CN108538691A - 离子生成装置 - Google Patents

离子生成装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108538691A
CN108538691A CN201810181615.7A CN201810181615A CN108538691A CN 108538691 A CN108538691 A CN 108538691A CN 201810181615 A CN201810181615 A CN 201810181615A CN 108538691 A CN108538691 A CN 108538691A
Authority
CN
China
Prior art keywords
shielding case
arc chamber
generating means
ion
ion generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810181615.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108538691B (zh
Inventor
川口宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Mechanical Ion Technology Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Mechanical Ion Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Mechanical Ion Technology Co Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Mechanical Ion Technology Co Ltd
Publication of CN108538691A publication Critical patent/CN108538691A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108538691B publication Critical patent/CN108538691B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/20—Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers
    • H01J27/205—Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers with electrons, e.g. electron impact ionisation, electron attachment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055—Arc discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002—Cooling arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/061—Construction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/08—Ion sources
    • H01J2237/0815—Methods of ionisation
    • H01J2237/082—Electron beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701—Ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种有助于提高离子照射装置的生产率的离子生成装置。离子生成装置(12)具备：电弧室(30)，内部具有等离子体生成区域；阴极(52)，朝向等离子体生成区域放出热电子；反射极(34)，隔着等离子体生成区域与阴极(52)轴向对置；以及屏蔽罩(72)，在电弧室(30)的内面与等离子体生成区域之间的位置，以部分包围等离子体生成区域的方式配置。

Description

离子生成装置
技术领域
本申请主张基于2017年3月6日申请的日本专利申请第2017-041654号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种离子生成装置。
背景技术
离子生成装置用作搭载于离子注入装置等将离子照射到被处理物的装置的离子源。这种离子照射装置中，为了利用不同的配方(例如，具有不同的离子种类或不同的能量)处理一种照射工艺与另一照射工艺，通常进行在这些工艺间隙切换离子束条件。离子束条件的切换一般伴随在离子生成装置中运用的离子生成条件的切换。
专利文献1：日本专利第4374487号公报
刚切换离子生成条件之后，离子束的品质未必充分稳定。因此，从运用新的离子生成条件开始的一小段时间，需要等待离子束的稳定。在提高离子照射装置的生产率的同时，期望缩短该等待时间。
发明内容
本发明的一种方式的例示性目的之一在于，提供一种有助于提高离子照射装置的生产率的离子生成装置。
本发明的一种方式的离子生成装置具备：电弧室，内部具有等离子体生成区域；阴极，朝向等离子体生成区域放出热电子；反射极，隔着等离子体生成区域与阴极轴向对置；以及屏蔽罩(cage)，在电弧室的内面与等离子体生成区域之间的位置，以部分包围等离子体生成区域的方式配置。
另外，在方法、装置、系统等之间相互替换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件或表现形式的发明，作为本发明的方式同样有效。
发明效果
根据本发明，可提供有助于提高离子照射装置的生产率的离子生成装置及其控制方法。
附图说明
图1是概略表示实施方式所涉及的离子注入装置的图。
图2是概略表示实施方式所涉及的离子生成装置的结构的剖视图。
图3是概略表示屏蔽罩的结构的剖视图。
图4是概略表示屏蔽罩的结构的剖视图。
图5是例示比较例所涉及的离子生成条件切换时的电弧室的内壁的状态变化的图。
图6是例示实施方式所涉及的离子生成条件切换时的电弧室的内壁的状态变化的图。
图7是例示离子生成条件切换时的射束电流的变化的图。
图8是例示离子生成条件切换时的射束电流的变化的图。
图9中，图9(a)～图9(c)是概略表示变形例所涉及的屏蔽罩的结构的剖视图。
图10是概略表示变形例所涉及的屏蔽罩的结构的剖视图。
图11是概略表示变形例所涉及的屏蔽罩的结构的剖视图。
图12中，图12(a)、图12(b)是概略表示变形例所涉及的电弧室的内部结构的剖视图。
图13中，图13(a)、图13(b)是概略表示变形例所涉及的电弧室的内部结构的剖视图。
图中：12-离子生成装置，30-电弧室，34-反射极，42-前狭缝，44-腔室主体，46-狭缝部件，48-绝缘部件，52-阴极，72-屏蔽罩，74-线状部件，76-间隙，77-板状部件，78-开口。
具体实施方式
以下，参考附图对用于实施本发明的方式进行详细说明。另外，附图说明中对相同的要件标注相同的符号，并适当省略重复说明。并且，以下所述结构为例示，并不对本发明的范围做任何限定。
图1是概略表示实施方式所涉及的离子注入装置10的图。图1的上部为表示离子注入装置10的概略结构的俯视图，图1的下部为表示离子注入装置10的概略结构的侧视图。
离子注入装置10构成为在真空空间内向被处理物的表面进行离子注入处理。被处理物例如为基板W，例如为半导体晶片。因此，以下为便于说明有时将被处理物称为基板W或半导体晶片，但这并不表示将注入处理的对象限定在特定物体。
离子注入装置10构成为通过射束扫描及机械扫描中的至少一种方式遍及基板W的整面照射离子束B。本说明书中为便于说明，将设计上的离子束B的行进方向作为z方向，将与z方向垂直的面定义为xy面。如同后述，对被处理物扫描离子束B时，将扫描方向作为x方向，将与z方向及x方向垂直的方向作为y方向。因此，射束扫描沿x方向进行，机械扫描沿y方向进行。
离子注入装置10具备离子生成装置12、射束线装置14及注入处理室16。离子生成装置12构成为向射束线装置14赋予离子束B。射束线装置14构成为，从离子生成装置12将离子传输至注入处理室16。并且，离子注入装置10具备离子生成装置12、射束线装置14及用于向注入处理室16提供所希望的真空环境的真空排气系统(未图示)。
如图所示，射束线装置14例如自上游依次具备质谱分析磁铁装置18、射束整形装置20、偏转扫描装置22、P透镜等射束平行化装置24及角能量过滤器26。另外，本说明书中上游是指靠近离子生成装置12的一侧，下游是指靠近注入处理室16的一侧。
质谱分析磁铁装置18设置于离子生成装置12的下游，且构成为通过质谱分析从自离子生成装置12引出的离子束B中选择所需的离子种类。射束整形装置20具备Q透镜等会聚/发散透镜，且构成为将离子束B整形为所希望的剖面形状。
偏转扫描装置22构成为提供射束扫描。偏转扫描装置22沿x方向扫描离子束B。如此，离子束B遍及比y方向的宽度长的x方向的扫描范围而扫描。图1中用箭头C例示射束扫描及其扫描范围，并分别以实线及虚线表示扫描范围的一端及另一端处的离子束B。另外，为明确区分以在离子束B上标斜线的方式图示。
射束平行化装置24构成为将所扫描的离子束B的行进方向设为平行。角能量过滤器26构成为，分析离子束B的能量并使所需能量的离子向下方偏转以导入到注入处理室16。如此，射束线装置14将应照射到基板W的离子束B供给到注入处理室16。
注入处理室16具备保持1片或多片基板W且构成为根据需要向基板W提供相对于离子束B的例如y方向的相对移动(所谓机械扫描)的物体保持部(未图示)。图1中，用箭头D例示机械扫描。并且，注入处理室16在射束线末端具备束霖止器28。离子束B的轨道上不存在基板W时，离子束B入射到束霖止器28。
在另一实施方式中，离子注入装置10可以构成为向注入处理室16赋予在与z方向垂直的一方向具有较长的剖面的离子束。此时，离子束例如具有比y方向的宽度长的x方向的宽度。这种细长剖面的离子束有时被称为带状射束。或者，在又一种实施方式中，离子注入装置10也可以构成为不扫描离子束，而是向注入处理室16赋予具有斑点状剖面的离子束。
图2是概略表示实施方式所涉及的离子生成装置12的结构的剖视图。离子生成装置12为旁热型离子源，其具备电弧室30、热电子放出部32、反射极34、第1引出电极36、第2引出电极38、屏蔽罩72以及各种电源。
电弧室30具有大致长方体的箱型形状。电弧室30在一方向上具有细长的形状，以下将该方向称为电弧室30的轴向。轴向为图2的纸面的上下方向。
电弧室30由高熔点材料构成，具体而言由钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)等高熔点金属、它们的合金、石墨(C)等构成。由此，即便在电弧室内部变成较高温的环境下，也能够使电弧室难以熔化。
电弧室30的轴向一侧设有热电子放出部32。电弧室30的轴向另一侧设有反射极34。反射极34与热电子放出部32对置。以下，为便于说明，有时将电弧室30的热电子放出部32侧称为上侧，将电弧室30的反射极34侧称为下侧。
另外，“上侧”及“下侧”的记载仅为了便于说明而已，并非表示使用离子生成装置12时热电子放出部32必须配置于铅垂上侧，反射极34必须配置于铅垂下侧。离子生成装置12中，热电子放出部32也可以配置于铅垂下侧，反射极34也可以配置于铅垂上侧，也可以以轴向成为水平方向的方式配置，也可以以轴向相对于铅垂方向及水平方向倾斜的方式配置。
在电弧室30的一侧部设有导入原料气体的气体导入口40。在电弧室30的另一侧部形成有作为引出离子束B的开口部的前狭缝42。
作为原料气体使用稀有气体、氢(H2)、磷化氢(PH3)、砷化氢(AsH3)等氢化物、三氟化硼(BF3)、四氟化锗(GeF4)等氟化物、三氯化铟(InCl3)等氯化物等卤化物。并且，作为原料气体还使用二氧化碳(CO2)、一氧化碳(CO)、氧(O2)等包含氧原子(O)的物质。
电弧室30具备腔室主体44、狭缝部件46及绝缘部件48。狭缝部件46上形成有前狭缝42。腔室主体44为其中一侧部被开放的箱部件。狭缝部件46为安装于腔室主体44的开放侧的盖子，经由绝缘部件48固定在腔室主体44。通过在腔室主体44安装狭缝部件46，形成离子生成装置12的等离子体室。热电子放出部32、反射极34及气体导入口40设置于腔室主体44。
狭缝部件46与引出电源60的正极连接，通过引出电源60向狭缝部件46施加正高电压。腔室主体44与腔室电源62的负极连接，对狭缝部件46施加负电压。腔室电源62例如以将后述的电弧电源58的1倍～5倍的电压施加到腔室主体44的方式构成。
前狭缝42为从狭缝部件46的上侧向下侧延伸的细长狭缝。这种上下长孔与圆形等小孔相比面积大，因此能够增加从离子生成装置12引出的离子束量。
为便于说明，将前狭缝42的延伸方向称为狭缝长边方向。狭缝长边方向相当于电弧室30的轴向。狭缝长边方向与离子生成装置12的射束引出方向正交。并且，狭缝长边方向及射束引出方向双方正交的方向称为狭缝宽度方向。因此，图2所示的剖面为基于与狭缝长边方向及射束引出方向平行的平面的前狭缝42的剖面。图2的纸面上，狭缝长边方向为上下方向，射束引出方向为左右方向，狭缝宽度方向为垂直于纸面的方向。
屏蔽罩72设置于电弧室30的内部。屏蔽罩72位于电弧室30的内面与生成有等离子体P的区域(也称为等离子体生成区域)之间，以部分包围等离子体生成区域的方式配置。屏蔽罩72具有在轴向上隔着间隔排列的多个线状部件74，形成为笼形或者栅形。在相邻的线状部件74之间设置有间隙76，从气体导入口40导入的原料气体通过屏蔽罩72的间隙76而流入到等离子体生成区域。因此，屏蔽罩72构成为在与轴向正交的径向上生成横切屏蔽罩72的气流。
与电弧室30相同地，屏蔽罩72由高熔点材料构成，具体而言，由钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)等高熔点金属、它们的合金、石墨(C)等构成。由此，即便在等离子体P的生成中屏蔽罩72处于比较高温的环境下，也能够使屏蔽罩72难以熔化。
屏蔽罩72沿腔室主体44的三个侧部设置，以分隔等离子体生成区域与腔室主体44的内面45之间的方式配置。屏蔽罩72固定在狭缝部件46的内面66，远离腔室主体44的内面45而配置。对屏蔽罩72施加与狭缝部件46相同的正电压，具有在比屏蔽罩72更靠内侧的空间封闭等离子体P的作用。并且，屏蔽罩72被等离子体P加热成为几百℃以上的高温。
热电子放出部32向电弧室30内放出热电子，具有灯丝50和阴极52。热电子放出部32插入于腔室主体44的阴极安装孔，在与电弧室30绝缘的状态下被固定。并且，与热电子放出部32相关联地设有灯丝电源54、阴极电源56及电弧电源58。
灯丝50通过灯丝电源54被加热，并在前端产生热电子。灯丝50中所产生的(1次)热电子在由阴极电源56形成的阴极电场中被加速。(1次)热电子与阴极52碰撞，通过其碰撞时所产生的热量加热阴极52。被加热的阴极52产生(2次)热电子。
通过电弧电源58对阴极52与屏蔽罩72之间施加电弧电压，通过电弧电压(2次)热电子被加速。(2次)热电子作为具有足够使气体分子电离的能量的射束电子放出到屏蔽罩72的内侧。射束电子存在于被磁场M大致限定的范围内，因此离子主要在该范围内生成。射束电子通过扩散到达电弧室30的内壁、狭缝部件46、阴极52、反射极34、屏蔽罩72，并在墙面消失。
反射极34具有反射极板68。反射极板68被设置成与阴极52对置且大致平行。反射极板68使电弧室30内的电子反弹，以使电子滞留于等离子体生成区域，由此提高离子生成效率。
屏蔽罩72为了不阻碍射束电子在阴极52与反射极34之间的往复移动，避开等离子体生成区域与阴极52之间的位置以及等离子体生成区域与反射极34之间的位置而配置。因此，屏蔽罩72以不具有构成于与轴向正交的平面内的分隔件的方式形成。
并且，屏蔽罩72为了不阻碍从前狭缝42引出离子束B，避开等离子体生成区域与前狭缝42之间的位置而配置。因此，屏蔽罩72以不具有沿狭缝部件46的内面66构成的分隔件的方式形成。
在离子生成装置12设置有磁场发生器70。磁场发生器70配置于电弧室30的外部。磁场发生器70具备一对源磁场线圈，其中一个在电弧室30的上方，另一个在电弧室30的下方。通过磁场发生器70向电弧室30内部施加磁场M。磁场M向电弧室30的轴向施加。
从阴极52放出到电弧室30的射束电子沿着磁场M在阴极52与反射极34之间往复移动。往复移动的射束电子与导入到电弧室30的原料气体分子碰撞而电离，以产生离子，并在电弧室30生成等离子体P。电弧室30为纵长，因此等离子体P也是纵长。
在电弧室30的外侧设置有冷却装置80。冷却装置80安装于腔室主体44的外侧，对生成等离子体时成为高温的腔室主体44进行冷却。通过设置冷却装置80，降低腔室主体44的内面45的温度，设为伴随等离子体P的生成附着到内面45的物质不易从内面45再放出的状态。反过来讲，通过降低腔室主体44的温度，设为附着到腔室主体44的内面45的物质容易蓄积的状态。
第1引出电极36与电弧室30的外侧相邻而设。第1引出电极36从狭缝部件46向射束引出方向隔着间隙配置。第2引出电极38在狭缝部件46的相反侧与第1引出电极36相邻而设。第2引出电极38从第1引出电极36向射束引出方向隔着间隙配置。
如图所示，第1引出电极36及第2引出电极38分别设有用于使离子束B通过的与前狭缝42相对应的开口。这些开口与前狭缝42同样具有上下长孔形状。第1引出电极36及第2引出电极38例如由不锈钢、石墨、钼或钨形成。
第1引出电极36与抑制电源64连接。抑制电源64为了相对于第2引出电极38而向第1引出电极36施加负电位而设置。第2引出电极38呈接地状态。第1引出电极36也被称为抑制电极。第2引出电极38也被称为接地电极。
通过根据施加于第1引出电极36与狭缝部件46之间的电压而在前狭缝42的附近产生的电场而进行射束引出。通过该电场，离子束B通过前狭缝42而被从等离子体引出。离子束B通过第1引出电极36及第2引出电极38的开口，利用射束线装置14输送到注入处理室16，并照射到基板W。
图3是概略表示屏蔽罩72的结构的剖视图，示出从轴向上观察电弧室30的内部时的剖面。如图所示，屏蔽罩72从轴向上观察具有コ字形状(通道形状)，以分别与腔室主体44的三个侧部44a、44b、44c平行的方式配置。构成屏蔽罩72的线状部件74的两端74a、74b安装于狭缝部件46的内面66。
屏蔽罩72以将电弧室30的内部分隔为第1空间82及第2空间84的方式配置。第1空间82包括生成等离子体P的等离子体生成区域，与前狭缝42连通。第2空间84为沿腔室主体44的内面45的区域，为距腔室主体44的内面45的距离在规定范围内的部分。
屏蔽罩72离开腔室主体44的内面45而设置。屏蔽罩72与腔室主体44的内面45之间的间隔d1需要大于确保电位不同的屏蔽罩72与腔室主体44之间的绝缘性的程度。另一方面，为了确保某一程度大小的等离子体生成区域，优选屏蔽罩72与腔室主体44的内面45之间的间隔d1尽可能小。优选屏蔽罩72与腔室主体44的内面45之间的间隔d1设为电弧室30的内形尺寸d0的30％以下，例如，设为内形尺寸d0的5％、10％、15％或者20％左右即可。这里所说的电弧室30的内形尺寸d0并非电弧室30的长边方向的尺寸，是与长边方向正交的电弧室30的短边方向(狭缝宽度方向或者射束引出方向)的尺寸。
图4是概略表示屏蔽罩72的结构的剖视图，是对应于图2的局部的图。图4中，详细地示出设置有屏蔽罩72的轴向的范围。屏蔽罩72遍及至少设置有前狭缝42的轴向的第1区间C1而设置。屏蔽罩72优选以位于前狭缝42与阴极52之间的第2区间C2的至少部分以及反射极34与前狭缝42之间的第3区间C3的至少部分的方式设置。因此，屏蔽罩72的轴向的长度l1大于前狭缝42的轴向(狭缝长边方向)长度l0。
屏蔽罩72可以设置成仅位于第2区间C2及第3区间C3的部分，也可以设置成位于第2区间C2及第3区间C3中的至少一个的整体范围。屏蔽罩72也可以设置成位于阴极52所处的第4区间C4的至少一部分，也可以设置成位于反射极34所处的第5区间C5的至少一部分。屏蔽罩72设置于第4区间C4的情况下，以屏蔽罩72位于比热电子放出部32更靠径向外侧的方式配置，以免屏蔽罩72与热电子放出部32接触。同样地，屏蔽罩72设置于第5区间C5的情况下，以屏蔽罩72位于比反射极34更靠径向外侧的方式配置，以免屏蔽罩72与反射极34接触。并且，屏蔽罩72离开腔室主体44的上部及下部而配置，以免与腔室主体44的上部及下部接触。
如上所述，电弧电压施加到屏蔽罩72与阴极52之间，屏蔽罩72作为用于将等离子体生成至等离子体生成区域的阳极发挥作用。并且，屏蔽罩72对腔室主体44施加正电压，还具有将等离子体P封闭到屏蔽罩72的内部来提高离子生成效率的作用。这些功能通过屏蔽罩72所生成的电场(位势)的壁而实现，因此理想化为优选屏蔽罩72由板状的部件构成，且未设置有间隙76。然而，若在屏蔽罩72未设置有间隙76，则不能将等离子体P的原料气体充分供给至屏蔽罩72的内部，可能阻碍稳定的等离子体形成。
从以上的观点出发，构成屏蔽罩72的线状部件74的间距p优选尽可能小，优选为屏蔽罩72的轴向的长度l1的1/5以下，例如为1/10以下。因此，多个线状部件74优选设置5根以上，例如10根以上。
并且，为了能够将原料气体有效地供给至屏蔽罩72的内部，优选屏蔽罩72的间隙76所占比例、即开口率为30％以上。在这里，“开口率”是指从径向观察屏蔽罩72时的俯视观察时每单位面积间隙76所占的面积比例。为了将屏蔽罩72的开口率设为30％以上，例如，将线状部件74的宽度w1与间隙76的宽度w2之比设为w1/w2≤2即可。
另一方面，若要加大屏蔽罩72的开口率，则不得不减小线状部件74的宽度w1，很难充分维持线状部件74的强度。并且，若线状部件74的宽度w1较小，则还降低作为屏蔽罩72所生成的电场(位势)的壁的功能。因此，优选屏蔽罩72的开口率为91％以下。为了将屏蔽罩72的开口率设为91％以下，例如，将线状部件74的宽度w1与间隙76的宽度w2之比设为w1/w2≥0.1即可。
接着，对本实施方式所涉及的离子生成装置12所起到的效果进行说明。首先，示出比较例所涉及的离子生成装置中切换离子生成条件时的电弧室的内壁的状态变化。比较例中，不设置上述屏蔽罩72及冷却装置80，而向电弧室主体及狭缝部件施加相同的电弧电压。
图5是例示比较例所涉及的离子生成条件切换时的电弧室130的内壁的状态变化的图。离子生成条件是指离子生成装置的运行条件，包括所使用的气体种类及其流量、等离子体激发用接通电力(例如，电弧电流、电弧电压)、施加磁场等参数。切换离子生成条件时，变更这些参数中的至少一个。以下，为了便于说明，由于是当前运用的离子生成条件，因此将切换前的条件适当称为“现离子生成条件”，由于是接下来运用的离子生成条件，因此将切换后的条件适当地称为“新离子生成条件”。
图5的左上部示出比较例所涉及的离子生成装置的运行在现离子生成条件下以充分的时间持续进行时的电弧室130的内壁的状态。并且，图5的中央上部示出刚从现离子生成条件切换成新离子生成条件之后的电弧室130的内壁的状态，图5的右上部示出之后在新离子生成条件下以充分时间持续进行离子生成装置的运行时的电弧室130的内壁的状态。图5的下部示出从现离子生成条件切换成新离子生成条件时的电弧室130的内壁的物质形成量(例如，物质层的厚度)的变化。
根据本发明人的考察，根据离子生成条件，在电弧室130的内壁可形成不同的物质。例如，如图5的左上部所示，现离子生成条件中，在电弧室130生成第1等离子体Pa，由此在内壁形成有第1物质α。若从现离子生成条件切换成新离子生成条件，则如图5的中央上部所示，在电弧室130内生成与第1等离子体Pa不同的第2等离子体Pb。由于是刚切换之后，因此在电弧室130的内壁依然残留有第1物质α。如图5的右上部所示，若从运行新离子生成条件开始经过了充分的时间，则通过第2等离子体Pb在电弧室130的内壁形成第2物质β。
如此，离子生成条件的切换伴随电弧室130的内壁的状态转变。如图5的下部所示，在现离子生成条件下形成的第1物质α从内壁逐渐被去除，根据新离子生成条件，第2物质β逐渐形成于内壁。认为从内壁被去除的第1物质α与离子束一同被排出到电弧室130外部。若第2物质β在内壁形成一定程度，则会饱和。
在这样的如图5的中央部所示的转变状态下从离子生成装置12引出的离子束的品质并不十分稳定。因此，从运行新离子生成条件开始之后一段时间需要等待离子束的稳定。该等待时间ΔT1根据现离子生成条件与新离子生成条件的组合，需要相当长的时间。直到等待时间ΔT1结束为止，无法开始离子注入装置10的注入处理。因此，在提高离子注入装置10的生产率的同时，期望缩短伴随切换离子生成条件的等待离子束稳定的时间。
根据本发明人等的考察，作为上述等待时间ΔT1耗时较长的理由，可举出比较例中电弧室内壁处于相对高温，因此蓄积物质α、β不易蓄积，处于容易再放出的状态的例子。通常，电弧室130被等离子体P加热而成为几百℃以上的高温。然而，为了切换离子生成条件，从替换电弧室130的内壁的蓄积物质α、β而使其稳定化的观点出发，优选电弧室130的温度较低。因此，本发明人等认为，将屏蔽罩72插入到电弧室内，将功能分离成用于加热等离子体P的相对高温的屏蔽罩72与用于使蓄积物质早期稳定化的相对低温的电弧室30，从而能够缩短伴随切换离子生成条件的等待时间。
图6是例示本实施方式所涉及的离子生成条件切换时的电弧室30的内壁的状态变化的图，与上述比较例所涉及的图5对应。本实施方式中，在等离子体与电弧室30的内壁之间设置有屏蔽罩72，电弧室30的内壁处于与屏蔽罩72相比温度较低的状态。其结果，与比较例的情况相比，在电弧室30的内壁更容易蓄积蓄积物质α、β，一时蓄积的物质就难以再放出。
本实施方式中，若切换离子生成条件，如图6的中央上部所示，转入在蓄积到电弧室30的内壁的第1物质α上蓄积第1物质α和第2物质β两个的状态。这是因为第1物质α难以再放出，第2物质β容易蓄积，因此在第1物质α完全被去除之前将第2物质β覆盖在第1物质α上。其结果，如图6的右上部所示，成为在电弧室30的内壁上残留第1物质α的状态下，蓄积第2物质β而饱和的状态。本实施方式中，如此成为通过第2物质β而使第1物质α被完全覆盖的状态，从而实现新离子生成条件下的稳定状态。
本实施方式中，第1物质α完全被去除之前第1物质α无法放出，因此直至无法放出第1物质α为止的时间比上述比较例短。并且，电弧室30的内壁处于相对低温，因此第2物质β蓄积到内壁而成为饱和状态为止的时间也比上述比较例短。其结果，如图6的下部所示，从切换离子生成条件到稳定化为止的等待时间ΔT2也比上述比较例短。根据本实施方式，能够缩短伴随离子生成条件切换的等待时间，能够提高离子注入装置10的生产率。
图7是例示离子生成条件切换时的射束电流的变化的图，示出从磷(P)离子的生成条件切换成氩(Ar)离子的生成条件的情况下的P射束的电流量的变化。实线表示在电弧室30内设置有屏蔽罩72的实施例，虚线表示在电弧室内未设置屏蔽罩72的比较例。如图示，与比较例相比，在实施例中，从切换离子生成条件起到不能检测出磷(P)射束为止的时间较短，并且，切换后输出的P射束的电流量的时间积分值较小。如此，根据本实施例，能够缩短伴随切换离子生成条件的等待时间。
图8是例示离子生成条件切换时的射束电流的变化的图，与图7的情况相反，示出从氩(Ar)离子的生成条件切换成磷(P)离子的生成条件的情况下的P射束的电流量的变化。实线表示在电弧室30内设置有屏蔽罩72的实施例，虚线表示在电弧室内未设置屏蔽罩72的比较例。如图示，与比较例相比，在实施例中，从切换离子生成条件到P射束电流稳定化为止的时间较短。如此，根据本实施例，能够缩短伴随切换离子生成条件的等待时间。
(变形例1)
图9(a)～图9(c)是概略表示变形例所涉及的屏蔽罩72a、72b、72c的结构的剖视图，示出从轴向观察电弧室30的内部时的剖面。图9(a)示出从轴向观察形成为U字形状的屏蔽罩72a。图9(b)示出从轴向观察形成为C字形状的屏蔽罩72b。图9(c)示出从轴向观察形成为V字形状的屏蔽罩72c。图示的变形例中，屏蔽罩72a、72b、72c也以分隔生成有等离子体P的区域与电弧室30的内面45之间的方式配置，并安装于狭缝部件46。另外，屏蔽罩的形状不限于图示的形状，只要为至少部分包围等离子体生成区域的形状，则能够采用任意的形状。
(变形例2)
图10是概略表示变形例所涉及的屏蔽罩72d的结构的剖视图，示出从狭缝宽度方向观察电弧室30的内部时的剖面。本变形例所涉及的屏蔽罩72d除了在轴向上隔着间隔配置的多个线状部件(第1线状部件)74以外，还设置有沿轴向延伸的多个第2线状部件75。第2线状部件75在第1线状部件74所延伸的方向上隔着间隔而配置。本变形例所涉及的屏蔽罩72d通过组合使用第1线状部件74及第2线状部件75，形成为网眼状。即，屏蔽罩72d包括网眼部件。本变形例中，优选构成为网眼的间隙76的开口率成为30％以上且90％以下。
(变形例3)
图11是概略表示变形例所涉及的屏蔽罩72e的结构的剖视图，与图10相同地，示出从狭缝宽度方向观察电弧室30的内部时的剖面。本变形例所涉及的屏蔽罩72e由设置有多个开口78的板状部件77构成。屏蔽罩72e从轴向观察时具有コ字形状，具有以分别与腔室主体44的三个侧部对置的方式配置的三片板状部件77。多个开口78在板状部件77上形成为阵列状，例如，排列成三路格子状或者四路格子状。本变形例中，也优选构成为多个开口78的开口率成为30％以上且90％以下。
(变形例4)
图12(a)、图12(b)是概略表示变形例所涉及的电弧室30的内部结构的剖视图，示出从轴向观察电弧室30的内部时的剖面。本变形例中，屏蔽罩72f未固定在狭缝部件46，而固定在腔室主体44，这一点与上述实施方式不同。屏蔽罩72f离开狭缝部件46的内面66而配置，经由绝缘部件91、92安装于腔室主体44的内面45。图12(a)所示的变形例中，屏蔽罩72f经由绝缘部件91固定于在腔室主体44的狭缝宽度方向上对置的两个侧部44a、44c。图12(b)所示的变形例中，屏蔽罩72f经由绝缘部件92固定在与腔室主体44的狭缝部件46对置的一个侧部44b。
本变形例中，屏蔽罩72f与腔室主体44电绝缘，屏蔽罩72f具有与腔室主体44不同的电位。屏蔽罩72f例如以与上述实施方式相同地与狭缝部件46成为相同电位的方式构成。屏蔽罩72f也可以与狭缝部件46电绝缘，也可以具有与狭缝部件46不同的电位。该情况下，屏蔽罩72f上可以施加基于图2中未图示的其他电源的电压。并且，屏蔽罩72f也可以以成为浮动电位的方式构成。
(变形例5)
图13(a)、图13(b)是概略表示变形例所涉及的电弧室30的内部结构的剖视图，示出从轴向观察电弧室30的内部时的剖面。本变形例中，屏蔽罩72g、72h固定在腔室主体44，这一点与上述变形例相同，但屏蔽罩72g、72h直接固定在腔室主体44，这一点与上述变形例不同。因此，本变形例中，屏蔽罩72g、72h以与腔室主体44成为相同电位的方式构成。
图13(a)所示的变形例中，屏蔽罩72g固定于在腔室主体44的狭缝宽度方向上对置的两个侧部44a、44c。屏蔽罩72g具有以部分包围等离子体生成区域的方式配置的分隔部94g和从分隔部94g朝向腔室主体44的侧部44a、44c突出的安装部96g。图13(b)所示的变形例中，屏蔽罩72h固定于与腔室主体44的狭缝部件46对置的一个侧部44b。屏蔽罩72h具有以部分包围等离子体生成区域的方式配置的分隔部94h和从分隔部94h朝向腔室主体44的侧部44b突出的安装部96h。
另外，在进一步的变形例中，屏蔽罩72也可以不固定在腔室主体44的侧部，而固定在腔室主体44的上部或者下部。该情况下，屏蔽罩72也可以直接固定在腔室主体44，也可以经由绝缘部件固定在腔室主体44。
以上，参考上述实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，适当组合或替换实施方式的结构的方式也属于本发明。并且，可根据本领域技术人员的知识对实施方式中的组合或处理顺序适当进行重新排列或对实施方式加以各种设计变更等变形，加以这种变形的实施方式也属于本发明的范围。
在上述实施方式中，示出了在腔室主体44与狭缝部件46之间施加基于腔室电源62的电压的情况。在进一步的变形例中，也可以不设置腔室电源62，以腔室主体44与狭缝部件46成为相同电位的方式构成。该情况下，屏蔽罩72可以与腔室主体44及狭缝部件46成为相同电位的方式构成，屏蔽罩72也可以与腔室主体44及狭缝部件46成为不同的电位的方式构成。后者的情况下，屏蔽罩72也可以以相对于腔室主体44及狭缝部件46成为浮动电位的方式构成。
上述说明是参考旁热型离子生成装置而进行的，但本发明并不限于此，可适用于RF离子生成装置、微波离子生成装置、Bernas型离子生成装置等、反应性原料气体被供给到等离子体室中且与该等离子体室内壁相互作用的其他任意的离子生成装置。该情况下，上述说明中提及到的用语“电弧室”可以替换成作为更加一般化的表现所使用的用语“等离子体室”。

Claims (18)

1.一种离子生成装置，其特征在于，具备：
电弧室，内部具有等离子体生成区域；
阴极，朝向所述等离子体生成区域放出热电子；
反射极，隔着所述等离子体生成区域与所述阴极轴向对置；以及
屏蔽罩，在所述电弧室的内面与所述等离子体生成区域之间的位置，以部分包围所述等离子体生成区域的方式配置。
2.根据权利要求1所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩避开所述等离子体生成区域与所述阴极之间的位置以及所述等离子体生成区域与所述反射极之间的位置而配置。
3.根据权利要求1或2所述的离子生成装置，其特征在于，
所述电弧室具有电弧室主体和设置有用于向所述电弧室外引出离子的前狭缝的狭缝部件，
所述屏蔽罩避开所述等离子体生成区域与所述前狭缝之间的位置而配置。
4.根据权利要求3所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩固定在所述狭缝部件的内面，且离开所述电弧室主体的内面而配置。
5.根据权利要求3或4所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩以与所述狭缝部件成为相同电位的方式构成。
6.根据权利要求3所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩固定在所述电弧室主体的内面，且离开所述狭缝部件的内面而配置。
7.根据权利要求6所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩以与所述电弧室主体成为相同电位的方式构成。
8.根据权利要求6所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩经由绝缘部件固定在所述电弧室主体的内面，且以与所述电弧室主体成为不同的电位的方式构成。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述狭缝部件经由绝缘部件安装于所述电弧室主体，
所述电弧室主体以相对于所述狭缝部件的电位成为负电位的方式构成。
10.根据权利要求3至8中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述狭缝部件经由绝缘部件安装于所述电弧室主体，
所述电弧室主体以相对于所述狭缝部件的电位成为浮动电位的方式构成。
11.根据权利要求3至10中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
还具备冷却所述电弧室主体的冷却机构。
12.根据权利要求3至11中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述前狭缝在所述轴向上具有细长的形状，
所述屏蔽罩至少遍及所述前狭缝在所述轴向上延伸的区间配置。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩在所述轴向上观察以V字形、U字形、C字形或者コ字形形成。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩具有以在与所述轴向正交的径向上生成横切所述屏蔽罩的气流的方式配置的多个开口或者多个间隙。
15.根据权利要求14所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩以从所述径向俯视观察时每单位面积所述多个开口或者所述多个间隙所占比例为30％以上且90％以下的方式构成。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩包括在所述轴向上隔着间隔排列的多个线状部件。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩包括网眼状部件。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述屏蔽罩包括设置有多个小孔的板状部件。
CN201810181615.7A 2017-03-06 2018-03-06 离子生成装置 Active CN108538691B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-041654 2017-03-06
JP2017041654A JP6898753B2 (ja) 2017-03-06 2017-03-06 イオン生成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108538691A true CN108538691A (zh) 2018-09-14
CN108538691B CN108538691B (zh) 2022-04-26

Family

ID=63355797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810181615.7A Active CN108538691B (zh) 2017-03-06 2018-03-06 离子生成装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10361058B2 (zh)
JP (1) JP6898753B2 (zh)
KR (1) KR102481642B1 (zh)
CN (1) CN108538691B (zh)
TW (1) TWI744495B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113508449A (zh) * 2019-03-13 2021-10-15 应用材料股份有限公司 具有被施加偏压的萃取板的离子源
CN113519037A (zh) * 2019-03-18 2021-10-19 应用材料股份有限公司 具管状阴极的离子源
CN114242549A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 北京凯世通半导体有限公司 一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置
US11596051B2 (en) 2020-12-01 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Resonator, linear accelerator configuration and ion implantation system having toroidal resonator

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10714301B1 (en) * 2018-02-21 2020-07-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter
US11600473B2 (en) 2019-03-13 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Ion source with biased extraction plate
JP7325597B2 (ja) 2019-03-18 2023-08-14 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン生成装置およびイオン注入装置
US11127557B1 (en) * 2020-03-12 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Ion source with single-slot tubular cathode
US11631567B2 (en) 2020-03-12 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Ion source with single-slot tubular cathode
US11545330B2 (en) 2021-05-12 2023-01-03 Axcelis Technologies, Inc. Ion source with multiple bias electrodes

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1215520C (zh) * 2001-11-16 2005-08-17 日新电机株式会社 离子源
CN201409253Y (zh) * 2009-05-05 2010-02-17 核工业西南物理研究院 一种阳极层线性离子源
US20120280141A1 (en) * 2009-12-18 2012-11-08 Kovtoun Viatcheslav V Method and Apparatus for Multiple Electrospray Emitters in Mass Spectrometry
US20150270100A1 (en) * 2014-03-24 2015-09-24 Manuel A. Jerez Extraction Electrode
CN105304440A (zh) * 2014-05-26 2016-02-03 斯伊恩股份有限公司 离子发生装置及热电子放出部

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084755A (ja) 1983-10-14 1985-05-14 Seiko Instr & Electronics Ltd 熱陰極電子衝撃型イオン源
JPS60202649A (ja) 1984-03-26 1985-10-14 Seiko Instr & Electronics Ltd 二重格子陽極電子衝撃型イオン源
US5262652A (en) * 1991-05-14 1993-11-16 Applied Materials, Inc. Ion implantation apparatus having increased source lifetime
JPH07254386A (ja) 1994-03-14 1995-10-03 Fujitsu Ltd イオンビーム発生装置
JP3368695B2 (ja) * 1994-10-05 2003-01-20 日新電機株式会社 イオン源
JPH0917366A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Nissin Electric Co Ltd イオン源
JPH1031963A (ja) 1996-07-16 1998-02-03 Toshiba Corp イオン発生装置
US7300559B2 (en) * 2000-04-10 2007-11-27 G & H Technologies Llc Filtered cathodic arc deposition method and apparatus
JP4256142B2 (ja) 2002-10-31 2009-04-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入装置のプラズマ発生装置及びイオン注入装置
JP4374487B2 (ja) 2003-06-06 2009-12-02 株式会社Ｓｅｎ イオン源装置およびそのクリーニング最適化方法
GB0505856D0 (en) * 2005-03-22 2005-04-27 Applied Materials Inc Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source
JP5040723B2 (ja) * 2008-02-26 2012-10-03 日新イオン機器株式会社 イオン源
US7812321B2 (en) * 2008-06-11 2010-10-12 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for providing a multimode ion source
JP5822767B2 (ja) * 2012-03-22 2015-11-24 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン源装置及びイオンビーム生成方法
JP6584787B2 (ja) * 2015-02-13 2019-10-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマイオン源および荷電粒子ビーム装置
JP6415388B2 (ja) * 2015-05-29 2018-10-31 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 プラズマ生成装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1215520C (zh) * 2001-11-16 2005-08-17 日新电机株式会社 离子源
CN201409253Y (zh) * 2009-05-05 2010-02-17 核工业西南物理研究院 一种阳极层线性离子源
US20120280141A1 (en) * 2009-12-18 2012-11-08 Kovtoun Viatcheslav V Method and Apparatus for Multiple Electrospray Emitters in Mass Spectrometry
US20150270100A1 (en) * 2014-03-24 2015-09-24 Manuel A. Jerez Extraction Electrode
CN105304440A (zh) * 2014-05-26 2016-02-03 斯伊恩股份有限公司 离子发生装置及热电子放出部

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113508449A (zh) * 2019-03-13 2021-10-15 应用材料股份有限公司 具有被施加偏压的萃取板的离子源
CN113519037A (zh) * 2019-03-18 2021-10-19 应用材料股份有限公司 具管状阴极的离子源
US11596051B2 (en) 2020-12-01 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Resonator, linear accelerator configuration and ion implantation system having toroidal resonator
TWI810706B (zh) * 2020-12-01 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 裝置、離子植入機及共振器
CN114242549A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 北京凯世通半导体有限公司 一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置
CN114242549B (zh) * 2021-12-21 2024-02-20 北京凯世通半导体有限公司 一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018147723A (ja) 2018-09-20
TWI744495B (zh) 2021-11-01
US20180254166A1 (en) 2018-09-06
TW201833966A (zh) 2018-09-16
US10361058B2 (en) 2019-07-23
JP6898753B2 (ja) 2021-07-07
CN108538691B (zh) 2022-04-26
KR102481642B1 (ko) 2022-12-28
KR20180102017A (ko) 2018-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108538691A (zh) 离子生成装置
JP5040723B2 (ja) イオン源
KR102382794B1 (ko) 빔 인출슬릿구조 및 이온원
KR101190115B1 (ko) 웨이퍼 대전 억제장치 및 이를 구비한 이온 주입 장치
US20070178678A1 (en) Methods of implanting ions and ion sources used for same
CN107039227A (zh) 离子生成装置及离子生成装置的控制方法
US9865422B2 (en) Plasma generator with at least one non-metallic component
JP4992885B2 (ja) プラズマ発生装置
JP4411581B2 (ja) イオン源装置及びそのための電子エネルギー最適化方法
US6762423B2 (en) Methods and apparatus for ion beam neutralization in magnets
US9443698B2 (en) Hybrid scanning for ion implantation
JP5042451B2 (ja) ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置
TW202040650A (zh) 離子生成裝置及離子植入裝置
US7528390B2 (en) Broad beam ion implantation architecture
TWI479545B (zh) 利用氣體饋送控制迴路使射束電流穩定
KR20190096791A (ko) 이온원, 이온 주입 장치
Rose The evolution of ion sources for implanters
JP2001126656A (ja) イオン注入装置
KR20080010094A (ko) 이온주입설비

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant