位通道5，如图19所示；
8)对第二纳米遮蔽层进行功率为150w，时间为30min的表面氩气等离子处理，使得由表面等离子体产生的离子流定向作用3从所述定位通道5中注入第二阻变材料层1中，如图19所示；
9)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除纳米遮蔽层，将去第二除纳米遮蔽层后的第二阻变材料层1进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在第二阻变材料层1中形成以氧空位为基础的第二导电丝4，所述第二导电丝4沿着第二阻变材料层1的厚度方向延伸，并且第一及第二阻变层中的导电丝保持连接。如图20所示；
10)在第二阻变材料层1表面继续进行Cr/Cu/Cr系列薄膜制备作为阻变存储器的顶电极7，并使导电丝连接顶电极和底电极，整体流程完成，如图21所示。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (9)
1.以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；
2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；
3)对纳米遮蔽层阵列中纳米尺寸间隙下的阻变材料层进行外部表面氩气等离子处理，形成沿阻变材料层厚度方向延伸的氧空位聚集作用。
2.根据权利要求1所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：在步骤3之后还包括步骤4、5：
4)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除所述纳米遮蔽层；
5)将去除纳米遮蔽层后的阻变材料层进行氮气气氛退火，以活化氧空位，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的第一导电丝，所述第一导电丝沿着第一阻变材料层的厚度方向延伸。
3.根据权利要求2所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：在步骤5之后，还包括步骤6、7和8：
6)在阻变材料层的上表面再制备一层第二阻变材料层；
7)在第二阻变材料层的上表面制备一层第二纳米遮蔽层，所述第二纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的的第二定位通道；
8)对第二纳米遮蔽层阵列中纳米尺寸间隙下的第二阻变材料层进行表面氩气等离子处理，形成沿阻变材料层厚度方向延伸的氧空位聚集作用。
4.根据权利要求3所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：在步骤8之后还包括步骤9、10和11：
9)用HF酸和盐酸的混合溶液清洗去除所述第二纳米遮蔽层；
10)将去第二除纳米遮蔽层后的第二阻变材料层进行氮气气氛退火，以活化氧空位；在第二阻变材料层中形成以氧空位为基础的第二导电丝，所述第二导电丝沿着第二阻变材料层的厚度方向延伸，并且与第一阻变层中的导电丝保持连接；
11)在第二阻变材料层的上表面制备顶电极，并使导电丝连接阻变存储器的顶电极和底电极。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：所述等离子处理方式包括表面氩气等离子处理，所述等离子产生方式包括平板电容耦合射频等离子体装置。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：所述纳米遮蔽层包括经由阳极氧化生成的氧化铝纳米管阵列或经由液相沉积法生成的SiO2纳米球阵列；其中氧化铝纳米管即为所述定位通道，而2X2个SiO2纳米球之间包围形成的间隙构成所述定位通道。
7.根据权利要求6所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：所述经由阳极氧化生成的氧化铝纳米管阵列具体的制作步骤为：
①采用直流溅射工艺在阻变材料层的上表面沉积高纯度的金属铝层；
②将金属铝层在硫酸和草酸混合的电解液中使用直流电压进行电化学反应；
③将反应后的金属铝层浸入在鉻酸及磷酸的混合液中，移除表层的阳极氧化铝；
④进行第二阶段的阳极处理以形成规则的阳极氧化铝纳米管矩阵以形成所述纳米遮蔽层。
8.根据权利要求6所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：所述经由液相沉积法生成的SiO2纳米球阵列具体的制作步骤为：
采用H2SiF6的饱和SiO2凝胶同硼酸混合形成水溶液进行SiO2纳米球液相沉积，在50-60摄氏度的条件下，将阻变材料层浸入该溶液中，之后用去离子水冲洗，在阻变材料层的上表面得到SiO2纳米球矩阵以形成所述纳米遮蔽层。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于：所述的纳米遮蔽层和表面等离子处理的组合，可根据需要继续增加，即制备两层以上的纳米遮蔽层，形成两次以上的定位通道及相应两次以上的表面等离子定位处理的组合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810288366.1A CN108565337B (zh) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | 以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810288366.1A CN108565337B (zh) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | 以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108565337A CN108565337A (zh) | 2018-09-21 |
| CN108565337B true CN108565337B (zh) | 2021-05-18 |
Family
ID=63533743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810288366.1A Active CN108565337B (zh) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | 以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108565337B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109292732B (zh) * | 2018-11-23 | 2020-05-29 | 吉林大学 | 一种具有等离子体聚焦性能的折线型纳米间隙及其制备方法 |
| CN110676374B (zh) * | 2019-05-22 | 2020-06-09 | 集美大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
| US11196000B2 (en) * | 2019-11-01 | 2021-12-07 | International Business Machines Corporation | Low forming voltage non-volatile memory (NVM) |
| CN117529222B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-22 | 华中科技大学 | 一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102212316A (zh) * | 2011-05-10 | 2011-10-12 | 天津理工大学 | 一种用于氧化锌化学机械平坦化的酸性纳米抛光液及应用 |
| CN103594622A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-02-19 | 北京大学 | 高一致性的阻变存储器结构及其制备方法 |
| US9006023B2 (en) * | 2012-10-16 | 2015-04-14 | Intermolecular, Inc. | Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells |
| CN102157684B (zh) * | 2010-12-17 | 2015-04-15 | 天津理工大学 | 一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器 |
| EP2924751A1 (fr) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de mémoire vive résistive |
| CN106098937A (zh) * | 2016-08-22 | 2016-11-09 | 电子科技大学 | 一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102479925A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 中国科学院微电子研究所 | 具有高变比能力的电阻转变存储器结构及其制备方法 |
| CN106910822A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-30 | 电子科技大学 | 一种阻变薄膜存储器及其制备方法 |
-
2018
- 2018-04-03 CN CN201810288366.1A patent/CN108565337B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102157684B (zh) * | 2010-12-17 | 2015-04-15 | 天津理工大学 | 一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器 |
| CN102212316A (zh) * | 2011-05-10 | 2011-10-12 | 天津理工大学 | 一种用于氧化锌化学机械平坦化的酸性纳米抛光液及应用 |
| US9006023B2 (en) * | 2012-10-16 | 2015-04-14 | Intermolecular, Inc. | Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells |
| CN103594622A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-02-19 | 北京大学 | 高一致性的阻变存储器结构及其制备方法 |
| EP2924751A1 (fr) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de mémoire vive résistive |
| CN106098937A (zh) * | 2016-08-22 | 2016-11-09 | 电子科技大学 | 一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Bipolar resistive switching in amorphous titanium oxide thin film";Hu Young Jeong等;《P hys. Status Solidi RRL》;20091127;第4卷(第1-2期);第28-30页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108565337A (zh) | 2018-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108389964B (zh) | 以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法 | |
| CN108565337B (zh) | 以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法 | |
| Zhang et al. | Memristive devices based on emerging two-dimensional materials beyond graphene | |
| CN110518117B (zh) | 一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法 | |
| Bejtka et al. | TEM nanostructural investigation of Ag-conductive filaments in polycrystalline ZnO-based resistive switching devices | |
| EP3602561B1 (en) | A switching resistor and method of making such a device | |
| CN104795493A (zh) | 一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法 | |
| CN111900249B (zh) | 忆阻器及其制备方法 | |
| Zhao et al. | Highly transparent dysprosium oxide-based RRAM with multilayer graphene electrode for low-power nonvolatile memory application | |
| WO2022227882A1 (zh) | 一种单通道忆阻器及其制备方法 | |
| CN101872836A (zh) | 一种电阻式非易失存储器件及其制作方法 | |
| CN102623631A (zh) | 阻变型随机存储单元、存储器及制备方法 | |
| Samanta et al. | Improvement in threshold switching performance using Al₂O₃ interfacial layer in Ag/Al₂O₃/SiOₓ/W cross-point platform | |
| WO2022095604A1 (zh) | 一种基于界面掺杂的忆阻器及其制备方法 | |
| CN112614937B (zh) | 一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法 | |
| CN109920911A (zh) | 阻变存储器的制备方法 | |
| Gayakvad et al. | Spinel ferrites for resistive random access memory applications | |
| Zhang et al. | The improvement of the embedded Ag nanoislands on the performance of Au/Ag/HfO x/HfO2/Ag-NIs/Au devices | |
| Liu et al. | Laser assisted ink-printing of copper oxide nanoplates for memory device | |
| CN107256925B (zh) | 一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器 | |
| CN112331766B (zh) | 基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器 | |
| JP2009065003A (ja) | 抵抗変化素子とその作製方法 | |
| Han et al. | Laser-modulated formation of conduction path for the achievement of ultra-low switching voltage in resistive random-access memory (RRAM) | |
| KR20110052887A (ko) | 비휘발성 저항 스위칭 메모리 제조 방법 | |
| CN101996935B (zh) | 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |