CN108485590A - 一种芯片用防水导热密封热熔胶及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种芯片用防水导热密封热熔胶及其制备方法，包括以下重量份的原料：苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物30‑40份、硬酯酸单甘油酯2‑4份、聚酰胺树脂50‑70份、酚酮树脂10‑20份、助粘基胶20‑40份、偶联剂5‑7份、导热添加物10‑16份、抗氧剂1‑2份、改性芳香胺5‑10份、阻燃添加物10‑14份、稳定剂0.5‑1.5份、耐老化助剂0.4‑0.8份、成膜助剂3‑5份。本发明的粘结性好、稳定性强、导热性能优异，具有热稳定性好、耐老化、抗酸碱和防火阻燃的优良性能，其固化速度快，防水密封性能好，应用在芯片封装用胶领域，具有较高的实用价值和良好的应用前景。

Description

一种芯片用防水导热密封热熔胶及其制备方法
技术领域
本发明涉及热熔胶材料技术领域，具体涉及一种芯片用防水导热密封热熔胶及其制备方法。
背景技术
随着电子科学技术的快速发展，电子元件、器件、仪器以及仪表在电子工业中得到广泛的应用。由于许多电子设备的工作环境复杂多变，有时甚至会遇到极端恶劣的自然条件，为保护电子元件和集成电路不受工作环境影响，提高电子器件的电气性能和稳定性，常常需要对电子设备进行灌封保护。灌封是电子器件组装的重要工序之一，它是将灌封材料用机械或者手工等方法填充到电子器件的空隙中，在一定条件下加工成型，使器件内部的电子元件和线路与环境隔离的操作工艺。
普通的芯片灌封胶存在热导率低、阻燃性和粘结性能差等缺点，严重影响了应用范围，虽然通过大量添加导热填料、阻燃剂和粘接剂可以改善灌封胶的性能，但是会对灌封胶的力学性能、加工性能产生不利的影响，同时芯片工作的时候会产生大量的热，并现有的密封胶不能够承受较高的环境温度，材料在高温高湿环境中容易被氧化，使用寿命较短，需要经常维护。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种芯片用防水导热密封热熔胶，该热熔胶粘结性好、稳定性强、导热性能优异，具有热稳定性好、耐老化、抗酸碱和防火阻燃的优良性能，其固化速度快，防水密封性能好，应用在芯片封装用胶领域，具有较高的实用价值和良好的应用前景。
本发明解决技术问题采用如下技术方案：
本发明提供了一种芯片用防水导热密封热熔胶，包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物30-40份、硬酯酸单甘油酯2-4份、聚酰胺树脂50-70份、酚酮树脂10-20份、助粘基胶20-40份、偶联剂5-7份、导热添加物10-16份、抗氧剂1-2份、改性芳香胺5-10份、阻燃添加物10-14份、稳定剂0.5-1.5份、耐老化助剂0.4-0.8份、成膜助剂3-5份。
优选地，所述芯片用防水导热密封热熔胶包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物35份、硬酯酸单甘油酯3份、聚酰胺树脂60份、酚酮树脂15份、助粘基胶30份、偶联剂6份、导热添加物13份、抗氧剂1.5份、改性芳香胺7份、阻燃添加物12份、稳定剂1份、耐老化助剂0.6份、成膜助剂4份。
优选地，所述助粘基胶的制备方法如下：按照重量份数，将20份脂族二元羧酸、40份丙烯酸丁酯，20份丙烯酸乳液、8份醋酸乙烯，6份聚乙烯醇和10份甲基丙烯酸甲酯混合，然后经搅拌器以200-300r/min的转速高速搅拌30-40min后加入到反应釜中，升高温度至85-95℃，同时将2份十二烷基硫酸钠、4份过氧化苯甲酰加入到反应釜中，保温搅拌反应20-25min，即得。
优选地，所述导热添加物制备方法为：将纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛按照重量比3:1:2混合加入到乙醇溶剂中，再加入硅烷偶联剂，在75-85℃的温度下，以200-300r/min的转速搅拌15-20min，然后经过干燥即得。
优选地，所述改性芳香胺为苄甲基胺、苄基二甲胺、间苯二胺和苯二甲胺齐聚物中的任一种或多种的混合物。
优选地，所述阻燃添加物为氢氧化镁、氢氧化铝、可膨胀石墨按照重量比2:1:4组成的混合物。
优选地，所述稳定剂为1-苯基-3-吡唑烷酮和为2，6- 二叔丁基对甲酚按照重量比2:1组成的混合物；
所述抗氧剂为抗氧剂TPP。
优选地，所述成膜助剂为丙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯按照重量比3:2组成的混合物；
所述耐老化助剂为3-氨丙基三甲基硅烷和水杨酸苯酯按照重量比2:5组成的混合物。
本发明还提供了一种制芯片用防水导热密封热熔胶的制备方法，包括以下步骤：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为80-90℃下搅拌15-25分钟，搅拌转速为250-350r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为60-70℃，恒温搅拌5-7分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至75-85℃，以搅拌转速450-550r/min，搅拌反应10-20分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌15-25分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至90-100℃，混炼15-25min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
优选地，所述芯片用防水导热密封热熔胶的制备步骤为：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为85℃下搅拌20分钟，搅拌转速为300r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为65℃，恒温搅拌6分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至80℃，以搅拌转速500r/min，搅拌反应15分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌20分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至95℃，混炼20min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
（1）本发明的一种芯片用防水导热密封热熔胶，添加的导热添加物主要为纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛，一方面其有较好的导热性能，有效增加了芯片工作热量的散发，另一方面有较好的杀菌防霉作用，防止溶胶的变性，同时通过对纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛添加偶联剂的改性，使得其与其他组分能够很好的融合在一起。
（2）本发明的一种芯片用防水导热密封热熔胶添加的阻燃添加物，主要为氢氧化镁、氢氧化铝、可膨胀石墨，一方面其有提高其导热的辅助性能，另一方面可膨胀石墨在收到高热的时候，急剧膨胀，窒息了火焰，同时其生成的石墨膨体材料覆盖在基材表面，隔绝了热能辐射和氧的接触；其夹层内部的酸根在膨胀时释放出来，也促进了基材的炭化，而氢氧化镁和氢氧化铝通过受热分解时释放出结合水，吸收大量的潜热，来降低它所填充的合成材料在火焰中的表面温度，具有抑制聚合物分解和对所产生的可燃气体进行冷却的作用，从而通过多种阻燃方式达到良好的效果。
（3）本发明的一种芯片用防水导热密封热熔胶，添加了助粘基胶，进一步提高密封胶的粘结强度；使得防水密封胶的粘度更高，大大提高了其防水密封性能。
（4）本发明的一种芯片用防水导热密封热熔胶以苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物和聚酰胺树脂为主体成分，使材料可起到快速粘接效果，添加的酚酮树脂、硬酯酸单甘油酯提高了胶黏剂的热稳定性，增强了胶黏剂的强度，添加的稳定剂、耐老化助剂、成膜助剂，大大提高了热熔胶的稳定性和使用寿命。
（5）本发明的一种芯片用防水导热密封热熔胶粘结性好、稳定性强、导热性能优异，具有热稳定性好、耐老化、抗酸碱和防火阻燃的优良性能，其固化速度快，防水密封性能好，应用在芯片封装用胶领域，具有较高的实用价值和良好的应用前景。
具体实施方式
下面结合具体实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1.
本实施例的一种芯片用防水导热密封热熔胶，包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物30份、硬酯酸单甘油酯2份、聚酰胺树脂50份、酚酮树脂10份、助粘基胶20份、偶联剂5份、导热添加物10份、抗氧剂1份、改性芳香胺5份、阻燃添加物10份、稳定剂0.5份、耐老化助剂0.4份、成膜助剂3份。
本实施例中的助粘基胶的制备方法如下：按照重量份数，将20份脂族二元羧酸、40份丙烯酸丁酯，20份丙烯酸乳液、8份醋酸乙烯，6份聚乙烯醇和10份甲基丙烯酸甲酯混合，然后经搅拌器以200r/min的转速高速搅拌30min后加入到反应釜中，升高温度至85℃，同时将2份十二烷基硫酸钠、4份过氧化苯甲酰加入到反应釜中，保温搅拌反应20min，即得。
本实施例中的导热添加物制备方法为：将纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛按照重量比3:1:2混合加入到乙醇溶剂中，再加入硅烷偶联剂，在75℃的温度下，以200r/min的转速搅拌15min，然后经过干燥即得。
本实施例中的改性芳香胺为苄甲基胺、苄基二甲胺、间苯二胺和苯二甲胺齐聚物中的任一种或多种的混合物。
本实施例中的阻燃添加物为氢氧化镁、氢氧化铝、可膨胀石墨按照重量比2:1:4组成的混合物。
本实施例中的稳定剂为1-苯基-3-吡唑烷酮和为2，6- 二叔丁基对甲酚按照重量比2:1组成的混合物；
所述抗氧剂为抗氧剂TPP。
本实施例中的成膜助剂为丙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯按照重量比3:2组成的混合物；
所述耐老化助剂为3-氨丙基三甲基硅烷和水杨酸苯酯按照重量比2:5组成的混合物。
本实施例的一种芯片用防水导热密封热熔胶的制备方法，包括以下步骤：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为80℃下搅拌15分钟，搅拌转速为250r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为60℃，恒温搅拌5分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至75℃，以搅拌转速450r/min，搅拌反应10分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌15分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至90℃，混炼15min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
实施例2.
本实施例的一种芯片用防水导热密封热熔胶，包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物40份、硬酯酸单甘油酯4份、聚酰胺树脂70份、酚酮树脂20份、助粘基胶40份、偶联剂7份、导热添加物16份、抗氧剂2份、改性芳香胺10份、阻燃添加物14份、稳定剂1.5份、耐老化助剂0.8份、成膜助剂5份。
本实施例中的助粘基胶的制备方法如下：按照重量份数，将20份脂族二元羧酸、40份丙烯酸丁酯，20份丙烯酸乳液、8份醋酸乙烯，6份聚乙烯醇和10份甲基丙烯酸甲酯混合，然后经搅拌器以300r/min的转速高速搅拌40min后加入到反应釜中，升高温度至95℃，同时将2份十二烷基硫酸钠、4份过氧化苯甲酰加入到反应釜中，保温搅拌反应25min，即得。
本实施例中的导热添加物制备方法为：将纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛按照重量比3:1:2混合加入到乙醇溶剂中，再加入硅烷偶联剂，在85℃的温度下，以300r/min的转速搅拌20min，然后经过干燥即得。
本实施例中的改性芳香胺为苄甲基胺、苄基二甲胺、间苯二胺和苯二甲胺齐聚物中的任一种或多种的混合物。
本实施例中的阻燃添加物为氢氧化镁、氢氧化铝、可膨胀石墨按照重量比2:1:4组成的混合物。
本实施例中的稳定剂为1-苯基-3-吡唑烷酮和为2，6- 二叔丁基对甲酚按照重量比2:1组成的混合物；
所述抗氧剂为抗氧剂TPP。
本实施例中的成膜助剂为丙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯按照重量比3:2组成的混合物；
所述耐老化助剂为3-氨丙基三甲基硅烷和水杨酸苯酯按照重量比2:5组成的混合物。
本实施例的一种芯片用防水导热密封热熔胶的制备方法，包括以下步骤：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为90℃下搅拌25分钟，搅拌转速为350r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为70℃，恒温搅拌7分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至85℃，以搅拌转速550r/min，搅拌反应20分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌25分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至100℃，混炼25min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
实施例3.
本实施例的一种芯片用防水导热密封热熔胶，包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物35份、硬酯酸单甘油酯3份、聚酰胺树脂60份、酚酮树脂15份、助粘基胶30份、偶联剂6份、导热添加物13份、抗氧剂1.5份、改性芳香胺7份、阻燃添加物12份、稳定剂1份、耐老化助剂0.6份、成膜助剂4份。
本实施例中的助粘基胶的制备方法如下：按照重量份数，将20份脂族二元羧酸、40份丙烯酸丁酯，20份丙烯酸乳液、8份醋酸乙烯，6份聚乙烯醇和10份甲基丙烯酸甲酯混合，然后经搅拌器以250r/min的转速高速搅拌35min后加入到反应釜中，升高温度至90℃，同时将2份十二烷基硫酸钠、4份过氧化苯甲酰加入到反应釜中，保温搅拌反应22min，即得。
本实施例中的导热添加物制备方法为：将纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛按照重量比3:1:2混合加入到乙醇溶剂中，再加入硅烷偶联剂，在75-85℃的温度下，以200-300r/min的转速搅拌15-20min，然后经过干燥即得。
本实施例中的改性芳香胺为苄甲基胺、苄基二甲胺、间苯二胺和苯二甲胺齐聚物中的任一种或多种的混合物。
本实施例中的阻燃添加物为氢氧化镁、氢氧化铝、可膨胀石墨按照重量比2:1:4组成的混合物。
本实施例中的稳定剂为1-苯基-3-吡唑烷酮和为2，6- 二叔丁基对甲酚按照重量比2:1组成的混合物；
所述抗氧剂为抗氧剂TPP。
本实施例中的成膜助剂为丙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯按照重量比3:2组成的混合物；
所述耐老化助剂为3-氨丙基三甲基硅烷和水杨酸苯酯按照重量比2:5组成的混合物。
本实施例的一种芯片用防水导热密封热熔胶的制备方法，包括以下步骤：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为85℃下搅拌20分钟，搅拌转速为300r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为65℃，恒温搅拌6分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至80℃，以搅拌转速500r/min，搅拌反应15分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌20分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至95℃，混炼20min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
本发明的一种芯片用防水导热密封热熔胶粘结性好、稳定性强、导热性能优异，具有热稳定性好、耐老化、抗酸碱和防火阻燃的优良性能，其固化速度快，防水密封性能好，应用在芯片封装用胶领域，具有较高的实用价值和良好的应用前景。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物30-40份、硬酯酸单甘油酯2-4份、聚酰胺树脂50-70份、酚酮树脂10-20份、助粘基胶20-40份、偶联剂5-7份、导热添加物10-16份、抗氧剂1-2份、改性芳香胺5-10份、阻燃添加物10-14份、稳定剂0.5-1.5份、耐老化助剂0.4-0.8份、成膜助剂3-5份。
2.根据权利要求1所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述芯片用防水导热密封热熔胶包括以下重量份的原料：
苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物35份、硬酯酸单甘油酯3份、聚酰胺树脂60份、酚酮树脂15份、助粘基胶30份、偶联剂6份、导热添加物13份、抗氧剂1.5份、改性芳香胺7份、阻燃添加物12份、稳定剂1份、耐老化助剂0.6份、成膜助剂4份。
3.根据权利要求1或2所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述助粘基胶的制备方法如下：按照重量份数，将20份脂族二元羧酸、40份丙烯酸丁酯，20份丙烯酸乳液、8份醋酸乙烯，6份聚乙烯醇和10份甲基丙烯酸甲酯混合，然后经搅拌器以200-300r/min的转速高速搅拌30-40min后加入到反应釜中，升高温度至85-95℃，同时将2份十二烷基硫酸钠、4份过氧化苯甲酰加入到反应釜中，保温搅拌反应20-25min，即得。
4.根据权利要求1或2所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述导热添加物制备方法为：将纳米氧化锌、纳米氧化铝、纳米二氧化钛按照重量比3:1:2混合加入到乙醇溶剂中，再加入硅烷偶联剂，在75-85℃的温度下，以200-300r/min的转速搅拌15-20min，然后经过干燥即得。
5.根据权利要求1或2所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述改性芳香胺为苄甲基胺、苄基二甲胺、间苯二胺和苯二甲胺齐聚物中的任一种或多种的混合物。
6.根据权利要求1或2所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述阻燃添加物为氢氧化镁、氢氧化铝、可膨胀石墨按照重量比2:1:4组成的混合物。
7.根据权利要求1或2所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述稳定剂为1-苯基-3-吡唑烷酮和为2，6- 二叔丁基对甲酚按照重量比2:1组成的混合物；
所述抗氧剂为抗氧剂TPP。
8.根据权利要求1或2所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶，其特征在于，所述成膜助剂为丙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯按照重量比3:2组成的混合物；
所述耐老化助剂为3-氨丙基三甲基硅烷和水杨酸苯酯按照重量比2:5组成的混合物。
9.一种制备如权利要求1或2所述的芯片用防水导热密封热熔胶的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为80-90℃下搅拌15-25分钟，搅拌转速为250-350r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为60-70℃，恒温搅拌5-7分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至75-85℃，以搅拌转速450-550r/min，搅拌反应10-20分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌15-25分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至90-100℃，混炼15-25min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
10.根据权利要求9所述的一种芯片用防水导热密封热熔胶的制备方法，其特征在于，所述制备步骤为：
步骤一，按要求称量各组分原料；
步骤二，将导热添加物、偶联剂、阻燃添加物混合加入搅拌机，在温度为85℃下搅拌20分钟，搅拌转速为300r/min，得到混合物A；
步骤三，将苯乙烯丁二烯异戊二烯嵌段共聚物、硬酯酸单甘油酯、聚酰胺树脂、酚酮树脂混合加入反应釜中，在温度为65℃，恒温搅拌6分钟，再加入抗氧剂、稳定剂、耐老化助剂升温至80℃，以搅拌转速500r/min，搅拌反应15分钟，再加入改性芳香胺、助粘基胶、成膜助剂，继续搅拌20分钟，制备得混合物B；
步骤四，将步骤二制备的混合物A和步骤三制备的混合物B送入混炼机，加热升温至95℃，混炼20min；将混炼均匀后的产物经过真空脱泡后加入到双螺杆挤出机，挤出产物经冷却、造粒，即得发明的芯片用防水导热密封热熔胶。
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