CN108493297A - 一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法 - Google Patents
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- WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenenickel Chemical compound [Ni]=S WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 110
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 33
- -1 nickel cobalt Prussian blue analogue Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 22
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 abstract description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 38
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 38
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 30
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 27
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 25
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 25
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 25
- 206010001497 Agitation Diseases 0.000 description 18
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 18
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000005909 ethyl alcohol group Chemical group 0.000 description 10
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 9
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 9
- OQUOOEBLAKQCOP-UHFFFAOYSA-N nitric acid;hexahydrate Chemical class O.O.O.O.O.O.O[N+]([O-])=O OQUOOEBLAKQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 9
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 3
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- JGSARLDLIJGVTE-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyl-7-oxo-6-[(2-phenylacetyl)amino]-4-thia-1-azabicyclo[3.2.0]heptane-2-carboxylic acid Chemical compound O=C1N2C(C(O)=O)C(C)(C)SC2C1NC(=O)CC1=CC=CC=C1 JGSARLDLIJGVTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002028 Biomass Substances 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- DYAHQFWOVKZOOW-UHFFFAOYSA-N Sarin Chemical compound CC(C)OP(C)(F)=O DYAHQFWOVKZOOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSBKEAAVFBYUIM-UHFFFAOYSA-N [I].CN1C(N(C=C1)CCC)C Chemical compound [I].CN1C(N(C=C1)CCC)C MSBKEAAVFBYUIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N [S].[Se] Chemical compound [S].[Se] ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052960 marcasite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N pyrite Chemical compound [Fe+2].[S-][S-] NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052683 pyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/74—Iron group metals
- B01J23/755—Nickel
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Hybrid Cells (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,其是将镍钴类普鲁士蓝纳米立方体与九水合硫化钠分散于溶剂中,经溶剂热反应后得到硫化镍纳米框;再将所得硫化镍纳米框与硒粉分散于溶剂中,加入一定量的水合联氨,经二次溶剂热反应制得所述三维中空硒硫化镍纳米框催化剂。本发明方法操作简单、成本低且制备的硒硫化镍纳米框催化剂拥有优异的电化学性能及纳米粒子尺寸小、比表面积大、结构稳定等优点,将其用于作为染料敏化太阳能电池的对电极,其光电转化效率可达到9.66%。
Description
技术领域
本发明属于材料制备领域,具体涉及一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法。
背景技术
化石能源包括煤、石油、天然气,其作为全球主要的一次能源,在我国的能源结构中占有很大的比重。但是化石能源储量有限且不可再生及其在燃烧过程中会造成的各种生态环境问题,因此迫切需要寻找一种可替代的清洁能源。风能、地热能、生物质能和太阳能等一系列可再生能源成为了很好的选择。其中太阳能具有安全无污染且无限制供应等优势,使得太阳能的利用成为了当下的研究热点之一。
1991年,瑞士科学家Grätzel在Nature上报道了一种名为染料敏化太阳能电池(DSSCs)的新型太阳能电池。相比于高成本硅基太阳能电池,DSSCs构造简单、制作容易、成本较低、对环境友好。随后的研究中,DSSCs光电转化效率不断得到提高。因此DSSCs在将来很有可能取代硅基太阳能电池成为太阳能电池的主导。
DSSCs是由光阳极、电解质和对电极三部分组成的类似于三明治结构。其中对电极大多是由氯铂酸负载在导电玻璃(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)上制成的Pt对电极,这是由于Pt催化剂对碘电解液中I–/I3 –电子对的氧化还原反应拥有优异的催化性能。但Olsen等人研究表明,Pt会在碘电解液中反应生成PtI4,使得Pt的催化性能下降。同时贵金属Pt储量少、价格昂贵,阻碍了DSSCs的大规模应用。因此,迫切寻找可替代Pt作为对电极的催化剂。在过去几年的研究中发现了许多的可替代材料,如碳材料、合金材料、导电聚合物材料等,它们各有各的优缺点。如碳材料拥有优异的催化活性和耐腐蚀性能,但其在FTO玻璃上的附着能力较差,会造成DSSCs短路。
根据已有的报道,过渡金属硫化物、硒化物如CoS2、Co3S4、FeS、FeS2、NiS、NiSe2、CoSe2,特别是那些拥有中空结构的过渡金属硫化物、硒化物表现出优异的电化学性能。这是由于三维中空结构纳米材料具有三维开放结构,纳米粒子尺寸小,比表面积大,结构的稳定性好等特点所决定的。因此,拥有三维中空结构的过渡金属硫化物、硒化物催化剂有望成为DSSCs对电极中Pt的替代品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低成本、高性能的三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,以取代DSSCs对电极中常用的Pt催化剂。其方法操作简单、成本低且制备的硒硫化镍纳米框催化剂拥有优异的电化学性能及纳米粒子尺寸小、比表面积大、结构稳定等优点。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,其包括以下步骤:
1)将镍钴类普鲁士蓝纳米立方体Ni3[Co(CN)6]2·12H2O(Ni-Co PBA)与Na2S·9H2O分散于乙醇和水的混合溶剂中,120~160 ℃下溶剂热反应6 h后,离心,干燥,得到三维中空硫化镍纳米框架;
2)将所得硫化镍纳米框架与硒粉分散于去离子水中,加入一定量水合联氨,160 ℃下溶剂热反应6~20 h后,离心,干燥,得到所述三维中空硒硫化镍纳米框。
步骤1)中镍钴类普鲁士蓝纳米立方体与Na2S·9H2O的质量比为1:5;乙醇和水混合的体积比为2~4:1。
步骤2)中硫化镍纳米框架与硒粉的质量比为1:2~3;去离子水与所加入水合联氨的体积比为50:1~3。
本发明所得三维中空硒硫化镍纳米框催化剂可用于制备染料敏化太阳能电池(DSSCs)的对电极。
本发明在室温常压条件下,将镍源、柠檬酸钠和钴源分散于去离子水中,混合搅拌后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA;然后将所得Ni-Co PBA与九水合硫化钠分散于溶剂中,于100 mL聚四氟乙烯为内衬的不锈钢高压反应釜中密封进行溶剂热反应,反应后冷却至室温,洗涤干燥产物得到硫化镍纳米框;再将硫化镍纳米框与硒粉分散于溶剂中,加入一定量的水合联氨进行溶剂热反应,离心洗涤后得到产物为硒硫化镍纳米框。
硫化镍纳米框的形成机理可以解释为一种新颖的结构引起的各向异性刻蚀/阴离子交换法。作为前驱体的纳米立方体由于边缘拥有高曲率和更多的缺陷而首先发生蚀刻并逐渐与硫离子生成硫化镍纳米框;随着反应的进行,蚀刻优先发生在框架和其余部分的边界上,导致中间平面的收缩;最终中间的平面表面和核心区域被完全蚀刻掉,形成了硫化镍纳米框结构。通过进一步的硒化,硫化镍纳米框中硫离子部分地被硒离子取代,而最终转化为硒硫化镍纳米框。其中,在硫化镍纳米框的生成过程中,精确控制反应速率对于生产高质量的硫化镍纳米框是至关重要的。过快的阴离子交换会导致严重的框架状结构倒塌。因此,适量的乙醇被引入反应体系中以减缓阴离子[Co(CN)6]3–和S2–交换。另外,高浓度的硫化钠、高反应温度、长时间反应将导致纳米框坍塌。而在硒硫化镍纳米框的生成中,水合联氨和硒粉的特定比例最终合成了最佳性能的硒硫化镍纳米框。
本发明合成的三维中空的硒硫化镍纳米框六个表面处于空洞状态,同时核心也处于中空状态,这使其拥有更大的比表面积,也暴露出了更多的活性位点,且其纳米粒子尺寸小,因而具备一些大颗粒材料及实心材料所没有的优势,也使其有利于电解液离子的传输交换,从而拥有较其他材料更为优异的电催化性能。同时,其稳定性好,原料廉价易得,因而相对于Pt催化剂拥有更大的优势。
以硫化镍纳米框作为对电极制备的DSSCs的开路电压V oc为795 mV,电流密度J sc为17.0 mA·cm–2,填充因子FF为67.4%,光电转化效率η为9.09%,比同等条件下Pt对电极组成的电池效率高(Pt为8.26%),而同等条件下,以本发明硒硫化镍纳米框催化剂制备的DSSCs的开路电压V oc为793 mV,电流密度J sc为17.6 mA·cm–2,填充因子FF为69.4%,光电转化效率η为9.66%,即较硫化镍纳米框具有更高的导电性及催化效率。
附图说明
图1为实施例3条件下制得的Ni-Co PBA、硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框的SEM图;其中,a)-c) Ni-Co PBA的SEM图,d)-f)为硫化镍纳米框的SEM图。g)-i)为硒硫化镍纳米框的SEM图。
图2为实施例3条件下制备的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框的XRD曲线。
图3为Pt、实施例3条件下制得的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框对电极组装成的DSSCs的J-V曲线及其光伏参数。
图4为Pt、实施例3条件下制得的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框对电极组装成的DSSCs的循环伏安曲线。
图5为Pt、实施例3条件下制得的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框对电极组装成的DSSCs的极化曲线。
具体实施方式
下面通过具体的实施例对本发明进行详细的说明,但这些例举实施方式的用途和目的仅用来例举本发明,并非对本发明的实际保护范围构成任何形式的任何限定,更非将本发明的保护范围局限于此。
实施例1:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分,将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,120 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例2:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,140 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例3:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例4:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于40 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例5:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与35 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例6:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与35 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加1 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例7:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加1 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应6 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例8:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应12 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
实施例9:
将3 mmol六水合硝酸钴与4.5 mmol二水合柠檬酸钠分散于100 mL去离子水中组成A组分、将2 mmol钴氰化钾分散于100 mL去离子水中组成B组分,室温下将A、B组分混合搅拌1min后静置18 h,离心干燥得到蓝色Ni-Co PBA。将50 mg Ni-Co PBA与250 mg九水合硫化钠分别磁力搅拌分散于30 mL无水乙醇和10 mL去离子水中,混合后继续搅拌15 min,密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃下溶剂热反应6 h,离心干燥得到三维中空硫化镍纳米框。再将15 mg上述硫化镍纳米框与30 mg硒粉磁力搅拌分散于50 mL去离子水中,缓慢滴加3 mL水合联氨,继续搅拌15 min后密封于100 mL聚四氟乙烯为内衬的高压反应釜中,160 ℃溶剂热反应20 h后离心干燥,得到三维中空硒硫化镍纳米框。
本发明经过对比测试,实施例3合成的硒硫化镍纳米框形貌最好、性能最佳。
图1为实施例3条件下制得的Ni-Co PBA、硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框的SEM图,其中a)-c)为镍源与钴源合成的前驱体Ni-Co PBA的SEM图,其形状为立方体状,大小较为均一,约为400 nm;图d)-f)为溶剂热法合成的硫化镍纳米框的SEM图,相比于前驱体,其框架结构得到了良好的保留,形成了六个平面都是空洞的中空纳米硫化镍框结构;图g)-i)为硫化镍纳米框进一步硒化为硒硫化镍纳米框的SEM图,由图d)-f)与图g)-i)对比可知,两者形貌并没有较大的区别。
图2为实施例3条件下制备的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框的XRD曲线。由图2可知,与标准卡片相对比,本发明中确系合成的为立方Ni3S4 (ICDD PDF No. 00-047-1739)以及硒硫化镍纳米框(立方NiSe2 (ICDD PDF No. 01-088-1711)与立方Ni3S4 (ICDD PDF No.00-047-1739)混合物)。
组装:
将实施例3所得硒硫化镍纳米框组装成三明治电池结构,光阳极和对电极用沙林热封膜进行封装,然后在光阳极跟对电极中间空隙注入电解液。电池在标准模拟太阳光条件下进行测试(AM 1.5G, 100 mW·cm–2)。
光阳极(二氧化钛膜厚16 μm,包括五层12 μm厚度的20 nm颗粒二氧化钛层,上面再制备两层4 μm厚度的200 nm颗粒二氧化钛层)采用丝网印刷技术制备到FTO玻璃上。每制备完一层二氧化钛层后,将FTO玻璃置于120 ℃烘箱中保温5 min烘干,随后将FTO玻璃置于马弗炉中500 ℃保温1 h,取出后浸泡在0.04 M TiCl4水溶液中,70 ℃处理1 h,最终再将FTO玻璃于马弗炉中500 ℃保温0.5 h。将制得的光阳极浸泡在浓度为0.3 mM的N719染料的乙醇溶液中,避光放置12 h,使得染料敏化吸附到二氧化钛光阳极上。完成敏化处理后,取出采用无水乙醇进行清洗,并自然晾干后使用。电解液的成份为0.1 M LiI,0.05 M I2,0.3M DMPII(1,2-二甲基-3-丙基咪唑碘)和0.5 M叔丁基吡啶的乙腈溶液。
对电极通过旋涂法制备。取10 mg制备得到的硒硫化镍纳米框粉末于西林瓶中,加入1 mL无水乙醇后超声20 min分散,随后以每分钟600转的转速将得到的悬浮液旋涂在FTO玻璃(1.5 cm×1.5 cm)上,持续9秒,重复三次,最后在50 ℃的烘箱中保温烘干10 min。每个FTO玻璃上催化剂的装载量约为0.45 mg·cm–2。作为对比,Pt对电极通过在FTO上旋涂20mM的氯铂酸的乙醇溶液,随后在马弗炉中450 ℃焙烧0.5 h制得。
图3为Pt、实施例3条件下制得的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框对电极组装成的DSSCs的J-V曲线及其光伏参数。由图3中可知,由硫化镍纳米框作为对电极组成的DSSCs的开路电压V oc为795 mV,电流密度J sc为17.0 mA·cm–2,填充因子FF为67.4%,光电转化效率η为9.09%,比同样条件下Pt对电极组成电池的效率更高(Pt为8.26%)。而硒硫化镍纳米框作为对电极组成的DSSCs的开路电压V oc为793 m V,电流密度J sc为17.6mA·cm–2,填充因子FF为69.4%,光电转化效率η为9.66%,拥有三者中最高的电催化性能。这说明硒硫化镍纳米框相比于单独的硫化镍纳米框拥有更高的导电性,从而可获得较高的催化效率。
图4为Pt、实施例3条件下制得的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框对电极组装成的DSSCs的循环伏安曲线。由图4中可知,Pt、硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框的CV曲线有明显的两个氧化还原峰,表明它们的催化活性较好。同时,在CV曲线中,第一氧化峰与第一还原峰之间的电位差E pp与第一还原峰的电流密度J Red-1是两个至关重要的数据。电位差E pp与氧化还原反应的可逆性相关,第一还原峰的电流密度J Red-1与催化I3 –/I–对的速度有关。由图中可见,硒硫化镍纳米框的循环曲线中氧化还原对I3 –/I–的第一还原峰比Pt、硫化镍纳米框更高,并且CV曲线包围的面积更大,说明硒硫化镍纳米框对电极的催化活性比其他两者更好。硒硫化镍纳米框的第一氧化峰与第一还原峰之间的电位差E pp在220 mV左右,相较于硫化镍纳米框的250 mV与Pt的387 mV都小。因此硒硫化镍纳米框拥有更强的电催化活性。
图5为Pt、实施例3条件下制得的硫化镍纳米框和硒硫化镍纳米框对电极组装成的DSSCs的极化曲线。由图5可知,交换电流密度的排列顺序如下:硒硫化镍纳米框(1.97 log(mA·cm–2))>硫化镍纳米框(1.95 log (mA·cm–2))>Pt(1.74 log (mA·cm–2));极限扩散电流密度排列顺序如下:硒硫化镍纳米框(0.762 log (mA·cm–2))>硫化镍纳米框(0.676log (mA·cm–2))>Pt(0.436 log (mA·cm–2))(其中交换电流密度J 0是阴极或者阳极的斜率,极限扩散电流密度J lim是阳极曲线在y坐标轴上的截距值),即硒硫化镍纳米框拥有最高的交换电流密度J 0和极限扩散电流密度J lim,这表明硒硫化镍纳米框拥有最高的电催化活性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (8)
1.一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将镍钴类普鲁士蓝纳米立方体Ni3[Co(CN)6]2·12H2O与Na2S·9H2O分散于乙醇和水的混合溶剂中,在一定温度下溶剂热反应一段时间后,离心,干燥,得到三维中空硫化镍纳米框架;
2)将所得硫化镍纳米框架与硒粉分散于去离子水中,加入一定量水合联氨,一定温度下溶剂热反应一段时间后,离心,干燥,得到所述三维中空硒硫化镍纳米框。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中镍钴类普鲁士蓝纳米立方体与Na2S·9H2O的质量比为1:5。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中乙醇和水混合的体积比为2~4:1。
4. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中溶剂热反应的温度为120~160 ℃,时间为6 h。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中硫化镍纳米框架与硒粉的质量比为1:2~3。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中去离子水与所加入水合联氨的体积比为50:1~3。
7. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中溶剂热反应的温度为160℃,反应时间为6~20 h。
8.一种如权利要求1所述方法制得的三维中空硒硫化镍纳米框催化剂在作为染料敏化太阳能电池对电极上的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810242485.3A CN108493297B (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201810242485.3A CN108493297B (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108493297A true CN108493297A (zh) | 2018-09-04 |
CN108493297B CN108493297B (zh) | 2020-03-10 |
Family
ID=63319425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810242485.3A Expired - Fee Related CN108493297B (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108493297B (zh) |
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CN108493297B (zh) | 2020-03-10 |
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