CN108561641A - 一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及不锈钢管件的技术领域，尤其是一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺,具体制造过程是：购买原材料；对原材料进行第一次半导体级超高洁净处理；将洁净后的原材料制作成管坯；对管坯进行自动焊接和整形形成管件；对自动焊接和整形后的管件进行第二次半导体级超高洁净处理；对洁净后的管件进行出厂测试，测试合格后得到管件成品。该半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺自主研发，设计合理，满足市场大规模的产业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及不锈钢管件的技术领域，尤其是一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺。
背景技术
纵观历史，半导体产业起源于美国，发展于日本，加速于韩国、台湾。 日、韩、台三地在经历了引入先进技术期后，发展了适合自身的产业发展模式，不论是日本的自主研发，韩国的市场把握，还是台湾的专注分工，都使其成为了全球IC产业的中坚力量。 21世纪以来，处于集成电路发展新周期的中国凭借着本次产业转移浪潮迅速崛起，成为半导体产业的新中心，给产业链内相关的中国公司带来了巨大的商机。2017年二季度中国已占世界整体销售额的32%。产业中心由韩国、台湾逐步向中国大陆转移，中国晶圆产能占比11%，是全球增长最快的地区。每一次新机遇的到来都有利于追赶者的崛起，新兴地区凭借技术引进、劳动力成本优势实现超越。同时，随着半导体工艺制程接近物理极限，技术的发展速度势必会放缓，也有助于中国企业与世界领先者缩短差距。
从2015年起，国家成立高科技半导体200亿大基金，主要为建立高科技半导体一条龙中国芯计划。时至今日，此金额每年递增，就2017年，中央与各省及原高科技私营企业总投资额超过1500亿。然而，目前为止，我国半导体制程相关设备对国外的依赖度较高，且制造半导体的工艺存在诸多缺陷，不能满足市场大规模的产业化生产。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决上述背景技术中存在的问题，提供一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，自主研发，设计合理，满足市场大规模的产业化生产。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，具体制造过程如下所示：
第一个步骤：购买原材料；
第二个步骤：对原材料进行第一次半导体级超高洁净处理；
第三个步骤：将洁净后的原材料制作成管坯；
第四个步骤：对管坯进行自动焊接和整形形成管件；
第五个步骤：对自动焊接整形后的管件进行第二次半导体级超高洁净处理；
第六个步骤：对洁净后的管件进行出厂测试，测试合格后得到管件成品。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的第一个步骤中的原材料为钢板或不锈钢BA管材。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的第二个步骤中的半导体级超高洁净处理使用的是不锈钢半导体级洁净处理设备和不锈钢半导体级洁净管件加工设备。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的第三个步骤中管坯的制作使用的是封闭式轨道自动焊接机、封闭式轨道自动焊接焊把、不锈钢半导体级洁净管切割机和不锈钢半导体级洁净管平口机。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的第四个步骤中管坯的自动焊接使用的是PFA洁净管接合机，管坯的整形使用的是PFA洁净管切割机和PFA洁净管平口机。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的第五个步骤中的半导体级超高洁净处理使用的是不锈钢半导体级洁净处理设备和不锈钢半导体级洁净管件加工设备。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的第六个步骤中的出厂测试使用的是保压测量仪、氦测漏仪、水份测量仪、氧份测量仪和微粒子测量仪。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的封闭式轨道自动焊接机采用的是氩弧焊。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的PFA洁净管接合机采用的是远红外线。
进一步具体地说，上述技术方案中，所述的氦测漏仪采用的是2000 psi的超高纯度氮气。
本发明的有益效果是：本发明提供的半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，自主研发，设计合理，满足市场大规模的产业化生产，推进先进技术的产业化，有力的推动中国芯事业的发展，创造出巨大的经济效益和社会效益；同时伴随着政策、技术和市场渠道逐步成熟，未来5年半导体产业将进入一个全新的发展高峰时期，因而看好整个行业的发展前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
见图1，本发明的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，具体制造过程如下所示：
第一个步骤：购买原材料，原材料为钢板或不锈钢BA管材。钢板用钢水浇注、冷却后压制而成的平板状钢材，平板状，矩形的，可直接轧制或由宽钢带剪切而成。钢板按轧制分为热轧和冷轧。按钢种分为普通钢、优质钢、合金钢、弹簧钢、不锈钢、工具钢、耐热钢、轴承钢、硅钢和工业纯铁薄板等；按专业用途分为油桶用板、搪瓷用板、防弹用板等；按表面涂镀层分为镀锌薄板、镀锡薄板、镀铅薄板、塑料复合钢板等。不锈钢BA管材的成型以多辊冷轧为主，尺寸精度达到0.2％，内表面光洁度Ra< 0.45 um，尺寸精确，表面光滑，整体洁净，内表面不抛光胜于抛光的光洁度，用SC2286清洗剂进行超声波Ultrasonic清洗，用于特殊气体或者液体输送，同时是EP管的母材。
第二个步骤：对原材料进行第一次半导体级超高洁净处理，半导体级超高洁净处理使用的是不锈钢半导体级洁净处理设备和不锈钢半导体级洁净管件加工设备。
第三个步骤：将洁净后的原材料制作成管坯，管坯的制作使用的是封闭式轨道自动焊接机、封闭式轨道自动焊接焊把、不锈钢半导体级洁净管切割机和不锈钢半导体级洁净管平口机，封闭式轨道自动焊接机采用的是氩弧焊。
不锈钢半导体级洁净管切割机分为火焰切割机、等离子切割机、激光切割机、水切割等。激光切割机为效率最快，切割精度最高，切割厚度一般较小。等离子切割机切割速度也很快，切割面有一定的斜度。火焰切割机针对于厚度较大的碳钢材质。激光切割机为效率最快，切割精度最高，切割厚度一般较小。
第四个步骤：对管坯进行自动焊接和整形形成管件，管坯的自动焊接使用的是PFA洁净管接合机，管坯的整形使用的是PFA洁净管切割机和PFA洁净管平口机，PFA洁净管接合机采用的是远红外线。
第五个步骤：对自动焊接和整形后的管件进行第二次半导体级超高洁净处理，半导体级超高洁净处理使用的是不锈钢半导体级洁净处理设备和不锈钢半导体级洁净管件加工设备。
第六个步骤：对洁净后的管件进行出厂测试，测试合格后得到管件成品，出厂测试使用的是保压测量仪、氦测漏仪、水份测量仪、氧份测量仪和微粒子测量仪，氦测漏仪采用的是2000 psi的超高纯度氮气。
氦测漏仪主要由离子源、分析器、收集放大器、冷阴极电离真空计组成，离子源是气体电离，形成一束具有特定能量的离子；分析器是一个均匀的磁场空间，不同离子的质荷比不同，在磁场中就会按照不同轨道半径运动而进行分离，再设计时只让氦离子飞出分析器的缝隙，打在收集器上；收集放大器收集氦离子流并出入到电流放大器.通过测量离子流就可知漏率；冷阴极电离真空计指示质谱室的压力保护装置。
水份测量仪是应用于工业领域，用于测量样品含水量的工具，通过水分测定仪可以有效的解决工业难题，实现正常生产。其原理是采用卡尔—费休库仑法，测定样品中的含水量，具有分析速度快、准确度高，自动计算百分含量、ppm含量、含水率和自动打印、仪器故障自诊、测定结果长期保存等功能。是高效率、全自动的分析仪器。水份测量仪可应用于制药行业、食品、地质化工、石油化工、日用化工、农业、环保、水处理等诸多行业的质量检验或科研教学。
氧份测量仪是一种检测单一有毒气体的手持式探测器，使用可更换电池供电，适用于相关防爆场所要求的本质安全型气体探测器。显示采用LCD屏幕显示器，直观地显示检测气体的浓度、量程。简单的三键操作方式，使得操作更简洁、易懂。传感器使用进口敏感元件，具有精确度高，测量准确，互换性强，可靠性高等特点。
微粒子测量仪采用激光传感器，检测精准度高，具有在线、取样两种检测方式，实验室和现场均可使用，内置PC机，不需再另接电脑即可方便进行数据综合查询、数据USB传输、系统升级等，能以数字、图表等方式彩显NAS\ISO\GJB污染度等级数，采用触摸式液晶大屏幕显示，便于用户操作和数据显示，内置蓄电池，适合野外工作，内置打印机，可随时对历史检测数据或正在检测的数据进行打印，体积小、重量轻、携带方便，是一款全球范围内同类产品中性价比最高的仪器之一，可选配油液水分仪，实现油液颗粒和水分的同时测试。
整个制造过程在一级无尘室中完成，一级无尘室主要用于制造集成电路的微电子工业，对集成电路的精确要求为亚微米。当然，整个制造过程亦可以在二级无尘室中完成，亦或者在三级无尘室中完成。一级也叫百级，百级就是每立方米微尘颗粒少于100个；二级也叫千级，千级就是每立方米微尘颗粒少于1000个；三级也叫万级，万级就是每立方米微尘颗粒少于10000个。
以上所述的，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：具体制造过程如下所示：
第一个步骤：购买原材料；
第二个步骤：对原材料进行第一次半导体级超高洁净处理；
第三个步骤：将洁净后的原材料制作成管坯；
第四个步骤：对管坯进行自动焊接和整形形成管件；
第五个步骤：对自动焊接整形后的管件进行第二次半导体级超高洁净处理；
第六个步骤：对洁净后的管件进行出厂测试，测试合格后得到管件成品。
2.根据权利要求1所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的第一个步骤中的原材料为钢板或不锈钢BA管材。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的第二个步骤中的半导体级超高洁净处理使用的是不锈钢半导体级洁净处理设备和不锈钢半导体级洁净管件加工设备。
4.根据权利要求1所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的第三个步骤中管坯的制作使用的是封闭式轨道自动焊接机、封闭式轨道自动焊接焊把、不锈钢半导体级洁净管切割机和不锈钢半导体级洁净管平口机。
5.根据权利要求1所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的第四个步骤中管坯的自动焊接使用的是PFA洁净管接合机，管坯的整形使用的是PFA洁净管切割机和PFA洁净管平口机。
6.根据权利要求1所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的第五个步骤中的半导体级超高洁净处理使用的是不锈钢半导体级洁净处理设备和不锈钢半导体级洁净管件加工设备。
7.根据权利要求1所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的第六个步骤中的出厂测试使用的是保压测量仪、氦测漏仪、水份测量仪、氧份测量仪和微粒子测量仪。
8.根据权利要求4所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的封闭式轨道自动焊接机采用的是氩弧焊。
9.根据权利要求5所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的PFA洁净管接合机采用的是远红外线。
10.根据权利要求7所述的一种半导体用高洁净不锈钢管件的制造工艺，其特征在于：所述的氦测漏仪采用的是2000 psi的超高纯度氮气。
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