CN108538751A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。

Description

基板处理装置
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理装置。
背景技术
以往以来，已知如下一种方法：在利用液体对作为基板的半导体晶圆(以下称作晶圆。)等的上表面进行处理之后的干燥工序中，通过使由于液体而上表面湿润的状态的晶圆与超临界状态的处理流体接触来使晶圆干燥(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2013-12538号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在以往的利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，在处理容器内由处理流体形成的流路是以与晶圆重叠的方式形成的，因此盛放在晶圆上的液体有时被处理流体从晶圆上冲走。由此，导致晶圆上的液体保持不溶解于处理流体的状态在晶圆上干燥，因此图案有可能由于在液体干燥时从气液界面施加的表面张力而发生破坏、所谓的图案破坏。
实施方式的一个方式是鉴于上述情形而完成的，其目的在于提供一种在利用超临界状态的处理流体的基板处理装置中能够抑制形成于晶圆上表面的图案破坏的基板处理装置。
用于解决问题的方案
实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置进行干燥处理，该干燥处理是使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥的处理，所述基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳所述基板的处理空间；保持部，其在所述主体的内部保持所述基板；供给部，其配置于被所述保持部保持的所述基板的侧方，向所述处理空间内供给所述处理流体；排出部，其从所述处理空间内排出所述处理流体；以及流路限制部，其限制在使所述处理流体从所述供给部流通到所述排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，所述流路限制部的上端部配置于比被所述保持部保持的所述基板的上表面高的位置。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，在利用超临界状态的处理流体的基板处理装置中，能够抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。
图2是示出第一实施方式所涉及的清洗处理单元的结构的截面图。
图3是示出第一实施方式所涉及的干燥处理单元的结构的外观立体图。
图4是示出第一实施方式所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。
图5是示出第一实施方式的变形例1所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。
图6是示出第一实施方式的变形例2所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。
图7是示出第一实施方式的变形例3所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。
图8是示出第二实施方式所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。
图9是示出第二实施方式的变形例所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。
附图标记说明
W：晶圆；Wa：上表面；1：基板处理系统；4：控制装置；16：清洗处理单元；17：干燥处理单元；19：控制部；31：主体；31a：处理空间；32：保持部；33：盖构件；34：开口部；38：流体供给头；38a：供给口；38b：头底部；38c：上端部；40：流体排出头；41：整流板；41a：上端部；70：处理流体；71：IPA液体；72：流路；72a：下端部。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置的各实施方式。此外，本发明并不限定于以下所示的各实施方式。
<基板处理系统的概要>
首先，参照图1来说明第一实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构。图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。以下，为了使位置关系明确，对相互正交的X轴、Y轴以及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张半导体晶圆W(以下称为晶圆W)以水平状态收纳。
搬送部12与承载件载置部11邻接地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15、多个清洗处理单元16以及多个干燥处理单元17。多个清洗处理单元16和多个干燥处理单元17以排列在搬送部15的两侧的方式设置。此外，图1所示的清洗处理单元16和干燥处理单元17的配置、个数是一个例子，并不限定于图示的情形。
搬送部15在内部具备基板搬送装置18。基板搬送装置18具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置18能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14、清洗处理单元16以及干燥处理单元17之间搬送晶圆W。
清洗处理单元16对由基板搬送装置18搬送的晶圆W进行规定的清洗处理。在后面叙述清洗处理单元16的结构例。
干燥处理单元17对被清洗处理单元16进行清洗处理后的晶圆W进行规定的干燥处理。在后面叙述干燥处理单元17的结构例。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部19和存储部20。
控制部19包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机、各种电路。该微型计算机的CPU通过读取并执行ROM中存储的程序来实现后述的控制。
此外，该程序既可以是存储在能够由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部20中的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
存储部20例如通过RAM、快闪存储器(Flash Memory)等半导体存储器元件或硬盘、光盘等存储装置来实现。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置18将载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出后搬入到清洗处理单元16。
在利用清洗处理单元16对被搬入到清洗处理单元16的晶圆W实施清洗处理之后，利用基板搬送装置18将该晶圆W自清洗处理单元16搬出。利用基板搬送装置18将从清洗处理单元16搬出的晶圆W搬入到干燥处理单元17，来由干燥处理单元17对该晶圆W实施干燥处理。
被干燥处理单元17进行干燥处理后的晶圆W被基板搬送装置18从干燥处理单元17搬出后载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将被载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
<清洗处理单元的概要>
接着，参照图2来说明清洗处理单元16的概要结构。图2是示出第一实施方式所涉及的清洗处理单元16的结构的截面图。清洗处理单元16例如构成为通过旋转清洗来逐张地清洗晶圆W的单片式的清洗处理单元。
如图2所示，在清洗处理单元16中，利用被配置于形成处理空间的外腔23内的晶圆保持机构25将晶圆W保持为大致水平，通过使该晶圆保持机构25绕铅垂轴旋转来使晶圆W旋转。而且，清洗处理单元16通过使喷嘴臂26进入旋转的晶圆W的上方，并从设置于该喷嘴臂26的前端部的药液喷嘴26a以预先决定的顺序供给药液、冲洗液，来对晶圆W的上表面Wa进行清洗处理。
另外，在清洗处理单元16中，还在晶圆保持机构25的内部形成有药液供给路径25a。而且，利用从该药液供给路径25a供给的药液、冲洗液来对晶圆W的背面进行清洗。
在上述的晶圆W的清洗处理中，例如，最初利用作为碱性的药液的SC1液(即，氨和过氧化氢水的混合液)去除微粒、有机性的污染物质，接着利用作为冲洗液的脱离子水(DeIonized Water：以下称作DIW。)进行冲洗清洗。接着，利用作为酸性药液的稀氢氟酸水溶液(Diluted HydroFluoric acid：以下称作DHF。)去除自然氧化膜，接着利用DIW进行冲洗清洗。
上述的各种药液被外腔23、配置在外腔23内的内杯24接住后，从设置于外腔23的底部的排液口23a、设置于内杯24的底部的排液口24a排出。并且，外腔23内的气氛气体从设置于外腔23的底部的排气口23b排出。
在上述的晶圆W的冲洗处理之后，一边使晶圆保持机构25旋转，一边向晶圆W的上表面Wa和背面供给液体状态的IPA(以下称作“IPA液体”。)，与残留于晶圆W的两面的DIW进行置换。之后，使晶圆保持机构25的旋转缓慢地停止。
像这样结束清洗处理后的晶圆W保持在其上表面Wa盛放有IPA液体71(参照图4)的状态(在晶圆W的上表面Wa形成有IPA液体71的液膜的状态)下被设置于晶圆保持机构25的未图示的交接机构交接到基板搬送装置18并被从清洗处理单元16搬出。
在此，为了防止在从清洗处理单元16向干燥处理单元17搬送晶圆W的过程中或向干燥处理单元17搬入的动作中由于上表面Wa的液体蒸发(气化)而发生图案破坏，盛放在晶圆W的上表面Wa的IPA液体71作为干燥防止用的液体发挥功能。盛放在晶圆W上的IPA液体71的厚度例如为1mm～5mm左右。
结束清洗处理单元16中的清洗处理后，在上表面Wa盛放有IPA液体71的晶圆W被搬送到干燥处理单元17。然后，进行如下处理：在干燥处理单元17内，通过使超临界状态的处理流体70(参照图4)与上表面Wa的IPA液体71接触，使该IPA液体71溶解于超临界状态的处理流体70来去除IPA液体71，从而使晶圆W干燥。
<干燥处理单元的概要>
以下，对干燥处理单元17的结构进行说明。图3是示出第一实施方式所涉及的干燥处理单元17的结构的外观立体图。
干燥处理单元17具有主体31、保持部32以及盖构件33。在壳体状的主体31形成用于搬入搬出晶圆W的开口部34。保持部32将作为处理对象的晶圆W保持为水平方向。在大致平板状的保持部32，在所保持的晶圆W与盖构件33之间形成开孔32a。
盖构件33支承该保持部32，并且在将晶圆W搬入到主体31内后将开口部34密闭。
主体31是在内部形成有能够收纳例如直径为300mm的晶圆W的处理空间31a(参照图4)的容器，在该主体31的壁部设置有供给端口35、36和排出端口37。供给端口35、36和排出端口37分别与设置于干燥处理单元17的上游侧和下游侧的用于使处理流体70(参照图4)流通的供给管线连接。在后面叙述该供给管线的结构例。
供给端口35连接于壳体状的主体31中的与开口部34相反的一侧的侧面。另外，供给端口36连接于主体31的底面。并且，排出端口37连接于开口部34的下方侧。此外，在图3中图示出两个供给端口35、36和一个排出端口37，但供给端口35、36、排出端口37的个数没有特别限定。
另外，在主体31的内部设置有作为供给部的一例的流体供给头38、39以及作为排出部的一例的流体排出头40。而且，在流体供给头38、39，以沿该流体供给头38、39的长边方向排列的方式形成有多个供给口38a、39a，在流体排出头40，以沿该流体排出头40的长边方向排列的方式形成有多个排出口40a。
流体供给头38与供给端口35连接，在壳体状的主体31内部，流体供给头38与同开口部34相反的一侧的侧面邻接地设置。另外，流体供给头38中排列地形成的多个供给口38a朝向开口部34侧。
流体供给头39与供给端口36连接，设置于壳体状的主体31内部的底面的中央部。另外，流体供给头39中排列地形成的多个供给口39a朝向上方。
流体排出头40与排出端口37连接，在壳体状的主体31内部与开口部34侧的侧面邻接，并且设置于比开口部34靠下方的位置。另外，流体排出头40中排列地形成的多个排出口40a朝向上方。
流体供给头38、39向主体31内供给处理流体70。另外，流体排出头40将主体31内的处理流体70引导并排出到主体31的外部。
在此，在主体31的内部，在被保持部32保持的晶圆W与流体供给头38之间设置有用于调整处理流体70的流动的整流板41。该整流板41以将晶圆W与流体供给头38之间遮挡的方式竖立设置在例如保持部32中的流体供给头38侧。此外，在后面叙述主体31内部的处理流体70的流动的详细内容。
干燥处理单元17还具备未图示的按压机构。该按压机构具有以下功能：克服由被供给到主体31内部的处理空间31a内的超临界状态的处理流体70产生的内压地朝向主体31按压盖构件33，来将处理空间31a密闭。另外，也可以在主体31的表面设置有隔热件、带式加热器等，以使被供给到该处理空间31a内的处理流体70保持规定温度。
此外，在第一实施方式中，将IPA液体71(参照图4)用作干燥防止用的液体，将CO2用作处理流体70(参照图4)，但也可以将IPA以外的液体(例如甲醇等有机系溶剂)用作干燥防止用的液体，也可以将CO2以外的流体用作处理流体70。
在此，超临界状态的处理流体70的粘度比液体(例如IPA液体71)的粘度小，并且溶解液体的能力也高，除此之外，在超临界状态的处理流体70与处于平衡状态的液体、气体之间不存在界面。由此，在利用超临界状态的处理流体70的干燥处理中，能够不受表面张力的影响地使液体干燥，因此能够抑制图案P的图案破坏。
另一方面，在利用超临界状态的处理流体70的干燥处理中，当在主体31的内部处理流体70的流路以与晶圆W重叠的方式形成时，所盛放的IPA液体71有时被处理流体70从晶圆W上冲走。
由此，导致所盛放的IPA液体71保持不溶解于处理流体70的状态在晶圆W上干燥，因此图案P有可能由于从IPA液体71干燥时的气液界面向图案P施加的表面张力而破坏。
因此，根据第一实施方式所涉及的干燥处理单元17，通过利用内部结构来控制处理流体70的流动，能够抑制形成于晶圆W上的图案P破坏。
<第一实施方式>
接着，参照图4来说明第一实施方式所涉及的干燥处理单元17的详细内容。图4是示出第一实施方式所涉及的干燥处理单元17的内部结构的一例的截面图。
此外，直到图4所示的时间点为止，首先盛放有IPA液体71的晶圆W被保持部32保持地搬入到干燥处理单元17内。接着，经由流体供给头39(参照图3)向干燥处理单元17内供给处理流体70，主体31的处理空间31a被处理流体70充满从而上升至期望的压力。
而且，如图4所示的那样，一边从流体供给头38供给处理流体70，一边从流体排出头40排出处理流体70，来在该流体供给头38与流体排出头40之间形成处理流体70的流路72。此外，在形成流路72时，流体供给头39没有供给处理流体70，因此在图4中省略流体供给头39的图示。
该流路72例如以从设置于晶圆W的侧方且供给口38a朝向大致水平方向的流体供给头38起在晶圆W的上方沿着晶圆W的上表面Wa朝向盖构件33的方式沿大致水平方向形成。并且，流路72形成为在盖构件33的附近向下方侧改变朝向，经过形成于保持部32的开孔32a后朝向流体排出头40的排出口40a。在流路72的内部，例如处理流体70以变为层流的方式流动。
在此，在第一实施方式中，在流体供给头38与晶圆W之间、即流路72中的晶圆W的上游侧设置有整流板41。并且，该整流板41的上端部41a被配置在比晶圆W的上表面Wa高的位置。由此，流路72的上游侧处的下端部72a的位置被限制于比晶圆W的上表面Wa靠上方的位置。即，整流板41作为限制流路72的上游侧处的下端部72a的流路限制部发挥功能。
在第一实施方式中，通过设置该流路限制部(整流板41)，能够将流路72以不与晶圆W重叠的方式形成，由此能够抑制所盛放的IPA液体71被处理流体70从晶圆W的上表面Wa冲走。
因而，根据第一实施方式，能够利用处理流体70将IPA液体71从图案P间充分去除，因此在利用处理流体70的干燥处理中能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
另外，在第一实施方式中，如图4所示，优选的是，将流路限制部(整流板41)的上端部41a设置于比盛放在晶圆W上的IPA液体71的上端71a低的位置。换言之，优选的是，以使IPA液体71的上端71a处于比流路限制部(整流板41)的上端部41a高的位置的方式将IPA液体71盛放于晶圆W。
通过像这样配置流路限制部(整流板41)的上端部41a，能够利用处理流体70的流路72对IPA液体71施加压力。而且，能够利用该压力促进IPA液体71溶解于处理流体70。
因而，根据第一实施方式，通过将流路限制部(整流板41)的上端部41a设置在比IPA液体71的上端71a低的位置，能够在更短的时间内完成干燥处理。
在第一实施方式中，通过在流路72中的晶圆W的上游侧设置整流板41来限制流路72中的下端部72a的位置。像这样，通过使用整流板41，能够有效地限制流路72的上游侧处的下端部72a的位置，因此能够有效地抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走。
并且，在第一实施方式中，整流板41以将晶圆W与流体供给头38之间遮挡的方式竖立设置在保持部32中的流体供给头38侧。通过像这样将整流板41以与晶圆W邻接地将晶圆W与流体供给头38遮挡的方式配置，能够更有效地抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走。
<变形例>
接着，参照图5～图7来说明第一实施方式所涉及的干燥处理单元17的各种变形例。图5是示出第一实施方式的变形例1所涉及的干燥处理单元17的内部结构的一例的截面图。此外，在以后的说明中，对与上述的第一实施方式中的各构成要素相同的构成要素标注相同的标记，对于与第一实施方式相同的点，有时省略说明。
如图5所示，在变形例1中，不仅在流路72中的晶圆W的上游侧设置整流板41，还在晶圆W的下游侧设置有整流板41。而且，与上游侧的整流板41同样地，下游侧的整流板41的上端部41a配置于比晶圆W的上表面Wa高的位置。
通过像这样在流路72的下游侧也设置整流板41，能够从上游侧至下游侧高精度地限制流路72的下端部72a的位置。而且，通过将两方的整流板41的上端部41a配置于比晶圆W的上表面Wa高的位置，能够进一步以不与晶圆W重叠的方式形成流路72。
因而，根据变形例1，能够进一步抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走，因此在利用处理流体70的干燥处理中能够进一步抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
在变形例1中，例如，通过以将保持部32中的晶圆W的载置部分包围的方式竖立设置整流板41，并将保持部32中的晶圆W的载置部分设为盘形状，能够还在流路72的下游侧设置整流板41。
图6是示出第一实施方式的变形例2所涉及的干燥处理单元17的内部结构的一例的截面图。如图6所示，在变形例2中，整流板41不设置于保持部32，而设置于干燥处理单元17的主体31。
而且，与第一实施方式同样地，该整流板41的上端部41a被配置于比晶圆W的上表面Wa高的位置。由此，与第一实施方式同样地，能够抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走，因此能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
在变形例2中，整流板41例如以将流体供给头38与保持部32之间遮挡的方式从主体31的底面竖立设置。然而，变形例2中的整流板41的设置方式不限于该例子，只要在主体31的内部以作为限制流路72的上游侧处的下端72a的流路限制部发挥功能的方式配置即可，可以以任何方式设置。
图7是示出第一实施方式的变形例3所涉及的干燥处理单元17的内部结构的一例的截面图。如图7所示，在变形例3中，不是利用整流板41限制流路72的下端部72a，而是通过将流体供给头38配置在规定位置来限制流路72的下端部72a。
具体地说，在流体供给头38，供给口38a的下侧的部位即头底部38b作为流路限制部发挥功能。而且，该流路限制部(头底部38b)的上端部38c被配置在比晶圆W的上表面Wa高的位置。换言之，供给口38a的底部被配置在比晶圆W的上表面Wa高的位置。
由此，与第一实施方式同样地，能够抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走，因此能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
在变形例3中，不需要另外设置整流板41就能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。因而，根据变形例3，不需要整流板41的制造成本、安装成本，因此能够以低成本实施基板处理系统1的干燥处理。
此外，在变形例1～3中，与第一实施方式同样地，优选的是，将整流板41的上端部41a或头底部38b的上端部38c设置于比盛放在晶圆W上的IPA液体71的上端71a低的位置。由此，与第一实施方式同样地，能够促进IPA液体71溶解于处理流体70，因此能够在更短的时间内完成干燥处理。
<第二实施方式>
接着，参照图8来说明第二实施方式所涉及的干燥处理单元17的详细内容。图8是示出第二实施方式所涉及的干燥处理单元17的内部结构的一例的截面图。
在第二实施方式中，使流体供给头38的供给口38a朝向斜上方，以使从流体供给头38喷出的处理流体70的方向朝向晶圆W的上方。
通过像这样以使处理流体70的方向朝向晶圆W的上方的方式配置流体供给头38，能够如图8所示的那样以不与晶圆W重叠的方式形成处理流体70的流路72。由此，能够抑制所盛放的IPA液体71被处理流体70从晶圆W的上表面Wa冲走。
因而，根据第二实施方式，能够利用处理流体70从图案P间充分地去除IPA液体71，因此在利用处理流体70的干燥处理中能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
在第二实施方式中，通过使流体供给头38的供给口38a朝向斜上方，以不与晶圆W重叠的方式形成处理流体70的流路72。通过像这样使流体供给头38的供给口38a朝向斜上方，相比于使流体供给头38朝向大致水平方向的情况(例如参照图7)而言，能够将流体供给头38配置在更低的位置。
由此，能够抑制主体31中的处理空间31a的高度，因此能够使主体31的高度变低。因而，根据第二实施方式，通过使流体供给头38的供给口38a朝向斜上方，能够实现小型的干燥处理单元17。
并且，在第二实施方式中，如图8所示，优选的是，以与盛放于晶圆W的IPA液体71的上表面重叠的方式形成流路72。由此，能够利用处理流体70的流路72对IPA液体71施加压力。而且，能够通过该压力促进IPA液体71溶解于处理流体70。
因而，根据第二实施方式，通过以与所盛放的IPA液体71的上表面重叠的方式形成流路72，能够在更短的时间内完成干燥处理。
此外，在第二实施方式中，使流体供给头38的供给口38a朝向斜上方，但供给口38a所朝向的方向不限于斜上方，也可以如图9所示那样，供给口38a朝向斜下方。图9是示出第二实施方式的变形例所涉及的干燥处理单元17的内部结构的一例的截面图。
像这样，即使供给口38a朝向斜下方，只要将流体供给头38配置于比晶圆W靠上方的位置并使从流体供给头38喷出的处理流体70的方向朝向晶圆W的上方，就能够以不与晶圆W重叠的方式形成处理流体70的流路72。因而，能够抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走。
以上，对本发明的各实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。例如，在上述的第二实施方式中，示出了没有设置整流板41的结构，但也可以如第一实施方式所示的那样追加整流板41。
实施方式所涉及的基板处理装置是进行干燥处理的基板处理装置，该干燥处理为使由于液体(IPA液体71)而上表面Wa湿润的状态的基板(晶圆W)与超临界状态的处理流体70接触来使基板(晶圆W)干燥的处理，所述基板处理装置具备：主体31，其在内部形成有能够收纳基板(晶圆W)的处理空间31a；保持部32，其在主体31的内部保持基板(晶圆W)；供给部(流体供给头38)，其设置于被保持部32保持的基板(晶圆W)的侧方，向处理空间31a内供给处理流体70；排出部(流体排出头40)，其从处理空间31a内排出处理流体70；以及流路限制部(整流板41、头底部38b)，其限制在使处理流体70从供给部(流体供给头38)流通到排出部(流体排出头40)时形成的流路72的上游侧处的下端部72a。而且，流路限制部(整流板41、头底部38b)的上端部41a(38c)配置于比被保持部32保持的基板(晶圆W)的上表面Wa高的位置。由此，在利用处理流体70的干燥处理中能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，流路限制部(整流板41、头底部38b)的上端部41a(38c)配置于比盛放在基板(晶圆W)上的液体(IPA液体71)的上端71a低的位置。由此，能够在更短的时间内完成干燥处理。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，流路限制部为配置在被保持部32保持的基板(晶圆W)与供给部(流体供给头38)之间的整流板41，整流板41具有配置于比基板(晶圆W)的上表面Wa高的位置的上端部41a。由此，能够有效地抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，整流板41设置于保持部32。由此，能够更有效地抑制所盛放的IPA液体71从晶圆W冲走。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，在流路72的下游侧设置有其它整流板41。由此，在利用处理流体70的干燥处理中能够进一步抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，流路限制部为供给部(流体供给头38)的供给口38a的下侧的部位(头底部38b)。由此，能够以低成本实施基板处理系统1的干燥处理。
另外，实施方式所涉及的基板处理装置是进行干燥处理的基板处理装置，该干燥处理为使由于液体(IPA液体71)而上表面Wa湿润的状态的基板(晶圆W)与超临界状态的处理流体70接触来使基板(晶圆W)干燥的处理，所述基板处理装置具备：主体31，其在内部形成有能够收纳基板(晶圆W)的处理空间31a；保持部32，其在主体31的内部保持基板(晶圆W)；供给部(流体供给头38)，其设置于被保持部32保持的基板(晶圆W)的侧方，向处理空间31a内供给处理流体70；以及排出部(流体排出头40)，其从处理空间31a内排出处理流体70。而且，在使处理流体70从供给部(流体供给头38)流通到排出部(流体排出头40)时，从供给部(流体供给头38)喷出的处理流体70的方向朝向被保持部32保持的基板(晶圆W)的上方。由此，在利用处理流体70的干燥处理中能够抑制形成于晶圆W的上表面Wa的图案P破坏。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，从供给部(流体供给头38)喷出的处理流体70的方向朝向斜上方。由此，能够实现小型的干燥处理单元17。
本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的方式并不限定于如以上那样表示且记述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因而，只要不脱离权利要求书以及根据其等同物定义的概括性的发明的概念的精神或范围，能够进行各种变更。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥的处理，所述基板处理装置具备：
主体，其在内部形成有能够收纳所述基板的处理空间；
保持部，其在所述主体的内部保持所述基板；
供给部，其设置于被所述保持部保持的所述基板的侧方，向所述处理空间内供给所述处理流体；
排出部，其从所述处理空间内排出所述处理流体；以及
流路限制部，其限制在使所述处理流体从所述供给部流通到所述排出部时形成的流路的上游侧处的下端部，
其中，所述流路限制部的上端部配置于比被所述保持部保持的所述基板的上表面高的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路限制部的上端部配置于比盛放在所述基板上的所述液体的上端低的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路限制部为配置在被所述保持部保持的所述基板与所述供给部之间的整流板，所述整流板具有配置于比所述基板的所述上表面高的位置的上端部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流板设置于所述保持部。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述流路的下游侧设置有其它整流板。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路限制部为所述供给部的供给口的下侧的部位。
7.一种基板处理装置，进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥的处理，所述基板处理装置具备：
主体，其在内部形成有能够收纳所述基板的处理空间；
保持部，其在所述主体的内部保持所述基板；
供给部，其设置于被所述保持部保持的所述基板的侧方，向所述处理空间内供给所述处理流体；以及
排出部，其从所述处理空间内排出所述处理流体，
其中，在使所述处理流体从所述供给部流通到所述排出部时，从所述供给部喷出的所述处理流体的方向朝向被所述保持部保持的所述基板的上方。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述供给部喷出的所述处理流体的方向朝向斜上方。
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